JP3305304B2

JP3305304B2 - 探針駆動機構並びに該機構を用いた圧電式アクチュエータの製造方法

Info

Publication number: JP3305304B2
Application number: JP2000314763A
Authority: JP
Inventors: 優中山; 隆行八木; 康弘島田; 敬介山本; 有二笠貫; 義勇鈴木; 裕平井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-05-30
Filing date: 2000-10-16
Publication date: 2002-07-22
Anticipated expiration: 2017-07-22
Also published as: JP2001191300A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、試料の表面観察或いは
記録媒体を用いた記録・再生に用いられる、探針駆動機
構及び該機構を用いた圧電式アクチュエータの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体或いは高分子材料等の原
子、分子オーダーの観察評価、微細加工、及び記録装置
等の様々な分野への走査型トンネル顕微鏡（以下「ＳＴ
Ｍ」と記す）の応用が研究されている。

【０００３】中でも、コンピューターの計算情報や映像
情報等では大容量を有する記録装置が要求され、ＳＴＭ
手法の応用に対する要望がますます高まっており、さら
に半導体プロセス技術の進展により、マイクロプロセッ
サが小型化し、計算能力が向上したために記録装置の小
型化が望まれている。これらの要求を満たす目的で、記
録媒体との間隔の微調整が可能な駆動手段上に存在する
トンネル電流発生用プローブからなる変換器を用い、該
変換器から電圧を印加し、記録媒体表面の仕事関数を変
化させることにより記録書き込みし、或いは仕事関数の
変化によるトンネル電流の変化を検知することにより情
報の読み出しを行ない、最小記録面積が１０ｎｍ平方と
なる記録再生装置が提案されている（特開昭６３−１６
１５５２号公報等）。

【０００４】一般に、データ転送速度、及びデータ記録
速度を向上させるためにはプローブの数を増やす必要が
ある。この際、上述した装置においてはプローブと媒体
との間隔を調整しつつ、記録データ列上を走行すること
になるが、記録したデータ列の幅が非常に細く、装置の
温度変化によるドリフト、外部からの振動などの影響に
よるプローブのデータ列からのはずれ等により安定した
記録再生が困難になる。従って各プローブが独立に、媒
体面に平行な方位を垂直な方位に高速に変位することが
要求される。

【０００５】この要求を満足させるために、例えば、Ｗ
Ｏ８９／０７２５６には図６の様な圧電体層５、７と電
極層４、６、８を積層したカンチレバーが提案されてい
る。該カンチレバーはシリコン酸化膜よりなる絶縁層１
１を成膜パターニングし、次いでＳｉ基板１を異方性エ
ッチングによってシリコンメンブレン１０を形成してい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例ではシリコンメンブレン１０と絶縁層１１のエッチ
ングの際にＳｉ基板１のサイドエッチングを抑えるため
に絶縁層１１の膜厚を薄くする必要がある。そのため下
電極４とＳｉ基板１で無視できない容量が発生し、基板
を介して他の電極と接続し、図７の様な等価回路にな
る。

【０００７】通常カンチレバーの駆動周波数はカンチレ
バーの大きさ、層構成で決まる共振周波数で制限される
が、さらに従来例では圧電体層５、７による容量と上述
の寄生容量による時定数の増大によっても制限され媒体
とプローブの間隔の調整ができず、書き込み読み出しの
誤動作を生じる。また、複数プローブ構成の場合は駆動
電極の配線長が各々のプローブで異なるためこれによる
寄生容量も大きくばらつく。従って、これがカンチレバ
ーの駆動特性のバラツキとなる。

【０００８】また、以上の問題を回避するために電極下
の絶縁層を厚くし、寄生容量を小さくする様な工程にし
た場合、図６の絶縁層１１をエッチングする際、Ｓｉが
等方的にエッチングされ、絶縁層厚さの１０倍以上サイ
ド方向にエッチングが進むためカンチレバー形状の制御
性が悪くなる。

【０００９】本発明の目的は、カンチレバーと支持体と
の間で発生する寄生容量を低減してカンチレバーの応答
性を改善すると共に、カンチレバー製造時の不要なエッ
チングを防止した新規な圧電式アクチュエータ、探針駆
動機構の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の第１の
態様は、圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有するバ
イモルフカンチレバーであって、該カンチレバーの一端
が絶縁層を介して支持体の表面に支持され、且つその他
端に情報入出力用のプローブを備えた探針駆動機構の製
造方法であって、支持体上に第１の絶縁層を設け、上記
カンチレバーの一端を支持する支持体部を残し、エッジ
部において傾斜部を有するようにパターニングする工
程、更にその上に第２の絶縁層を設ける工程、第２の絶
縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層する工程、プロ
ーブを形成する工程、及び支持体部以外の支持体を除去
してカンチレバーを形成する工程を含むことを特徴とす
る探針駆動機構の製造方法である。

【００１１】本発明の第２の態様は、圧電体薄膜と、こ
れを挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであ
って、該カンチレバーの一端が絶縁層を介して支持体の
表面に支持され、且つその他端に情報入出力用のプロー
ブを備えた探針駆動機構の製造方法であって、支持体上
に第１の絶縁層を設ける工程、更にその上に第２の絶縁
層を設け、上記カンチレバーの一端を支持する支持体部
を残し、エッジ部において傾斜部を有するようにパター
ニングする工程、第１及び第２の絶縁層上に電極層と圧
電体薄膜を順次積層する工程、プローブを形成する工
程、及び支持体部以外の支持体を除去してカンチレバー
を形成する工程を含むことを特徴とする探針駆動機構の
製造方法である。

【００１２】本発明の第３の態様は、圧電体薄膜と、こ
れを挟持する電極を有するバイモルフカンチレバーであ
って、該カンチレバーの一端が絶縁層を介して支持体の
表面に支持され、支持体の裏面に絶縁層を有する圧電式
アクチュエータの製造方法であって、支持体上に第１の
絶縁層を設け、上記カンチレバーの一端を支持する支持
体部を残し、エッジ部において傾斜部を有するようにパ
ターニングする工程、更にその上に第２の絶縁層を設け
る工程、第２の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積
層する工程、及び支持体部以外の支持体を除去してカン
チレバーを形成する工程を含むことを特徴とする圧電式
アクチュエータの製造方法である。

【００１３】本発明によれば、カンチレバー部の剛性を
低くし、且つ支持体上に絶縁層を厚く設けることによ
り、寄生容量を低くし、且つカンチレバーの駆動特性を
高めることを可能にしたものである。

【００１４】この絶縁層の膜厚は、少なくとも５０００
Åは必要であり、１μｍ以上であれば更に好ましい。

【００１５】また、上記本発明による探針駆動機構のさ
らに好ましい態様としては、支持体に接する絶縁層が、
耐異方性エッチングを有する材料からなる、或いはシリ
コン酸化膜を含み、カンチレバーに接する絶縁層がシリ
コンナイトライド膜を含み、支持体の裏面に接する絶縁
層がシリコン酸化膜を含み、支持体がシリコンからな
る。

【００１６】また、本発明の探針駆動機構の製造方法に
おいては、支持体は異方性エッチングで除去されること
が望ましい。

【００１７】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明がこれらに限定されるものではない。

【００１８】実施例１図１は本発明によるカンチレバーと引出電極部構成の断
面図である。カンチレバーは圧電体層５、７と駆動用電
極層４、６、８とで構成され、カンチレバー自由端には
ティップ９が積載されトンネル電流引出用電極は上電極
８形成時に同時に形成される。図１では中、上電極６、
８が途中で切断されているが、実際にはボンディングパ
ッドまでの長い距離に渡って配線される。

【００１９】次に本発明による構成と効果を図２の製造
工程図に従って説明する。

【００２０】図２（ａ）に示す如く（１００）Ｓｉ基板
１に容易に厚膜を得ることができるので熱酸化炉で１μ
ｍ以上のシリコン酸化膜３を成膜し、表面は支持体部１
３のみにシリコン酸化膜が残るように、両面をパターニ
ングする。シリコン酸化膜３のパターニングは図２
（ｃ）の工程で成膜する下電極４として比較的薄い層を
用いた場合にシリコン酸化膜のエッジ部１２が急峻にな
ると下電極４のカバーレージが悪くなるのでＨＦ系の水
溶液等の等方的エッチングによることが望ましい。その
後ＬＰＣＶＤ装置でＳｉＨ₂Ｃｌ₂とＮＨ₃ガスの気相成
長によってシリコンナイトライド膜２を１０００〜１５
００Å成膜し、裏面のみパターニングする。この際シリ
コンナイトライド膜２を成膜するかわりに、再度熱酸化
炉でシリコン酸化膜を成膜しても良い。

【００２１】次に図２（ｂ）に示す如くＳｉの異方性エ
ッチング例えばＫＯＨ水溶液を加熱し、後にカンチレバ
ーとなる領域をエッチングし数１０μｍ厚のシリコンメ
ンブレン１０を形成する。更に図２（ｃ）に示す如く、
下電極４を１０００Å程度成膜し、圧電体５を成膜し、
同様の操作で中電極６、圧電体層７、上電極８を順に積
層し、ティップ９を形成する。次に表面を１０μｍ以上
コーティングしシリコンメンブレン１０及びシリコンナ
イトライド膜２をＫＯＨ水溶液等による異方性エッチン
グ或いはＣＦ₄、ＳＦ₆等のガスによるプラズマエッチン
グによって除去し、さらにＣＦ₄、ＳＦ₆等のガスによる
プラズマエッチングによってコーティングを除去するこ
とによって図１の様な構成のカンチレバーが得られる。

【００２２】以上の様に形成されたカンチレバーの、本
発明の構成による利点は次の通りである。

【００２３】前述した様に、図６の如き従来型の構成に
よると、図７の等価回路に示される望ましくない寄生容
量ｃ₁、ｃ₂が存在する。ここでｃは圧電体の容量、
ｒ₁、ｒ₂は配線抵抗、ｒ₃は基板の抵抗を表す。

【００２４】以上の条件で本発明（図１）と従来技術
（図６）のｃ、ｃ₁、ｃ₂を比較する。条件ＳｉＯ₂３の厚さ（本発明のみ）１μｍＳｉ₃Ｎ₄２（従来例では絶縁層１１に該当）の厚さ０．１５μｍ圧電体５、７の厚さ０．３μｍカンチレバー９の大きさ３００μｍ×１００μｍ配線５μｍ幅×５ｍｍ長Ｓｉ₃Ｎ₄の誘電率１．０×１０^-10（Ｆ／ｍ）ＳｉＯ₂の誘電率３．５×１０^-11（〃）ＺｎＯの誘電率１．１×１０^-10（〃）

【００２５】

【００２６】以上の比較より明らか様に従来例ではカン
チレバー本体に対し配線からの寄生分がほぼ４０％
（ｃ’／ｃ）にもなるのに対し、本発明のｃ’はその１
／１０以下と非常に低い。図４の様なマルチプローブの
場合にはプローブ間での配線長が異なるため、各々のプ
ローブの寄生容量や基板抵抗が大幅に異なることになり
カンチレバーの駆動に大きなバラツキが生じることにな
る。しかし、本発明によれば寄生容量そのものが小さい
ので配線長のバラツキによる寄生分のバラツキが減少さ
れる。即ち、各カンチレバーの特性のバラツキを大幅に
抑えることが可能となるのである。

【００２７】実施例２基本的な構成と効果については実施例１に同じである
が、製法についての他の例を図３を用いて説明する。

【００２８】シリコン基板１に対しＬＰＣＶＤ装置を用
いて８００℃程度加熱しＳｉＨ₂Ｃｌ₂とＮＨ₃を反応さ
せ、シリコンナイトライド膜２を１０００〜１５００Å
成膜し、シリコンメンブレン１０領域形成のため裏面を
パターニングし、エッチングする。次に常圧ＣＶＤ装置
を用いて４００〜４５０℃程度に加熱しＳｉＨ₄とＯ₂を
反応させシリコン酸化膜３を表面のみに成膜しパターニ
ング、エッチングし、図３の様な構成を得る。後の工程
は実施例１に同じである。

【００２９】尚、シリコンメンブレン１０を形成する工
程をシリコン酸化膜３を成膜する前に実施しても同様な
結果を得ることができる。

【００３０】実施例３次に、本発明による前記探針駆動機構を用いた情報処理
装置の一例である記録再生装置の説明を行なう。図５
は、本実施例の記録再生装置の概略図である。１０１
は、本発明の探針駆動機構１０２を複数設けたシリコン
基板、１０５は、シリコン基板をＺ方向に駆動する粗動
用圧電素子、１０３は板状の記録媒体、１０４は探針駆
動機構の走査可能領域で決まる記録エリアを一列に並べ
たデータ列である。記録媒体１０３は、不図示の移動機
構により、図中矢印の方向に並進移動され、記録エリア
は列状に記録される。探針駆動機構１０２とＺ方向粗動
用圧電素子１０５は、不図示のリニアモータなどの移動
機構によりデータ列と直行する方向に移動可能な様に構
成され、任意のデータ列にアクセスし、データの記録再
生を行なうことができる。その際、目標とするデータ列
までのアクセスは、リニアエンコーダーなどの位置検出
装置により行なわれ、その後、探針駆動機構１０２の各
々の探針は、目標のデータ列の各々の記録エリア内を走
査する。

【００３１】前記記録媒体１０３としては、電流−電圧
特性においてメモリ−スイッチング現象（電気メモリー
効果）を有する材料、例えば、特開昭６３−１６１５５
２号公報に記載されているように、π電子準位をもつ群
とσ電子準位のみを有する群を併有する分子を電極上に
積層した有機単分子膜或いはその累積膜を用いることが
可能となる。電気メモリー効果は前記の有機単分子膜、
その累積膜等の薄膜を一対の電極間に配置させた状態で
それぞれ異なる２つ以上の導電率を示す状態（図８ＯＮ
状態、ＯＦＦ状態）へ遷移させることが可能なしきい値
を超えた電圧を印加することにより可逆的に低抵抗状態
（ＯＮ状態）及び高抵抗状態（ＯＦＦ状態）へ遷移（ス
イッチング）させることができる。またそれぞれの状態
は電圧を印加しなくとも保持（メモリー）しておくこと
ができる。

【００３２】また記録媒体１０３として、あるしきい値
以上の電圧を印加すると表面が局所的に溶融または蒸発
して、表面形状が凹又は凸に変化する材料、例えば、Ａ
ｕ、Ｐｔなどの金属薄膜を用いても良い。

【００３３】次に、記録再生の方法を説明する。

【００３４】先ず、記録方法は、Ｚ方向粗動用圧電素子
１０５と探針駆動機構１０２が移動機構により記録位置
に移動し、記録媒体１０３のあるしきい値を超える電圧
を印加することにより行なう。その際、記録媒体１０３
には、バイアス回路１０６によりバイアス電圧が加えら
れ、探針は記録媒体１０３に対してトンネル電流が流れ
る距離に保たれている。その接近は、Ｚ方向粗動用圧電
素子１０５により、近傍まで近づけ、後は複数有る探針
駆動機構１０２で各々の探針毎にトンネル領域に引き込
まれる。その引き込みは各探針に対応したトンネル電流
検出回路１０７により検出されたトンネル電流を各々の
探針駆動機構１０２のＺ方向サーボ回路１１０を通して
フィードバックすることにより、各探針と記録媒体間を
一定距離に制御している。その時、Ｚ方向サーボ回路１
１０にはローパスフィルターが設けられ、そのカットオ
フ周波数はデータ信号には追従せず、記録媒体の面振
れ、表面のうねりに追従できるように選ばれ、探針と記
録媒体の平均距離が一定となる様に制御される。

【００３５】記録時には、制御回路１１２から記録信号
がパルス印加回路１０８に送られ、各探針にパルス電圧
として印加され、記録が行なわれる。

【００３６】その際、パルス印加により探針と記録媒体
の距離が変化しないようにＺ方向サーボ回路１１０に
は、ホールド回路を設けて、パルス電圧が印加されてい
る探針駆動機構１０２の駆動電圧を保持する。

【００３７】そのとき、データ列１０４の記録エリア内
には記録ビットがマトリクス状に記録される。各々の記
録ビット列には、アドレス情報が挿入されており、再生
時のデータの識別を行なう。

【００３８】次に再生方法について説明する。

【００３９】再生時には探針は、移動機構により所望の
データ列１０４の記録エリア上に移動し、記録媒体１０
３の表面との間のトンネル電流の記録部と非記録部の変
化分を検出し再生を行なう。そのとき探針駆動機構１０
２はＸＹ位置制御回路１０９により制御され、探針が記
録エリアの全域を走査するように駆動される。１つの記
録エリア内の再生信号は、トンネル電流検出回路１０７
を通し、制御回路１１２で信号処理して一時的に記憶さ
れ、その中から所望のデータのみが再生出力される。

【００４０】このような記録再生装置において探針駆動
機構を前記実施例の様な構成とすることにより、１つの
探針で走査できる領域が広がり、１つの記録エリアが大
きくなり、全体として記録密度を挙げることができる。

【００４１】実施例４実施例１のカンチレバー型プローブを用いたＳＴＭ装置
を作製した。装置のブロック図は図５と同様である。こ
の装置で、サンプルとしてＨＯＰＧ（高配向熱分解グラ
ファイト）基板のへき開面を、バイアス電流１ｎＡ、ス
キャンエリア１００Å×１００Åで観察したところ、良
好な原子像を得ることができた。

