KR20040007454A - 극단 자외광 발생장치, 이를 사용한 노광장치 및 반도체제조방법 - Google Patents

극단 자외광 발생장치, 이를 사용한 노광장치 및 반도체제조방법 Download PDF

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KR20040007454A
KR20040007454A KR10-2003-7011158A KR20037011158A KR20040007454A KR 20040007454 A KR20040007454 A KR 20040007454A KR 20037011158 A KR20037011158 A KR 20037011158A KR 20040007454 A KR20040007454 A KR 20040007454A
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

전극부재가 융해ㆍ증발되어 발생되는 비산입자의 양을 낮게 억제할 수 있는 극단 자외광 발생장치, 그리고 이를 사용한 노광장치, 반도체 제조방법을 제공한다. X선 노광장치의 최상류부의 극단 자외광 발생장치 (1) 의 진공 챔버 (4) 내에는, 중앙 방전전극 (2) 과 주변 방전전극 (3) 이 동축 구조로 배치되어 있다. 중앙 방전전극 (2) 은 텅스텐제이고, 중공부 (2c) 내면에는 두께 약 0.2㎜ 의 다이아몬드 박막 (10) 이 형성되어 있다. 중공부 (2c) 내에는, 냉각수 공급장치 (12) 와 연결되는 냉각수관 (11) 의 선단이 배치되어 있다. 냉각수 공급장치 (12) 내의 냉각수는 약 20℃ 로 냉각되어 있고, 냉각수관 (11) 을 통해 중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (2c) 로 공급되고 있다. 따라서 중앙 방전전극 (2) 의 열은 신속하게 빼앗겨 중앙 방전전극 (2) 의 온도상승이 억제되므로, 비산입자의 발생량이 저감된다.

Description

극단 자외광 발생장치, 이를 사용한 노광장치 및 반도체 제조방법 {EXTREME ULTRAVIOLET GENERATING DEVICE, EXPOSURE DEVICE USING THE GENERATING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD}
최근의 반도체 집적회로의 제조에 있어서는, 마스크 상에 형성된 매우 미세한 패턴을, 레지스트를 도포한 웨이퍼 상에 가시광 혹은 자외광에 의해 축소투영하여 전사하는 방법이 널리 채용되고 있다. 그러나, 현 상태의 가시광 혹은 자외광을 사용한 축소투영 노광은, 전사하는 패턴 사이즈가 회절한계에 근접해 있기 때문에, 더욱 미세한 패턴의 전사는 원리적으로 곤란해지고 있다. 따라서, 패턴 사이즈의 미세화에 대응하기 위해, 자외광보다 더욱 파장이 짧은, 파장 13㎚ 혹은 11㎚ 의 극단 자외광 (Extreme Ultra Violet 광 ; 이하 EUV광이라고 함) 을 사용한 축소투영 노광 (EUV 리소그래피) 이 제안되어 있다.
EUV광 영역의 광은 모든 물질에 강하게 흡수된다. 따라서 결상계를 구성할 때에는, 렌즈 등의 투과형 광학소자는 이용할 수 없고 반사 광학계로 구성하게 된다. 또한, 통상의 반사경에서는 반사율이 매우 낮기 때문에, 반사경의 표면 (반사면) 이 다층막 구조를 필요로 한다 (이하, 이것을 EUV 다층막경이라고 함). 이와 같이 반사경의 반사면을 다층막 구조로 함으로써, 결상에 사용하는 파장의 EUV광의 반사율을 높일 수 있다.
최근 EUV광 영역에서는 몰리브덴 (Mo) 과 규소 (Si), 혹은 몰리브덴 (Mo) 과 베릴륨 (Be) 에 의해 형성한 다층막을 사용하면, 70% 가까운 반사율을 얻을 수 있는 것이 알려져 있다. 따라서 EUV 리소그래피에서는 상기 중 어느 하나의 다층막을 사용하여 반사경을 구성하는 것이 고려되고 있다. 이들 다층막은, 각각 파장 13㎚ 부근 (Mo/Si), 11㎚ 부근 (Mo/Be) 에서 높은 반사율이 얻어진다. 따라서 EUV 리소그래피에 사용하는 광원은, 이들 파장의 전자파를 복사하는 광원인 것이 요구된다.
이와 같은 EUV 리소그래피의 광원으로서는, 레이저 플라스마 광원이나, 플라스마 핀치를 이용한 방전 플라스마 광원 (플라스마 포커스 광원) 이 제안되어 있다.
레이저 플라스마 광원은, 여기용 펄스 레이저광을 타깃재 (고체, 액체, 혹은 기체) 에 집광조사하여 고온의 플라스마를 생성시키고, 이 플라스마로부터 복사되는 EUV광을 이용하는 것이다.
플라스마 포커스 광원의 일례로서는, 일본 공개특허공보 평10-319195호에 개시된 것이 있다.
