JP3234722B2 - 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 - Google Patents
円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置Info
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Landscapes
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トーション梁に固定さ
れた円弧状反り微小変位レバー型プローブ並びにこれを
用いた走査型プローブ顕微鏡(SPM)及び記録再生装
置等の情報処理装置に関する。
れた円弧状反り微小変位レバー型プローブ並びにこれを
用いた走査型プローブ顕微鏡(SPM)及び記録再生装
置等の情報処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来例の平板状レバー型プロー
ブの斜視図である。
ブの斜視図である。
【0003】最近、導体の表面原子の電子構造を直接観
察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略す)
が開発され[G.Binnig et al.Phy
s.Rev.Lett,49,57(1982)]、高
い分解能をもって単結晶、非晶質を問わず実空間像を測
定することができるようになった。しかも試料に電流に
よる損傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、更
に大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることが
できるので、今後広範囲な応用が期待されている。ST
Mは金属のティップと導電性物質間に電圧を加えて1n
m程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れること
を利用している。この電流は両者の距離変化に非常に敏
感である。トンネル電流を一定に保つようにティップを
走査することにより実空間の全電子雲に関する種々の情
報をも読み取ることができる。この際、面内方向の分解
能は0.1nm程度である。したがって、STMの原理
を応用すれば十分に原子オーダー(サブ・ナノメート
ル)での高密度記録再生を行なうことが可能である。
察できる走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略す)
が開発され[G.Binnig et al.Phy
s.Rev.Lett,49,57(1982)]、高
い分解能をもって単結晶、非晶質を問わず実空間像を測
定することができるようになった。しかも試料に電流に
よる損傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、更
に大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることが
できるので、今後広範囲な応用が期待されている。ST
Mは金属のティップと導電性物質間に電圧を加えて1n
m程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流れること
を利用している。この電流は両者の距離変化に非常に敏
感である。トンネル電流を一定に保つようにティップを
走査することにより実空間の全電子雲に関する種々の情
報をも読み取ることができる。この際、面内方向の分解
能は0.1nm程度である。したがって、STMの原理
を応用すれば十分に原子オーダー(サブ・ナノメート
ル)での高密度記録再生を行なうことが可能である。
【0004】例えば、記録層として電圧電流のスイッチ
ング特性に対してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子
系有機化合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、
記録・再生をSTMで行なう方法が提案されている[特
開昭63−161552号公報、特開昭63−1615
53号公報]。この方法によれば、記録のビットサイズ
を10nmとすれば、1012bit/cm2 もの大容量
記録再生が可能である。
ング特性に対してメモリ効果を持つ材料、例えばπ電子
系有機化合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、
記録・再生をSTMで行なう方法が提案されている[特
開昭63−161552号公報、特開昭63−1615
53号公報]。この方法によれば、記録のビットサイズ
を10nmとすれば、1012bit/cm2 もの大容量
記録再生が可能である。
【0005】STMのほかにも、ティップを有するプロ
ーブで試料を観察する同様の技術として、原子間力顕微
鏡(AFM)、マクスウェル応力顕微鏡等があり、これ
らを総称して走査型プローブ顕微鏡(SPM)という。
ーブで試料を観察する同様の技術として、原子間力顕微
鏡(AFM)、マクスウェル応力顕微鏡等があり、これ
らを総称して走査型プローブ顕微鏡(SPM)という。
【0006】更に、装置の小型化を目的とし半導体フォ
トリソプロセスを用いて複数のティップと極めて小型の
可動機構を半導体基板上に形成することがマイクロメカ
ニクス技術により検討されている。その可動機構に用い
る典型的な微小機械として静電カンチレバー、圧電バイ
モルフカンチレバー(USP4,906,840)等が
提案されている。これら微小機械は、半導体フォトリソ
プロセスにより作製されアレイ化、低コスト化が容易で
あり、小型化することで高速応答性を期待できる。特に
静電カンチレバーは、自己変位する圧電バイモルフカン
チレバーに比べ、静電引力により外部からの電圧印加に
て変位するために、サイズに比して大きな変位を行うこ
とが可能である。
トリソプロセスを用いて複数のティップと極めて小型の
可動機構を半導体基板上に形成することがマイクロメカ
ニクス技術により検討されている。その可動機構に用い
る典型的な微小機械として静電カンチレバー、圧電バイ
モルフカンチレバー(USP4,906,840)等が
提案されている。これら微小機械は、半導体フォトリソ
プロセスにより作製されアレイ化、低コスト化が容易で
あり、小型化することで高速応答性を期待できる。特に
静電カンチレバーは、自己変位する圧電バイモルフカン
チレバーに比べ、静電引力により外部からの電圧印加に
て変位するために、サイズに比して大きな変位を行うこ
とが可能である。
【0007】また、図7に示すように、両持ち梁上に形
