JP2012243852A - 露光装置、露光方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査方法及びクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置100は、光源、反射部材、収容容器、及びガス供給部を備える。光源(EUV光源201)は、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する。反射部材(多層膜ミラー204及びマスク205)は、EUV光源201から照射されたEUV光203を反射する。収容容器(照明系室102及びマスク設置室103)は、反射部材を収容する。ガス供給部(酸素ガス供給設備108a〜d及び不飽和炭化水素ガス供給設備109a〜d)は、収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭素水素ガスを導入する。
【選択図】図2
Description
カーボン除去能が高い活性種が存在すること、
活性種として、酸素ラジカル等の強い酸化作用を持つ活性種が好適であること、
この活性種の生成とともに発生するオゾンはカーボン除去能が高くはないものの、このオゾンを活性させて有効活用すること、により効率的に光学反射部材の反射面上のカーボンを除去することができ、カーボン汚染を抑制できると考えた。
すなわち、第1に、酸素にEUV、DUV及びVUV等の励起光が照射されると、酸素ラジカル等の強い酸化作用を持つ活性種が発生する。この活性種がカーボンの除去に有効に働くと考えられる。活性種は、酸素から直接生成されるもの、及びオゾンを経由して生成されるものが存在すると考えられる。
第2に、不飽和炭化水素ガスを導入することにより、活性の低いオゾンが不飽和炭化水素と反応することにより活性化する。活性化したオゾンがカーボンの除去に有効に働くと考えられる。たとえば、オゾンと不飽和炭化水素の反応において、極めて不安定な中間体として存在するmolozonideやcarbonyl oxide、あるいは、その後の反応で発生する可能性があるラジカル種(OHラジカルなど)が、カーボンの除去に有効に働くと考えられる。
EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する光源と、
前記光源から照射された前記光を反射する反射部材と、
前記反射部材を収容する収容容器と、
前記収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭素水素ガスを導入するガス供給部と、を備える、
露光装置が提供される。
露光装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射することにより、前記反射部材から反射した反射光をレジスト上に照射する工程と、を有する、露光方法が提供される。
EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する光源と、
前記光源から照射された前記光を反射する反射部材と、
前記反射部材により反射された反射光が照射されるマスクを載置するためのステージと、
前記反射部材及び前記ステージを収容する収容容器と、
前記収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入するガス供給部と、を備える、
検査装置が提供される。
マスクの検査装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射することにより、前記反射部材から反射した反射光をマスク上に照射する工程と、を有する、検査方法が提供される。
光学装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの前記光を照射する工程と、を含む、クリーニング方法が提供される。
図1は、露光装置の構成の概要を示す図である。図2は、図1に示す露光装置の照明系及び投影光学系の構成を示す図である。
第1の実施の形態の露光装置100は、光源、反射部材、収容容器、及びガス供給部を備える。光源は、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する。本実施の形態では、光源(EUV光源201)は、光(EUV光203)を照射する。反射部材(多層膜ミラー204及びマスク205)は、EUV光源201から照射されたEUV光203を反射する。収容容器(照明系室102及びマスク設置室103)は、反射部材を収容する。ガス供給部(酸素ガス供給設備108a〜d及び不飽和炭化水素ガス供給設備109a〜d)は、収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭素水素ガスを導入する。
本実施の形態では、前述のとおり、第1活性種が酸素ラジカルであり、第2活性種がmolozonideやcarbonyl oxide、又はOHラジカルであると考えられる。
図1に示すように、露光装置100は、コレクター室101、照明系室102、マスク設置室103、マスク搬送室104、投影光学系室105、ウエハ設置室106およびウエハ搬送室107からなる複数の収容容器により区画される。また、図2に示すように、露光装置100は、光源(EUV光源201)、コレクター202、多層膜ミラー204、マスク205、ウエハ206、ウエハステージ207、酸素ガス供給設備108a〜d、不飽和炭化水素ガス供給設備109a〜d、及び真空排気設備111を備える。
また、収容容器内の真空度を比較的高めとすることにより、収容容器内に導入された酸素ガス及び不飽和炭化水素ガスを素早く混合させることができる。