도 5 는 상기 공보의 플라스마 포커스 고에너지ㆍ포톤ㆍ소스의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5 에서 부호 100 은 플라스마 핀치 유닛이다. 이 유닛 (100) 은 광에너지ㆍ포톤 수집기 (104) 및 광파이프 (103) 를 구비하고 있다. 포톤 수집기 (104) 내에는, 중앙전극 (101) 과, 이 전극 (101) 을 둘러싸는 원통형의 주변전극 (102) 이 배치되어 있다. 양 전극 (101, 102) 의 사이는 절연재 (108) 로 절연되어 있다. 전극 (101, 102) 의 기부에는, 플라스마 핀치 소스로서의 펄스전원 (105) 이 접속되어 있다. 이 펄스전원 (105) 으로부터 펄스 고전압이 인가됨으로서, 전극 (101 과 102) 간에 방전이 일어난다. 또한, 전극 (101, 102) 의 기부에는 가스배관 (107) 이 개구되어 있다. 동 가스배관 (107) 은 가스탱크 (106) 에 접속되어 있다. 가스탱크 (106) 내에는 전극 (101 과 102) 간의 방전에 의해 원하는 천이를 일으키는 리튬 등의 활성기체와, 헬륨 버퍼 가스를 혼합한 동작 가스가 충전되어 있다. 가스탱크 (106) 는 열교환기 (111) 나 터보 분자 펌프 (112), 정전 필터 (113), 헬륨 분리기 (114) 등을 구비하는 시스템에 접속되어 있다.
전극 (101, 102) 에 펄스전원 (105) 으로부터 펄스 고전압을 인가하면, 양 전극 (101, 102) 간에 방전이 일어난다. 초기 방전은 양 전극 (101, 102) 의 기부 부근의 연면 방전(沿面放電)이다. 이 방전에 의해 가스탱크 (106) 로부터 도입된 동작 가스가 이온화되어 초기의 플라스마가 생성된다. 일단 플라스마가생성되면, 플라스마 중의 전자와 이온은 전극 (101, 102) 간의 전위차에 의해 발생되는 전장 구배 (電場勾配) 에 의해 이동한다. 이에 의해 플라스마 중에는 전류가 형성된다. 플라스마 중을 이동하는 전자와 이온은, 이 전류에 의해 발생되는 자장과의 상호작용에 의해 이동하면서, 중앙전극 (101) 의 선단부로 집중되어 간다. 그 결과, 전극 (101) 의 선단부분에서는 보다 고온에서 고밀도의 플라스마가 생성되고, 이 플라스마로부터 EUV광을 포함하는 전자파가 복사된다.
플라스마를 형성하는 물질은 집중된 플라스마에 의해 여기된 분위기 가스이다. 그리고 이 플라스마로부터는 분위기 가스나 전극부재의 이온의 천이에 대응한 파장의 전자파가 복사된다. EUV광이 복사되는 영역은, 직경 1㎜ 의 체적중에 거의 포함되어 있고, 이 플라스마로부터의 복사는 0.1∼1㎲ 정도 동안 지속된다. 예를 들어 리튬 증기를 포함하는 동작 가스를 이용한 경우는, 리튬 이온의 천이에서 유래하는 파장 13.5㎚ 의 EUV광의 라인 스펙트럼이 얻어진다. 플라스마 포커스 광원이 한 번의 방전으로 복사하는 EUV광의 광량은, 레이저 플라스마 광원이 복사하는 EUV광의 광량을 웃도는 것으로 보고되어 있어, 이에 의하면 수 ㎑ 와 같은 고속 반복동작도 가능하다.
상기 서술한 바와 같이, EUV광은 모든 물질에 강하게 흡수되기 때문에, EUV 다층막경의 반사면에 부착된 약간의 오염에 의해서도 EUV광은 흡수되고, 반사율은 급격하게 저하된다. 따라서 EUV 다층막경에서는, 반사면에 오염이 부착되는 것을 최대한 피해야 된다. 플라스마 포커스 광원에 있어서는, 플라스마 생성시에 전극부재가 깎여 발생되는 비산입자가, 반사경의 반사면을 오염시키는 원인이 된다. 이것을 보다 상세하게 서술하면, 매우 고온의 플라스마가 발생될 때, 전극부재의 일부는 급격하게 가열되기 때문에, 그 가열된 부분이 융해 혹은 증발된다. 융해 혹은 증발된 전극부재는, 플라스마 생성시의 충격에 의해 주위로 비산된다. 전극 주위에 EUV 다층막경이 배치되어 있는 경우에는, 주위로 비산된 비산입자는 반사면에 부착되어, 그 광학성능을 크게 저하시킨다.
EUV 리소그래피에서는, 충분한 처리속도 (스루풋) 를 얻기 위해, 단위시간당의 큰 광량을 복사할 수 있는 것, 그리고 광원의 고주파역에서의 반복동작이 가능한 것이 요구된다. 또한, EUV 리소그래피에서는, 높은 결상분해능이 얻어지는 원호형상 (길이 30㎜. 폭 2㎜ 정도) 의 영역에 대해, 노광하는 패턴을 형성한 EUV 반사 마스크와, 그 패턴을 축소 전사하는 웨이퍼를 주사하여, 넓은 영역의 노광을 가능하게 하는 것이 고려되고 있다. 따라서 상기 서술한 레이저 플라스마 광원이나 플라스마 포커스 광원 등의 펄스 광원은, 노광영역내에서 노광량을 일정하게 유지하기 위해, 가능한 한 높은 반복 주파수를 갖는 것이 바람직하다.