成された平板部を、両持ち梁のねじれ弾性を利用して、
静電駆動させるタイプであるトーション梁型が考案され
るに至った(特開平4−1948)。この方法の一つの
利点は、カンチレバー型と異なりレバーのたわみ弾性と
梁のねじれ弾性を独立に設定できるので、剛性と共振周
波数に自由度のある微小変位レバーを作製することがで
きることである。第2の利点は、静電カンチレバーの場
合電圧を印加することによりレバーの先端が基板の方向
に変位するので対向する媒体との距離が制御しにくいの
に対し、この方法は電圧を印加することによりレバーの
先端が基板と反対方向に変位するため、媒体との距離が
制御しやすいことである。
成された平板部を、両持ち梁のねじれ弾性を利用して、
静電駆動させるタイプであるトーション梁型が考案され
るに至った(特開平4−1948)。この方法の一つの
利点は、カンチレバー型と異なりレバーのたわみ弾性と
梁のねじれ弾性を独立に設定できるので、剛性と共振周
波数に自由度のある微小変位レバーを作製することがで
きることである。第2の利点は、静電カンチレバーの場
合電圧を印加することによりレバーの先端が基板の方向
に変位するので対向する媒体との距離が制御しにくいの
に対し、この方法は電圧を印加することによりレバーの
先端が基板と反対方向に変位するため、媒体との距離が
制御しやすいことである。
【0008】このようなトーション梁型微小変位レバー
は上記のような情報処理装置へ応用のほかに、光偏向器
や、微小機械スイッチへも応用される。マイクロメカニ
クス技術を用いた機械式光学素子である光偏向器として
はK.E.Petersenにより提案されたシリコン
によるTorsional Scanning Mir
ror(IBM J.RES.DEVELOP.,VO
L.24,No.5,9,1980,pp631−63
7)等がある。
は上記のような情報処理装置へ応用のほかに、光偏向器
や、微小機械スイッチへも応用される。マイクロメカニ
クス技術を用いた機械式光学素子である光偏向器として
はK.E.Petersenにより提案されたシリコン
によるTorsional Scanning Mir
ror(IBM J.RES.DEVELOP.,VO
L.24,No.5,9,1980,pp631−63
7)等がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなトーショ
ン梁型微小変位レバーには通常平面の板状駆動部が使用
されてきた。しかし、板状駆動部が平面である場合、以
下のような問題点がある。 (1)制御可能な可動範囲が小さい、すなわち変位量が
小さい。 (2)レバーと基板との間に空隙を設ける作製工程にお
いて、空隙の大きさが小さいので、レバーと基板が接触
して離れなくなる現象が生じ易く、したがって作製歩留
りが小さい。
ン梁型微小変位レバーには通常平面の板状駆動部が使用
されてきた。しかし、板状駆動部が平面である場合、以
下のような問題点がある。 (1)制御可能な可動範囲が小さい、すなわち変位量が
小さい。 (2)レバーと基板との間に空隙を設ける作製工程にお
いて、空隙の大きさが小さいので、レバーと基板が接触
して離れなくなる現象が生じ易く、したがって作製歩留
りが小さい。
【0010】以上の問題点により、本発明の目的は、レ
バー先端部の変位量が大きく、レバーと基板との間に空
隙を設ける作製工程における歩留りが大きい、円弧状反
りを有するトーション梁型微小変位レバーを備えたプロ
ーブを提供すること並びにこのようなプローブを利用し
た操作能率のよい走査型プローブ顕微鏡及び記録再生装
置等の情報処理装置を提供することである。
バー先端部の変位量が大きく、レバーと基板との間に空
隙を設ける作製工程における歩留りが大きい、円弧状反
りを有するトーション梁型微小変位レバーを備えたプロ
ーブを提供すること並びにこのようなプローブを利用し
た操作能率のよい走査型プローブ顕微鏡及び記録再生装
置等の情報処理装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、第1に、基板上方のねじれ弾性を持った水平梁に
揺動可能に固定され、基板との間に空隙を有する微小変
位レバーと、該微小変位レバーを揺動させるための静電
駆動手段とを有するアクチュエータにおいて、微小変位
レバーの静電駆動用の電極に対向した部分の少なくとも
一部が水平梁に平行な軸線を中心とする円弧状に予め反
っていることを特徴とする円弧状反りレバー型アクチュ
エータであり、第2に、基板上方のねじれ弾性を持った
水平梁に揺動可能に固定され、基板との間に空隙を有す
る圧電体を備える微小変位レバーと、該微小変位レバー
を揺動させるための静電駆動手段とを有するアクチュエ
ータの駆動方法において、圧電体により微小変位レバー
の静電駆動用の電極に対向した部分の少なくとも一部を
水平梁に平行な軸線を中心とする円弧状に反らしたうえ
で、静電駆動手段により微小変位レバーを揺動させるこ
とを特徴とするアクチュエータの駆動方法であり、第3
に、第1のアクチュエータを含む情報入出力用のプロー
ブにおいて、微小変位レバー上に情報入出力用のティッ
プが取り付けられている情報入出力用のプローブであ
り、第4に、第3のプローブ、該プローブの制御手段、
ティップと観察すべき試料との距離を調節する手段およ
びティップと試料の間に電圧を印加する手段を備えた情
報処理装置であり、第5に、第3のプローブ、該プロー
ブの制御手段、ティップと記録媒体との距離を調節する
手段およびティップと記録媒体の間に電圧を印加する手
段を備えた情報処理装置であり、第6に、微小変位レバ
ーの先端に情報入出力用のティップを取り付け、上記ア
クチュエータの駆動方法を用いてティップと記録媒体或
は観察すべき試料との距離を調整しつつ記録媒体への情
報の記録及び再生、或は試料の観察を行うことを特徴と
する情報処理装置である。
ろは、第1に、基板上方のねじれ弾性を持った水平梁に
揺動可能に固定され、基板との間に空隙を有する微小変
位レバーと、該微小変位レバーを揺動させるための静電
駆動手段とを有するアクチュエータにおいて、微小変位
レバーの静電駆動用の電極に対向した部分の少なくとも
一部が水平梁に平行な軸線を中心とする円弧状に予め反
っていることを特徴とする円弧状反りレバー型アクチュ
エータであり、第2に、基板上方のねじれ弾性を持った
水平梁に揺動可能に固定され、基板との間に空隙を有す
る圧電体を備える微小変位レバーと、該微小変位レバー
を揺動させるための静電駆動手段とを有するアクチュエ
ータの駆動方法において、圧電体により微小変位レバー
の静電駆動用の電極に対向した部分の少なくとも一部を
水平梁に平行な軸線を中心とする円弧状に反らしたうえ
