JP4759930B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4759930B2 JP4759930B2 JP2004117728A JP2004117728A JP4759930B2 JP 4759930 B2 JP4759930 B2 JP 4759930B2 JP 2004117728 A JP2004117728 A JP 2004117728A JP 2004117728 A JP2004117728 A JP 2004117728A JP 4759930 B2 JP4759930 B2 JP 4759930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- stage
- exposure
- baseline
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 57
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
近年では、半導体デバイスの線幅の微細化にともなって、露光装置の結像特性の向上や、重ね合わせ露光の精度の向上が求められているが、一方で露光処理のスループット(生産性)の向上も求められているため、この両方の要求を両立させることが技術的な課題となっている。なお、露光処理のスループットを向上させるためには、レチクルおよびウエハを搭載するステージの速度および加速度を向上させることが望ましい。そこで、各ステージを駆動するためのモータの出力が増加しつつある。
そして、このようなモータ温度のオーバーシュートおよびアンダーシュートにより、図5(b)に示すようにベースライン量が変化することになる。その結果、露光精度が低下するという問題がある。
本発明の露光装置は、マスクステージ(RST)上に載置されたマスク(R)上のパターンを照明ビームで照明し、投影光学系(PL)を介して、基板ステージ(WST)上に載置された基板(W)上に転写する露光装置(1)において、前記基板上に形成された位置あわせ用パターンの位置を、前記投影光学系とは異なる計測光学系を介して計測する計測手段(90)と、前記ステージ又はその周囲の温度に関する温度関連情報を得る情報獲得手段(84)と、前記投影光学系の視野内の所定位置と、前記計測光学系の計測視野内の所定位置との間の距離であるベースライン量の補正の必要性を、前記情報獲得手段(84)の出力に基づいて判別する制御手段(10)と、を有することを特徴としている。
この構成によれば、ステージ又はその周囲の温度に関する温度関連情報に基づいてベースライン量の補正の必要性を判断するので、ステージ又はその周囲の温度変動に起因するベースライン変動に対応しつつ露光処理を行うことが可能になる。したがって、露光精度を確保することができる。
この構成によれば、ステージ又はその周囲の温度に関する温度関連情報に基づいて基板ステージの動作に制限を与えるので、ステージ又はその周囲の温度変動に起因するベースライン変動を抑制することができる。したがって、露光精度を確保することができる。
一般に、ステージ(WST)を駆動するモータ(33)は、加減速時にもっとも温度変動が大きくなる。そこで、ステージを駆動するモータを一時停止せしめることにより、またステージを駆動する際の加減速度あるいは駆動速度に所定上限値を与えることにより、ステージの温度変動を抑制して、ベースライン変動を所定許容値内に収めることができる。したがって、露光精度を確保することができる。
この構成によれば、ベースライン量の変動量が所定許容値を超えている蓋然性が高い場合に限ってベースライン量の計測を行うことができるので、露光処理のスループットを確保することができる。
この構成によれば、露光精度の確保とスループットの向上との両立が可能な露光装置を用いてデバイスを製造することができるので、高精度かつ低コストのデバイスを提供することができる。
以下、本発明の第1実施形態の露光装置につき、図1ないし図6を参照して説明する。ここでは、例えば露光装置として、露光中(パターン転写中)にレチクルとウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成された半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写する、スキャニング・ステッパを使用する場合の例を用いて説明する。
ウエハ粗動ステージをY方向に駆動するモータ33は、固定側にコイル62が設けられているとともに、可動側にムービングマグネットと呼ばれる磁石(不図示)が設けられている。なお、発熱するのは固定側のコイル62であり、このコイル62を冷却する必要がある。そこで、コイル62の周囲にはケーシング66が設けられ、コイル62とケーシング66との間に冷媒64が封入されている。なお、ケーシング66の外側をマグネットが移動するようになっている。冷媒としては、HFE(ハイドロ・フルオロ・エーテル)やフロリナートを用いることが可能であるが、地球環境保護の観点から、地球温暖化係数が低く、オゾン破壊係数も低い、HFEが好適に用いられる。また、冷媒としては、これに限られるものではなく、水(不純物が取り除かれた純水が好ましい)を使用しても良い。
そこで、図1に示す制御手段10は、露光装置の温度関連情報に基づいて、ベースライン量の補正の必要性を判別するようになっている。
そして、発熱源やその近傍の温度の取得は、温度関連情報の獲得手段を用いて行う。この温度関連情報獲得手段として、発熱源やその近傍に装着された温度センサを採用することが可能である。また、発熱源を温調する冷媒の温度を取得する場合には、図4に示すように、発熱源に対する冷媒64の入口付近および出口付近に温度センサ84a,84bを設けて、冷媒64の温度を実測すればよい。
まず、レチクルステージをスキャン方向(Y方向)に駆動するリニアモータの場合、そのモータDutyは次式で表される。
Duty=ショット数×加速時間×2/ウエハ1枚の露光時間 ‥(1)
Duty=(ショット数+アライメントショット数+スキャン方向ステップ数
+ウエハ交換時移動数)×加速時間×2/ウエハ1枚の露光時間 ‥(2)
Duty=(アライメントショット数+非スキャン方向ステップ数
+ウエハ交換時移動数)×加速時間×2/ウエハ1枚の露光時間 ‥(3)
図5(b)はベースライン変動を表すグラフである。図5(a)のようにモータ温度が変化すると、投影光学系PLや計測光学系(90)(図1参照)を支持しているメインボディに熱が伝わる。これにより、メインボディが膨張・変形して投影光学系PLや計測光学系(90)の位置・角度がずれると、ベースライン変動が発生する。すなわち、モータの温度変化に遅れてベースライン変動が発生することになる。本実施形態の制御手段は、ベースライン量として図5(b)に示すようなベースライン変動を求めることになる。