이와 같은 이유에 의해, 플라스마 생성의 반복 주파수는 ㎑ 급이 필요하다. 이와 같은 주파수에서 반복하여 플라스마가 생성된 경우, 전극부재의 가열은 더욱 진행되어, 온도상승과 융해부분의 확대에 의해 비산입자량이 증가된다. 따라서 플라스마 포커스 광원에 있어서 플라스마 발생의 반복 주파수를 높게 한 경우에도, 비산입자의 현저한 증가를 억제할 수 있는 장치 혹은 방법의 제공이 요망되었다. 또한 이와 같은 광원에 의해, 장기간에 걸쳐 안정된 반도체 제조가 가능한 반도체 제조방법이 요망되었다.
본 발명은 이와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 극단 자외광을 효율적으로 발생시키면서, 전극부재가 융해ㆍ증발되어 발생되는 비산입자의 양을 낮게 억제할 수 있는 극단 자외광 발생장치 및 이를 사용한 노광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 장기간에 걸쳐 안정된 반도체 제조가 가능한 반도체 제조방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 발명은 X선 축소투영 노광장치 등에 사용되는 극단(極端) 자외광 발생장치와, 이를 사용한 노광장치 및 반도체 제조방법에 관한 것이다. 특히 전극부재가 융해ㆍ증발되어 발생되는 비산입자의 양을 낮게 억제할 수 있는 극단 자외광 발생장치에 관한 것이다. 또한, 이를 사용한 노광장치 및 반도체 제조방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 관련되는 X선 노광장치의 전체 구성을 나타낸 도면이다.
도 2 는 도 1 의 X선 노광장치의 극단 자외광 발생장치를 확대하여 상세하게 나타낸 도면이다.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 관련되는 X선 노광장치의 극단 자외광 발생장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 4 는 미소한 디바이스 (IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막자기헤드, 마이크로머신 등) 를 제조하는 순서를 나타낸다.
도 5 는 일본 공개특허공보 평10-319195호에 개시된 플라스마 포커스 고에너지ㆍ포톤ㆍ소스의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 극단 자외광 발생장치는, 배기수단을 갖는 진공 챔버와, 이 챔버 내에 배치된 쌍을 이루는 방전전극과, 이 방전전극에 고전압 펄스를 인가하는 전원과, 상기 방전전극에 의한 방전부에 동작 가스를 공급하는 가스공급수단을 구비하고, 상기 방전부를 국재화(局在化)시켜, 동 방전부에 공급되는 상기 동작 가스를 고온ㆍ고밀도 플라스마 상태로 하고, 이 동작 가스 중의 특정 이온의 천이 에너지에 대응한 극단 자외광을 복사하는 극단 자외광 발생장치로서, 또한 상기 방전전극을 액냉하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 냉각수단에 의해 방전전극의 온도상승을 낮게 억제할 수 있으므로, 방전전극의 융해ㆍ증발을 억제하여 비산입자의 발생을 저감할 수 있다.
본 발명의 극단 자외광 발생장치에 있어서는, 상기 방전전극의 내부에 냉각액 유로가 형성되어 있고, 이 유로의 내벽에 절연ㆍ고전열막이 형성되어 있는 것으로 할 수 있다.
이 경우, 절연ㆍ고전열성막으로서는 다이아몬드 박막을 사용할 수 있다.다이아몬드는 절연체이기 때문에, 방전전극에 전압이 인가되었을 때에 냉각액 유로측으로 전류가 흐르는 것을 방지한다. 동시에 다이아몬드의 열전도율은 크므로, 방전전극측에 발생된 열을 효율적으로 냉각액 유로측에 전달할 수 있다.
또 본 발명의 극단 자외광 발생장치에 있어서는, 상기 쌍을 이루는 방전전극 중 상기 방전부에 근접해 있는 전극이 다공질 금속으로 구성되어 있고, 이 전극에 액체를 공급ㆍ침투시키는 수단이 설치되어 있고, 상기 진공 챔버의 배기수단이, 극단 자외광의 복사 분위기의 유지를 위해 충분한 능력을 갖는 것으로 할 수 있다.
이 경우, 발생된 플라스마가 방전전극의 선단에 집중되면, 다공질 금속의 방전전극 표면으로 스며나온 액체가 증발ㆍ플라스마화되고, 전자파가 복사된다. 그리고 이 액체가 증발될 때의 기화열에 의해 방전전극이 냉각된다. 증발된 액체는 충분한 능력을 갖는 배기수단에 의해 배기되기 때문에, 진공 챔버 내는 연X선(軟X線)이 투과할 수 있는 진공도로 유지된다.
또한 다공질 금속으로서는 기공률 10∼40% 정도의 텅스텐이나 탄탈 등을 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 극단 자외광 발생장치는, 상기 쌍을 이루는 방전전극 중 상기 방전부에 근접해 있는 전극이 다공질의 세라믹스로 구성되어 있고, 이 전극에 전해질액이 공급ㆍ침투시키는 수단이 설치되어 있고, 상기 진공 챔버의 배기수단이, 극단 자외광의 복사 분위기의 유지를 위해 충분한 능력을 갖는 것으로 할 수 있다.