で、静電駆動手段により微小変位レバーを揺動させるこ
とを特徴とするアクチュエータの駆動方法であり、第3
に、第1のアクチュエータを含む情報入出力用のプロー
ブにおいて、微小変位レバー上に情報入出力用のティッ
プが取り付けられている情報入出力用のプローブであ
り、第4に、第3のプローブ、該プローブの制御手段、
ティップと観察すべき試料との距離を調節する手段およ
びティップと試料の間に電圧を印加する手段を備えた情
報処理装置であり、第5に、第3のプローブ、該プロー
ブの制御手段、ティップと記録媒体との距離を調節する
手段およびティップと記録媒体の間に電圧を印加する手
段を備えた情報処理装置であり、第6に、微小変位レバ
ーの先端に情報入出力用のティップを取り付け、上記ア
クチュエータの駆動方法を用いてティップと記録媒体或
は観察すべき試料との距離を調整しつつ記録媒体への情
報の記録及び再生、或は試料の観察を行うことを特徴と
する情報処理装置である。
【0012】以上が本発明の構成要素であり、その詳細
及び作用については以下に説明する。
及び作用については以下に説明する。
【0013】なお、「アクチュエータ」は、「レバー」
+「梁」+「支持部」+「その他電極等の駆動手段」で
構成され、「プローブ」は、「アクチュエータ」+「テ
ィップを含めた情報入出力手段」で構成される。そこ
で、以降の説明においては、「アクチュエータ」、「プ
ローブ」の両者を併行して行うことの繁雑さを避けるた
め、主として「プローブ」について説明する。
+「梁」+「支持部」+「その他電極等の駆動手段」で
構成され、「プローブ」は、「アクチュエータ」+「テ
ィップを含めた情報入出力手段」で構成される。そこ
で、以降の説明においては、「アクチュエータ」、「プ
ローブ」の両者を併行して行うことの繁雑さを避けるた
め、主として「プローブ」について説明する。
【0014】
【作用】本発明の請求項1によるアクチュエータ及び請
求項3によるプローブは、レバーが円弧状に反っている
ので、従来技術による上下電極間への電圧印加によるレ
バー後端部が下電極へ引き寄せられ梁がねじれレバー全
体が両持ち梁6の軸回りに搖動しレバー先端に設けられ
たティップが試料に接近すると、従来法に比しレバーの
駆動範囲が大きく、レバー先端と基板間の隙間が大きく
なる結果プローブ作製工程における歩留りが向上した。
求項3によるプローブは、レバーが円弧状に反っている
ので、従来技術による上下電極間への電圧印加によるレ
バー後端部が下電極へ引き寄せられ梁がねじれレバー全
体が両持ち梁6の軸回りに搖動しレバー先端に設けられ
たティップが試料に接近すると、従来法に比しレバーの
駆動範囲が大きく、レバー先端と基板間の隙間が大きく
なる結果プローブ作製工程における歩留りが向上した。
【0015】本発明の請求項2によるアクチュエータの
駆動方法は、当初レバーが平板上であるが、圧電体をも
備えることにより、レバーの一部に円弧状に反りを生じ
させる。そのうえで、静電駆動手段により、微小変位レ
バーを揺動させる。
駆動方法は、当初レバーが平板上であるが、圧電体をも
備えることにより、レバーの一部に円弧状に反りを生じ
させる。そのうえで、静電駆動手段により、微小変位レ
バーを揺動させる。
【0016】また、上述の隙間が大きくなることによ
り、これを走査型顕微鏡等に利用する場合、対象試料の
範囲を大きくとれるので操作能率を向上させ得る。
り、これを走査型顕微鏡等に利用する場合、対象試料の
範囲を大きくとれるので操作能率を向上させ得る。
【0017】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0018】図1は、本発明の情報入出力用プローブ0
の一実施例の斜視図、図2の、(a)は、図1の情報入
出力用ティップ9を通りかつ梁6に垂直な平面に沿った
断面図、(b)は、(a)が静電駆動された状態を示す
断面図、図3の、(a)は、レバーの反り量Δdが異な
る複数のプローブについて、反り量と最大回転角との関
係を示す実験データのグラフ、(b)は、そのレバーの
サイズ等を示す図である。
の一実施例の斜視図、図2の、(a)は、図1の情報入
出力用ティップ9を通りかつ梁6に垂直な平面に沿った
断面図、(b)は、(a)が静電駆動された状態を示す
断面図、図3の、(a)は、レバーの反り量Δdが異な
る複数のプローブについて、反り量と最大回転角との関
係を示す実験データのグラフ、(b)は、そのレバーの
サイズ等を示す図である。
【0019】図1を参照すれば、トーション型レバーを
有するプローブ0において、絶縁層2上に下電極3を形
成したシリコン基板1に空隙4をもって中空構造のレバ
ー5が形成されている。レバー5は両持ちの梁6に固定
され、この梁6は支持部7に固定、支持されている。レ
バー5の一部に外力を加えられたとき梁6にねじり応力
を与えレバー5は梁6を軸心とする搖動が可能な構造で
ある。レバー5上には静電駆動用の上電極8、情報入出
力用ティップ9、情報入出力用配線10が形成してあ
る。レバー5が円弧状に反っていることが本発明の特長
とするところである。本プローブ0は梁6の幅5μm、
長さ50μmとし、レバー5の長さを200μm、幅の
長さを100μmとした。レバー5の形状は長手方向に
円弧状に反っており、梁6の位置におけるレバー反り量
を0μmとしたときに、レバー後端部の反り量は2μm
である。
有するプローブ0において、絶縁層2上に下電極3を形
成したシリコン基板1に空隙4をもって中空構造のレバ
ー5が形成されている。レバー5は両持ちの梁6に固定
され、この梁6は支持部7に固定、支持されている。レ
バー5の一部に外力を加えられたとき梁6にねじり応力
を与えレバー5は梁6を軸心とする搖動が可能な構造で
ある。レバー5上には静電駆動用の上電極8、情報入出
力用ティップ9、情報入出力用配線10が形成してあ
る。レバー5が円弧状に反っていることが本発明の特長
とするところである。本プローブ0は梁6の幅5μm、
長さ50μmとし、レバー5の長さを200μm、幅の
長さを100μmとした。レバー5の形状は長手方向に
円弧状に反っており、梁6の位置におけるレバー反り量
を0μmとしたときに、レバー後端部の反り量は2μm
である。
【0020】次に本発明のプローブ0の製造方法につい
て略述する。
て略述する。
【0021】微小変位レバー5は、半導体プロセス技術
と薄膜作製技術を用いて形成される。まず、基板1上に
下電極3を作製する。次に、レバー5、上電極8、梁6
及びその支持部7を作製する。最後に、レバー5を中空
構造にする。レバー5を中空構造にするための方法に
は、エッチング方法や、第2の基板上に作製したレバー
5を基板1のレバー支持部7に転写する方法等による。