なお、露光装置の温度関連情報があらかじめ設定された許容値を超えた場合に、直ちにベースライン測定値を求めてもよい。
なお、露光装置の温度関連情報があらかじめ設定された許容値を超えた場合に、前記タイミングよりも短い期間ごとにベースライン量を測定せしめてもよい。
次に、本発明の露光装置の第2実施形態につき、図5および図6を参照して説明する。第1実施形態の露光装置は、温度関連情報に基づいてベースライン補正を行うものであったが、第2実施形態の露光装置は、温度関連情報に基づいて露光動作の中断時間の長さを設定することにより、ベースライン変動を許容値内に抑えるものである。なお、第1実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
次に、本発明の露光装置の第2実施形態につき、図7を参照して説明する。第3実施形態の露光装置は、温度関連情報に基づいて投影光学系の結像特性の補正を行うものである点で、上記各実施形態と相違している。なお、上記各実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその説明を簡略化する。
結像特性の計測には、図7(a)に示すように、レチクルR上のスリットからのパターンをウエハステージ上のスリットパターン801を介してレンズ802、光電センサ803で受光する方法がある。ステージをスキャンして、光電センサ803の出力を取ると、図7(b)のグラフのような出力が得られる。このグラフのピークの高さからフォーカスを、ピークの座標からレチクル膨張と投影レンズ変化の両方を含む倍率、ディストーションを求めることができる。
4 レチクルステージ装置
7 ウエハステージ装置
15 リニアモータ
33 Yリニアモータ
80 制御手段
84a,84b 温度センサ(温度関連情報獲得手段)
90 計測手段
PL 投影光学系
R レチクル
W 基板
Claims (6)
- マスクステージ上に載置されたマスク上のパターンを照明ビームで照明し、投影光学系を介して、基板ステージ上に載置された基板上に、駆動源により前記マスクステージ及び前記基板ステージを駆動しつつ前記パターンを転写する露光装置において、
前記基板上に形成された位置あわせ用パターンの位置を、前記投影光学系とは異なる計測光学系を介して計測する計測手段と、
前記マスクステージ及び前記基板ステージのうち少なくとも一方の駆動により発熱する前記駆動源の少なくとも一部又は前記駆動源を温調する温調媒体から、前記温調媒体を用いた前記駆動源の温調に起因する前記駆動源の温度のオーバーシュート及びアンダーシュートに関する温度関連情報を得る情報獲得手段と、
前記投影光学系の視野内の所定位置と、前記計測光学系の計測視野内の所定位置との間の距離であるベースライン量の補正の必要性を、前記情報獲得手段の出力に基づいて判別する制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。 - マスクステージ上に載置されたマスク上のパターンを照明ビームで照明し、基板ステージ上に載置された基板上に、駆動源によって前記マスクステージ及び前記基板ステージを駆動しつつ前記パターンを転写する露光装置において、
前記マスクステージ及び前記基板ステージのうち少なくとも一方の駆動により発熱する前記駆動源の少なくとも一部又は前記駆動源を温調する温調媒体から、前記温調媒体を用いた前記駆動源の温調に起因する前記駆動源の温度のオーバーシュート及びアンダーシュートに関する温度関連情報を得る情報獲得手段と、
前記情報獲得手段の出力に基づいて、前記基板ステージの動作に制限を与える制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記制御手段は、前記ステージを停止せしめる時間の長さを制御するか、又は前記ステージを駆動する際の加減速度あるいは駆動速度に所定上限値を与えながら駆動することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記温度関連情報が前記駆動源の温度のオーバーシュート及びアンダーシュートに基づいて設定された所定基準値を超えていた場合、又は前記温度関連情報に基づいて算出された前記ベースライン量の変動量が所定許容値を超えていた場合には、前記計測手段を用いて前記ベースライン量を計測することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御手段は、前記情報獲得手段の出力とは無関係に所定のタイミングで前記ベースライン量を測定せしめるよう前記計測手段を制御するとともに、前記温度関連情報が前記所定基準値を超えていた場合又は前記ベースライン量の前記変動量が前記所定許容値を超えていた場合には、前記所定タイミングよりも短い期間毎に前記ベースライン量を測定せしめることを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
- 請求項1から5のうちの何れか一項に記載の露光装置を用いて、前記マスク上に形成されたデバイスパターンを、前記基板ステージにより位置決めされた基板上に転写露光する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004117728A JP4759930B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004117728A JP4759930B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303042A JP2005303042A (ja) | 2005-10-27 |
JP4759930B2 true JP4759930B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=35334179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004117728A Expired - Fee Related JP4759930B2 (ja) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4759930B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4756984B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光装置の制御方法およびデバイスの製造方法 |
