JP5394451B2 - アクチュエータの製造方法、スイッチ装置、伝送路切替装置、および試験装置 - Google Patents
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Description
特許文献1 特開2001−191300号公報
Claims (16)
- 基板上に第1圧電素子層を形成する第1圧電素子層形成段階と、
前記第1圧電素子層上に絶縁体の支持層を形成する支持層形成段階と、
前記支持層上に第2圧電素子層を形成する第2圧電素子層形成段階と、
前記基板の一部を除去して、前記第1圧電素子層、前記支持層、および前記第2圧電素子層を有し、一端は前記基板と分離された可動端となり、他端は前記基板に固定された固定端となるアクチュエータを形成する除去段階と、
を備えるバイモルフ型アクチュエータの製造方法。 - 前記第1圧電素子層形成段階は、
前記基板上に導電性材料で第1電極層を成膜する第1電極層成膜段階と、
前記第1電極層上にゾルゲル材料を塗布してアニールすることにより、前記第1電極層上に第1圧電膜を成膜する第1圧電膜成膜段階と、
前記第1圧電膜上に導電性材料で第2電極層を成膜する第2電極層成膜段階と、
を有する請求項1に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。 - 前記第2電極層成膜段階は、前記第1圧電膜と前記第2電極層との間に第1導電性酸化物膜を成膜する第1酸化物膜成膜段階を含む請求項2に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記第2圧電素子層形成段階は、
前記支持層上に導電性材料で第3電極層を成膜する第3電極層成膜段階と、
前記第3電極層上にゾルゲル材料を塗布してアニールすることにより、前記第3電極層上に第2圧電膜を成膜する第2圧電膜成膜段階と、
前記第2圧電膜上に導電性材料で第4電極層を成膜する第4電極層成膜段階と、
を有する請求項2または3に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。 - 前記第4電極層成膜段階は、前記第2圧電膜と前記第4電極層との間に第2導電性酸化物膜を成膜する第2酸化物膜成膜段階を含む請求項4に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記第1電極層成膜段階は、予め定められた成長温度で前記第1電極層を成膜して、前記第1電極層を予め定められた方向に優先配向させ、
前記第1圧電膜成膜段階は、前記第1圧電膜を前記第1電極層の前記優先配向に応じて前記予め定められた方向に配向させ、
前記第3電極層成膜段階は、予め定められた成長温度で前記第3電極層を成膜して、前記第3電極層を予め定められた方向に優先配向させ、
前記第2圧電膜成膜段階は、前記第3電極層上に成膜される前記第2圧電膜を、前記第3電極層の前記優先配向に応じて前記予め定められた方向に配向させる
請求項4または5に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。 - 前記支持層形成段階は、前記第2電極層上に絶縁材料で前記支持層を成膜する支持層成膜段階と、成膜した前記支持層をアニールする支持層アニール段階とを含む請求項4から6のいずれか1項に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記第1圧電素子層形成段階は、前記基板と前記第1電極層との間に絶縁材料で第1保護膜を成膜する第1保護膜成膜段階と、前記第1保護膜をアニールする第1アニール段階とを更に含み、
前記第2圧電素子層形成段階は、前記第4電極層上に絶縁材料で第2保護膜を成膜する第2保護膜成膜段階と、前記第2保護膜をアニールする第2アニール段階とを更に備える請求項7に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。 - 前記支持層アニール段階、前記第1アニール段階、および前記第2アニール段階は、前記第1圧電膜成膜段階のアニールのアニール時間以上のアニール時間で、かつ、前記第1圧電膜成膜段階のアニールの温度勾配以下の温度勾配でアニールする請求項8に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記絶縁材料は、SiO2またはSiNを主成分とする請求項7から9のいずれか1項に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記ゾルゲル材料は、PZTゾルゲル液を含む請求項3から10のいずれか1項に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 前記導電性酸化物膜は、Ir系酸化物、Ru系酸化物、またはLSCO、LNO等の酸化物を主成分とする請求項11に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法。
- 第1接点が設けられた接点部と、
請求項1から12のいずれか1項に記載のバイモルフ型アクチュエータの製造方法で製造され、第2接点が更に設けられ、前記第2接点を移動させて前記第1接点と接触または離間させるアクチュエータと、
を備えるスイッチ装置。 - 入力端と複数の出力端のそれぞれの間に各々接続された複数の請求項13に記載のスイッチ装置を備える伝送路切替装置。
- 被試験デバイスをループバック試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部からの信号を前記被試験デバイスに供給するか、前記被試験デバイスからの信号を前記被試験デバイスにループバックさせるかを切り換える請求項14に記載の伝送路切替装置と、
を備える試験装置。 - 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部および前記被試験デバイスの間を電気的に接続または切断する請求項13に記載のスイッチ装置と、
を備える試験装置。
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