KR100907229B1 - 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

루테늄막의 산화 및 루테늄막에의 탄소의 퇴적 중 적어도 전자를 저감하는 신규한 기술을 제공한다. 노광 광을 이용해 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치를, 상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄 막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사 수단과, 상기 반사수단을 내포하는 진공용기와, 상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과, 상기 진공용기 내의 기체성분의 양을 검출하는 검출수단과, 상기 진공용기 내에 물의 기체 및 탄소계의 기체의 적어도 한편을 공급하는 공급수단과, 상기 검출수단에 의해 검출된 기체성분의 양에 의거하여, 상기 진공용기 내에 있어서 물의 기체의 양과 탄소계의 기체의 양이 미리 정해진 관계가 되도록, 상기 공급수단에 의한 상기 적어도 한편의 공급량을 제어하는 제어수단을 갖는 것으로 한다.
Figure R1020087001435
노광장치, 루테늄막, 진공용기, 스퍼터링

Description

노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS, METHOD AND PROCESS FOR PRODUCING DEVICE}
본 발명은, 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
현재 메모리나 논리회로 등 미세한 반도체소자를 제조하기 위한 선단 리소그래피 기술로서, 자외(UV) 광을 사용한 축소 투영 노광장치가 사용되고 있다. 그러나, 소자의 고집적화가 진행되어 50nm 이하의 선폭이 사용되게 되면, UV광을 사용한 리소그래피에서는 충분한 해상력을 제공할 수 없는 것이 염려되고 있다. 이 상황을 타개하기 위해서, 11∼15nm과 한층 더 짧은 파장을 가지는 극자외(Extreme Ultraviolet:EUV) 광을 사용한 리소그래피 기술이 개발되고 있다.
EUV 광은 물질에 강하게 흡수되기 때문에, UV 리소그래피와 같이 굴절을 이용한 투과형 광학소자는 사용할 수 없다. EUV 리소그래피에서는 반사형 광학소자를 사용하고, 그 표면에는 광학 정수의 다른 2종류의 물질을 교대로 적층한 다층막을 설치한다. 정밀한 형상으로 연마된 글라스계 기판 표면에, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)을 교대로 적층하는 것이, 파장 13.5nm 및 그 근방의 EUV광을 효율적으로 반사한다. EUV 노광장치에서는, 이 반사형 소자로 구성되는 축소 투영 광학계에 의해 웨이퍼 위에 마스크의 패턴 상을 형성한다.
EUV광은 분위기 중에 존재하는 가스 성분에 의해서도 흡수되기 때문에, 노광장치 내는 적당한 진공으로 유지된다. 이 진공 분위기에는, 수분이나 탄소계의 물질을 포함한 가스가 잔류하고 있다. 이들의 가스는, 주로 노광장치 내부에서 사용되는 부품이나 케이블로부터 발생한다. 또, 웨이퍼 위에 도포된 레지스트(감광성 물질)로부터 휘발하는 성분도 포함된다. 이들 잔류 가스 성분은 광학소자 표면에 흡착하고, 그 체재시간 중에 EUV광의 조사를 받는다. EUV광은 물질을 분해하는 능력도 높기 때문에, 탄소계 잔류 가스 성분의 경우는 표면에서의 분해로 탄소의 퇴적이 생긴다. 수분의 경우는 마찬가지로 표면에서의 분해로 활성 산소성분이 생기고, 표면 소재가 산화된다. 이러한 탄소, 산소성분이 표면에 더해지면, 그 두께에 따라 EUV광을 흡수한다. 이 흡수는 무시할 수 없는 양이며, 그 결과 광학소자의 EUV광 반사율이 열화한다. 해상력이 우수한 축소 투영계를 구성하기 위해서는 다수의 광학소자를 사용하므로, 한 소자당의 반사율 열화를 상승(相乘)하는 형태로 광학계를 통과하는 광량은 감소한다. 이것에 상응해서 노광 시간은 증가하고, 노광장치의 성능은 저하한다.
지금까지 탄소의 퇴적에 대해서는, 퇴적을 막는 방법이나 퇴적물을 제거하는 방법이 제안되어 왔다. 탄소퇴적의 방지에는, 광학소자가 설치되는 분위기의 대상 가스압력을 낮게 누르는 사고방식이 일반적이다. 대상 가스로서 메탄, 에탄, 혹은 프로판 등의 탄화수소, 이소프로필 알코올 혹은 폴리메타크릴산 메틸 등의 직쇄(直鎖) 유기물, 및 벤젠 혹은 프탈산 에스테르 등의 환형 유기물을 예로 든 것이 있다 (특허문헌 1).
퇴적 탄소 제거법으로서, 광학소자가 설치되는 분위기에 물, 질소 산화물, 및 산소함유 탄화수소로부터 선택된 산소함유종의 존재 하에서, 250nm에 못 미치는 파장을 가진 UV광 혹은 EUV광을 조사하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 2). 또 탄소제거법으로서, 수증기, 산소, 오존 및 래디컬군으로부터 선택된 적어도 1개의 물질을 포함한 처리 가스를 도입하여, 전자선을 조사하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 3).
산화 방지에서는, 다층막의 최상층이 Si의 경우에 광학소자 설치 분위기에 에탄올을 도입하여, 노광하는 것이 어느 정도 유효다고 알려져 있다(비특허문헌 1). 또, 다층막 최상층에 얇은 루테늄(Ru)보호막을 설치하면 Ru에 산화 내성이 있기 때문에, EUV광의 흡수를 어느 정도 누를 수 있다는 것이 알려져 있다(비특허문헌 2).
특허문헌 1 : 특허공보 제3467485호
특허문헌 2 : 일본국 공개특허공보 특개2003-188096호
특허문헌 3 : 일본국 공개특허공보 특개2002-237443호
미특허문헌 1 : L.Klebanoff, 2nd International EUVL Workshop, [online], 평성12(2000)년 10월 19-20일, International SEMATECH Manufacturing Initiative, [평성17(2005)년 6월 10일 검색], 인터넷<http://www.sematech.org/resources/litho/meetings/euvl/20001019/index.htm>
비특허문헌 2 : Bajt, H. Chapman, N. Nguyen, J. Alameda, J. Robinson, M. Malinowski, E. Gullikson, A.Aquila, C. Tarrio, S. Granthan, SPIE, 평성15(2003)년, 제5037권, p.236
발명의 개시
발명이 이루고자 하는 기술적 과제
현재 다층막 보호막으로서 가장 유망하다고 여겨지고 있는 Ru막은, 탄소계 잔류 가스 성분이 적은 환경에서, 또 노광장치환경을 모의해서 도입된 수분의 존재 하에서, EUV광 조사실험을 행하면, 산화가 진행하여, EUV광 반사율이 열화한다. 이 반사율 열화의 결과 생기는 노광 능력의 저하는, 실용 단계의 노광장치에서는 허용할 수 없는 정도인 것이 알려져 있다.
본 발명은, 상기의 과제를 고려해서 이루어진 것으로, 루테늄막의 산화 및 루테늄막에의 탄소의 퇴적 중 적어도 전자를 저감하는 신규한 기술을 제공하는 것을 예시적 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
제 1의 발명은, 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치로서, 상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사수단과,
상기 반사수단을 내포하는 진공용기와,
상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과,
상기 진공용기 내에 물을 공급하고, 상기 진공용기 내의 물의 양을 조정하는 조정수단을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치다.
또한, 제 2의 발명은, 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광방법으로서,
상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고 상기 노광 광을 반사하는 반사수단을 내포하는 진공용기 내를 배기하는 배기스텝과,
상기 진공용기 내에 물을 공급하고, 상기 진공용기 내의 물의 양을 조정하는 조정스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 노광방법이다.
또한, 제 3의 발명은, 상기 제 1의 발명의 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이다.
또한, 제 4의 발명은, 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치로서,
상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사수단과,
상기 반사수단을 내포하는 진공용기와,
상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과,
상기 진공용기 내의 기체성분의 양을 검출하는 검출수단과,
상기 진공용기 내에 물의 기체 및 탄소계의 기체의 적어도 한편을 공급하는 공급수단과,
상기 검출수단에 의해 검출된 기체성분의 양에 의거하여 상기 진공용기 내에 있어서 물의 기체의 양과 탄소계의 기체의 양이 미리 정해진 관계가 되도록, 상기 공급수단에 의한 상기 적어도 한편의 공급량을 제어하는 제어수단을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치다.
또한, 제 5의 발명은, 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고 상기 노광 광을 반사하는 반사수단을 내포하는 진공용기 내를 배기하는 배기스텝과,
상기 진공용기 내의 기체성분의 양을 검출하는 검출스텝과,
상기 진공용기 내에 물의 기체 및 탄소계의 기체의 적어도 한편을 공급하는 공급스텝을 갖고,
상기 공급스텝은, 상기 검출스텝에 있어서 검출된 기체성분의 양에 근거해, 상기 진공용기 내에 있어서 물의 기체의 양과 탄소계의 기체의 양이 미리 정해진 관계가 되도록, 상기 적어도 한편의 공급량을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
한층 더, 제 6의 발명은, 상기 제 4의 발명의 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 효과 등은, 첨부된 도면을 참조해서 이루어진 후술의 설명에 의해 밝혀져 있다. 또한, 해당 도면에 있어서, 동일 또는 유사의 부호는 복수의 도면을 통해서 동일 또는 유사의 구성요소를 나타내고 있다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 루테늄막의 산화 및 루테늄막에의 탄소의 퇴적 중 적어도 전자를 저감하는 신규한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 있어서의 노광장치의 구성도,
도 2는 노광장치의 주요부 구성도,
도 3은 오거(Auger)/스퍼터링법으로 조사한 원소조성을 도시한 도면,
도 4는 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 플로우를 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 있어서의 노광장치의 주요부 구성도,
도 6은 노광장치의 동작을 나타내는 플로차트.
부호의 설명
1 노광장치
2 진공용기
10 레이저 광원
12 집광 렌즈
14 플라즈마 스폿
16 조명 광학계
18 마스크 스테이지
20 마스크
22 투영 광학계
24 웨이퍼 스테이지
26 웨이퍼
28 배기수단
30 가스 도입계
31' 검출기
33' 물 공급원
34 탄소계 가스 공급원
(제 1의 실시 예)
도 1에 본 발명의 일 실시예인 EUV 노광장치(1)의 개략을 나타낸다. 레이저 광원(10)으로부터의 레이저광의 집광점에 형성되는 플라즈마 스폿(14)으로부터 방사되는 EUV광은 다수의 반사경으로 구성되는 조명 광학계(16)에 의해 집광·정형 되어, 반사형 마스크(20)에 인도된다. 마스크에는 소망의 패턴이 형성되어 있고, 그 반사 패턴을 투영 광학계(22)를 통해서 웨이퍼(26) 위에 결상한다. 마스크, 웨이퍼는, 각각 병진운동이 가능한 마스크 스테이지(18), 웨이퍼 스테이지(24) 위에 탑재된다. 마스크와 웨이퍼를 일 방향으로 동기 주사하면서 마스크의 패턴을 통해서 웨이퍼를 노광함으로써, 상기 주사 방향으로 큰 사이즈의 패턴을 웨이퍼 위에 투영할 수 있다. EUV광을 생성하는 광원부는, 상기와 같은 레이저 플라즈마 광원 이외에, 예를 들면 방전형 플라즈마 광원을 사용해도 된다. UV광을 이용하는 경우는, EUV 광원으로부터 방사되는 UV광을 적극적으로 이용하거나, 조명 광학계의 도중에 UV 광원으로부터의 광을 도입한다. UV광은 웨이퍼 위의 결상을 방해하는 악영 향도 있기 때문에, 과도하게 더할 수 없다. EUV 광원의 방식에 의해, 광원이 발하는 광에 UV광이 포함될 경우가 있다. 이것을 허용값 이하로 하기 위해서 조명계 내에 필터를 설치하는 경우는, 그 두께를 적절히 설정할 필요가 있다.
마스크(20), 조명 광학계(16), 투영 광학계(22)에 사용하는 광학소자에는 다층막을 코팅하지만, 상술한 바와 같이 Si와 Mo를 50쌍 정도 퇴적하는 것이 일반적이다. 웨이퍼(26), 마스크(20), 조명 투영계(16), 투영 광학계(22), 마스크 스테이지(18), 웨이퍼 스테이지(26) 등은 진공용기(2) 내에 수납된다. 진공용기는, 터보 분자 펌프 등의 배기수단(28)에 의해 10-5∼10-6Pa 정도의 압력까지 일단 배기된다. 그 후, 가스 도입계(30)에 의해 수분을 정해진 압력까지 도입하고, 그 상태를 유지하면서 노광을 행한다. 이와 같이 노광장치를 운전할 시, 광학소자가 설치되는 분위기에 계속해서 정해진 압력의 수분을 도입하는 것이 본 실시 예의 특징이다. 진공용기 공간이 필터 또는 미소 컨덕턴스 통로로 한층 더 세분될 경우, 필요한 장소에 배기수단(28) 및 가스 도입계(30)를 추가하면 좋다.
가스 도입계(30)는 필요에 따라 복수의 가스를 공급할 수 있도록 한다. 도 2는, 진공용기(2) 내의 물(수증기)의 양을 조정하는 조정수단으로서의, 수분을 공급하는 계통(물 공급계) 및 가스 도입계(30)의 구성 예를 설명하기 위한 모식도다. 가스 도입계(30)는, 여기에서는, 배기수단(28)이 접속된 탱크로서 구성되어 있다.도 2에 있어서, 31은 진공용기(2) 내의 압력(물의 분압)을 측정하는 압력센서, 32는 압력센서(31)의 출력에 따라 개구도가 변화하는 조정밸브를 포함한 밸브, 33은 초고순도 물을 유지하는 용기다. 31∼33은 물 공급계를 구성한다. 용기(33)는 물을 냉동하는 기능을 지니고 있다. 용기(33) 내의 초고순도 물은 일단 냉동된다. 그 상태에서, 상기 조정밸브를 닫고, 배기수단(28)을 사용하여, 물 공급계를 충분히 배기한다. 그 후 물을 액체로 복원하고, 액체로부터 증발하는 수증기를 가스 도입계(30)에 공급한다. 가스 도입계(30)로의 물의 유량은, 압력 센서(31)의 신호에 따라 밸브(32)에 의해 조정된다. 또한, 압력을 조악하게 조절하기 위해서, 용기(33)의 출구에 개방도가 일정한 조정밸브를 설치해도 된다. 또한, 가스 도입계(30)에 장착하는 배기수단(28)의 배기속도를 제어하는 것은, 진공용기(2)에의 가스 공급량을 미세하게 조절하는데 유효한 경우가 있다. 이렇게 해서, 노광장치의 진공용기(2) 내의 수압력(분압)을 소망의 값으로 할 수 있다. 한층 더, 탄소계 가스를 공급하는 계통을, 필요에 따라, 예를 들면 물 공급계와 동일한 구성으로, 가스 도입계(30)에 접속하거나, 또는 독립적으로 추가할 수 있다. 사용하는 탄소계 가스에 따라, 적절한 공급 방법을 사용하면 된다. 공급 대상물질의 상온 상압에서의 상태가 가스인 경우는, 공급계에 냉동 기능은 필요 없다.
본 발명은 이하에 서술하는 가속시험을 행하는 과정에서 발견되었다. 노광장치 투영 광학계(22)에 조사되는 EUV광 강도는 0.2-20mW/cm2정도로 광학소자에 따라 크게 다르다. 노광장치 투영 광학계는 적어도 수년, 혹은 노광장치와 같은 수명이 있는 것이 바람직하다. 그래서, 고강도의 조사를 받는 미러를 기준으로 해서 500배 정도의 가속시험을 행하는 주지에서, 10W/cm2의 EUV광을 조사했다. 이 실험에 사용 한 진공용기를 수일 배기했을 때의 잔류 가스 스펙트럼을 측정한 결과, 잔류 가스 전압력 값 7x10-5Pa의 주성분은 질량수 18의 물인 것이 밝혀졌다. EUV 조사에 의해 Ru 표면에 영향을 미치는 탄소계 가스 성분으로서는, 질량수 55를 기준으로 하는 것이 일반적이고, 이 성분의 양은 질량수 18의 양의 1/10000 정도였다. 이 탄소계 성분은, 실험장치에서 사용하고 있는 부품이나 케이블에서 나온 것이다. 그러나, 노광장치의 진공용기(2) 내에서도, 양적으로는 다를 수 있지만, 탄소계 성분이 마찬가지로 존재하는 것이 예상된다. 그래서, 상기의 분위기 중에 EUV광을 도입하여, 최상층으로서 2nm의 Ru를 부가한 Mo, Si 다층막 기판(광학소자 샘플)을 조사했다.
실험의 결과, 2.3x105J/cm2의 조사를 받아도, 조사 중심에서는 반사율이 당초의 값의 99%을 유지하고 있는 것을 알았다. 2.3x105J/cm2은 20mW/cm2에서 조명되는 광학소자에서도 1.2x107초(약 3300시간)의 조사에 해당한다. 왜 이렇게 반사율이 유지되는지를 조사하기 위해서, 조사 위치의 깊이 방향 원소조성을 오거 전자 분석기와 이온 스퍼터링을 사용하는 방법으로 조사했다. 도 3은 그 결과이며, 횡축은 이온 스퍼터하는 시간, 종축은 원소조성이다. 이 결과로부터, Ru 표면에 얇은 탄소층이 형성·유지되고, 그것이 Ru 표면의 산화를 극히 낮은 레벨로 누르고 있는 것이 밝혀졌다. 또한, 도 3의 결과는, 탄소층이 가장 명확한 형태로 관측되는 EUV광 조도위치에서의 결과다. EUV광 조도가 높은 곳에서는, 탄소층의 형성도가 보다 적은 곳도 있다. 그러나, 그 장소에서도 EUV광 조사에서 시시각각 생성되는 탄소층이 Ru의 산화를 유효하게 방지하는 것이 알려져 있다. 이 탄소층은, EUV광 조사에서 생성된, 물에 기인하는 산화 성분에 의해 산화되어서 휘발물(기체)로 변하고, 표면에서 이탈한다. 이 과정에 의해, Ru의 산화가 억제된다.
기초지식으로부터, 가속시험의 경우는 수분의 압력도, 조도와 동등하게 상승시킬 필요가 있다는 것이 알려져 있다. 그래서 다음에 전압력이 1x10-2Pa가 될 때까지 수분을 도입하여, 조사 실험을 행했다. 이 실험은, 조사량이 700J/cm2이 될 때까지 행했지만, 조사 중심에서의 반사율은 역시 당초 값의 99%을 유지하고 있었다. 자세한 평가로부터, 이때 물 도입에 따라 비례적으로 질량수 55의 탄소계 가스도 도입된 것이 알려졌다. 이 영향에도 불구하고, EUV광 반사율이 유지되는 것은, 본 발명의 폭넓은 유효성을 시사하는 것이다. Ru의 소재특성에 주목하면, 광학소자가 설치되는 분위기에 존재하는 탄소계 성분과 수분과의 양적 관계에서, Ru 표면에 얇은 탄소 보호막이 형성될 가능성이 있다. 즉, Ru 표면에 얇은 탄소막이 퇴적하고, 그 결과, 반사율의 저하를 극미하게 한 상태에서 Ru의 산화가 방지된다.
이것에 착안하면, 광학소자가 설치되는 분위기의 수분량을 적극적으로 제어하는 것이 유효하다. 이 수분량의 적량은 분위기 중에 존재하는 탄소계 잔류 가스 성분량에 의존한다. 또 조사하는 EUV광의 강도에도 의존한다. 최적인 상태를 만들어 내기 위해서, 탄소계 성분 가스를 적극적으로 도입하는 것도 유효하다. 보호막을 형성하기 위해서, EUV광뿐 아니라 진공 자외광도 동시에 조사하는 것도 유효하다.
지금까지의 실험에서, EUV광의 강도가 극히 미약한 영역에서는 두꺼운 탄소층의 퇴적이 있고, 그것에 따라 EUV광 반사율이 저하하는 것이 알려져 있다. 따라서, 다음의 것 등을 확인한 후, 적절한 방법을 선택하는 것이 바람직하다.
i)노광장치 내의 분위기 및 조사 조건에 의해, 도입 수분량의 제어만으로 원하는 효과를 얻을 수 있는가.
ii)수분의 주입 및 적당한 탄소계 가스의 주입을 병용할 필요가 있는가.
iii) 한층 더 진공 자외광의 조사를 병용할 필요가 있는가.
예를 들면, 노광장치의 광학소자가 설치되는 분위기에서, 질량수 55로 표현되는 탄소계 가스의 존재량을 현실적으로 가능한 범위까지 하강시키고, 적당한 수분을 도입함으로써, 소망의 효과를 수득할 수 있도록, 장치를 설정할 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 물 공급계의 구성을 고려함으로써 질량수 55로 표현되는 탄소계 가스의 혼입을 과도하게 수반하지 않고, 원하는 수분을 도입할 수 있다. 예를 들면, 물 공급계에서는 지극히 순도가 높은 물을 사용하는 것, 및 물을 냉동한 상태에서의 물 공급계의 배기를 충분히 행하는 것이 유효하다.
또한, 상술한 물 공급계 및 가스 도입계를 포함한 조정수단에 의해 조정되는 진공용기 내의 물의 압력은, 1×10-6Pa이상 1×10-2Pa이하인 것이 바람직하다. 하한의 1×10-6Pa는, 실용상 압력조정이 가능한 하한값이며, 또한 이 압력값 미만에서는 탄소층의 퇴적을 억제하는 효과를 기대할 수 없다. 상한의 압력값 1×10-2Pa를 초과하면, EUV광의 쇠퇴 및 광학소자 표면의 산화 등의 악영향이 생긴다.
또한, 해당 조정수단에 의해, 진공용기 내의 탄소계 가스의 압력을 조정할 경우, 진공용기 내에 공급하는 가스는, 하이드로카본 및 알코올의 적어도 한편인 것이 바람직하다. 그때, 조정수단에 의해 조정되는 진공용기 내의 해당 가스의 압력은, 1×10-10Pa이상 1×10-6Pa이하인 것이 바람직하다. 하한의 1×10-10Pa는, 실용상 압력조정이 가능한 하한값이며, 또한 이 압력값 미만에서는 광학소자 표면의 산화를 억제하는 탄소층의 생성의 효과를 기대할 수 없다. 상한의 압력값 1×10-6Pa를 초과하면, 탄소층의 과잉한 퇴적에 의한 광학소자의 반사율의 저하 등의 악영향이 생긴다.
다음에, 본 발명의 다른 실시 예를 설명한다. 도 5는, 본 실시 예에 따른 EUV 노광장치의 주요부 구성도다. EUV 노광장치의 전체적인 구성은, 도 1에 기재한 것과 동일하다. 또한, 도 2와 마찬가지 또는 유사한 구성요소에는, 도 2와 마찬가지 또는 유사한 부호를 부착하고, 그 설명을 적당히 생략한다.
EUV 노광장치의 진공용기(2) 내에는, 투영 광학계뿐만 아니라, 마스크 스테이지나 웨이퍼 스테이지 등이 내포된다. 그 때문에, 진공용기(2) 내의 분위기 중의 잔류 가스 성분은, 노광장치의 설계 제작 후에 판명하고, 또한, 사용상황 등에 의해 경시적으로 변동할 수 있다. 이 때문에, 진공용기(2) 내의 잔류 가스 성분의 양을 검출하기 위한 검출기(31')를 설치한다. 검출기(31')로서는, 예를 들면, 4중극형 질량 분석기를 사용할 수 있다. 또한, 본 실시 예에 있어서는, 진공용기(2) 내에 물(가스)을 공급하기 위한 물 공급원(33')에 덧붙여, 진공용기(2) 내에 탄소계 가스를 공급하기 위한 탄소계 가스 공급원(34)을 설치하고 있다. 해당 탄소계 가스로서는, 예를 들면 탄화수소 또는 알코올로서 특정되는 화합물군 중에서 선택된 것을 사용할 수 있다.
또한, 부호 35는, 제어기(컨트롤러)를 나타내고, 제어기(35)는, 검출기(31')에 의해 검출된 가스 성분의 양에 의거하여 밸브(32)의 개구도를 제어해서 물의 공급량을 조정할 수 있다. 또한, 제어기(35)는, 검출기(31')에 의해 검출된 가스 성분의 양에 의거하여 밸브(32')의 개구도를 제어해서 탄소계 가스의 공급량을 조정할 수 있다. 한층 더, 부호 36은, 기억기(메모리)이며, 물 및 탄소계 가스의 적어도 한편의 공급량을 결정하기 위한 정보, 예를 들면 물의 양과 탄소계 가스의 양과의 관계의 정보를 기억한다. 해당 관계의 정보는, 복수의 노광 조건의 각각에 관해서 기억되어 있는 것이 바람직하다. 해당 노광 조건은, 노광 광(EUV 광)의 조사 조건, 또는 노광 광의 에너지 등을 포함한다.
또한, 해당 관계의 정보는, 예를 들면 각 노광 조건에 대해 준비된, 물의 양과 탄소계 가스의 양과의 대응관계를 나타내는 테이블 형식의 정보로 할 수 있다.
계속해서, 도 6을 참조하여, 본 실시 예에 따른 EUV 노광장치의 동작을 설명한다. 도 6은, 해당 동작의 흐름을 나타내는 플로차트다. 우선, 스텝 S61에 있어서, 배기수단(28)을 사용해서 EUV 노광장치의 진공용기(2) 내의 배기를 개시한다. 진공용기(2) 내의 진공도가 미리 정해진 노광에 알맞은 진공도에 도달한 후, 검출기(31')를 사용해서 진공용기(2) 내의 잔류 가스 성분의 양(분압)을 검출한다(스텝 S62).
예를 들면, 질량수 18(물)의 가스의 성분 및 질량수 45 이상의 각 가스의 성분이 어떠한 양으로 존재할지에 의해, 물에 대한 탄소계 잔류 가스 성분의 많고 적음을 판정할 수 있다. 실용적으로는, 질량수 55의 가스의 양에 의해 판정할 수 있는 경우가 많다. 일례에서는, 이 양이 물(질량수 18)의 양의 1/10000을 초과할 때는 많고, 1/10000 이하의 경우는 작다고 판정할 수 있다. 단, 이 판정기준은, 존재하는 가스종 등에 의존하고, 물의 양의 1/10000과는 다른 수치가 되는 일도 있을 수 있다.
따라서, 상술한 바와 같이, 실제로 진공용기(2) 내에 있어서 EUV광으로 노광된 Ru막 표면의 원소분포를 측정함으로써, 노광 조건마다, 물과 탄소계 가스와의 적절한 양적 관계를 미리 산출하는 것이 바람직하다. 여기에서, 적절한 양적 관계는, Ru막의 산화를 억제할 수 있고, 또 Ru막 위의 탄소의 퇴적을 억제할 수 있도록 한 양적 관계다. 산출된 해당 양적 관계는, 전술한 기억기에 기억시켜 둠으로써, 제어기(35)에 의한 물 및 탄소계 가스의 적어도 한편의 공급량의 결정에 이용된다.
탄소계 잔류 가스 성분량이 많은 경우, 제어기(35)는, 진공용기(2) 내에 물이 공급되도록, 물 공급원(33')을 가지는 물공급수단에 있어서의 밸브(32)를 연다. 이때, Ru막의 산화가 진행되지 않게 하는 적절한 물의 분압이 이루어지도록, 밸브(32)의 개구도를 자동 제어한다. 한편, 탄화 수소계 잔류 가스 성분량이 적은 경우에는, 제어기(35)는, 진공용기(2) 내에 탄소계 가스(예를 들면, 탄화수소 및 알코올의 적어도 한편)이 공급되도록, 탄소계 가스 공급원(34)을 가지는 탄소계 가스 공급수단에 있어서의 밸브(32')를 연다. 이때, Ru막 위에 과도한 탄소 퇴적이 생기지 않게 하는 적절한 탄소계 가스의 분압이 이루어지도록, 밸브(32')의 개구도를 자동 제어한다.
또한, 탄소계 가스의 분압을 요구값까지 저하시키기 위해서 탄소계 가스의 공급량을 저하시키거나, 또는 배기량을 증대시키면, 물 분압도 저하하는 경우가 있다. 또한, 물과 탄소계 가스와의 적량이 산화 및/또는 탄소의 퇴적을 저감하는 효과를 최적으로 발휘할 수도 있다. 이들과 같은 경우, 물과 탄소계 가스와의 양자를 진공용기(2) 내에 도입하고, 양자의 분압을 적절히 제어하는 것이 유효하다.
이렇게 해서, 제어기(35)는, 검출기(31')를 사용해서 검출된 진공용기(2) 내의 잔류 가스 성분의 양(분압)에 의거하여, 물(가스) 및 탄소계 가스의 적어도 한편의 공급량을 결정한다(스텝 S63). 해당 결정에 있어서는, 상술한, 미리 산출되어 기억기(36)에 기억된, 노광 조건마다의, 물과 탄소계 가스와의 적절한 양적 관계의 정보가 참조된다.
계속해서, 제어기는, 결정된 물 및 탄소계 가스의 적어도 한편의 공급량에 의거하여 밸브 32 및 32'의 적어도 한편의 개구도를 제어한다(스텝 S64). 이것에 의해, 진공용기(2) 내에 물(가스) 및 탄소계 가스의 적어도 한편이 공급되고, 그 공급량은 밸브 32 및 32'의 적어도 한편의 개구도에 의해 조정된다.
이상과 같이 해서, 진공용기(2) 내의 Ru막에의 탄소의 퇴적이 저감되거나, 또는, 같은 Ru막에의 탄소의 퇴적이 저감되며 또 같은 Ru막의 산화가 저감된다. 그러한 진공용기(2) 내에 있어서, 그러한 Ru막을 갖는 반사수단(미러)16, 22 및 반사형 마스크(20)를 통해서, 웨이퍼(기판;26)을 노광한다(스텝 S65).
또한, 본 실시 예에 있어서의 이상의 설명에서는, 물 공급원(33')과 탄소계 가스 공급원(34)과의 쌍방을 구비하고 있는 예를 설명했다. 그러나, 장치구성 및/또는 장치 사용조건 등에 의하여, 진공용기(2) 내에 있어서 물(가스) 및 탄소계 가스의 어느 쪽인가 한편의 양(분압)이 반드시 지배적으로 크다는 것도 생각된다. 그 경우에는, 물 공급원(33')과 탄소계 가스 공급원(34) 중 필요한 한편만을 구비하도록 하는 것도 가능하다.
다음에, 반도체 디바이스를 예로 들어, 상기 노광장치를 이용한 디바이스의 제조 프로세스를 설명한다. 도 6은 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 플로우를 도시한 도면이다. 스텝 1(회로설계)에서는 반도체 디바이스의 회로 설계를 행한다.스텝 2(마스크 제작)에서는 설계한 회로 패턴에 의거하여 마스크(원판 또는 레티클이라고도 한다)를 제작한다.
한편, 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼(기판이라고도 한다)를 제조한다. 스텝 4(웨이퍼 프로세스)는 전공정으로 불리며, 상기의 마스크와 웨이퍼를 사용하여, 상기의 노광장치에 의해 리소그래피 기술을 이용해서 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 다음 스텝 5(조립)는 후공정으로 불리며, 스텝 4에 의해 제작된 웨이퍼를 사용해서 반도체 칩화하는 공정이고, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 봉입) 등의 조립 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는 스텝 5에서 제작된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 통해서 반도체 디바이스가 완성되고, 스텝 7에서 이것을 출하한다.