と薄膜作製技術を用いて形成される。まず、基板1上に
下電極3を作製する。次に、レバー5、上電極8、梁6
及びその支持部7を作製する。最後に、レバー5を中空
構造にする。レバー5を中空構造にするための方法に
は、エッチング方法や、第2の基板上に作製したレバー
5を基板1のレバー支持部7に転写する方法等による。
【0022】下電極3、上電極8、レバー5、梁6の形
成方法としては、従来公知の技術の真空蒸着法やスパッ
タリング法、化学気相成長法等の薄膜作製技術やフォト
リソグラフ技術及びエッチング技術による。
成方法としては、従来公知の技術の真空蒸着法やスパッ
タリング法、化学気相成長法等の薄膜作製技術やフォト
リソグラフ技術及びエッチング技術による。
【0023】レバーを反らせるには、薄膜プロセスによ
りレバーを作製する際に、レバーの膜厚方向に応力差を
生ずるようにすることによって、レバーと基板との空隙
を作製した際にレバーを反らせるものである。これに
は、応力の異なる複数の膜を積層する方法や、単層でも
成膜条件により膜厚方向に応力分布を作る方法などがあ
る。
りレバーを作製する際に、レバーの膜厚方向に応力差を
生ずるようにすることによって、レバーと基板との空隙
を作製した際にレバーを反らせるものである。これに
は、応力の異なる複数の膜を積層する方法や、単層でも
成膜条件により膜厚方向に応力分布を作る方法などがあ
る。
【0024】本実施例においてはレバー5として酸化シ
リコンをスパッタリング法により1000nm堆積した
上に、クロム層(8a)を50nm、金層(8b)をス
パッタリング法により150nm堆積しすることにより
膜厚方向に応力分布を作った。
リコンをスパッタリング法により1000nm堆積した
上に、クロム層(8a)を50nm、金層(8b)をス
パッタリング法により150nm堆積しすることにより
膜厚方向に応力分布を作った。
【0025】上記作製方法にて作製した結果、レバー後
端部の反り量は2μmであり、駆動可能な変位量は17
μmであった。これは反りのない従来法の変位量9μm
と比較しておよそ2倍である。また、レバーの中空部作
成工程における従来方法による歩留りは60%であった
が、本実施例による歩留りは95%以上であった。
端部の反り量は2μmであり、駆動可能な変位量は17
μmであった。これは反りのない従来法の変位量9μm
と比較しておよそ2倍である。また、レバーの中空部作
成工程における従来方法による歩留りは60%であった
が、本実施例による歩留りは95%以上であった。
【0026】次に、本発明のプローブの動作について説
明する。
明する。
【0027】プローブ0の駆動方法は、下電極3への電
圧印加によってレバー5の後端部が下電極3に引き寄せ
られ、梁6がねじれることにより、レバー5全体が両持
ち梁6の軸回りに搖動し、レバー5先端に設けられたテ
ィップ9が試料14に接近する方法である。すなわち図
2の(a)の状態から(b)の状態に変化する。
圧印加によってレバー5の後端部が下電極3に引き寄せ
られ、梁6がねじれることにより、レバー5全体が両持
ち梁6の軸回りに搖動し、レバー5先端に設けられたテ
ィップ9が試料14に接近する方法である。すなわち図
2の(a)の状態から(b)の状態に変化する。
【0028】上記のような静電力により駆動するトーシ
ョン型レバーは、電圧を増加させるにつれて回転角が大
きくなるという原理に基づいている。しかし、ある電圧
以上になると上電極8が下電極3に急激に引きつけられ
て、レバー5と基板1が接触しレバー5の反り量と梁6
の制御困難になるという現象が起こる。そこで、レバー
5の反り量と梁6の最大回転角との関係を実験した。そ
の実験値を図3(a),(b)に示す。レバー5の材料、
梁6の長さ、幅、レバー5と基板1とのギャップを本実
施例と同一条件とし、後端部反り量Δdμmを異なる複
数のプローブによった。その結果、レバー5の反りの大
きい方が駆動範囲が大きいことが裏付けられた。
ョン型レバーは、電圧を増加させるにつれて回転角が大
きくなるという原理に基づいている。しかし、ある電圧
以上になると上電極8が下電極3に急激に引きつけられ
て、レバー5と基板1が接触しレバー5の反り量と梁6
の制御困難になるという現象が起こる。そこで、レバー
5の反り量と梁6の最大回転角との関係を実験した。そ
の実験値を図3(a),(b)に示す。レバー5の材料、
梁6の長さ、幅、レバー5と基板1とのギャップを本実
施例と同一条件とし、後端部反り量Δdμmを異なる複
数のプローブによった。その結果、レバー5の反りの大
きい方が駆動範囲が大きいことが裏付けられた。
【0029】次に、第2の実施例について説明する。
【0030】図4の、(a)は、第2の実施例のプロー
ブ20で、図2(a)の場合と同様な方向の断面図、
(b)は、(a)が駆動電圧を受けて、レバーの左半部
に円弧状反りが生じた状態を示す断面図、(c)は、
(b)が静電駆動された状態を示す断面図である。
ブ20で、図2(a)の場合と同様な方向の断面図、
(b)は、(a)が駆動電圧を受けて、レバーの左半部
に円弧状反りが生じた状態を示す断面図、(c)は、
(b)が静電駆動された状態を示す断面図である。
【0031】なお、プローブ20の各部の参照番号は、
第1の実施例のプローブ0の同名の各部の参照番号と同
一のものとした。
第1の実施例のプローブ0の同名の各部の参照番号と同
一のものとした。
【0032】図4(a)を参照すれば、プローブ20に
は、基板1上に静電駆動用の下電極3が形成され、それ
を含む上部に絶縁層が形成されている。この基板1の上
方に空隙4をもってレバー5が形成されている。このレ
バー5は、両持ちの梁6に固定されこの梁6は支持部7
に固定、支持されている。レバー5の一部に外力が加え
られたとき、梁6にねじり応力を与えレバー5は梁6を
軸心とする搖動が可能である。レバー5上には静電駆動
及び圧電駆動を行うための中電極11、圧電駆動を行う
ための上電極8及び圧電体12、情報入出力用ティップ
9、情報入出力用配線10が形成してある。
は、基板1上に静電駆動用の下電極3が形成され、それ
を含む上部に絶縁層が形成されている。この基板1の上
方に空隙4をもってレバー5が形成されている。このレ
バー5は、両持ちの梁6に固定されこの梁6は支持部7
に固定、支持されている。レバー5の一部に外力が加え
られたとき、梁6にねじり応力を与えレバー5は梁6を
軸心とする搖動が可能である。レバー5上には静電駆動
及び圧電駆動を行うための中電極11、圧電駆動を行う
ための上電極8及び圧電体12、情報入出力用ティップ
9、情報入出力用配線10が形成してある。
【0033】本実施例においてはレバー5として酸化シ
リコンをスパッタリング法により1000nm堆積し、
中電極11としてアルミニウム(Al)を100nm、
圧電体12として窒化アルミニウム(AlN)を500
nm堆積し、さらに上電極8及び情報入出力用配線10
としてクロムを5nm、金を100nm堆積することに
より圧電駆動を可能とした。
リコンをスパッタリング法により1000nm堆積し、
中電極11としてアルミニウム(Al)を100nm、
圧電体12として窒化アルミニウム(AlN)を500
nm堆積し、さらに上電極8及び情報入出力用配線10
としてクロムを5nm、金を100nm堆積することに
より圧電駆動を可能とした。
【0034】このプローブ20の動作について説明す
る。
る。
【0035】レバーの駆動方法は、先づ上電極8、中電
極11間の圧電駆動、次に中電極11、下電極3間の静
電駆動の2段階で行なわれる。上電極に電圧を加えない
場合は図4(a)のようにレバー5が平板状である。先
づ、圧電体12をはさむ上電極8と中電極11の間に電
圧を印加する。具体的には中電極11を0電位とし、上
電極8に駆動電圧を加えることにより、図4(b)のよ
うにレバー5の左半部を所望の曲率に反らせる。次に、
中電極11と下電極3間に静電圧印加によってレバー5
の後端部が下電極3に引き寄せられ、梁6がねじれるこ
とにより、図4(c)に示すようにレバー5全体が両持
ち梁6を軸心として搖動し、レバー5先端に設けられた
情報入出力用ティップ9が試料14に接近し、情報の入
出力が行なわれる。上述の圧電駆動と静電駆動は、僅か
な時間差をもって行なわれる。
極11間の圧電駆動、次に中電極11、下電極3間の静
電駆動の2段階で行なわれる。上電極に電圧を加えない
場合は図4(a)のようにレバー5が平板状である。先
づ、圧電体12をはさむ上電極8と中電極11の間に電
圧を印加する。具体的には中電極11を0電位とし、上
電極8に駆動電圧を加えることにより、図4(b)のよ
うにレバー5の左半部を所望の曲率に反らせる。次に、
中電極11と下電極3間に静電圧印加によってレバー5
の後端部が下電極3に引き寄せられ、梁6がねじれるこ
とにより、図4(c)に示すようにレバー5全体が両持
ち梁6を軸心として搖動し、レバー5先端に設けられた
情報入出力用ティップ9が試料14に接近し、情報の入
出力が行なわれる。上述の圧電駆動と静電駆動は、僅か
な時間差をもって行なわれる。
【0036】本実施例のプローブ20は梁6の幅5μ
m、長さ50μmとし、レバー5長手方向を200μ
m、幅の長さを100μmとした。本実施例に上電極8
に5Vの電圧を印加することにより梁6の位置のレバー
反り量を0μmとしたときのレバー後端部の反り量が2
μmとなり、この時の駆動可能な変位量は17μmとな
った。これは反りのないときの変位量9μmと比較して
およそ2倍である。
m、長さ50μmとし、レバー5長手方向を200μ
m、幅の長さを100μmとした。本実施例に上電極8
に5Vの電圧を印加することにより梁6の位置のレバー
反り量を0μmとしたときのレバー後端部の反り量が2
μmとなり、この時の駆動可能な変位量は17μmとな
った。これは反りのないときの変位量9μmと比較して
およそ2倍である。
【0037】なお、薄膜の反り量は、温度や湿度等の環
境の変化に対して微妙に変化しやすい。したがって、曲
率の経時変化に対応して、常に適正な曲率を保持する必
要がある。窒化アルミニウム(AlN)の上電極8の電
位を制御することにより、レバー5の曲率半径を一定に
保つことが可能である。駆動に際しては、あらかじめレ
バーを一定の曲率にして駆動させる方法と、レバーの変
位に追従させてユニモルフを駆動させる方法がある。
境の変化に対して微妙に変化しやすい。したがって、曲
率の経時変化に対応して、常に適正な曲率を保持する必
要がある。窒化アルミニウム(AlN)の上電極8の電
位を制御することにより、レバー5の曲率半径を一定に
保つことが可能である。駆動に際しては、あらかじめレ
バーを一定の曲率にして駆動させる方法と、レバーの変
位に追従させてユニモルフを駆動させる方法がある。
【0038】次に、実施例1のプローブを使用した情報
処理装置の一実施例について説明する。
処理装置の一実施例について説明する。
【0039】図5は、第1の実施例のプローブ(便宜
上、参照番号100にて示す。)を用いた本発明の走査
型プローブ顕微鏡の構成例を示すブロック図である。プ
ローブ100のレバー102を形成したシリコン基板1
01と、シリコン基板101をZ方向に駆動する粗動用
圧電素子105、粗動用圧電素子105及びレバー10
2を試料表面に接近させる接近機構1114、表面観察
する導電性の試料103、試料103をXY方向に微動
するXY微動機構104が示されている。
上、参照番号100にて示す。)を用いた本発明の走査
型プローブ顕微鏡の構成例を示すブロック図である。プ
ローブ100のレバー102を形成したシリコン基板1
01と、シリコン基板101をZ方向に駆動する粗動用
圧電素子105、粗動用圧電素子105及びレバー10
2を試料表面に接近させる接近機構1114、表面観察
する導電性の試料103、試料103をXY方向に微動
するXY微動機構104が示されている。
【0040】次に、本実施例の動作を説明する。接近機
構114は、Z方向の移動ステージからなり、手動また
はモーターにより、レバー102のティップが試料10
3の表面に粗動用圧電素子105のストローク内に入る
ように接近させる。その際、顕微鏡を用いて、目視によ
り接近の程度をモニターするか、もしくはレバー102
にサーボをかけた状態でモーターにより自動送りを行
い、ティップと試料間にトンネル電流が流れるのを検出
した時点で接近を停止する。試料103の観察時には、
バイアス回路106によりバイアス電圧をかけられた試
料103とティップとの間に流れるトンネル電流をトン
ネル電流検出回路107により検出し、Z軸方向サーボ
回路110を通してティップと試料表面の平均距離が一
定となるようにレバー102をZ方向に制御している。
その状態でレバー102をXY位置制御回路109でX
Y方向に走査することにより試料表面の微小な凹凸によ
り変化したトンネル電流が検出され、それを制御回路1
12に取り込み、XY走査信号に同期して処理すればコ
ンスタントハイトモードのSPM像が得られる。SPM
像は、画像処理、たとえば2次元高速フリエ変換(FF
T)などの処理をしてディスプレイ113に表示され
る。その際、レバー102のZ方向のクロストークが小
さいので、装置の温度ドリフト、試料103の表面の凹
凸、傾きが大きいと追従できなくなるため、粗動用圧電
素子105を用いてトンネル電流検出回路107の信号
をZ方向粗動駆動回路111を通して、0.01〜0.
1Hz程度の領域のフィードバックを行い、Z方向の大
きな動きに追従するように制御している。また観察場所
を変えるときは、試料側のXY微動機構104をXY微
動駆動回路115によりXY方向に移動させ、所望の領
域にティップが来るようにして観察を行う。
構114は、Z方向の移動ステージからなり、手動また
はモーターにより、レバー102のティップが試料10
3の表面に粗動用圧電素子105のストローク内に入る
ように接近させる。その際、顕微鏡を用いて、目視によ
り接近の程度をモニターするか、もしくはレバー102
にサーボをかけた状態でモーターにより自動送りを行
い、ティップと試料間にトンネル電流が流れるのを検出
した時点で接近を停止する。試料103の観察時には、
バイアス回路106によりバイアス電圧をかけられた試
料103とティップとの間に流れるトンネル電流をトン
ネル電流検出回路107により検出し、Z軸方向サーボ
回路110を通してティップと試料表面の平均距離が一
定となるようにレバー102をZ方向に制御している。
その状態でレバー102をXY位置制御回路109でX
Y方向に走査することにより試料表面の微小な凹凸によ
り変化したトンネル電流が検出され、それを制御回路1
12に取り込み、XY走査信号に同期して処理すればコ
ンスタントハイトモードのSPM像が得られる。SPM
像は、画像処理、たとえば2次元高速フリエ変換(FF
T)などの処理をしてディスプレイ113に表示され
る。その際、レバー102のZ方向のクロストークが小
さいので、装置の温度ドリフト、試料103の表面の凹
凸、傾きが大きいと追従できなくなるため、粗動用圧電
素子105を用いてトンネル電流検出回路107の信号
をZ方向粗動駆動回路111を通して、0.01〜0.
1Hz程度の領域のフィードバックを行い、Z方向の大
きな動きに追従するように制御している。また観察場所
を変えるときは、試料側のXY微動機構104をXY微
動駆動回路115によりXY方向に移動させ、所望の領
域にティップが来るようにして観察を行う。
【0041】本実施例のように、トーション型レバーを
有するプローブを備えた走査型トンネル顕微鏡を使用す
ると、従来よりも表面の凹凸の大きなサンプルの観察が
可能となり、また、走査異常時の衝突にプローブ破壊の
可能性が小さくなった。
有するプローブを備えた走査型トンネル顕微鏡を使用す
ると、従来よりも表面の凹凸の大きなサンプルの観察が
可能となり、また、走査異常時の衝突にプローブ破壊の
可能性が小さくなった。
【0042】次に、実施例1のプローブを使用した情報
処理装置の第2の実施例について説明する。
処理装置の第2の実施例について説明する。
【0043】図6は、第1の実施例のプローブ(便宜
上、参照番号200にて示す。)を用いた本発明の記録
再生装置の構成例を示すブロック図である。プローブ2
00のシリコン基板201上には、本発明の第1実施例
によるプローブ0が複数配置されており、それぞれのプ
ローブは梁202によって基板201上に支持されたレ
バー203を有し、レバー先端にはティップ204を具
備している。ティップ204は、情報記録用の記録媒体
205と対向する様に配置してある。下地電極206
は、媒体とティップとの間に電圧を印加するための電極
である。記録媒体205は、トンネル電流用ティップ2
04から発生するトンネル電流により記録媒体205表
面の形状を凸型(Staufer,Appl.Phy
s.Letters,51(4),27,July,1
987,p244参照)または凹型(Heinzelm
ann,Appl.Phys.Letters,Vo
l.53,No.24,Dec.,1988,p244
7参照)に変形することが可能な金属、半導体、酸化
物、有機薄膜、あるいは前記トンネル電流により電気的
性質が変化(たとえば電気的メモリー効果を生ずる)す
る有機薄膜等よりなる。電気特性が変化する有機薄膜と
しては、特開昭63−161552号公報に記載された
材料が使用され、ラングミュア・プロジェット膜よりな
るものが好ましい。
上、参照番号200にて示す。)を用いた本発明の記録
再生装置の構成例を示すブロック図である。プローブ2
00のシリコン基板201上には、本発明の第1実施例
によるプローブ0が複数配置されており、それぞれのプ
ローブは梁202によって基板201上に支持されたレ
バー203を有し、レバー先端にはティップ204を具
備している。ティップ204は、情報記録用の記録媒体
205と対向する様に配置してある。下地電極206
は、媒体とティップとの間に電圧を印加するための電極
である。記録媒体205は、トンネル電流用ティップ2
04から発生するトンネル電流により記録媒体205表
面の形状を凸型(Staufer,Appl.Phy
s.Letters,51(4),27,July,1
987,p244参照)または凹型(Heinzelm
ann,Appl.Phys.Letters,Vo
l.53,No.24,Dec.,1988,p244
7参照)に変形することが可能な金属、半導体、酸化
物、有機薄膜、あるいは前記トンネル電流により電気的
性質が変化(たとえば電気的メモリー効果を生ずる)す
る有機薄膜等よりなる。電気特性が変化する有機薄膜と
しては、特開昭63−161552号公報に記載された
材料が使用され、ラングミュア・プロジェット膜よりな
るものが好ましい。
【0044】例えば石英ガラス基板の上に下地電極20
6として真空蒸着法によってクロムを5nm堆積させ、
さらにその上に金を30nm同法により蒸着したものを
用い、その上にLB法によってスクアリリウム−ビス−
6−オクチルアズレン(SOAZ)を4層積層したもの
等を用いる。データ変調回路208は記録すべきデータ
を記録に適した信号に変調する。記録電圧印加装置20
9はデータ変調回路208で変調された信号を記録媒体
205とティップ204の間に電圧を印加することで記
録媒体205上に記録する。ティップ204を記録媒体
205に所定間隔まで近づけ記録電圧印加装置209に
よって例えば3V、幅50nsの矩形状パルス電圧を印
加すると、記録媒体205が特性変化を起こし電気抵抗
の低い部分が生じる。X−Yステージ207を用いて、
この操作をティップ204で記録媒体205面上で走査
しながら行うことによって情報の記録がなされる。図示
してないが、X−Yステージ207による走査の機構と
しては、円筒型ピエゾ微小変位素子、平行ばね、差動マ
イクロメーター、ボイスコイル、インチウオーム等の制
御機構を用いて行う。
6として真空蒸着法によってクロムを5nm堆積させ、
さらにその上に金を30nm同法により蒸着したものを
用い、その上にLB法によってスクアリリウム−ビス−
6−オクチルアズレン(SOAZ)を4層積層したもの
等を用いる。データ変調回路208は記録すべきデータ
を記録に適した信号に変調する。記録電圧印加装置20
9はデータ変調回路208で変調された信号を記録媒体
205とティップ204の間に電圧を印加することで記
録媒体205上に記録する。ティップ204を記録媒体
205に所定間隔まで近づけ記録電圧印加装置209に
よって例えば3V、幅50nsの矩形状パルス電圧を印
加すると、記録媒体205が特性変化を起こし電気抵抗
の低い部分が生じる。X−Yステージ207を用いて、
この操作をティップ204で記録媒体205面上で走査
しながら行うことによって情報の記録がなされる。図示
してないが、X−Yステージ207による走査の機構と
しては、円筒型ピエゾ微小変位素子、平行ばね、差動マ
イクロメーター、ボイスコイル、インチウオーム等の制
御機構を用いて行う。
【0045】記録信号検出回路210は、ティップ20
4と記録媒体205との間に電圧を印加して両者間に流
れるトンネル電流を検出する。データ復調回路211
は、記録信号検出回路210の検出したトンネル電流信
号を復調する。再生時にはティップ204と記録媒体2
05とを所定間隔にし記録電圧より低い、例えば200
mVの直流電圧をティップ204と記録媒体205間に
加える。この状態で記録媒体205上の記録データ列に
沿ってティップ204にて走査中に記録信号検出回路2
10を用いて検出されるトンネル電流信号が記録データ
信号に対応する。従って、この検出したトンネル電流信
号を電流電圧変換して出力してデータ復調回路211で
復調することにより再生データ信号が得られる。
4と記録媒体205との間に電圧を印加して両者間に流
れるトンネル電流を検出する。データ復調回路211
は、記録信号検出回路210の検出したトンネル電流信
号を復調する。再生時にはティップ204と記録媒体2
05とを所定間隔にし記録電圧より低い、例えば200
mVの直流電圧をティップ204と記録媒体205間に
加える。この状態で記録媒体205上の記録データ列に
沿ってティップ204にて走査中に記録信号検出回路2
10を用いて検出されるトンネル電流信号が記録データ
信号に対応する。従って、この検出したトンネル電流信
号を電流電圧変換して出力してデータ復調回路211で
復調することにより再生データ信号が得られる。
【0046】ティップ高さ検出回路212は記録信号検
出回路210の検出信号を受け、情報ビットの有無によ
る高周波の振動成分をカットして残った信号を処理し、
この残りの信号値が一定になる様にティップ204を上
下動制御させるためにx,z軸駆動制御回路213に命
令信号を発信する。これによりティップ204と媒体2
05との間隔が略一定に保たれる。
出回路210の検出信号を受け、情報ビットの有無によ
る高周波の振動成分をカットして残った信号を処理し、
この残りの信号値が一定になる様にティップ204を上
下動制御させるためにx,z軸駆動制御回路213に命
令信号を発信する。これによりティップ204と媒体2
05との間隔が略一定に保たれる。
【0047】トラック検出回路214は、ティップ20
4で記録媒体205上を走査する際にティップ204の
データがこれに沿って記録されるべき経路、あるいは記
録されたデータ列からのずれを検出する回路である。
4で記録媒体205上を走査する際にティップ204の
データがこれに沿って記録されるべき経路、あるいは記
録されたデータ列からのずれを検出する回路である。
【0048】以上の回路208、装置209、および回
路210ないし回路214の諸回路で記録再生用回路2
15を形成する。
路210ないし回路214の諸回路で記録再生用回路2
15を形成する。
【0049】記録再生ヘッドにおいては、記録再生用回
路215が記録媒体に対向する複数のティップ及びその
駆動機構それぞれに1つずつ設けられており、各ティッ
プによる記録、再生、各ティップの変位制御(トラッキ
ング、間隔調整等)等の要素を独立して行っている。
路215が記録媒体に対向する複数のティップ及びその
駆動機構それぞれに1つずつ設けられており、各ティッ
プによる記録、再生、各ティップの変位制御(トラッキ
ング、間隔調整等)等の要素を独立して行っている。
【0050】本実施例による記録再生装置を用いること
により、トーション型レバーを用いたプローブにおい
て、駆動制御変位量を大きく取ることができるために、
従来と比較して凹凸の大きな記録媒体を使用することが
可能となり、また、走査異常時の衝突によるプローブ破
壊の可能性が小さくなった。
により、トーション型レバーを用いたプローブにおい
て、駆動制御変位量を大きく取ることができるために、
従来と比較して凹凸の大きな記録媒体を使用することが
可能となり、また、走査異常時の衝突によるプローブ破
壊の可能性が小さくなった。
【0051】なお、以上の図5、図6の説明には、いず
れも実施例1のプローブを用いた場合を示してあるが、
それぞれ、実施例2のプローブを用いてもよいことは云
うまでもない。
れも実施例1のプローブを用いた場合を示してあるが、
それぞれ、実施例2のプローブを用いてもよいことは云
うまでもない。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、微小変位
レバーの少なくとも一部が円弧状に反っている構造を有
するか、または圧電駆動時に円弧状に反るよう、中電極
および圧電体をも備えた構造とすることにより、先端部
の変位量が大きく、したがってレバーと基板との間に空
隙を設ける作製工程における歩留りが大きいかつプロー
ブを利用する際の対象試料の範囲の大きい、円弧状反り
レバー型プローブ並びにこのプローブを用いた操作能率
のよい走査型プローブ顕微鏡および記録再生装置等情報
処理装置を提供することができる効果がある。
レバーの少なくとも一部が円弧状に反っている構造を有
するか、または圧電駆動時に円弧状に反るよう、中電極
および圧電体をも備えた構造とすることにより、先端部
の変位量が大きく、したがってレバーと基板との間に空
隙を設ける作製工程における歩留りが大きいかつプロー
ブを利用する際の対象試料の範囲の大きい、円弧状反り
レバー型プローブ並びにこのプローブを用いた操作能率
のよい走査型プローブ顕微鏡および記録再生装置等情報
処理装置を提供することができる効果がある。
【図1】本発明の情報入出力用プローブ0の一実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図2】(a)は、図1の情報入出力用ティップ9を通
りかつ梁6に垂直な平面に沿った断面図、(b)は、
(a)が静電駆動された状態を示す断面図である。
りかつ梁6に垂直な平面に沿った断面図、(b)は、
(a)が静電駆動された状態を示す断面図である。
【図3】(a)は、レバーの反り量Δdが異なる複数の
プローブについて、反り量と最大回転角との関係を示す
実験データのグラフ、(b)は、そのレバーのサイズ等
を示す図である。
プローブについて、反り量と最大回転角との関係を示す
実験データのグラフ、(b)は、そのレバーのサイズ等
を示す図である。
【図4】(a)は、第2の実施例のプローブ20で、図
2(a)の場合と同様な方向の断面図、(b)は、
(a)が駆動電圧を受けて、レバーの左半分に円弧状反
りが生じた状態を示す断面図、(c)は、(b)が静電
駆動された状態を示す断面図である。
2(a)の場合と同様な方向の断面図、(b)は、
(a)が駆動電圧を受けて、レバーの左半分に円弧状反
りが生じた状態を示す断面図、(c)は、(b)が静電
駆動された状態を示す断面図である。
【図5】第1の実施例のプローブを用いた本発明の走査
型プローブ顕微鏡の構成例を示すブロック図である。
型プローブ顕微鏡の構成例を示すブロック図である。
【図6】第1の実施例のプローブを用いた本発明の記録
再生装置の構成例を示すブロック図である。
再生装置の構成例を示すブロック図である。
【図7】従来例の平板状レバー型プローブの斜視図であ