ここで、EUV光は、例えば、波長の範囲が3〜20nmを有する。VUV光は、真空UVであり、例えば、約20〜190nmの波長を有する。VUV光の照射には、例えば、Ar2(126nm)、Kr2(146nm)、KrCl(222nm)、及びXe2(172nm)等の各種エキシマランプが利用できる。また、DUV光は、遠UVであり、例えば、190nm〜300nmの波長を有する。DUV光の照射には、通常、ArFもしくはKrF等のエキシマレーザ、又は水銀ランプ等各種ランプが利用できる。
図5は、マスクブランク検査装置の一例を示す構成図である。
第2の実施の形態の検査装置200は、マスクブランク検査装置である。この検査装置200は、光源、反射部材、ステージ、収容容器、及びガス供給部を備える。光源1は、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射するものである。本実施の形態では、例えば、光源1は、(EUV検査光BM)を照射する。反射部材(凹面鏡L1、凸面鏡L2及び多層膜ミラーPM)は、光源1から照射されたEUV検査光BMを反射する。ステージ(マスクステージ2)は、反射部材により反射された反射光が照射されるマスク(マスクブランクM)が載置される。収容容器(真空室10)は、反射部材及びステージを収容する。ガス供給部は、収容容器内に形成されており、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する。第2の本実施の形態において、酸素ガス供給設備11、不飽和炭化水素ガス供給設備12及び真空排気設備13は、第1の実施の形態のものと同様に構成することができる。また、検査装置200は、制御部20を備えてもよい。制御部20は、第1の実施の形態と同様に、光源1、酸素ガス供給設備11、不飽和炭化水素ガス供給設備12及び真空排気設備13等を制御する。
図5に示す検査装置200は、EUV検査光BMを発生する光源1、反射型マスクブランクあるいはマスクMを載置するためのステージ2、照明光学系CIO、結像光学系DPO、2次元アレイセンサーSE、マスクステージ駆動系6、主制御系7、処理系8、表示系9、及び制御部20を備える。本実施の形態では、EUV光源1として、放電生成型EUV光源(DPP)を用いる例を説明する。
このような本実施の形態のカーボン汚染防止方法を用いることによって、照明光学系、結像光学系、反射用多層膜ミラーなどの光学素子、および被検査物としてのマスクブランクにダメージを与えずに、カーボン除去を効率的に行うことが可能となる。その結果、長時間にわたり検査性能を維持することが可能となる。
図6に示すように、EUV露光装置1000は、EUV光1101、反射光学系1102、多層膜反射マスク1103、光学系ボックス1104、反射投影光学系1105、ウエハ1106、酸素ガス供給設備1113、不飽和炭化水素ガス供給設備1114、真空排気設備1115を備える。EUV光源から入射してきたEUV光1101は反射光学系1102で向きを変えられ、多層膜反射マスク1103に照射される。多層膜反射マスク1103に照射されたEUV光は複数の多層膜ミラーからなる反射投影光学系1105介してウエハ1106に照射される。このEUV露光により反射マスク1103上のパターンはウエハ1106上に結像される。反射光学系1102、多層膜反射マスク1103、反射投影光学系1105を含むこの露光光学系は光学系ボックス1104に囲まれている。マスク設置室1110やウエハ1106の設置された真空室とは別の排気系(真空排気設備1115)で排気されている。その結果、光学系ボックス1104の中は周囲に比べ、特に高い真空度となるように真空排気されている。この光学系ボックス1104の多層膜反射マスク側およびウエハ側には、EUV光を通すための開口が形成される。
(付記1)
多層膜反射ミラー光学素子を構成物として具備するEUV露光装置において、
該装置内に酸素と不飽和炭化水素ガスを導入する機構を具備したことを特徴としたEUV露光装置。
(付記2)
付記1記載のEUV露光装置において、上記不飽和炭化水素ガスがエチレンであることを特徴としたEUV露光装置。
(付記3)
付記1記載のEUV露光装置において、上記多層膜光学素子にDUV光あるいは、およびVUV光を照射する機構を有することを特徴としたEUV露光装置。
(付記4)
反射面が多層膜で構成されたEUVマスク上に形成された所望の回路パターンを多層膜反射ミラー光学素子を介してレジスト上に転写するEUV露光方法において、
該多層膜反射ミラー部材上に酸素と不飽和炭化水素ガスを導入してEUV露光を行うことを特徴としたEUV露光方法。
(付記5)
付記4記載のEUV露光方法において、上記不飽和炭化水素ガスがエチレンであることを特徴としたEUV露光方法。
(付記6)
EUV光あるいはDUV光を用い、かつ反射ミラー光学素子を構成物として具備する検査装置において、
該装置内に酸素と不飽和炭化水素ガスを導入する機構を具備したことを特徴とした検査装置。
(付記7)
付記6記載の検査装置において、上記不飽和炭化水素ガスがエチレンであることを特徴とした検査装置。
(付記8)
付記6記載の検査装置において、上記光学素子にDUV光あるいは、およびVUV光を照射する機構を有することを特徴とした検査装置。
(付記9)
付記6記載の検査装置を用いて検査を行うことを特徴とした検査方法。
(付記10)
付記9記載の検査方法において、不飽和炭化水素ガスがエチレンであることを特徴とした検査方法。
(付記11)
付記4記載のEUV露光方法を用いて製造されたことを特徴とした半導体装置の製造方法。
2 マスクステージ
6 ステージ駆動機構
7 主制御系
8 処理系
9 表示機構
10 真空室
11 酸素ガス供給設備
12 不飽和炭化水素ガス供給設備
13 真空排気設備
14 照明光学系区画
15 光源区画
20 制御部
100 露光装置
101 コレクター室
102 照明系室
103 マスク設置室
104 マスク搬送室
105 投影光学系室
106 ウエハ設置室
107 ウエハ搬送室
108a、108b、108c、108d酸素ガス供給設備
109a、109b、109c、109d 不飽和炭化水素ガス供給設備
110、110a、110b、110c、110d 開口
111 真空排気設備
120 制御部
200 検査装置
201 EUV光源
202 コレクター
203 EUV光
204 多層膜ミラー
205 マスク
206 ウエハ
207 ウエハステージ
208 仕切り部
1000 EUV露光装置
1101 EUV光
1102 反射光学系
1103 反射マスク
1104 光学系ボックス
1105 反射投影光学系
1106 ウエハ
1110 マスク設置室
1112 EUV光
1113 酸素ガス供給設備
1114 不飽和炭化水素ガス供給設備
1115 真空排気設備
Claims (15)
- EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する光源と、
前記光源から照射された前記光を反射する反射部材と、
前記反射部材を収容する収容容器と、
前記収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭素水素ガスを導入するガス供給部と、を備える、
露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記光源が露光用の前記光を照射した後、前記露光用の光とは波長が異なる前記光を照射する、露光装置。 - 請求項1または2に記載の露光装置において、
前記反射部材が反射ミラー又は反射マスクである、露光装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の露光装置において、
前記不飽和炭化水素ガスが、エチレン、アセチレン、プロペン、及びブテンからなる群から選択される少なくとも一種のガスを含有する、露光装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の露光装置において、
前記収容容器内の空気を排出する排出部を備える、露光装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の露光装置において、
前記収容容器の一部を構成しており、前記反射部材を収容する第1収容容器と、
前記収容容器の他部を構成しており、前記第1収容容器につながる第2収容容器と、
前記第1収容容器と前記第2収容容器とを区画し、前記反射部材が反射した反射光が透過する透過部を有する仕切り部と、
前記第2収容容器内に配置されていて、前記反射光が照射される基板を載置するためのステージと、を備え、
前記第1収容容器には前記ガス供給部が設置されており、
前記第2収容容器には前記ガス供給部が設置されていない、露光装置。 - 露光装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射することにより、前記反射部材から反射した反射光をレジスト上に照射する工程と、を有する、露光方法。 - 請求項7に記載の露光方法において、
照射する前記工程は、露光用の前記光を照射する工程と、前記露光用の光とは波長が異なる前記光を照射する工程とを有する、露光方法。 - 請求項7または8に記載の露光方法において、
前記不飽和炭化水素ガスが、エチレン、アセチレン、プロペン、及びブテンからなる群から選択される少なくとも一種のガスを含有する、露光方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の露光方法を用いて半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法。
- EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射する光源と、
前記光源から照射された前記光を反射する反射部材と、
前記反射部材により反射された反射光が照射されるマスクを載置するためのステージと、
前記反射部材及び前記ステージを収容する収容容器と、
前記収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入するガス供給部と、を備える、
検査装置。 - 請求項11に記載の検査装置において、
前記光が検査用の前記光を照射した後、前記検査用の光とは波長が異なる前記光を照射する、検査装置。 - 請求項11または12に記載の検査装置において、
前記不飽和炭化水素ガスが、エチレン、アセチレン、プロペン、及びブテンからなる群から選択される少なくとも一種のガスを含有する、検査装置。 - マスクの検査装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの光を照射することにより、前記反射部材から反射した反射光をマスク上に照射する工程と、を有する、検査方法。 - 光学装置を構成する反射部材の反射面上に、酸素ガス、及び不飽和炭化水素ガスを導入する工程と、
前記反射部材の前記反射面に、EUV光、DUV光又はVUV光のいずれかの前記光を照射する工程と、を含む、クリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Family
ID=47465255
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2012243852A (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141003 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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