상기 스텝 4의 웨이퍼 프로세스는 이하의 스텝을 갖는다. 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화스텝, 웨이퍼 표면에 절연막을 성막하는 CVD 스텝, 웨이퍼 위에 전극을 증착에 의해 형성하는 전극형성스텝, 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온 주입스텝, 웨이퍼에 감광제를 도포하는 레지스트 처리스텝, 상기의 노광장치에 의해 회로 패턴을 레지스트 처리스텝 후의 웨이퍼에 전사하는 노광스텝, 노광스텝에서 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상스텝, 현상스텝에서 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 에칭하는 에칭스텝, 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거하는 레지스트 박리스텝. 이들의 스텝을 반복해 행함으로써, 웨이퍼 위에 다중으로 회로 패턴을 형성한다.
본원은, 2005년 9월 2일자로 제출된 일본국특허출원 제2005-255090호를 기초로서 우선권을 주장하는 것이며, 그 기재 내용의 모두를, 여기에 원용한다.

Claims (24)

  1. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사수단과,
    상기 반사수단을 내포하는 진공용기와,
    상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과,
    상기 진공용기 내에 수증기를 공급하고, 상기 진공용기 내의 수증기의 양을 조정하는 조정수단을 갖고,
    상기 조정수단은, 상기 진공용기 내의 수증기의 양이 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양에 의존해서 결정된 양이 되도록, 상기 진공용기 내의 수증기의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정수단은, 한층 더 상기 진공용기 내에 하이드로카본 및 알코올의 적어도 한편을 공급하고, 상기 진공용기 내의 상기 적어도 한편의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사수단에 진공 자외광을 조사하는 조사수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정수단은, 상기 진공용기 내의 수증기의 압력을 1×10-6Pa이상 1×10-2Pa이하로 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 조정수단은, 상기 진공용기 내의 상기 적어도 한편의 압력을 1×10-10Pa이상 1×10-6Pa이하로 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 광은 극자외광인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광방법으로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고 상기 노광 광을 반사하는 반사수단을 내포하는 진공용기 내를 배기하는 배기스텝과,
    상기 진공용기 내에 수증기를 공급하고, 상기 진공용기 내의 수증기의 양을 조정하는 조정스텝을 갖고,
    상기 조정스텝은, 상기 진공용기 내의 수증기의 양이 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양에 의존해서 결정된 양이 되도록, 상기 진공용기 내의 수증기의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  8. 청구항 1에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  9. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사수단과,
    상기 반사수단을 내포하는 진공용기와,
    상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과,
    상기 진공용기 내의 기체성분의 양을 검출하는 검출수단과,
    상기 진공용기 내에 물의 기체 및 탄소계의 기체의 적어도 한편을 공급하는 공급수단과,
    상기 검출수단에 의해 검출된 기체성분의 양에 의거하여 상기 진공용기 내에 있어서 물의 기체의 양과 탄소계의 기체의 양이 미리 정해진 관계가 되도록, 상기 공급수단에 의한 상기 적어도 한편의 공급량을 제어하는 제어수단을 갖는 것을 특 징으로 하는 노광장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 미리 정해진 관계의 정보를 기억하는 기억수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기억수단은, 복수의 노광 조건의 각각에 관해서, 상기 미리 정해진 관계의 정보를 기억하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 노광 조건은, 상기 노광 광의 조사조건을 포함한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 노광 조건은, 상기 노광 광의 에너지를 포함한 것을 특징으로 하는 노 광장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 탄소계의 기체는, 탄화수소 및 알코올의 적어도 한편을 포함한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 반사수단에 진공 자외광을 조사하는 조사수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 노광 광은 극자외광인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광방법으로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고 상기 노광 광을 반사하는 반사 수단을 내포하는 진공용기 내를 배기하는 배 기스텝과,
    상기 진공용기 내의 기체성분의 양을 검출하는 검출스텝과,
    상기 진공용기 내에 물의 기체 및 탄소계의 기체의 적어도 한편을 공급하는 공급스텝을 갖고,
    상기 공급스텝은, 상기 검출스텝에 있어서 검출된 기체성분의 양에 근거해, 상기 진공용기 내에 있어서 물의 기체의 양과 탄소계의 기체의 양이 미리 정해진 관계가 되도록, 상기 적어도 한편의 공급량을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  18. 청구항 9에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  19. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광장치로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고, 상기 노광 광을 반사하는 반사수단과,
    상기 반사수단을 내포하는 진공용기와,
    상기 진공용기 내를 배기하는 배기수단과,
    상기 진공용기 내에 탄소계 기체를 공급하고, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양을 조정하는 조정수단을 갖고,
    상기 조정수단은, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양이 상기 진공용기 내의 수증기의 양에 의존해서 결정된 양이 되도록, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 조정수단은, 상기 탄소계 기체로서, 탄화수소 또는 알코올로서 특정되는 화합물군 중에서 선택된 것을 상기 진공용기 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 반사수단에 진공 자외광을 조사하는 조사수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 노광 광은 극자외광인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  23. 노광 광을 사용해서 원판을 통해 기판을 노광하는 노광방법으로서,
    상기 노광 광을 반사하는 다층막과 상기 다층막 위에 배치된 루테늄막을 포함하고 상기 노광 광을 반사하는 반사수단을 내포하는 진공용기 내를 배기하는 배기스텝과,
    상기 진공용기 내에 탄소계 기체를 공급하고, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양을 조정하는 조정스텝을 갖고,
    상기 조정스텝은, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양이 상기 진공용기 내의 수증기의 양에 의존해서 결정된 양이 되도록, 상기 진공용기 내의 탄소계 기체의 양을 조정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  24. 청구항 19에 기재된 노광장치를 사용해서 기판을 노광하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
KR1020087001435A 2005-09-02 2006-08-31 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법 KR100907229B1 (ko)

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JP2005255090A JP2007067344A (ja) 2005-09-02 2005-09-02 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法

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KR1020087001435A KR100907229B1 (ko) 2005-09-02 2006-08-31 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067344A (ja) 2005-09-02 2007-03-15 Canon Inc 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
JP2007234822A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Canon Inc 露光装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法
JP2008263173A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Canon Inc 露光装置
US8358447B2 (en) 2007-07-31 2013-01-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
EP2395738B1 (en) 2007-07-31 2016-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-functional device having scanner module and image scanning apparatus employing the scanner module
US8379275B2 (en) 2007-07-31 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
NL1036181A1 (nl) 2007-11-30 2009-06-04 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a projection system and a device manufacturing method.
US9498846B2 (en) * 2010-03-29 2016-11-22 The Aerospace Corporation Systems and methods for preventing or reducing contamination enhanced laser induced damage (C-LID) to optical components using gas phase additives
DE102011079450A1 (de) 2011-07-20 2013-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung mit Degradationsunterdrückung
US9323051B2 (en) 2013-03-13 2016-04-26 The Aerospace Corporation Systems and methods for inhibiting contamination enhanced laser induced damage (CELID) based on fluorinated self-assembled monolayers disposed on optics
CN108107681A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种光刻投影物镜腔体精密监控装置
US10274847B2 (en) 2017-09-19 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Humidity control in EUV lithography

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188096A (ja) * 2001-11-19 2003-07-04 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、製造されたデバイス、これに関する、被汚染物を清掃する清掃装置および方法
KR20040007454A (ko) * 2001-02-26 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 극단 자외광 발생장치, 이를 사용한 노광장치 및 반도체제조방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618990A (en) * 1984-11-15 1986-10-21 General Electric Company Edge enhancement filtering for digital fluorography images
US5012096A (en) * 1989-05-20 1991-04-30 Fujitsu Limited Digital X-ray apparatus
JP2574923B2 (ja) * 1990-04-10 1997-01-22 大日本スクリーン製造株式会社 輪郭強調方法および画像処理装置
DE69214229T2 (de) 1991-08-14 1997-04-30 Agfa Gevaert Nv Verfahren und Vorrichtung zur Kontrastverbesserung von Bildern
US6009208A (en) * 1995-08-21 1999-12-28 Lucent Technologies Inc. System and method for processing space-time images
JP3700804B2 (ja) * 1996-12-13 2005-09-28 富士写真フイルム株式会社 画像処理方法および装置
US7050648B1 (en) 1998-09-18 2006-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus, image processing method, and recording medium
JP2002237443A (ja) 2001-02-09 2002-08-23 Nikon Corp 汚染除去装置、露光装置の汚染除去方法及び露光装置
US20020053353A1 (en) * 2000-03-13 2002-05-09 Shintaro Kawata Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same
US6467404B1 (en) * 2000-08-28 2002-10-22 Temple Tag, Inc. Hot stamp machine for custom imprinting plastic identifier tags
US6954255B2 (en) * 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
JP3754933B2 (ja) * 2001-06-19 2006-03-15 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理システム、画像処理方法、プログラム及び記憶媒体
JP3467485B2 (ja) * 2001-07-18 2003-11-17 松下電器産業株式会社 軟ｘ線縮小投影露光装置、軟ｘ線縮小投影露光方法及びパターン形成方法
JP2003115451A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
DE10150874A1 (de) * 2001-10-04 2003-04-30 Zeiss Carl Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US6934003B2 (en) * 2002-01-07 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1333323A3 (en) * 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
DE10209493B4 (de) * 2002-03-07 2007-03-22 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung
US20040105084A1 (en) * 2002-09-30 2004-06-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6986255B2 (en) 2002-10-24 2006-01-17 Rolls-Royce Plc Piloted airblast lean direct fuel injector with modified air splitter
SG135934A1 (en) 2002-12-20 2007-10-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE10321103A1 (de) * 2003-05-09 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Vermeidung von Kontamination und EUV-Lithographievorrichtung
WO2005091076A2 (en) * 2004-03-05 2005-09-29 Carl Zeiss Smt Ag Methods for manufacturing reflective optical elements
JP4274366B2 (ja) 2004-03-15 2009-06-03 クラリオン株式会社 車載用機器、車載用機器の制御方法、制御プログラムおよび記録媒体
JP4508708B2 (ja) * 2004-04-12 2010-07-21 キヤノン株式会社 Ｅｕｖ光を用いた露光装置および露光方法
JP2006049758A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Nikon Corp 露光装置の制御方法、並びに、これを用いた露光方法及び装置
US20070030466A1 (en) 2004-08-09 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus control method, exposure method and apparatus using the control method, and device manufacturing method
JP2006319245A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置及びパターン形成方法
JP2007067344A (ja) 2005-09-02 2007-03-15 Canon Inc 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040007454A (ko) * 2001-02-26 2004-01-24 가부시키가이샤 니콘 극단 자외광 발생장치, 이를 사용한 노광장치 및 반도체제조방법
JP2003188096A (ja) * 2001-11-19 2003-07-04 Asml Netherlands Bv リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、製造されたデバイス、これに関する、被汚染物を清掃する清掃装置および方法

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Publication number Publication date
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