US7916267B2 (en) | 2006-08-29 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and motor cooling device |
JP5307507B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-10-02 | 高砂熱学工業株式会社 | 局所密閉型清浄化装置 |
JP5815987B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1012515A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH1083954A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP3689510B2 (ja) * | 1996-11-15 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH1198681A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Canon Inc | モータ駆動装置の過負荷保護装置およびこれを用いた位置決めテーブル装置 |
JP2000262194A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Shimano Inc | 両軸受リールの制動装置 |
JP2002231611A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2004
- 2004-04-13 JP JP2004117728A patent/JP4759930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005303042A (ja) | 2005-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7116396B2 (en) | Exposure device, exposure method and device manufacturing method | |
US7961309B2 (en) | Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate | |
US9164401B2 (en) | Projection system and lithographic apparatus | |
US20060007415A1 (en) | Exposure system and device production process | |
US6699630B2 (en) | Method and apparatus for exposure, and device manufacturing method | |
US7106414B2 (en) | Exposure system and method for manufacturing device | |
US7239368B2 (en) | Using unflatness information of the substrate table or mask table for decreasing overlay | |
JP2002208562A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
KR20040102033A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP4565271B2 (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2004193425A (ja) | 移動制御方法及び装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2010080855A (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 | |
US7746447B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and method of calibrating a lithographic apparatus | |
JP4479911B2 (ja) | 駆動方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4759930B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2006317316A (ja) | ステージ装置およびステージ装置を用いた露光装置 | |
JPH11258498A (ja) | 投影レンズ及び走査型露光装置 | |
US11249403B2 (en) | Vibration isolation system and lithographic apparatus | |
JP2012033921A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2006066589A (ja) | ステージ装置及び露光装置、デバイス製造方法、並びにステージ装置の駆動方法 | |
JP2012033922A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005331009A (ja) | 防振装置及び露光装置 | |
US20200174381A1 (en) | Setpoint Generator, Lithographic Apparatus, Lithographic Apparatus Operating Method, and Device Manufacturing Method | |
JP2002198292A (ja) | 露光装置 | |
JP2000077315A (ja) | 露光方法及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110523 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4759930 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |