DE10321103A1 - Verfahren zur Vermeidung von Kontamination und EUV-Lithographievorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Vermeidung von Kontamination und EUV-Lithographievorrichtung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermeidung von Kontamination der Oberflächen reflektiver optischer Elemente für den weichen Röntgen- und EUV-Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht aus mindestens einem Übergangmetall während ihrer Bestrahlung bei Betriebswellenlänge in einem evakuierten, eine Restgasatmosphäre aufweisenden geschlossenen System, bei dem eine bestimmte Restgasatmosphäre eingestellt wird. Um eine Degradation der Oberfläche durch sowohl Ablagerungen von Kohlenstoff als auch Oberflächenoxidation zu vermeiden, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß sowohl ein reduzierendes Gas oder Gasgemisch sowie ein Sauerstoffatome aufweisendes Gas oder Gasgemisch eingeleitet werden. In Verbindung mit der Deckschicht des reflektiven optischen Elementes aus einem Übergangsmetall wird eine Degradation der Oberfläche wirksam unterbunden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Vermeidung von Kontamination der Oberflächen reflektiver optischer Elemente für den weichen Röntgen- und EUV-Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht aus mindestens einem Übergangsmetall während ihrer Bestrahlung bei Betriebswellenlänge in einem evakuierten, eine Restgasatmosphäre aufweisenden geschlossenen System, bei dem eine bestimmte Restgasatmosphäre eingestellt wird.
  • Ferner betrifft die Erfindung eine EUV-Lithographievorrichtung mit mindestens einem reflektiven optischen Element für den weichen Röntgen- bis EUV-Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht mit mindestens einem Übergangsmetall, das in einem evakuierbaren Gehäuse angeordnet ist sowie ein Verfahren zur Herstellung elektronischer Mikrobauteile.
  • Optische reflektive Elemente für den weichen Röntgen- bis EUV-Wellenlängenbereich (d.h. Wellenlängen zwischen 5 nm und 20 nm), wie zum Beispiel Photomasken oder Viellagenspiegel, werden insbesondere zum Einsatz in der EUV-Lithographie von Halbleiterbauelementen benötigt. Typische EUV-Lithographiegeräte weisen acht oder mehr reflektive optische Elemente auf. Um dennoch eine hinreichende Gesamtintensität der Arbeitsstrahlung zu erreichen, müssen die Spiegel möglichst hohe Reflektivitäten aufweisen, denn die Gesamtintensität ist proportional zum Produkt der Reflektivitäten der einzelnen Spiegel. Diese hohe Reflektivität sollten die reflektiven optischen Elemente möglichst während ihrer gesamten Lebensdauer beibehalten. Weiterhin muss die Homogenität der Reflektivität über die Oberfläche der reflektiven optischen Elemente über die gesamte Lebensdauer erhalten bleiben. Die Reflektivität und die Lebensdauer von diesen reflektiven optischen Elementen werden besonders durch die Kontamination der Oberfläche unter Bestrahlung bei Betriebswellenlänge in Form der Ablagerung von Kohlenstoff und durch Oxidation der Oberfläche beeinträchtigt.
  • Die reflektiven optischen Elemente kontaminieren während des Betriebs durch Restgase aus der Vakuumatmosphäre. Dabei werden Moleküle des Restgases an den Oberflächen der reflektiven optischen Elemente adsorbiert und werden durch die hochenergetische Photonenstrahlung vermittels Emission von Photoelektronen aufgebrochen. Bei dem Vorhandensein von Kohlenwasserstoffen in der Restgasatmosphäre entsteht so eine Kohlenstoffschicht, die die Reflektivität eines reflektiven optischen Elementes um ca. 1% pro nm Dicke herabsetzt. Bei einem Kohlenwasserstoffpartialdruck von ca. 10– 9 mbar wird eine Schicht von 1 nm Dicke bereits nach ca. 20 Stunden erreicht. Da zum Beispiel EUV-Lithographiegeräte bei einem Reflektivitätsverlust von 1 % pro reflektiven optischen Element nicht mehr den nötigen Durchsatz erlauben, muss diese Kontaminationsschicht durch einen Reinigungsprozess entfernt werden, der typischerweise bis zu 5 Stunden dauert. Außerdem birgt ein derartiger Reinigungsprozess die Gefahr, dass die Oberfläche des reflektiven optischen Elementes beschädigt wird, zum Beispiel aufgeraut oder oxidiert wird und daher die Ausgangsreflektivität nicht wieder erreicht werden kann.
  • Sauerstoffhaltige Restgasmoleküle können zur Oxidation der Oberflächen beitragen. Dabei könnte die ungeschützte Oberfläche eines reflektiven optischen Elementes bereits innerhalb weniger Stunden zerstört werden.
  • Gemäß der WO 02/052061 A1 sowie der US 2001/0051124 A1 wird versucht, die Oxidation zu vermeiden, indem Kohlenwasserstoffe, speziell Alkohol, der Restgasatmosphäre beigemischt werden. Gemäß diesen Schriften wird zwar erwartet, dass sich dadurch eine selbstterminierende Kohlenstoffschicht auf der Oberfläche eines reflektiven optischen Elementes ablagert. Langzeitversuche > 100 Stunden haben aber erwiesen, dass die Kohlenstoffschicht langsam weiter wächst.
  • Die US 2002/0084425 A1 lehrt, dass die Kohlenstoffkontamination durch Zugabe eines Reinigungsgases entfernt werden kann. Vorgeschlagen werden als Reinigungsgas Sauerstoff, Wasserstoff und Wasser. Problematisch ist aber, dass nicht nur die Kohlenstoffkontaminationsschicht entfernt wird, sondern unter Umständen auch eine Oxidation der unter der Kontamination liegenden Oberfläche verursacht werden kann.
  • In der US 2001/0053414 A1 wird vorgeschlagen, durch Zugabe von insbesondere Ethanol und Wasser in einem Verhältnis 2:1 in die Restgasatmosphäre ein gleichzeitiges Reinigen und Schützen der Oberflächen zu erreichen.
  • In der EP 1 065 568 A2 wird eine Schutzschicht aus beispielsweise Ruthenium beschrieben, die die Oxidationseinfälligkeit deutlich reduziert. Bei einem reflektiven optischen Element mit einer derartigen Deckschicht lässt sich bei einem Wasserpartialdruck von 10–6 mbar und einer Energiedichte von 10 mW/mm2 die Oxidationsrate auf 0,03 % pro Stunde reduzieren. Dies verlängert die Lebensdauer eines reflektiven optischen Elementes auf ca. 30 Stunden. Für den wirtschaftlichen Einsatz der reflektiven optischen Elemente in beispielsweise einem EUV-Lithographiegerät müssen allerdings Lebensdauern von mehreren Jahren erreicht werden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden.
  • Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 sowie eine Vorrichtung gemäß Anspruch 11 und ein Verfahren nach Anspruch 14.
  • Erstaunlicherweise hat sich herausgestellt, daß durch die geeignete Wahl des Materials einer Deckschicht für reflektive optische Elemente sowie eines reduzierenden und eines oxidierenden Gases oder Gasgemischs ein Synergieeffekt erreicht wird, der dazu führt, daß während des Betriebes weder eine Kohlenstoffschicht aufwächst, noch die Oberfläche des reflektiven optischen Elementes oxidiert wird. Dieser Synergieeffekt beruht wahrscheinlich auf sich ergebenden Redox-Reaktionen und katalytischen Effekten an der Deckschicht auf Übergangsmetallbasis, die über weite Bereiche von der Intensität der eingestrahlten Strahlung unabhängig sind.
  • Ein vorstellbarer Reaktionsmechanismus besteht darin, dass bei Zimmertemperatur das oxidierende Gas oder Gasgemisch die Oberfläche des Übergangmetalls M zu einem übersättigten Oxid der Form MOxO oxidiert. Wird EUV-Strahlung oder weiche Röntgenstahlung eingestrahlt, reagieren die reduzierenden Gase oder Gasgemische mit dem übersättigten Metalloxid MOxO zu oxidierten Spaltprodukten, so dass das reduzierende Gas oder Gasgemisch keine Kontamination verursacht. Das übersättigte Metalloxid MOxO wird dabei zu einer niedrigeren Oxidationsstufe reduziert, die die Oxidation des Übergangmetalls verhindert. Das oxidierende Gas oder Gasgemisch oxidiert das Übergangsmetall wieder zu einem aktiven übersättigten Oxid MOxO. Auf diese Weise bildet sich ein dynamisches Gleichgewicht aus, das über große Bereiche von der Strahlungsintensität unabhängig ist.
  • Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird die Lebensdauer reflektiver optischer Elemente so sehr verlängert, daß ein wirtschaftlicher Einsatz in EUV-Lithographiegeräten möglich wird. Häufige Reinigungszyklen werden vermieden. Dadurch sinkt auch das Risiko einer Beschädigung der Oberfläche des reflektiven optischen Elementes durch zu aggressive Reinigung, die zu Reflektivitätsverlusten bzw. laterale Inhomogenitäten in der Strahlungsdichte führen würde.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform werden als Sauerstoffatome aufweisendes Gas oder Gasgemisch H2O und O2 eingeleitet. Denn diese sind im Gegensatz zu z.B. Peroxiden nicht nur sicherer, sondern auch kostengünstiger.
  • Im Prinzip kann jedes reduzierende Gas oder Gasgemisch eingesetzt werden, insbesondere Wasserstoff, Stickstoff, Kohlenmonoxid und Kohlenwasserstoffe. Insbesondere aus Arbeitssicherheitsgründen werden Kohlenwasserstoffe bevorzugt. Es hat sich dabei als vorteilhaft erwiesen, Kohlenwasserstoffe einzusetzen, die ein Siedepunkt unter 150°C und ein Molekulargewicht unter 120 g/mol aufweisen. Denn mit solchen Kohlenwasserstoffen können größere Partialdrücke erreicht werden und dadurch das Verfahren einfacher gesteuert werden.
  • Bei der Wahl eines geeigneten Kohlenwasserstoffes bzw. einer geeigneten Mischung von Kohlenwasserstoffen ist entscheidend, daß die Oberfläche des jeweiligen reflektiven optischen Elementes gut bedeckt wird. Dafür ist die Haftung der Moleküle auf der jeweiligen Oberfläche von Bedeutung. Beispielsweise sollten die Moleküle eine nicht zu geringe Molmasse aufweisen.
  • Auch das Sauerstoffatom aufweisende Gas bzw. Gasgemisch sollte die Oberfläche des jeweiligen reflektiven optischen Elementes gut bedecken.
  • Im Übrigen hat das Zufügen von weiteren Gasen, wie z. B. Edelgase, keinen negativen Einfluss auf das erfindungsgemäße Verfahren.
  • Strukturell gesehen hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn der oder die Kohlenwasserstoffe Sauerstoffatome enthalten. Als vorteilhaft hat es sich auch erwiesen, wenn der oder die Kohlenwasserstoffe mindestens eine Doppelbindung aufweisen. Besonders vorteilhaft ist es, wenn der oder die Kohlenwasserstoffe eine oder mehrere C=O und/oder OC=O und C≡O-Gruppen aufweisen.
  • Bevorzugt werden als Kohlenwasserstoffe insbesondere z.B. Alkohole, Aldehyde, Ketone, Ether, Ester oder Karboxylsäuren. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird als Kohlenwasserstoff Methyl-Metacrylat (MMA) eingeleitet.
  • Wichtiger weiterer Parameter für die Effizienz der erfindungsgemäßen Kontaminationsvermeidung ist die Wahl des Übergangsmetalls für die Deckschicht des reflektiven optischen Elementes. Besonders vorteilhaft sind Deckschichten aus Ruthenium, Rhodium, Palladium, Silber, Rhenium, Osmium, Iridium, Platin und/oder Gold bzw. deren Verbindungen, Legierungen oder Gemische. Diese Übergangsmetalle oxidieren nämlich nur an der Oberfläche, was einer konstanten Reflektivität förderlich ist. Besonders bevorzugt sind Ruthenium, Rhodium, Rhenium und Iridium, die im EUV- bis weichen Röntgenwellenlängenbereich eine geringe Absorption zeigen.
  • Vorteilhafterweise liegt das Verhältnis der Partialdrücke von MMA zu H2O zwischen 1:10 und 1:1000 und liegt das Verhältnis der Partialdrücke von MMA zu O2 zwischen 1:1000 und 1:100000. Diese Druckverhältnisse haben sich insbesondere bei einer Deckschicht aus Ruthenium bewährt, das besonders gute katalytische Wirkungen zeigt.
  • Bei geschickter Wahl der Gase und der Partialdruckverhältnisse lässt sich das vorliegende Verfahren im Übrigen auch nutzen, um eine schonende Reinigung der Oberfläche reflektiver optischer Elemente durchzuführen.
  • Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, wenn der Partialdruck des MMA maximal 10–7 mbar beträgt. Ansonsten kann es doch zu einer Kohlenstoffkontamination kommen. Damit es nicht doch zu leichten Oxidationen kommt, sollte er mindestens 10– 9 mbar betragen. Die optimale Wahl des Partialdruckes hängt allerdings von der konkreten Wahl des Deckschichtmaterials bzw. des oxidierenden Gases oder Gasgemisches ab.
  • Bei der Wahl der Partialdruckverhältnisse ist außerdem zu beachten, daß bei Kohlenwasserstoffen geringerer Molmasse der Partialdruck verglichen zu dem des Sauerstoffs und des Wassers eher höher und bei Kohlenwasserstoffen höherer Molmasse eher weniger sein sollte.
  • Die Erfindung soll anhand der folgenden Figuren und Beispielen näher erläutert werden.
  • 1 Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte bei einer ersten erfindungsgemäßen Umgebungsatmosphäre;
  • 2 Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte bei einer zweiten erfindungsgemäßen Umgebungsatmosphäre;
  • 3 Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte bei der zweiten erfindungsgemäßen Umgebungsatmosphäre bei einer anderen Bestrahlungsdauer;
  • 4 Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte bei einer ersten nicht erfindungsgemäßen Umgebungsatmosphäre;
  • 5 Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit von der Bestrahlungsenergiedichte bei einer zweiten nicht erfindungsgemäßen Umgebungsatmosphäre;
  • 6 Prinzipskizze eines EUV-Lithographiegerätes;
  • 7 Prinzipskizze des Reaktionsmechanismus.
  • In 1 ist der relative Reflektivitätsverlust pro Stunde in Abhängigkeit der Energiedichte der Bestrahlung bei einem H2O-Partialdruck von 1,5 × 10–6 mbar, einem O2-Partialdruck von 5 × 10– 5 mbar und einem MMA-Partialdruck von 0,7 × 10– 8 mbar dargestellt. Der Versuch lief über 50 Stunden. Deutlich erkennbar ist, daß ein signifikanter Reflektivitätsverlust pro Stunden erst ab einer Energiedichte von über 10 mW/mm2 zu beobachten ist. Auch bei Partialdrücken von 1,7 × 10– 5 mbar für H2O, 3,9 × 10– 4 mbar für O2 und 1,1 × 10– 8 mbar für MMA zeigt sich dieser Effekt, daß erst ab 10 mW/mm2 der relative stündliche Relativitätsverlust stark ansteigt (siehe 2). Diese Versuchsreihe lief über 40 Stunden. Bei gleichen Partialdruckverhältnissen wurde eine zweite Messreihe über 71 Stunden durchgeführt. Dort ist selbst bei Energiedichten von weit über 10 mW/mm2 noch kein signifikanter stündlicher relativer Reflektivitätsverlust festzustellen (siehe 3). Alle drei Messungen wurden mit reflektiven optischen Elementen mit einer Rutheniumdeckschicht bei einer Betriebswellenlänge von 13,5 nm durchgeführt.
  • Zum Vergleich sei zunächst auf 4 hingewiesen. Die dortigen Messungen wurden bei einem Wasserdampfpartialdruck von 1 × 10– 6 mbar und einem Sauerstoffpartialdruck von 5 × 10– 5 mbar durchgeführt. Der MMA-Anteil war nicht mehr messbar. Diese Messungen liefen über 60 Stunden. Bei einem zu geringen MMA-Anteil lässt sich also feststellen, daß schon ab 1 mW/mm2 signifikante relative Reflektivitätsänderungen pro Stunde zu verzeichnen sind. In dem für EUV-Lithographieanwendungen kritischen Bereich zwischen 1 und 10 mW/mm2 lässt sich also mit Hilfe der vorliegenden Erfindung die Lebensdauer einzelner reflektiver optischer Elemente um ein bis zu Hundertfaches verlängern.
  • In 5 sind zu einem weiteren Vergleich die Messergebnisse gezeigt, die bei 10–7 mbar Wasserdampfpartialdruck, 9,1 × 10– 9 mbar Sauerstoffpartialdruck und < 10– 9 mbar MMA-Partialdruck über 80 Stunden erhalten wurden. Der insbesondere von 0,001 mW/mm2 bis ca. 1 mW/mm2 festzustellende relative Reflektivitätsverlust pro Stunde ist auf das Aufwachsen einer Kohlenstoffschicht zurückzuführen. Dies wirkt sich negativ auf die Reflektivität aus und wird durch die vorliegende Erfindung wirkungsvoll unterdrückt.
  • In 6 ist beispielhaft eine sehr vereinfachte EUV-Lithographievorrichtung 1 schematisch dargestellt. Von einer EUV-Strahlungsquelle 2 trifft die Strahlung 3 auf eine Photomaske 4 mit einer Rutheniumdeckschicht, von der die Strahlung 3 auf einen Wafer 5 abgebildet wird. Die Photomaske 4 ist in einem evakuierbaren Gehäuse 6 angeordnet, das zwei EUV-Strahlengänge 7 aufweist. Im Bereich der Photomaske 4 münden die Zuleitung 8a für H2O, die Zuleitung 8b für O2 und die Zuleitung 8c für MMA. Nicht dargestellt sind Druckregulierer, um die gewünschten Partialdruckverhältnisse leicht einstellen zu können. Es ist zu beachten, dass die Zuleitungen 8a, b, c zwar im Bereich, aber nicht unmittelbar an der Photomaske 4 münden, damit die drei Gase an der Photomaskenoberfläche als möglichst homogene Mischung vorliegen.
  • In 7 ist schematisch ein möglicher Reaktionsmechanismus für das erfindungsgemäße Verfahren dargestellt. Dabei handelt es sich um ein Deckschichtmaterial aus einem Übergangsmetall M, einem Kohlenwasserstoff HC als reduzierendes Gas und Sauerstoff OX als oxidierendes Gas. Der gasförmige Kohlenwasserstoff HCg wird an der Deckschichtoberfläche adsorbiert (HCa). Der adsorbierte Kohlenwasserstoff wird durch einfallende EUV-Strahlung angeregt. Sowohl die Adsorption als auch die Anregung sind reversible Prozesse (Doppelpfeil). Der Sauerstoff hat währenddessen mit an der Oberfläche vorliegendem MOx (x = 0, 1, 2) zu übersättigtem MOxO reagiert, wobei es sich bei einem der Sauerstoffatome um ein Sauerstoffradikal handelt. Dieser übersättigte MOxO reagiert mit dem angeregten adsorbierten Kohlenwasserstoff zu Kohlenmonoxid oder Kohlendioxid COx sowie oxidierten Kohlenwasserstoffen HCO. Dabei wird das MOxO wieder zu MOx reduziert.