이 경우, 그 자체로는 도전성을 갖지 않은 다공질 세라믹스에, 전해질 용액을 침투시켜 방전전극을 구성하고 있다. 세라믹스는 금속보다 융점이 높으므로, 비산입자의 발생량을 보다 저감할 수 있다. 또 전자파를 복사하는 플라스마는 세라믹스로부터 스며나온 전해질액에 의해 형성되기 때문에, 대략 13㎚ 의 EUV광을 정확하게 복사할 수 있다.
또한, 다공질 세라믹스로서는 기공률 10∼40% 정도의 알루미나나 규소 카바이드 등을 사용할 수 있다.
그리고, 본 발명의 극단 자외광 발생장치에 있어서는, 상기 액체가 물이고, 이 수중의 산소를 상기 특정 이온으로 하는 것이 바람직하다.
이 경우, 다공질 금속으로 이루어지는 방전전극으로부터 스며나온 물이 증발되어 플라스마화된다. 수분자를 구성하는 산소원자가 플라스마화되었을 때에는, 5가의 이온 천이 (O3+; 4d →2p) 에 대응하는 대략 13㎚ 의 EUV광을 복사한다. 또 이 물이 증발될 때의 기화열에 의해 방전전극의 온도상승이 억제되므로, 비산입자의 발생량이 저감된다. 또한 방전전극은 진공 챔버 내가 감압되어 있는 것, 및 물이 표면장력의 작용으로 다시 방전전극 내로 침투되어, 방전전극에는 항상 물이 공급됨으로써 반복 동작이 가능하다.
또한, 본 발명의 극단 자외광 발생장치에 있어서는, 상기 액체 또는 전해질액을 냉각하는 액냉각수단을 구비하는 것으로 할 수 있다.
이 액냉각수단에 의해 방전전극의 온도상승을 낮게 억제할 수 있고, 따라서 비산입자의 발생량을 저감할 수 있다. 또한, 액냉각수단은 액체 또는 전해질액을 20℃ 정도로 냉각시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 노광장치는, 상기 극단 자외광 광원과, 이 극단 자외광을 마스크에 조사하는 조명광학계와, 이 마스크로부터 반사된 광을 감응기판 상에 투영 결상시키는 투영광학계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 노광장치에 의하면, 극단 자외광을 장시간에 걸쳐 안정적으로 노광에 사용할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조방법은, 상기 노광장치를 사용하는 리소그래피 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 반도체 제조방법에 의하면, 장시간에 걸쳐 안정적으로 또한 효율적으로 반도체 소자를 제조할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 형태
이하 도면을 참조하면서 설명한다.
먼저 X선 축소투영 노광장치의 개요를 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 관련되는 X선 노광장치의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 도 1 의 X선 노광장치의 극단 자외광 발생장치를 확대하여 상세하게 나타낸 도면이다.
이 도면에 나타내는 X선 노광장치는, 노광용 조명광으로서, 파장 13㎚ 근방의 연X선 영역의 광 (EUV광) 을 이용하여, 스텝 앤드 스캔 방식에 의해 노광동작을 실행하는 투영 노광장치이다.
도 1 의 X선 노광장치의 최상류부에는, 극단 자외광 발생장치 (1) 가 배치되어 있다. 이 극단 자외광 발생장치 (1) 는 진공 챔버 (4) 를 구비하고 있다. 이 진공 챔버 (4) 에는 진공 펌프 (배기수단 ; 20) 가 접속되어 있다. 이 진공 펌프 (20) 에 의해 진공 챔버 (4) 내에는 압력 10㎩ 로 배기되어 있다.
진공 챔버 (4) 내에는 중앙의 중공 파이프 형상을 한 중앙 방전전극 (2) 과, 이 전극 (2) 을 둘러싸는 원통형상의 주변 방전전극 (3) 이 동축 구조로 배치되어 있다. 도 2 에 이해하기 쉽게 나타낸 바와 같이, 양 전극 (2, 3) 간은 절연재 (8) 로 절연되어 있다. 중앙 방전전극 (2) 은 고융점 물질의 텅스텐제 (융점3387℃) 로, 선단부 (2a) 가 폐쇄되어 있고, 후단부 (2b) 가 개방되어 있다. 중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (냉각수 유로 ; 2c) 내면에는, 두께 약 0.2㎜ 의 다이아몬드 박막 (10) 이 형성되어 있다. 이 다이아몬드 박막 (10) 에 의해 중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (2c) 내면은 전기적으로 절연되어 있다.
중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (2c) 내에는 냉각수관 (11) 의 선단이 배치되어 있다. 냉각수관 (11) 은 냉각수 공급장치 (12) 와 연결되는 순환 유로이다. 냉각수 공급장치 (12) 내의 냉각수는 상시 약 20℃ 로 냉각되어 있다. 중앙 방전전극 (2) 과 냉각수관 (11) 은 다이아몬드 박막 (10) 에 의해 전기적으로는 절연되어 있으나, 열적으로는 고전열성이 유지되어 있다. 방전전극 (2, 3) 에는 펄스 고전압 인가장치 (5) 가 접속되어 있다. 이 펄스 고전압 인가장치 (5) 는, 방전전극 (2, 3) 간에 약 1㎸ 의 펄스 고전압을 인가한다. 또한 방전전극 (2, 3) 에는 가스배관 (7) 을 통해 동작 가스 공급장치 (6) 가 접속되어 있다. 이 동작 가스공급장치 (6) 내에는, 리튬 증기와 헬륨의 혼합기체 (동작 가스) 가 충전되어 있다.
동작 가스 공급장치 (6) 로부터 가스배관 (7) 을 통해 동작 가스를 공급하고, 펄스 고전압 인가장치 (5) 로부터 펄스 고전압을 인가하면, 중앙 방전전극 (2) 의 선단부 (2a) 에 고온ㆍ고밀도의 플라스마 (P) 가 발생된다. 이 플라스마 생성의 반복 주파수는 약 1㎑ 이다. 이 플라스마화에 의해, 동작 가스 중의 리튬이 파장 13㎚ 근방의 EUV광을 방출한다. 또한 이와 같은 플라스마 발생과정의 보다 상세한 설명에 대해서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평10-319195호공보를 참조하면 된다.
중앙 방전전극 (2) 은, 고온의 플라스마 (P) 가 반복 생성됨으로써 표면이 과열된다. 이 때, 특히 고온ㆍ고밀도의 플라스마 (P) 가 발생되는 선단부 (2a) 는 매우 고온 (일례 2000℃) 이 된다. 그리고 중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (2c) 에는, 냉각수 공급장치 (12) 로부터 냉각수관 (11) 을 통해 냉각수가 공급되고 있기 때문에, 중앙 방전전극 (2) 의 열은 신속하게 빼앗긴다. 이에 의해, 중앙 방전전극 (2) 의 온도상승이 억제된다. 또한 중앙 방전전극 (2) 과 냉각수관 (11) 간의 다이아몬드 박막 (10) 이 절연체이기 때문에, 중앙 방전전극 (2) 에 약 1㎸ 의 전압이 인가되었을 때에 냉각수관 (11) 측으로 전류가 흐르는 것을 방지한다. 동시에 다이아몬드의 열전도율은 크므로, 방전전극 (2) 에 발생된 열이 효율적으로 냉각수관 (11) 측으로 전달된다. 이와 같이 중앙 방전전극 (2) 이 냉각됨으로써, 중앙 방전전극 (2) 의 융해ㆍ증발을 억제하여 비산입자의 발생량이 저감된다.
또한 이 예에서는 중앙 방전전극 (2) 의 중공부 (2c) 에 냉각수를 공급함으로써 냉각시키고 있으나, 이하의 (1), (2) 와 같은 개변도 가능하다.
(1) 중앙 방전전극 (2) 을 내부 부재로 하고, 이 내부 부재의 후단부에 다이아몬드 등의 절연부재를 설치하고, 이 절연부재를 통해 중앙 방전전극 (2) 을 냉각시킨다.
(2) 중앙 방전전극 (2) 을, 페르체 소자 등의 기계적 동작을 필요로 하지 않는 냉각수단에 의해 냉각시킨다.
계속해서 도 1 을 참조하여 X선 노광장치의 전체 구성을 설명한다.
진공 챔버 (4) 내에 있어서, 방전전극 (2, 3) 의 상부에는 회전 포물면 반사경 (15) 이 배치되어 있다. 이 회전 포물면 반사경 (15) 의 오목형을 한 반사면에는, Mo/Si 에 의해 형성된 다층막이 코팅되어 있다. 이 다층막에 의해, 플라스마화에 의해 발생되어 회전 포물면 반사경 (15) 에 입사된 EUV광 중, 파장 13㎚ 부근의 EUV광만이 극단 자외광 발생장치 (1) 의 하측쪽으로 평행하게 반사된다.
극단 자외광 발생장치 (1) 의 하측에는 노광 챔버 (33) 가 설치되어 있다. 노광 챔버 (33) 내에는 조명광학계 (17) 가 배치되어 있다. 조명광학계 (17) 는, 컨덴서계의 반사경, 플라이아이 광학계의 반사경 등으로 구성되어 있고, 회전 포물면 반사경 (15) 에서 반사된 EUV광을 원호형상으로 정형하여 도면의 좌측으로 조사한다.
조명광학계 (17) 의 도면의 좌측에는 EUV광 반사경 (19) 이 배치되어 있다. EUV광 반사경 (19) 은, 도면의 우측의 반사면 (19a) 이 오목형을 한 원형을 하고 있고, 도시하지 않은 지지부재에 의해 수직으로 지지되어 있다. EUV광 반사경 (19) 의 도면의 우측에는 광로 절곡 반사경 (21) 이 경사 배치되어 있다. 광로 절곡 반사경 (21) 의 상측에는 반사형 마스크 (23) 가 반사면이 아래가 되도록 수평으로 배치되어 있다. 조명광학계 (17) 로부터 방출된 EUV광은, EUV광 반사경 (19) 에 의해 반사 집광된 후에, 광로 절곡 반사경 (21) 을 통해, 반사형 마스크 (23) 의 반사면에 도달한다.
반사경 (19, 21) 은, 반사면 (19a) 이 고정밀도로 가공된 석영 기판으로 이루어진다. 이 반사면 (19a) 에는 회전 포물면 반사경 (15) 의 반사면과 마찬가지로 파장 13㎚ 의 EUV광의 반사율이 높은 Mo/Si 의 다층막이 형성되어 있다. 또한 파장이 10∼15㎚인 X선을 사용하는 경우에는, Ru (루테늄), Rh (로듐) 등의 물질과, Si, Be (베릴륨), B4C (4 붕화탄소) 등의 물질을 조합한 다층막이어도 된다.
반사형 마스크 (23) 의 반사면에도 다층막으로 이루어지는 반사막이 형성되어 있다. 이 반사막에는 웨이퍼 (29) 에 전사하는 패턴에 따른 마스크 패턴이 형성되어 있다. 반사형 마스크 (23) 는, 그 상부에 도시된 마스크 스테이지 (25) 에 고정되어 있다. 마스크 스테이지 (25) 는, 적어도 Y 방향으로 이동가능하고, 광로 절곡 반사경 (21) 에서 반사된 EUV광을 순차적으로 마스크 (23) 상에 조사한다.
반사형 마스크 (23) 의 하부에는, 순서대로 투영광학계 (27), 웨이퍼 (29) 가 배치되어 있다. 투영광학계 (27) 는, 복수의 반사경 등으로 이루어지고, 반사형 마스크 (23) 에서 반사된 EUV광을 소정의 축소배율 (예를 들어 1/4) 로 축소하여 웨이퍼 (29) 상에 결상한다. 웨이퍼 (29) 는, XYZ 방향으로 이동가능한 웨이퍼 스테이지 (31) 에 흡착 등에 의해 고정되어 있다.
노광동작을 실행할 때에는, 조명광학계 (17) 에 의해 반사형 마스크 (23) 의 반사면에 EUV광을 조사한다. 이 때, 투영광학계 (27) 에 대해 반사형 마스크 (23) 및 웨이퍼 (29) 를 투영광학계의 축소배율에 의해 결정되는 소정의 속도비로상대적으로 동기 주사한다. 이에 의해 반사형 마스크 (23) 의 회로패턴의 전체를 웨이퍼 (29) 상의 복수의 쇼트영역의 각각에 스텝 앤드 스캔 방식으로 전사한다. 또한 웨이퍼 (29) 의 칩은 예를 들어 가로 세로 25×25㎜ 로, 레지스트 상에서 0.07㎛L/S 의 IC 패턴을 노광할 수 있다.
다음으로 도 3 을 참조하여 극단 자외광 발생장치의 다른 예에 대해 설명한다.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 관련되는 X선 노광장치의 극단 자외광 발생장치의 구성을 나타내는 도면이다.
이 예의 극단 자외광 발생장치 (51) 는, 상기 서술한 극단 자외광 발생장치 (1) 와 동일한 진공 챔버 (4) 를 구비한다. 진공 챔버 (4) 에는, 10-3㎩ (일례) 정도로 배기가능한 진공펌프 (배기장치 ; 60) 가 부설되어 있다. 이 진공 챔버 (4) 내에는, 중앙의 중공 파이프형상을 한 중앙 방전전극 (52) 과, 이 전극 (52) 을 둘러싸는 원통형상의 주변 방전전극 (53) 이 동축 구조로 배치되어 있다. 양 전극 (52, 53) 간은 절연재 (8) 로 절연되어 있다. 중앙 방전전극 (52) 은 이 예에서는 기공률 10∼40% 정도의 다공질 텅스텐제이다.
방전전극 (52) 의 중공부 (52c) 는, 파이프 (61) 를 통해 탱크 (63) 와 연결되어 있다. 이들 파이프 (61) 및 탱크 (63) 는, 폴리테트라플루오로에틸렌 (테프론) 제이다. 탱크 (63) 내의 물은 상시 약 20℃ 로 냉각되어 있다. 탱크 (63) 내의 물은, 파이프 (61) 를 통해 중앙 방전전극 (52) 의 중공부 (52c) 내에공급되고, 다공질 텅스텐 중에 침투된다. 방전전극 (52, 53) 에는, 상기 서술한 극단 자외광 발생장치 (1) 와 동일한 펄스 고전압 인가장치 (5) 가 접속되어 있다. 파이프 (61) 및 탱크 (63) 가 폴리테트라플루오로에틸렌제이기 때문에, 펄스 고전압 인가장치 (5) 로부터 방전전극 (52, 53) 에 고전압을 인가했을 때에도 전하가 달아나지 않는다.
진공 챔버 (4) 내에 버퍼 가스로서 헬륨을 도입하고, 펄스 고전압 인가장치 (5) 로부터 약 1㎸ 의 펄스전압을 인가하면, 중앙 방전전극 (52) 의 선단부 (52a) 에 고온ㆍ고밀도의 플라스마 (P) 가 발생된다. 이 때, 중앙 방전전극 (52) 중에 침투된 물은, 텅스텐보다도 저융점ㆍ저비등점이기 때문에 먼저 증발되고, 플라스마가 반복 생성된다. 수분자를 구성하는 산소원자가 플라스마화되었을 때에는, 5가의 이온 천이 (O5+;4d →2p) 에서 유래하는 파장 13㎚ 정도의 라인 스펙트럼이 얻어진다. 중앙 방전전극 (52) 에 공급되는 물은, 탱크 (63) 에서 냉각되므로, 중앙 방전전극 (52) 의 온도상승이 억제된다. 또한 물은 증발시에 기화열을 빼앗기 때문에, 이에 의해서도 중앙 방전전극 (52) 의 온도상승이 억제된다. 따라서 중앙 방전전극 (52) 의 융해ㆍ증발이 억제되어 비산입자의 발생량이 저감된다.
플라스마를 생성한 후의 물은 진공펌프 (60) 에 의해 배기된다. 이 진공펌프 (60) 의 배기에 의해, 진공 챔버 (4) 내에서 물이 기화되어도 충분한 EUV광의 투과율이 되는 압력이 유지된다. 이와 같이 진공 챔버 (4) 내가 감압되어 있는것, 그리고 물이 표면장력의 작용으로 다시 중앙 방전전극 (52) 내에 침투되고, 중앙 방전전극 (52) 에는 항상 물이 공급됨으로써, 반복 동작이 가능하다.
또한 방전전극 (52) 은, 알루미나 등의 다공질 세라믹스로 구성할 수도 있다. 이 경우, 탱크 (63) 내의 액체는, 물 대신에 전기전도성을 갖는 전해질액을 사용하도록 한다. 세라믹스는, 금속보다도 융점이 높으므로, 비산입자의 발생량을 더욱 저감할 수 있다. 또 전자파를 복사하는 플라스마는 세라믹스로부터 스며나온 전해질액에 의해 형성되기 때문에, 대략 13㎚ 의 EUV광을 정확하게 복사할 수 있다.
다음으로 상기 X선 노광장치를 이용한 디바이스 제조방법의 실시예를 설명한다.
도 4 는 미소한 디바이스 (IC 나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막자기헤드, 마이크로머신 등) 의 제조 수순을 나타낸다.
스텝 1 (회로설계) 에서는 반도체 디바이스의 회로를 설계한다.
스텝 2 (마스크 제작) 에서는 설계한 회로 패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 이 때 패턴에 대해 국부적으로 다시 사이즈를 조정하여 수차에 의한 흐려짐을 보정해도 된다.
한편 스텝 3 (웨이퍼 제조) 에서는 규소 등의 재료를 사용하여 웨이퍼를 제조한다.
스텝 4 (산화) 에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 5 (CVD) 에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 6 (전극형성) 에서는 웨이퍼 상에전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 7 (이온 주입) 에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 8 (레지스트 처리) 에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다.
스텝 9 (X선 노광) 에서는 스텝 2 에서 만든 마스크를 사용하여 X선 전사장치에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼에 전사하여 노광한다. 이 때 상기 서술한 X선 노광장치를 사용한다.
스텝 11 (현상) 에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 12 (에칭) 에서는 레지스트 이미지 이외의 부분을 선택적으로 깍아낸다. 스텝 13 (레지스트 박리) 에서는 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 제거한다. 스텝 4 부터 스텝 13 을 반복 실행함으로써 웨이퍼 상에 다중으로 회로패턴이 형성된다.
스텝 14 (조립) 는 후공정이라 불리고, 이전 공정에 의해 제작된 웨이퍼를 사용하여 반도체 칩화하는 공정으로, 어셈블리 공정 (다이싱, 본딩), 패키징 공정 (칩 봉입) 등의 공정을 포함한다. 스텝 15 (검사) 에서는 스텝 14 에서 제작된 반도체 디바이스의 동작확인 테스트, 내구성 테스트 등을 검사한다. 이와 같은 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성되고 이것이 출하 (스텝 16) 된다.
이상 상기 서술한 실시예에서는, 파장 13㎚ 근방의 EUV광을 이용하는 X선 전사노광에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 동작 가스의 종류나 방전전극을 형성하는 재료, 혹은 침투시키는 액체의 종류를 적절히 선택함으로써 각종 파장역에 대응할 수 있다.
