JP2012238817A - 製造方法、スイッチ装置、伝送路切り替え装置、および試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に絶縁材料で第1絶縁層を成膜する第1絶縁層成膜段階と、第1絶縁層をアニールする第1アニール段階と、第1絶縁層上に導電性材料で第1電極層を成膜する第1電極層成膜段階と、第1電極層上にゾルゲル材料を塗布してアニールすることにより、第1電極層上に第1圧電膜を成膜する第1圧電膜成膜段階と、第1圧電膜上に導電性材料で第2電極層を成膜する第2電極層成膜段階と、第2電極層上に絶縁材料で第2絶縁層を成膜する第2絶縁層成膜段階と、第2絶縁層をアニールする第2アニール段階と、を備える製造方法を提供する。
【選択図】図3
Description
特許文献1 特開平11−346012
Claims (18)
- 基板上に絶縁材料で第1絶縁層を成膜する第1絶縁層成膜段階と、
前記第1絶縁層をアニールする第1アニール段階と、
前記第1絶縁層上に導電性材料で第1電極層を成膜する第1電極層成膜段階と、
前記第1電極層上にゾルゲル材料を塗布してアニールすることにより、前記第1電極層上に第1圧電膜を成膜する第1圧電膜成膜段階と、
前記第1圧電膜上に導電性材料で第2電極層を成膜する第2電極層成膜段階と、
前記第2電極層上に絶縁材料で第2絶縁層を成膜する第2絶縁層成膜段階と、
前記第2絶縁層をアニールする第2アニール段階と、
を備える製造方法。 - 前記第1アニール段階および前記第2アニール段階は、前記第1圧電膜成膜段階のアニールのアニール時間以上のアニール時間で、かつ、前記第1圧電膜成膜段階のアニールの温度勾配以下の温度勾配でアニールする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1電極層成膜段階は、予め定められた成長温度で前記第1電極層を成膜して、前記第1電極層を<111>方向に優先配向させ、
前記第1圧電膜成膜段階は、前記第1電極層上に成膜される前記第1圧電膜を、前記第1電極層の配向に応じて<111>方向に優先配向させる
請求項1または2に記載の製造方法。 - 前記第1電極層、前記第2電極層、および前記第1圧電膜を加工して、前記第2絶縁層より表面積を小さくする第1加工段階をさらに備える請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記第2絶縁層上に導電性材料で第3電極層を成膜する第3電極層成膜段階と、
前記第3電極層上にゾルゲル材料を塗布してアニールすることにより、前記第3電極層上に第2圧電膜を成膜する第2圧電膜成膜段階と、
前記第2圧電膜上に導電性材料で第4電極層を成膜する第4電極層成膜段階と、
前記第4電極層上に絶縁材料で第3絶縁層を成膜する第3絶縁層成膜段階と、
前記第3絶縁層をアニールする第3アニール段階と、
を更に備える請求項1から4のいずれか1項に記載の製造方法。 - 前記第3アニール段階は、前記第1圧電膜成膜段階および前記第2圧電膜成膜段階のアニールのアニール時間以上のアニール時間で、かつ、前記第1圧電膜成膜段階のアニールの温度勾配以下の温度勾配でアニールする請求項5に記載の製造方法。
- 前記第3電極層成膜段階は、予め定められた成長温度で前記第3電極層を成膜して、前記第3電極層を<111>方向に優先配向させ、
前記第2圧電膜成膜段階は、前記第3電極層上に成膜される前記第2圧電膜を、前記第3電極層の配向に応じて<111>方向に優先配向させる
請求項5または6に記載の製造方法。 - 前記第3電極層、前記第4電極層、および前記第2圧電膜を加工して、前記第2絶縁層より表面積を小さくする第2加工段階をさらに備える請求項5から7のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記第1圧電膜と前記第2圧電膜の少なくとも一方は、前記第1電極層および前記第3電極層のうち隣接する層と格子定数が整合し、当該膜に対して面方向において略同一の平均粒子径で接する請求項5から8のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記第1圧電膜と前記第2圧電膜の少なくとも一方は、ペロブスカイト構造を有し、かつ、自発分極を有する正方晶、菱面体晶、または正方晶と菱面体晶が混在した強誘電体薄膜である請求項5から9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記絶縁材料は、TEOSを材料としたCVD法によって形成される請求項1から10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記絶縁材料は、SiO2またはSiNである請求項1から10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記導電性材料は、Ptを含む請求項1から12のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記ゾルゲル材料は、PZTゾルゲル液を含む請求項1から13のいずれか1項に記載の製造方法。
- 第1接点が設けられた接点部と、
請求項1から14のいずれか1項に記載の製造方法で製造され、第2接点が更に設けられ、前記第2接点を移動させて前記第1接点と接触または離間させるアクチュエータと、
を備えるスイッチ装置。 - 入力端と複数の出力端のそれぞれの間に各々接続された複数の請求項15に記載のスイッチ装置を備える伝送路切り替え装置。
- 被試験デバイスをループバック試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部からの信号を前記被試験デバイスに供給するか、前記被試験デバイスからの信号を前記被試験デバイスにループバックさせるかを切り換える請求項16に記載の伝送路切り替え装置と、
を備える試験装置。 - 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部および前記被試験デバイスの間を電気的に接続または切断する請求項15に記載のスイッチ装置と、
を備える試験装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015129393A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 株式会社Lixil | 発電装置および圧電装置 |
JP2017130701A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体素子の製造方法 |
US11165011B2 (en) | 2013-10-28 | 2021-11-02 | Fujifilm Corporation | Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101506789B1 (ko) * | 2013-06-18 | 2015-03-27 | 삼성전기주식회사 | Mems 소자 및 그 제조방법 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145134A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2003016930A1 (fr) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Module d'essai et testeur |
WO2005024966A1 (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-17 | Nec Corporation | 圧電セラミックス素子および携帯機器 |
JP2006073672A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Kyocera Corp | 積層圧電体、その製造方法、圧電アクチュエータおよび印刷ヘッド |
JP2006220660A (ja) * | 2005-02-11 | 2006-08-24 | Advantest Corp | 試験装置、及び試験方法 |
JP2007088448A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Brother Ind Ltd | 膜、およびインクジェットヘッドの製造方法等 |
JP2007173691A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド |
JP2008047689A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電アクチュエーターとその製造方法並びにそれを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2009129965A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009286120A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び圧電素子 |
JP2009300941A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Fdk Corp | 磁気光学空間光変調器の製造方法 |
JP2011054977A (ja) * | 1995-09-19 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッド |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4634917A (en) * | 1984-12-26 | 1987-01-06 | Battelle Memorial Institute | Active multi-layer piezoelectric tactile sensor apparatus and method |
JP3261544B2 (ja) * | 1991-10-03 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | カンチレバー駆動機構の製造方法、プローブ駆動機構の製造方法、カンチレバー駆動機構、プローブ駆動機構、及びこれを用いたマルチプローブ駆動機構、走査型トンネル顕微鏡、情報処理装置 |
ES2139033T3 (es) * | 1993-05-10 | 2000-02-01 | Sumitomo Electric Industries | Aparato y procedimiento para conmutar lineas de transmision optica. |
JPH11346012A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Kyocera Corp | 圧電/電歪膜型アクチュエータ |
US7633213B2 (en) * | 2005-03-15 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Actuator, switch using the actuator, and method of controlling the actuator |
US8246929B2 (en) * | 2005-05-31 | 2012-08-21 | St. Jude Medical Ab | Synthesis of sodium potassium niobate by sol-gel |
JP4799059B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2011-10-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4739173B2 (ja) * | 2006-12-07 | 2011-08-03 | 富士通株式会社 | マイクロスイッチング素子 |
US7649430B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-01-19 | Advantest Corporation | Switching device, and testing apparatus |
JP2009113316A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | 圧電アクチュエータの駆動方法及び液体吐出装置 |
JP5191939B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-05-08 | スタンレー電気株式会社 | 光偏向器用アクチュエータ装置 |
US8508315B2 (en) * | 2010-02-23 | 2013-08-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonator filter with impedance transformation ratio controlled by resonant frequency difference between two coupled resonators |
-
2011
- 2011-05-13 JP JP2011108552A patent/JP5394435B2/ja active Active
- 2011-10-20 US US13/277,235 patent/US8866492B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054977A (ja) * | 1995-09-19 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子およびインクジェット式記録ヘッド |
JPH11145134A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2003016930A1 (fr) * | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Module d'essai et testeur |
WO2005024966A1 (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-17 | Nec Corporation | 圧電セラミックス素子および携帯機器 |
JP2006073672A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Kyocera Corp | 積層圧電体、その製造方法、圧電アクチュエータおよび印刷ヘッド |
JP2006220660A (ja) * | 2005-02-11 | 2006-08-24 | Advantest Corp | 試験装置、及び試験方法 |
JP2007088448A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Brother Ind Ltd | 膜、およびインクジェットヘッドの製造方法等 |
JP2007173691A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 圧電素子の製造方法及びアクチュエータ装置並びに液体噴射ヘッド |
JP2008047689A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電アクチュエーターとその製造方法並びにそれを備えた液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP2009129965A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009286120A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び圧電素子 |
JP2009300941A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Fdk Corp | 磁気光学空間光変調器の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11165011B2 (en) | 2013-10-28 | 2021-11-02 | Fujifilm Corporation | Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element |
WO2015129393A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 株式会社Lixil | 発電装置および圧電装置 |
JP2017130701A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 圧電体素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120286801A1 (en) | 2012-11-15 |
JP5394435B2 (ja) | 2014-01-22 |
US8866492B2 (en) | 2014-10-21 |
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