  • Falls zuwenig Sauerstoff vorhanden ist, wird der Kohlenwasserstoff zu einer Kontaminationsschicht auf der Deckschichtoberfläche aufwachsen. Dies wird durch hohe Strahlungsintensität verstärkt. Falls nicht genug Kohlenwasserstoff vorhanden ist, findet eine Oxidation von MOxO zu MOx+1 statt, die ebenfalls durch höhere Strahlungsintensität intensiviert wird. Diese Oxidation findet vermutlich auch über Reaktion mit Sekundärelektronen statt. Die Partialdrücke von Sauerstoff und Kohlenwasserstoff sollten im Hinblick auf maximal gewünschte bzw. erreichte Strahlungsintensitäten ausgelegt werden. Dann wird bei entsprechend niedrigeren Strahlungsintensitäten weder die Schwelle von zuwenig Sauerstoff noch von zuwenig Kohlenwasserstoff überschritten. Der Prozess ist dann in diesem Intensitätsbereich intensitätsunabhängig.
  • Die Stabilität des Prozesses über große Strahlungsintensitätsbereiche hat insbesondere den großen Vorteil, dass dadurch ermöglicht wird, für das Innere einer gesamten Lithographievorrichtung bzw. eines gesamten optischen Elementes eine bestimmte Atmosphäre einzustellen – unabhängig von den an den einzelnen optischen Elementen vorherrschenden Strahlungsintensitäten.

Claims (14)

  1. Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf Oberflächen von reflektiven optischen Elementen für den weichen Röntgen- und EUV-Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht aufweisend ein oder mehrere Übergangsmetalle während ihrer Bestrahlung bei Betriebswellenlänge in einem evakuierbarem, eine Restgasatmospähre aufweisenden geschlossenen System, bei dem eine bestimmte Restgasmosphäre eingestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein reduzierendes Gas oder Gasgemisch sowie ein Sauerstoffatome aufweisendes Gas oder Gasgemisch eingeleitet werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gasgemisch aus O2 und H2O eingeleitet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass als reduzierendes Gas oder Gasgemisch mindestens ein Kohlenwasserstoff eingeleitet wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein sauerstoffhaltiger Kohlenwasserstoff eingeleitet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kohlenwasserstoff mit mindestens einer Doppelbindung eingeleitet wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kohlenwasserstoff mit mindestens einer C=O, einer OC=O oder einer C≡O-Gruppe eingeleitet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass es an einem reflektiven optischen Element mit einer Deckschicht aus Ruthenium, Rhodium, Palladium, Silber, Rhenium, Osmium, Iridium, Platin und/oder Gold bzw. aus einem Gemisch oder einer Verbindung oder einer Legierung der vorstehenden Übergangsmetalle durchgeführt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass als Kohlenwasserstoff Methyl-Metacrylat (MMA) eingeleitet wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der Partialdrücke von MMA zu H2O zwischen 1:10 und 1:1000 liegt und das Verhältnis der Partialdrücke von MMA zu O2 zwischen 1:1000 und 1:100000 liegt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Partialdruck des MMA maximal 10–7 mbar und minimal 10– 9 mbar beträgt.
  11. EUV-Lithographievorrichtung (1) mit mindestens einem reflektiven optischen Element (4) für den weichen Röntgen- oder extremen ultravioletten Wellenlängenbereich mit einer Deckschicht aus mindestens einem Übergangsmetall in einem evakuierbaren Gehäuse (2) und mindestens zwei Zuleitungen (8a, b, c), die im Bereich des reflektiven optischen Elementes (4) münden und zur Zuleitung von einem Sauerstoffatome aufweisenden Gas oder Gasgemisch und mindestens einem reduzierenden Gas oder Gasgemisch dienen.
  12. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sie drei Zuleitungen (8a, b, c) für die Zuleitung von O2 und H2O und einem Kohlenwasserstoff aufweist.
  13. EUV-Lithographievorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das reflektive optische Element (4) eine Deckschicht aus Ruthenium, Rhodium, Palladium, Silber, Rhenium, Osmium, Iridium, Platin und/oder Gold bzw. aus einem Gemisch oder einer Verbindung oder einer Legierung der vorstehenden Übergangsmetalle aufweist.
  14. Verfahren zur Herstellung mikroelektronischer Bauteile, insbesondere Halbleiterbauelemente, unter Verwendung einer EUV-Lithographievorrichtung.
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