이상 설명으로부터 명확한 바와 같이 본 발명에 의하면, 극단 자외광을 효율적으로 발생시키면서, 전극부재가 융해ㆍ증발되어 발생되는 비산입자의 양을 낮게 억제할 수 있는 극단 자외광 발생장치 및 이를 사용한 노광장치와, 장기간에 걸쳐 안정된 반도체 제조가 가능한 반도체 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. 배기수단을 갖는 진공 챔버와,
    이 챔버 내에 배치된 쌍을 이루는 방전전극과,
    이 방전전극에 고전압 펄스를 인가하는 전원과,
    상기 방전전극에 의한 방전부에 동작 가스를 공급하는 가스공급수단을 구비하고,
    상기 방전부를 국재(局在)화시켜, 동 방전부에 공급되는 상기 동작 가스를 고온ㆍ고밀도 플라스마 상태로 하고, 이 동작 가스 중의 특정 이온의 천이 에너지에 대응한 극단 자외광을 복사하는 극단 자외광 발생장치로서,
    또한 상기 방전전극을 액냉하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 방전전극의 내부에 냉각액 유로가 형성되어 있고,
    이 유로의 내벽에 절연ㆍ고전열막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 방전전극 중 상기 방전부에 근접해 있는 전극이 다공질 금속으로 구성되어 있고,
    이 전극에 액체를 공급ㆍ침투시키는 수단이 설치되어 있고,
    상기 진공 챔버의 배기수단이, 극단 자외광의 복사 분위기의 유지를 위해 충분한 능력을 갖는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 쌍을 이루는 방전전극 중 상기 방전부에 근접해 있는 전극이 다공질 세라믹스로 구성되어 있고,
    이 전극에 전해질액을 공급ㆍ침투시키는 수단이 설치되어 있고,
    상기 진공 챔버의 배기수단이, 극단 자외광의 복사 분위기를 유지하기 위해 충분한 능력을 갖는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 액체가 물이고, 이 수중의 산소를 상기 특정 이온으로 하는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 액체 또는 전해질액을 냉각하는 액냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 극단 자외광 발생장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 극단 자외광 광원과,
    이 극단 자외광을 마스크에 조사하는 조명광학계와,
    이 마스크로부터 반사된 광을 감응기판 상에 투영 결상시키는 투영광학계를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제 7 항에 기재된 노광장치를 사용하는 리소그래피 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
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WO (1) WO2002069677A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100839859B1 (ko) * 2005-11-18 2008-06-20 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR100907229B1 (ko) * 2005-09-02 2009-07-10 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법
WO2012118280A2 (ko) * 2011-02-28 2012-09-07 주식회사 에프에스티 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10310623B8 (de) * 2003-03-10 2005-12-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas durch elektrische Entladung in einem Entladungsraum
US7760452B2 (en) * 2003-04-25 2010-07-20 Canon Kabushiki Kaisha Driving apparatus, optical system, exposure apparatus and device fabrication method
TWI607292B (zh) * 2003-06-13 2017-12-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
US7230258B2 (en) * 2003-07-24 2007-06-12 Intel Corporation Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
US7208746B2 (en) * 2004-07-14 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
CN101065999B (zh) * 2004-11-29 2011-04-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于产生波长范围从大约1nm至大约30nm的辐射并在光刻装置或计量学中使用的方法和设备
JP5103976B2 (ja) 2007-03-23 2012-12-19 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた極端紫外光光源装置
US20110020752A1 (en) * 2007-12-27 2011-01-27 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet radiation source and method for producing extreme ultraviolet radiation
CN101824596B (zh) * 2010-03-30 2011-12-14 东莞宏威数码机械有限公司 自动冷却式供电装置
NL2008250A (en) * 2011-03-08 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TWI503053B (zh) * 2014-06-11 2015-10-01 財團法人金屬工業研究發展中心 輻射產生設備
CN107209130B (zh) * 2015-02-09 2021-07-09 株式会社尼康 X射线测量设备及其图像重建方法、结构物制造方法
EP3214635A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-06 Excillum AB Liquid target x-ray source with jet mixing tool
US10299361B2 (en) * 2017-03-24 2019-05-21 Asml Netherlands B.V. Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source
CN111257232A (zh) * 2020-03-19 2020-06-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种高效收集euv光的多层膜光学元件碳污染实验装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60175351A (ja) * 1984-02-14 1985-09-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線発生装置およびｘ線露光法
JPS61250948A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線発生装置およびｘ線露光法
JPS6348733A (ja) * 1986-08-14 1988-03-01 Nichicon Corp Ｘ線発生装置
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US6566667B1 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US5973826A (en) * 1998-02-20 1999-10-26 Regents Of The University Of California Reflective optical imaging system with balanced distortion
EP1083777A4 (en) * 1998-05-29 2004-03-05 Nippon Kogaku Kk LASER EXCITED PLASMA LIGHT SOURCE, LIGHTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
US6324255B1 (en) * 1998-08-13 2001-11-27 Nikon Technologies, Inc. X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus
US6285743B1 (en) * 1998-09-14 2001-09-04 Nikon Corporation Method and apparatus for soft X-ray generation
US6339634B1 (en) * 1998-10-01 2002-01-15 Nikon Corporation Soft x-ray light source device
JP2002006096A (ja) * 2000-06-23 2002-01-09 Nikon Corp 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100907229B1 (ko) * 2005-09-02 2009-07-10 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 방법과, 디바이스 제조 방법
KR100839859B1 (ko) * 2005-11-18 2008-06-20 캐논 가부시끼가이샤 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2012118280A2 (ko) * 2011-02-28 2012-09-07 주식회사 에프에스티 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치
WO2012118280A3 (ko) * 2011-02-28 2012-11-01 주식회사 에프에스티 플라즈마를 이용한 안정화된 극자외선 발생장치

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