【００４２】また、スキャンエリア５００Å×５００Å
で同様にＨＯＰＧ基板の表面の小さい段差を観察した
後、プローブを基板から離し、再度観察を行なったとこ
ろ再現性良く、同じ場所で段差が観察された。

【００４３】実施例５本実施例においては、インクジェットヘッドに応用する
ために圧電式アクチュエータを複数個横に並べて作製し
た。断面の概略図を図９（ａ）に、その斜視図を図９
（ｂ）にそれぞれ示す。

【００４４】ティップの形成を除き、しかも基板の除去
工程の直前まで、実施例１と同様の操作を行なって圧電
式アクチュエータを作製した。次に、ノズル付き基板２
８に複数のノズル開口部２９を形成した。更にスペーサ
２７を形成した。スペーサ２７には貴金属などの導電体
薄板を用い、各圧電式アクチュエータの上部電極８を短
絡して接続できるようにしたと同時に、引出電極の役割
を兼ねるようにした。また、各圧電式アクチュエータの
下部電極には、不図示の引出電極より個別に印加できる
ようにした。

【００４５】続いて位置合わせの後、圧電式アクチュエ
ータを形成した基板１とノズル付き基板２８を貼り合わ
せた。最後に実施例１に示す様に、水酸化カリウム水溶
液を用いて基板の異方性エッチングにより圧電式アクチ
ュエータの片端部を除いて圧電式アクチュエータ下部の
基板を除去して作製した。

【００４６】このようにして作製したインクジェットヘ
ッドにおいては、下部電極４に印加した電圧による圧電
式アクチュエータの自由端部の図中上下方向への変位に
より、ノズル開口部２９付近のインクの圧力が高まり、
ノズル開口部２９よりインクを吐出させることができ
る。このような電圧印加を、複数の圧電式アクチュエー
タそれぞれに対して選択的、断続的に行なうことで、電
圧印加に対して応答性の良好な任意の印字を行なうこと
ができる。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、支持体と電極間の絶縁
層を配線下のみに残しその後に電極層、圧電層を積層す
るのでカンチレバー部のシリコンメンブレンのエッチン
グ後の絶縁層のエッチングの際にシリコンのサイドエッ
チングの問題が発生しない。そのため、配線下の絶縁層
を厚くすることが可能となるので配線間の寄生容量を低
くすることができる。その結果、各プローブ間の寄生容
量のバラツキを抑えることができ、しかも寄生容量その
ものを小さくできるのでプローブ駆動の制御性が大きく
向上することになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による探針駆動機構の断面図である。

【図２】図１に示した探針駆動機構の製造工程図であ
る。

【図３】別の態様の製造工程を示す図である。

【図４】マルチプローブの概略図である。

【図５】本発明による探針駆動機構を用いた情報処理装
置の概略図である。

【図６】探針駆動機構の従来例を示す概略図である。

【図７】探針駆動機構の従来例の電極間の等価回路図で
ある。

【図８】本発明による探針駆動機構を用いた情報処理装
置に用いる記録層の電気メモリー効果を示す図である。

【図９】本発明による圧電式アクチュエータを応用した
例を示す図である。

【符号の説明】

１シリコン基板２シリコンナイトライド膜３シリコン酸化膜４下電極５圧電体層６中電極７圧電体層８上電極９ティップ１０シリコンメンブレン１１絶縁層１２エッジ部１３支持体部２７スペーサ２８ノズル付き基板２９ノズル開口部１０１シリコン基板１０２探針駆動機構１０３記録媒体１０４データ列１０５粗動用圧電素子１０６バイアス回路１０７トンネル電流検出回路１０８パルス印加回路１０９ＸＹ位置制御回路１１０Ｚ方向サーボ回路１１１Ｚ方向粗動回路１１２制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｊ 21/318 21/306 Ｅ 41/09 41/08 Ｕ 41/22 41/22 Ｚ (72)発明者山本敬介東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者笠貫有二東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者鈴木義勇東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者平井裕東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (56)参考文献特開昭61−220596（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−108161（ＪＰ，Ａ) 特開平４−136577（ＪＰ，Ａ) 特表平３−504762（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B81C 1/00 G01B 21/00 G01N 13/12 G12B 21/04 H01L 21/306 H01L 21/3065 H01L 21/318 H01L 41/09 H01L 41/22

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有
するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバー
の一端が絶縁層を介して支持体の表面に支持され、且つ
その他端に情報入出力用のプローブを備えた探針駆動機
構の製造方法であって、支持体上に第１の絶縁層を設
け、上記カンチレバーの一端を支持する支持体部を残
し、エッジ部において傾斜部を有するようにパターニン
グする工程、更にその上に第２の絶縁層を設ける工程、
第２の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層する工
程、プローブを形成する工程、及び支持体部以外の支持
体を除去してカンチレバーを形成する工程を含むことを
特徴とする探針駆動機構の製造方法。
【請求項２】支持体とカンチレバーとの間に設けられ
た絶縁層の膜厚が少なくとも５０００Åであることを特
徴とする請求項１記載の探針駆動機構の製造方法。
【請求項３】第１の絶縁層の厚さが、少なくとも５０
００Åであることを特徴とする請求項１記載の探針駆動
機構の製造方法。
【請求項４】第１の絶縁層が、シリコン酸化膜を含む
ことを特徴とする請求項１記載の探針駆動機構の製造方
法。
【請求項５】第２の絶縁層が、シリコンナイトライド
膜を含むことを特徴とする請求項１記載の探針駆動機構
の製造方法。
【請求項６】圧電体薄膜と、これを挟持する電極を有
するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバー
の一端が絶縁層を介して支持体の表面に支持され、且つ
その他端に情報入出力用のプローブを備えた探針駆動機
構の製造方法であって、支持体上に第１の絶縁層を設け
る工程、更にその上に第２の絶縁層を設け、上記カンチ
レバーの一端を支持する支持体部を残し、エッジ部にお
いて傾斜部を有するようにパターニングする工程、第１
及び第２の絶縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層す
る工程、プローブを形成する工程、及び支持体部以外の
支持体を除去してカンチレバーを形成する工程を含むこ
とを特徴とする探針駆動機構の製造方法。
【請求項７】支持体とカンチレバーとの間に設けられ
た絶縁層の膜厚が少なくとも５０００Åであることを特
徴とする請求項６記載の探針駆動機構の製造方法。
【請求項８】第２の絶縁層の厚さが、少なくとも５０
００Åであることを特徴とする請求項６記載の探針駆動
機構の製造方法。
【請求項９】第２の絶縁層が、シリコン酸化膜を含む
ことを特徴とする請求項６記載の探針駆動機構の製造方
法。
【請求項１０】第１の絶縁層が、シリコンナイトライ
ド膜を含むことを特徴とする請求項６記載の探針駆動機
構の製造方法。
【請求項１１】支持体が、シリコンを含むことを特徴
とする請求項１または６記載の探針駆動機構の製造方
法。
【請求項１２】支持体を異方性エッチングで除去する
ことを特徴とする請求項１または６記載の探針駆動機構
の製造方法。
【請求項１３】圧電体薄膜と、これを挟持する電極を
有するバイモルフカンチレバーであって、該カンチレバ
ーの一端が絶縁層を介して支持体の表面に支持され、支
持体の裏面に絶縁層を有する圧電式アクチュエータの製
造方法であって、支持体上に第１の絶縁層を設け、上記
カンチレバーの一端を支持する支持体部を残し、エッジ
部において傾斜部を有するようにパターニングする工
程、更にその上に第２の絶縁層を設ける工程、第２の絶
縁層上に電極層と圧電体薄膜を順次積層する工程、及び
支持体部以外の支持体を除去してカンチレバーを形成す
る工程を含むことを特徴とする圧電式アクチュエータの
製造方法。
【請求項１４】支持体とカンチレバーとの間に設けら
れた絶縁層の膜厚が少なくとも５０００Åであることを
特徴とする請求項１３記載の圧電式アクチュエータの製
造方法。
【請求項１５】第１の絶縁層の厚さが、少なくとも５
０００Åであることを特徴とする請求項１３記載の圧電
式アクチュエータの製造方法。
【請求項１６】支持体が、シリコンを含むことを特徴
とする請求項１３記載の圧電式アクチュエータの製造方
法。
【請求項１７】第１の絶縁層が、シリコン酸化膜を含
むことを特徴とする請求項１３記載の圧電式アクチュエ
ータの製造方法。
【請求項１８】第２の絶縁層が、シリコンナイトライ
ド膜を含むことを特徴とする請求項１３記載の圧電式ア
クチュエータの製造方法。
【請求項１９】支持体を異方性エッチングで除去する
ことを特徴とする請求項１３記載の圧電式アクチュエー
タの製造方法。