る。
る。
0,20,100,200 プローブ 1,101,201 シリコン基板 2 絶縁層 3,206 下電極 4 空隙 5,102,203 レバー 6,202 梁 7 支持部 8 上電極 8a 白金層 8b クロム層 9,204 情報入出力用ティップ 10 情報入出力用配線 11 中電極 12 圧電体 13 ボロンリンシケートガラス(BPSG) 14,103 試料 104 XY微動機構 105 粗動用圧電素子 106 バイアス回路 107 トンネル電流検出回路 109 XY位置制御回路 110 Z方向サーボ回路 111 Z方向粗動駆動回路 112 制御回路 113 ディスプレイ 114 接近機構 115 XY微動駆動回路 205 記録媒体 207 XYステージ 208 データ変調回路 209 記録電圧印加装置 210 記録信号検出回路 211 データ復調回路 212 ティップ高さ検出回路 213 X,Z軸駆動制御回路 214 トラック検出回路 215 記録再生回路
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G12B 21/04 H01L 21/66 B 21/08 G12B 1/00 601D H01L 21/66 601B 41/09 H01L 41/08 M (56)参考文献 特開 平4−1948(JP,A) 特開 平5−83487(JP,A) Kurt E Petersen, “Sillicon Torsiona l Scanning Mirro r”,IBM Journal of research and devel opment,US,Internat ional Business Mac hines Corporation, 1980,Vol.24,No.5,pp. 631−637 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 13/10 - 13/24 G12B 21/00 - 21/24 G01B 21/30 G11B 9/02 H01L 21/66 H01L 41/09 G01B 7/34 G01B 11/30 H01J 37/28 JICSTファイル(JOIS)
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上方のねじれ弾性を持った水平梁に
揺動可能に固定され、前記基板との間に空隙を有する微
小変位レバーと、該微小変位レバーを揺動させるための
静電駆動手段とを有するアクチュエータにおいて、 前記微小変位レバーの静電駆動用の電極に対向した部分
の少なくとも一部が前記水平梁に平行な軸線を中心とす
る円弧状に予め反っていることを特徴とする円弧状反り
レバー型アクチュエータ。 - 【請求項2】 基板上方のねじれ弾性を持った水平梁に
揺動可能に固定され、前記基板との間に空隙を有する圧
電体を備える微小変位レバーと、該微小変位レバーを揺
動させるための静電駆動手段とを有するアクチュエータ
の駆動方法において、前記圧電体により前記微小変位レバーの静電駆動用の電
極に対向した部分の少なくとも一部を前記水平梁に平行
な軸線を中心とする円弧状に反らしたうえで、前記静電
駆動手段により前記微小変位レバーを揺動させることを
特徴とするアクチュエータの駆動方法。 - 【請求項3】 請求項1記載のアクチュエータを含む情
報入出力用のプローブにおいて、 前記微小変位レバー上に情報入出力用のティップが取り
付けられている情報入出力用のプローブ。 - 【請求項4】 請求項3記載のプローブ、該プローブの
制御手段、前記ティップと観察すべき試料との距離を調
節する手段および前記ティップと前記試料の間に電圧を
印加する手段を備えた情報処理装置。 - 【請求項5】 請求項3記載のプローブ、該プローブの
制御手段、前記ティップと記録媒体との距離を調節する
手段および前記ティップと前記記録媒体の間に電圧を印
加する手段を備えた情報処理装置。 - 【請求項6】 前記微小変位レバーの先端に情報入出力
用のティップを取り付け、請求項2記載のアクチュエー
タの駆動方法を用いて前記ティップと記録媒体或は観察
すべき試料との距離を調整しつつ前記記録媒体への情報
の記録及び再生、或は前記試料の観察を行うことを特徴
とする情報処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20960794A JP3234722B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20960794A JP3234722B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0875758A JPH0875758A (ja) | 1996-03-22 |
JP3234722B2 true JP3234722B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=16575613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20960794A Expired - Fee Related JP3234722B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 円弧状反りレバー型アクチュエータ、該アクチュエータの駆動方法及び情報入出力用プローブを用いた情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3234722B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002082130A (ja) | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置及びその製造方法 |
WO2003016930A1 (fr) | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Advantest Corporation | Module d'essai et testeur |
DE102010027346A1 (de) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Sensoranordnung |
-
1994
- 1994-09-02 JP JP20960794A patent/JP3234722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Kurt E Petersen,"Sillicon Torsional Scanning Mirror",IBM Journal of research and development,US,International Business Machines Corporation,1980,Vol.24,No.5,pp.631−637 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0875758A (ja) | 1996-03-22 |
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