KR102211898B1 - 노광 장치용 액체 누출 감지 장치 및 방법 - Google Patents

노광 장치용 액체 누출 감지 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

액체 누출 감지 장치 및 방법이 제공된다. 상기 액체 누출 감지 장치는, 컬렉터 미러 모듈(collector mirror module), 상기 컬렉터 미러 모듈의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공하는 쿨링부, 상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스를 센싱하는 센싱부를 포함한다.

Description

노광 장치용 액체 누출 감지 장치 및 방법{Apparatus and method for liquid leakage sensing of lithography apparatus}
본 발명은 노광 장치용 액체 누출 감지 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근에는, 반도체 소자의 미세한 가공을 위해, 극자외선 광을 이용하는 리소그래피(lithography) 공정이 제안되고 있다. 리소그래피 공정이란, 회로 패턴이 그려진 마스크를 통해 빛이나 빔을 실리콘 기판 상에 축소 투영하고, 포토레지스트 재료를 감광시켜 전자 회로를 형성하는 공정이다.
광 리소그래피(optical lithography) 공정에 의하여 형성되는 회로의 최소 가공 치수는 광원의 파장에 의존한다. 따라서, 반도체 소자를 가공하기 위한 광 리소그래피 공정에서, 광원의 단파장화가 필요하다. 차세대 리소그래피 광원으로서, 극자외선(Extreme Ultra Violet, EUV) 광원이 적절하다. 극자외선 광은 약 1 내지 100nm의 파장을 갖는다. 극자외선 광은 모든 물질에 대해 흡수율이 높기 때문에, 렌즈 등의 투과형 광학계를 이용하기 어렵고, 반사형 광학계를 이용한다.
광원 플라즈마 생성은, 레이저 조사 방식에 의한 광원 플라즈마 생성(Laser Produced Plasma, LPP)과 펄스 파워 기술에 의해 구동되는 가스 방전 방식에 의한 광원 플라즈마 생성(Discharge Produced Plasma, DPP)이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, EUV 광 발생 장치의 컬렉터 미러(collector mirror)에 제공되는 쿨링 워터(cooling water)의 누출을 감지하여, 컬렉터 미러가 오염되는 것을 방지할 수 있는 액체 누출 감지 장치를 제공하는 것이다. 여기에서, 쿨링 워터의 누출을 감지하기 위해 수용성 가스를 이용한다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 수용성 가스를 이용하여 EUV 광 발생 장치의 컬렉터 미러에 제공되는 쿨링 워터의 누출을 감지하고, 컬렉터 미러의 오염을 방지할 수 있는 액체 누출 감지 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액체 누출 감지 장치의 일 면(aspect)은, 컬렉터 미러 모듈(collector mirror module), 상기 컬렉터 미러 모듈의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공하는 쿨링부, 상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스를 센싱하는 센싱부를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, 상기 누출된 수용성 가스의 분압을 측정할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액체 누출 감지 장치의 다른 면(aspect)은, 베셀(vessel), 상기 베셀 내로 소스 광을 제공하는 광원, 상기 베셀 내로 제공된 상기 소스 광으로 드랍릿(droplet)을 제공하는 드랍릿 발생부, 상기 베셀 내에 배치되고, 상기 소스 광과 상기 드랍릿이 반응하여 생성된 극자외선 광을 수집하고 반사하는 컬렉터 미러, 상기 컬렉터 미러의 일측에 배치되어, 상기 컬렉터 미러의 온도를 조절하도록 상기 컬렉터 미러의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공하는 쿨링부, 상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 베셀 내에, 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스가 존재하는지 센싱하는 센싱부를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 베셀 내의 압력 변화를 감지하는 압력 측정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, 상기 누출된 수용성 가스의 분압을 측정할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, 상기 베셀 내의 공정 가스와 반응하지 않을 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 공정 가스는, H2를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 소스 광은, CO2 레이저를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 드랍릿은, Sn을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액체 누출 감지 장치의 또 다른 면(aspect)은, 오브젝트(object), 상기 오브젝트의 일면에 접촉하여 형성된 액체 수용 공간 내로 공정 액체를 제공하는 액체 공급부, 상기 액체 공급부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 액체 수용 공간 외부로 누출된 수용성 가스를 센싱하는 센싱부를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, 상기 누출된 수용성 가스의 분압을 측정할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, 상기 오브젝트로 제공되는 공정 가스와 반응하지 않을 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 공정 가스는, H2를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 쿨링 공간 외부의 압력 변화를 감지하는 압력 측정부를 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액체 누출 감지 장치의 또 다른 면(aspect)은, 소스 광과 드랍릿(droplet)이 반응하여 극자외선 광을 생성하는 베셀, 상기 베셀 내로 쿨링 워터를 제공하는 쿨링부, 상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부, 및 상기 베셀 내에, 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스가 존재하는지 센싱하는 센싱부를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 베셀 내의 압력 변화를 감지하는 압력 측정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, 상기 누출된 수용성 가스의 분압을 측정할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, 상기 베셀 내의 공정 가스와 반응하지 않을 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 공정 가스는, H2를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액체 누출 감지 방법의 일 면(aspect)은, 수용성 가스를 포함한 쿨링 워터를 베셀 내의 오브젝트로 제공하고, 상기 베셀 내에, 상기 오브젝트의 외부로 누출된 상기 수용성 가스가 존재하는지 센싱하는 것을 포함하되, 상기 센싱은 상기 수용성 가스의 분압을 측정한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 베셀 내의 압력 변화를 감지하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, 상기 베셀 내의 공정 가스와 반응하지 않을 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 공정 가스는, H2를 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 극자외선 광 생성 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다.
도 6은 도 5의 예시적인 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다.
도 8은 도 7의 베셀 내부의 개략적인 블록도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시에에 따른 액체 누출 감지 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 13은 본 발명에 따른 노광 장치를 이용하여 제조한 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 14 및 도 15는 본 발명에 따른 노광 장치를 이용하여 제조한 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
우선, 도 1을 참조하여, 극자외선 광 생성 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 극자외선 광 생성 장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 베셀(vessel; 11) 내부의 화학적 반응을 이용하여 극자외선 광을 생성한다. 베셀(11) 내부에는 드랍릿(droplet; d)을 제공하는 드랍릿 발생기(31)와 수직 방향으로 떨어진 드랍릿(d)을 수용하는 드랍릿 캐쳐(41)가 배치된다.
드랍릿(d)은 주석(Sn), 리튬(Li), 또는 크세논(Xe) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 드랍릿(d)은 주석(Sn), 리튬(Li), 크세논(Xe) 등의 가스이거나 클러스터(cluster)일 수 있다. 드랍릿(d)이 제공되는 공간은, 진공 상태인 것이 바람직하다. 예를 들어, 드랍릿(d)이 제공되는 공간은 약 1mbar인 것이 바람직하다.
광원(21)은 제1 광을 제공한다. 즉, 광원(21)이 제공한 제1 광은 상기 드랍릿(d)과 상호 작용을 하여, 극자외선 광을 발생시킨다. 광원(21)이 제공한 제1 광은 반사 거울(61, 62)을 따라 베셀(11) 내의 드랍릿(d)으로 제공될 수 있다. 제1 광은, 예를 들어, CO2 레이저일 수 있다. 특히, 제1 광은, 40kHz 이상의 고 펄스를 가지며, 파장은 9.3㎛ 또는 10.6㎛로 발진하는 CO2 레이저일 수 있다.
베셀(11)의 일면에는 컬렉터 미러(100)가 배치된다. 컬렉터 미러(100)의 중심부에는 홀(hole)이 형성되어 있어서, 광원(21)에서 제공된 제1 광이 베셀(11) 내로 제공될 수 있다. 드랍릿 발생기(31)로부터 제공된 드랍릿(d)은 베셀(11) 내로 제공된 제1 광과 반응하여 극자외선 광을 발생시킨다. 컬렉터 미러(100)는 생성된 극자외선 광을 수집하고 반사하여, 포커싱 렌즈(51)로 극자외선 광을 집중시키고, 베셀(11) 외부로 극자외선 광을 방출한다. 이렇게 생성된 극자외선 광은 리소그래피 공정의 노광 장치에 이용될 수 있다.
이 때, 컬렉터 미러(100)의 반사율 유지는 방출되는 극자외선 광의 강도에 영향을 미치기 때문에, 컬렉터 미러(100)를 클린 상태로 유지하는 것이 중요하다. 그러나, 극자외선 광 생성 장치를 장시간 사용하게 되면, 베셀(11) 내의 컬렉터 미러(100)는 드랍릿 침적물(droplet deposits)에 의해 오염되게 된다. 오염된 컬렉터 미러(100)는 반사율이 저하되어, 방출되는 극자외선 광의 출력도 저하된다. 본 발명에 따르면, 이러한 컬렉터 미러(100)의 오염을 초기에 감지할 수 있으며, 신속한 조치를 통해 컬렉터 미러(100)가 지속적으로 오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치(1)는, 베셀(10), 광원(20), 드랍릿 발생기(30), 드랍릿 캐쳐(40), 포커싱 렌즈(50), 컬렉터 미러(100), 쿨링부(200), 가스 공급부(300), 센싱부(400)를 포함한다.
베셀(10)은, 극자외선 광 생성을 위한 장치들을 수용하는 공간이며, 드랍릿(d)과 광원(20)으로부터 제공된 제1 광이 반응하여 극자외선 광을 생성하는 공간이다. 베셀(10) 내부에 드랍릿 발생기(30)와 드랍릿 캐쳐(40)가 배치되고, 베셀(10)의 후면 쪽에 컬렉터 미러(100)가 배치될 수 있다. 베셀(10)의 일면에는 센싱부(400)가 배치되어, 베셀(10) 내부 공간의 가스의 종류와 농도를 분석하는 역할을 수행할 수 있다. 베셀(10)은 전체적으로 폐쇄된 공간을 가질 수 있다. 다만, 베셀(10)의 일면에는 광 출입을 위한 홀(hole)이 형성될 수 있다.
광원(20)은 제1 광을 제공한다. 여기에서 제1 광은, 예를 들어, CO2 레이저일 수 있다. 특히, 제1 광은, 40kHz 이상의 고 펄스를 가지며, 파장은 9.3㎛ 또는 10.6㎛로 발진하는 CO2 레이저일 수 있다. 광원(20)이 제공한 제1 광은 드랍릿 발생기(30)로부터 제공된 드랍릿(d)과 상호 작용을 하여, 극자외선 광을 발생시킨다.
드랍릿 발생기(30)는 드랍릿(d)을 베셀(10) 내부로 제공한다. 예를 들어, 드랍릿 발생기(30)는 베셀(10)의 상면에 배치되어, 드랍릿(d)을 베셀(10)의 하면 방향으로 제공할 수 있다. 드랍릿 캐쳐(40)는 베셀(10)의 하면에 배치되어, 드랍릿 발생기(30)로부터 제공된 드랍릿(d)을 수용할 수 있다. 베셀(10) 내부로 제공된 드랍릿(d)은 광원(20)으로부터 제공된 제1 광과 상호 작용을 하여, 극자외선 광을 생성한다. 따라서, 드랍릿(d)은 주석(Sn), 리튬(Li), 또는 크세논(Xe) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 드랍릿(d)은 주석(Sn), 리튬(Li), 크세논(Xe) 등의 가스이거나 클러스터(cluster)일 수 있다.
포커싱 렌즈(50)는 베셀(10) 내부에 배치되어, 드랍릿(d)과 제1 광이 상호 작용하여 생성된 극자외선 광을 집중시키고, 베셀(101) 외부로 극자외선 광을 방출할 수 있다.
컬렉터 미러(100)는 베셀(10)의 후면 쪽에 배치되어, 드랍릿(d)과 제1 광이 상호 작용하여 생성된 극자외선 광을 수집하고, 반사하는 역할을 할 수 있다. 이 때, 컬렉터 미러(100)에는 극자외선 광이 도달하여 반사되기 때문에, 컬렉터 미러(100)의 온도가 증가할 수 있다. 그러므로, 컬렉터 미러(100)의 일면에 쿨링부(200)가 배치되어 컬렉터 미러(100)의 온도를 조절할 수 있다.
쿨링부(200)는 컬렉터 미러(100)의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공한다. 쿨링 워터는 베셀(10) 외부에 배치된 쿨링부(200)의 저장 탱크로부터 쿨링 라인을 따라 컬렉터 미러(100)의 일면으로 제공될 수 있다. 쿨링부(200) 내에서 쿨링 워터는 순환하도록 동작하며, 쿨링부(200)는 폐쇄된 공간을 가져 외부로 쿨링 워터가 누출되는 것을 방지한다. 다만, 쿨링부(200)의 하드웨어적인 구조적 결함에 의해 쿨링 워터가 누출되는 사고가 발생할 수 있다. 쿨링 워터의 일부가 컬렉터 미러(100)의 반사면에 부착되는 경우에, 드랍릿 침적물(droplet deposits)이 컬렉터 미러(100)의 반사면에 침적되는 현상이 발생할 수 있다.
컬렉터 미러(100)의 반사면에 드랍릿 침적물이 침적되는 경우에, 컬렉터 미러(100)의 반사 효율을 저하시키며, 이는 극자외선 광 생성 장치의 출력을 저하시키는 원인이 된다. 쿨링 워터가 누출되는지 여부를 미리 감지할 수 있다면, 쿨링부(200)의 하드웨어적인 구조적 결함에 대해 미리 조치를 취할 수 있으나, 그러하지 아니한 경우에 컬렉터 미러(100)가 오염되고, 추후에 이러한 결함에 대해 조치를 취하고자 한다면, 시간적, 경제적인 비용이 증가하게 된다. 다만, 기존의 센싱 장치를 이용하여 쿨링 워터의 누출 여부를 감지하기에는 어려움이 있다.
본 발명에 따르면, 쿨링 워터에 수용성 가스를 주입시켜 이러한 수용성 가스가 베셀(10) 내부에 존재하는지 감지한다. 쿨링 워터가 누출된 경우에 쿨링 워터에 용해된 수용성 가스가 베셀(10) 내의 공간에 존재하게 되며, 이러한 수용성 가스에 대한 감지 동작을 수행한다면, 쿨링 워터의 누출 여부를 용이하게 감지할 수 있다.
가스 공급부(300)는 쿨링부(200) 내로 수용성 가스(WSG)를 주입한다. 이 때, 수용성 가스(WSG)는, 예를 들어, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 쿨링부(200) 내로 주입되는 수용성 가스(WSG)는 베셀(10) 내의 공정 가스(예를 들어, H2 가스)와 반응하지 않는 가스이어야 한다. 즉, 베셀(10) 내에서 컬렉터 미러(100)의 일면으로 H2 가스가 제공되며, H2 가스는 컬렉터 미러(100)의 일면을 따라 플로우(flow)하면서, 드랍릿 침적물이 컬렉터 미러(100)의 반사면에 축적되는 것을 방지하는 역할을 하면서, 컬렉터 미러(100)의 클린 상태를 유지하는 역할을 한다. 그리고, H2 가스 플로우에 의해, 극자외선 광 생성 효율을 증가시킬 수도 있다.
가스 공급부(300)에는 가스 공급 제어부(310)가 설치되어, 쿨링부(200) 내로 주입되는 수용성 가스(WSG)의 양을 조절할 수 있다. 공정에 영향을 미치지 않을 정도로 수용성 가스(WSG)를 주입하는 것이 필요하며, 이러한 필요에 따라, 가스 공급 제어부(310)가 설치될 수 있다.
센싱부(400)는 베셀(10) 내의 일면에 배치되고, 베셀(10) 내의 가스의 종류와 농도를 감지할 수 있다. 특히, 센싱부(400)는 베셀(10) 내로 누출된 수용성 가스(WSG)의 분압을 측정할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(400)는 RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 동작을 설명한다. 가스 공급부(300)에 의해 수용성 가스(WSG)가 쿨링부(200) 내로 주입되고, 쿨링부(200) 내의 쿨링 워터에 이러한 수용성 가스(WSG)가 용해된 상태로 컬렉터 미러(100)의 온도 조절을 위해 컬렉터 미러(100)의 일면으로 제공된다. 쿨링부(200)의 일부(예를 들어, 쿨링 라인 또는 컬렉터 미러(100)에 접촉된 쿨링부(200)의 일면)에 하드웨어적인 구조적 결함이 발생한 경우에, 쿨링 워터는 누출되며, 쿨링 워터에 용해된 수용성 가스(WSG)는 베셀(10) 내의 공간에 존재하게 된다. 센싱부(400)는 쿨링부(200)의 외부로 누출된 수용성 가스(WSG)의 존재를 센싱할 수 있으며, 특히, 이러한 수용성 가스(WSG)의 분압을 측정하여 베셀(10) 내에 수용성 가스(WSG)가 존재하는지 감지하게 되고, 쿨링 워터의 누출을 감지할 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 따른 액체 누출 감지 장치의 동작 원리가 적용될 수 있는 다른 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다. 도 6은 도 5의 예시적인 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치를 설명한 부분과 실질적으로 동일한 것은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치(2)는, 오브젝트(110), 쿨링 워터 공급부(210), 가스 공급부(300), 센싱부(400)를 포함한다.
오브젝트(110)는 쿨링 워터가 제공되어, 온도 조절의 필요성이 있는 임의의 장치를 의미한다. 예를 들어, 도 6을 참조하면, 제1 포커싱 렌즈(51)와 제2 포커싱 렌즈(52)에도 쿨링 워터가 제공될 수 있다. 여기에서, 오브젝트(110)는 제1 포커싱 렌즈(51) 또는 제2 포커싱 렌즈(52)를 의미한다.
제1 포커싱 렌즈(51)는 광원(20)으로부터 제공된 제1 광을 집광시켜 컬렉터 미러(100)를 통과하여 베셀(10) 내로 제공하는 역할을 할 수 있다. 제2 포커싱 렌즈(52)는 컬렉터 미러(100)로부터 반사된 극자외선 광을 집광시켜 베셀(10) 외부로 방출하는 역할을 할 수 있다.
제1 포커싱 렌즈(51)와 제2 포커싱 렌즈(52)에도 광이 도달하기 때문에, 온도가 증가할 수 있으며, 제1 포커싱 렌즈(51)와 제2 포커싱 렌즈(52)의 온도 조절을 위하여 추가적인 쿨링 라인이 배치되어, 제1 포커싱 렌즈(51)와 제2 포커싱 렌즈(52)로 쿨링 워터가 제공될 수 있다. 이 때, 제1 포커싱 렌즈(51)로 쿨링 워터를 제공하는 쿨링 라인에 하드웨어적인 구조적 결함이 발생하거나, 제2 포커싱 렌즈(52)로 쿨링 워터를 제공하는 쿨링 라인에 하드웨어적인 구조적 결함이 발생할 수 있다.
위에서 설명한 것과 마찬가지로, 제1 포커싱 렌즈(51)로 제공되는 쿨링 워터가 누출되거나, 제2 포커싱 렌즈(52)로 제공되는 쿨링 워터가 누출된다면, 장시간 사용에 따라 컬렉터 미러(100)에도 영향을 미칠 수 있으며, 컬렉터 미러(100)의 반사면에 드랍릿 침적물을 유발하는 원인이 될 수 있다. 따라서, 가스 공급부(300)를 통해 쿨링 워터 공급부(210) 내로 수용성 가스(WSG)를 주입하고, 쿨링 워터 공급부(210) 내의 쿨링 워터에 수용성 가스(WSG)를 용해시킨다. 이러한 쿨링 워터가 제1 포커싱 렌즈(51) 또는 제2 포커싱 렌즈(52)로 제공되는 경우에, 센싱부(400)에서 상기 수용성 가스(WSG)의 존재를 감지하여, 쿨링 워터의 누출을 감지할 수 있다. 다만, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치는 쿨링 워터를 제공하는 장치뿐만 아니라, 염산, 불산 등의 물질을 제공하는 장치에 대해서 다양한 종류의 가스를 활용하여 염산, 불산 등의 물질이 누출되는지 여부를 감지하는 장치에도 활용될 수 있다.
수용성 가스(WSG)는, 예를 들어, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 쿨링 워터 공급부(210) 내로 주입되는 수용성 가스(WSG)는 베셀(10) 내의 공정 가스(예를 들어, H2 가스)와 반응하지 않는 가스이어야 한다.
센싱부(400)는, 위에서 설명한 것과 마찬가지로, 베셀(10) 내로 누출된 수용성 가스(WSG)의 분압을 측정할 수 있다. 즉, 센싱부(400)는 RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다. 도 8은 도 7의 베셀 내부의 개략적인 블록도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치를 설명한 부분과 실질적으로 동일한 것은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치(3)는, 베셀(10), 쿨링 워터 공급부(210), 가스 공급부(300), 센싱부(400)를 포함한다.
베셀(10)은, 극자외선 광 생성을 위한 장치들을 수용하는 공간이며, 드랍릿(droplet)과 소스 광이 반응하여 극자외선 광을 생성하는 공간이다. 베셀(10)은 내부에 임의의 장치들을 포함할 수 있다. 즉, 베셀(10)은 극자외선 광을 생성하는데 필요한 임의의 장치들을 포함할 수 있다. 베셀(10)은 전체적으로 폐쇄된 공간을 가질 수 있으며, 다만, 베셀(10)의 일면에는 광 출입을 위한 홀(hole)이 형성될 수 있다. 상기 홀을 통하여, 극자외선 광이 방출될 수 있다.
도 8은 베셀(10) 내부에 배치되는 예시적인 장치들을 도시하고 있다. 베셀(10) 내부에는, 예를 들어, 드랍릿 발생기(30), 드랍릿 캐쳐(40), 컬렉터 미러(100) 등이 배치될 수 있다. 이에 대해서는 위에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
쿨링 워터 공급부(210)는 베셀(10) 내로 쿨링 워터를 제공한다. 쿨링 워터는 베셀(10) 자체의 온도를 조절하기 위해 제공될 수 있으며, 또는, 베셀(10) 내의 임의의 장치의 온도를 조절하기 위해 제공될 수 있다.
가스 공급부(300)는 쿨링 워터 공급부(210) 내로 수용성 가스(WSG)를 제공한다. 쿨링 워터 공급부(210) 내의 쿨링 워터에 수용성 가스(WSG)를 용해시킨 후, 수용성 가스(WSG)가 용해된 쿨링 워터를 상기 베셀(10) 내로 제공할 수 있다.
수용성 가스(WSG)는, 예를 들어, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 특히, 쿨링 워터 공급부(210) 내로 주입되는 수용성 가스(WSG)는 베셀(10) 내의 공정 가스(예를 들어, H2 가스)와 반응하지 않는 가스이어야 한다.
센싱부(400)는, 위에서 설명한 것과 마찬가지로, 베셀(10) 내로 누출된 수용성 가스(WSG)의 분압을 측정할 수 있다. 즉, 센싱부(400)는 RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시에에 따른 액체 누출 감지 장치를 개략적으로 도시한 것이다. 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치의 개략적인 블록도이다. 설명의 편의상, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치를 설명한 부분과 실질적으로 동일한 것은 생략하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치(4)는, 베셀(10), 광원(20), 드랍릿 발생기(30), 드랍릿 캐쳐(40), 포커싱 렌즈(50), 컬렉터 미러(100), 쿨링부(200), 가스 공급부(300), 센싱부(400), 압력 측정부(500)를 포함한다.
베셀(10), 광원(20), 드랍릿 발생기(30), 드랍릿 캐쳐(40), 포커싱 렌즈(50), 컬렉터 미러(100), 쿨링부(200), 가스 공급부(300), 센싱부(400)에 대해서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 장치(1)를 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
압력 측정부(500)는 베셀(10) 내의 압력 변화를 감지할 수 있다. 쿨링부(200)에서 쿨링 워터가 누출된 경우에, 쿨링 워터에 용해된 수용성 가스(WSG)가 베셀(10) 내로 제공되며, 압력 측정부(500)에서는 수용성 가스(WSG)가 포함된 베셀(10) 내의 가스 압력을 측정하여 쿨링 워터의 누출 여부를 감지할 수 있다.
센싱부(400) 및 압력 측정부(500)를 이용하여 쿨링 워터의 누출 여부를 감지하거나, 센싱부(400) 또는 압력 측정부(500)를 각각 독립적으로 이용하여 쿨링 워터의 누출 여부를 감지할 수도 있다.
이하에서는, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법은 우선, 수용성 가스를 포함한 쿨링 워터를 베셀 내의 오브젝트(object)로 제공한다(S100). 여기에서, 오브젝트는, 예를 들어, 베셀 내의 컬렉터 미러 또는 포커싱 렌즈 등일 수 있다.
이어서, 쿨링 워터에 용해된 수용성 가스가 오브젝트의 외부로 누출되어 베셀 내에 존재하는지를 센싱한다(S110).
쿨링 워터가 외부로 누출된 경우에, 베셀 내에는 수용성 가스가 존재하게 되며, 베셀 내에 존재하는 수용성 가스를 감지하여 쿨링 워터의 누출 여부를 판단할 수 있다. 수용성 가스는, 예를 들어, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 수용성 가스는 베셀 내의 공정 가스(예를 들어, H2 가스)와 반응하지 않는 가스이어야 한다.
이 때, 쿨링 워터로 제공된 수용성 가스의 분압을 베셀 내에서 측정하여, 쿨링 워터의 누출 여부를 감지할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 누출 감지 방법은, 수용성 가스를 포함한 쿨링 워터를 베셀 내의 오브젝트(object)로 제공하고(S100), 쿨링 워터에 용해된 수용성 가스가 오브젝트의 외부로 누출되어 베셀 내에 존재하는지를 센싱한다(S110).
이에 더하여, 베셀 내의 압력 변화를 추가적으로 감지하여 쿨링 워터의 누출 여부를 판단한다(S120).
오브젝트 외부로 쿨링 워터가 누출된 경우에, 수용성 가스가 베셀 내에 존재하므로, 베셀 내의 압력은 증가할 것이다. 따라서, 베셀 내의 압력 변화를 감지하여 쿨링 워터의 누출 여부를 판단할 수 있다.
도 13은 본 발명에 따른 노광 장치를 이용하여 제조한 반도체 장치를 포함하는 전자 시스템의 블록도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(4100)은 컨트롤러(4110), 입출력 장치(4120, I/O), 기억 장치(4130, memory device), 인터페이스(4140) 및 버스(4150, bus)를 포함할 수 있다.
컨트롤러(4110), 입출력 장치(4120), 기억 장치(4130) 및/또는 인터페이스(4140)는 버스(4150)를 통하여 서로 결합 될 수 있다. 버스(4150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.
컨트롤러(4110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
입출력 장치(4120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다.
기억 장치(4130)는 데이터 및/또는 명령어 등을 저장할 수 있다.
인터페이스(4140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 인터페이스(4140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예를 들어, 인터페이스(4140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다.
도시하지 않았지만, 전자 시스템(4100)은 컨트롤러(4110)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리로서, 고속의 디램 및/또는 에스램 등을 더 포함할 수도 있다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 기억 장치(4130) 내에 제공되거나, 컨트롤러(4110), 입출력 장치(4120, I/O) 등의 일부로 제공될 수 있다.
전자 시스템(4100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 메모리 카드(memory card), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.
도 14 및 도 15는 본 발명에 따른 노광 장치를 이용하여 제조한 반도체 장치를 적용할 수 있는 예시적인 반도체 시스템이다.
도 14는 태블릿 PC이고, 도 15은 노트북을 도시한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 태블릿 PC, 노트북 등에 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 예시하지 않은 다른 집적 회로 장치에도 적용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 베셀 20: 광원
30: 드랍릿 발생기 40: 드랍릿 캐쳐
50: 포커싱 렌즈 100: 컬렉터 미러
200: 쿨링부 300: 가스 공급부
400: 센싱부 500: 압력 측정부

Claims (20)

  1. 컬렉터 미러;
    상기 컬렉터 미러의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공하는 쿨링부;
    상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부; 및
    상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스의 분압을 측정하는 센싱부를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  5. 베셀(vessel);
    상기 베셀 내로 소스 광을 제공하는 광원;
    상기 베셀 내로 제공된 상기 소스 광으로 드랍릿(droplet)을 제공하는 드랍릿 발생부;
    상기 베셀 내에 배치되고, 상기 소스 광과 상기 드랍릿이 반응하여 생성된 극자외선 광을 수집하고 반사하는 컬렉터 미러;
    상기 컬렉터 미러의 일측에 배치되어, 상기 컬렉터 미러의 온도를 조절하도록 상기 컬렉터 미러의 일면으로 쿨링 워터(cooling water)를 제공하는 쿨링부;
    상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부; 및
    상기 베셀 내에, 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스의 분압을 측정하는 센싱부를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 베셀 내의 압력 변화를 감지하는 압력 측정부를 더 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  7. 삭제
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 수용성 가스는, 상기 베셀 내의 공정 가스와 반응하지 않는 액체 누출 감지 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 공정 가스는, H2를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  12. 오브젝트(object);
    상기 오브젝트의 일면에 접촉하여 형성된 액체 수용 공간 내로 공정 액체를 제공하는 액체 공급부;
    상기 액체 공급부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부; 및
    상기 액체 수용 공간 외부로 누출된 수용성 가스의 분압을 측정하는 센싱부를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  13. 삭제
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 센싱부는, RGA(Residual Gas Analyzer)를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 수용성 가스는, 상기 오브젝트로 제공되는 공정 가스와 반응하지 않는 액체 누출 감지 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 공정 가스는, H2를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 수용성 가스는, Kr, He, Ar, 및 CO2 중 적어도 하나를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  18. 소스 광과 드랍릿(droplet)이 반응하여 극자외선 광을 생성하는 베셀;
    상기 베셀 내로 쿨링 워터를 제공하는 쿨링부;
    상기 쿨링부 내로 수용성 가스를 제공하는 가스 공급부; 및
    상기 베셀 내에, 상기 쿨링부 외부로 누출된 수용성 가스의 분압을 측정하는 센싱부를 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 베셀 내의 압력 변화를 감지하는 압력 측정부를 더 포함하는 액체 누출 감지 장치.
  20. 수용성 가스를 포함한 쿨링 워터를 베셀 내의 오브젝트로 제공하고,
    상기 베셀 내에, 상기 오브젝트의 외부로 누출된 상기 수용성 가스가 존재하는지 센싱하는 것을 포함하되,
    상기 센싱은 상기 수용성 가스의 분압을 측정하는 액체 누출 감지 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957507A (zh) * 2017-11-09 2018-12-07 北京市燃气集团有限责任公司 基于增强现实技术的燃气管道泄漏处置方法
DE102021106289A1 (de) * 2020-05-07 2021-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System und verfahren zum ausführen von extrem-ultraviolett-photolithografieprozessen
CN112161751A (zh) * 2020-09-15 2021-01-01 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 直写式光刻机及漏水检测方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222992A (ja) 2010-04-07 2011-11-04 Asml Netherlands Bv 光学要素を冷却する方法、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US513864A (en) * 1894-01-30 Henry bate
US5138643A (en) * 1989-10-02 1992-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
KR100211639B1 (ko) 1995-12-18 1999-08-02 윤종용 저온펌프의 재생동작 자동수행 반도체 제조시스템 및 그의 제어방법
JPH10227712A (ja) * 1997-02-18 1998-08-25 Japan Atom Energy Res Inst 管の漏洩箇所を探知する方法及び真空装置
DE10209493B4 (de) 2002-03-07 2007-03-22 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung
DE10321103A1 (de) 2003-05-09 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Vermeidung von Kontamination und EUV-Lithographievorrichtung
EP1517184A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1735524A4 (en) 2004-03-17 2012-03-28 Baker Hughes Inc METHOD AND APPARATUS FOR BASE FLUID ANALYSIS FOR CHARACTERIZATION OF TANK FLUID
FR2871622B1 (fr) * 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
US7591561B2 (en) * 2005-10-13 2009-09-22 Nikon Corporation Liquid cooled mirror for use in extreme ultraviolet lithography
US7897110B2 (en) * 2005-12-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. System and method for detecting at least one contamination species in a lithographic apparatus
JP4888046B2 (ja) 2006-10-26 2012-02-29 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
DE102007057252A1 (de) 2007-03-07 2008-09-11 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Messung der Ausgasung in EUV-Lithographievorrichtungen sowie EUV-Lithographievorrichtung
JP5133740B2 (ja) 2008-03-10 2013-01-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
JP2009295800A (ja) 2008-06-05 2009-12-17 Komatsu Ltd Ｅｕｖ光発生装置における集光ミラーのクリーニング方法および装置
DE102008041592A1 (de) 2008-08-27 2010-03-04 Carl Zeiss Smt Ag Detektion von kontaminierenden Stoffen in einer EUV-Lithographieanlage
JP5314433B2 (ja) 2009-01-06 2013-10-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102010005494A1 (de) * 2009-11-27 2011-06-01 Inficon Gmbh Verfahren zur Dichtheisprüfung von wasserführenden Komponenten in einem Gehäuse
US9013679B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Collector mirror assembly and method for producing extreme ultraviolet radiation
US9274021B2 (en) * 2010-07-05 2016-03-01 Yamaguchi University Leakage inspection apparatus and leakage inspection method
US8258485B2 (en) 2010-08-30 2012-09-04 Media Lario Srl Source-collector module with GIC mirror and xenon liquid EUV LPP target system
DE102010039965B4 (de) * 2010-08-31 2019-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
US9073098B2 (en) 2012-05-16 2015-07-07 Asml Netherlands B.V. Light collector mirror cleaning

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222992A (ja) 2010-04-07 2011-11-04 Asml Netherlands Bv 光学要素を冷却する方法、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法

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