JP2012231058A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012231058A JP2012231058A JP2011099302A JP2011099302A JP2012231058A JP 2012231058 A JP2012231058 A JP 2012231058A JP 2011099302 A JP2011099302 A JP 2011099302A JP 2011099302 A JP2011099302 A JP 2011099302A JP 2012231058 A JP2012231058 A JP 2012231058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cutting blade
- cutting
- depth
- chuck table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 122
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 104
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【課題】ウエーハの外周に円形加工を施す際の加工時間を短縮し、生産効率の向上を図ることのできるウエーハの加工方法を提供すること。
【解決手段】チャックテーブル10でウエーハ11を保持するウエーハ保持ステップと、ウエーハ11の外周部上方に切削ブレード16を位置付ける切削ブレード位置づけステップと、切削ブレード16位置づけステップを実施した後、切削ブレード16をウエーハ11に対して接近する方向に移動させるとともに、切削ブレード16がウエーハ11に接触するまでにチャックテーブル10の回転を開始し、回転するウエーハ11へ切削ブレード16で第1の深さに達するまで切り込み、切削ブレード16が第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともにチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さを有する円形溝25を形成する加工ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】チャックテーブル10でウエーハ11を保持するウエーハ保持ステップと、ウエーハ11の外周部上方に切削ブレード16を位置付ける切削ブレード位置づけステップと、切削ブレード16位置づけステップを実施した後、切削ブレード16をウエーハ11に対して接近する方向に移動させるとともに、切削ブレード16がウエーハ11に接触するまでにチャックテーブル10の回転を開始し、回転するウエーハ11へ切削ブレード16で第1の深さに達するまで切り込み、切削ブレード16が第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともにチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さを有する円形溝25を形成する加工ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、ウエーハの外周部に切削ブレードを切り込ませつつウエーハを回転することでウエーハの外周部に円形の加工溝を形成するウエーハの加工方法に関する。
IC、LSI等の数多くのデバイスが表面に形成され、且つ個々のデバイスが格子状に形成された複数の分割予定ライン(ストリート)によって区画された半導体ウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに加工された後、切削装置(ダイシング装置)によって分割予定ラインを切削して個々のデバイスへと分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ウエーハの裏面を研削する研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削砥石を有する研削ホイールが回転可能に装着された研削手段とを備えていて、ウエーハを高精度に所望の厚みに研削できる。
ところで、従来より、半導体ウエーハには、半導体前半プロセス中における割れや発塵防止のために、その外周に表面から裏面に至る円弧状の面取り部が形成されている。通常、半導体ウエーハに対する面取りは半導体ウエーハ製造過程で実施される。
このように外周に面取り部を有するウエーハの裏面を研削してウエーハを薄くすると、面取り部に円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存して危険であるとともに外周に欠けが生じてデバイスの品質を低下させることがある。
この問題を解決するために、特開2000−173961号公報又は特開2007−158239号公報は、半導体ウエーハの外周に形成された面取り部と平坦部との境界部分の表面に切り込みを形成して面取り部を部分的に除去した後、ウエーハの厚みが切り込み深さよりも薄くなるまでウエーハの裏面研削を行う半導体装置の製造方法を開示している。このウエーハ外周部分の切削はエッジトリミングと称される。
特開2000−173961号公報では、ウエーハの上方に位置付けた切削ブレードを所定高さ位置(所定深さ)まで下降させウエーハに切り込んだ後、ウエーハを回転させることによりウエーハの外周部に円形加工を施している。
一方、特開2007−158239号公報では、ウエーハ外周の外側で所定高さ位置に切削ブレードを位置付けた後、切削ブレードとウエーハとを水平方向に相対移動させることで切削ブレードをウエーハの外周部に切り込ませ、その後、ウエーハを回転させることによりウエーハの外周部に円形加工を施している。
また、特開平8−107092号公報は、2枚のウエーハを貼り合わせてSOIウエーハ(Silicon on Insulator Wafer)を形成し、ダイシング装置のスピンドルの先端に研削砥石を装着して、この研削砥石によりSOIウエーハの未接着領域を研削して取り除く方法を開示している。
一方、特開平11−54461号公報は、切削ブレードによりサイズの大きなウエーハを円形に切削して、サイズの小さなウエーハを形成するウエーハのダウンサイジング方法を開示している。
ところが、特許文献1又は特許文献4に開示されているように、静止したウエーハの上方から切削ブレードを下降させることで切削ブレードをウエーハに切り込ませる際には、切削ブレードに負荷がかかり切削ブレードが撓むことを回避するため、切削ブレードの下降速度を非常に遅くせざるをえないという問題がある。
また、所定高さ位置(所定深さ)までウエーハに切削ブレードを切り込ませた後にウエーハを回転させる際には、所定深さ分のウエーハを除去しつつ加工が遂行されるため、切削ブレードに負荷がかかり切削ブレードが撓むことを回避するため、ウエーハの回転速度を非常に遅くせざるをえず、加工に時間がかかるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの外周に円形加工を施す際の加工時間を短縮し、生産効率の向上を図ることのできるウエーハの加工方法を提供することである。
本発明によると、ウエーハの外周部に第1の深さを有する円形溝を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハを保持する保持面と、該保持面に対して直交する回転軸を有するチャックテーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの外周部上方に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置づけステップと、該切削ブレード位置づけステップを実施した後、該切削ブレードをウエーハに対して接近する方向に移動させるとともに、該切削ブレードがウエーハに接触するまでに該チャックテーブルの回転を開始し、回転するウエーハへ該切削ブレードで該第1の深さに達するまで切り込み、該切削ブレードが該第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させてウエーハの外周部に該第1の深さを有する円形溝を形成する加工ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
好ましくは、前記加工ステップは、回転するウエーハへ該切削ブレードで切り込んで前記第1の深さより小さい値の第1切込み量まで切り込ませる切込みステップと、該切削ブレードが該第1切込み量に達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させる加工溝形成ステップとを含み、該切込みステップと該加工溝形成ステップを複数回繰り返すことによりウエーハの外周部に該第1の深さを有する前記円形溝を形成する。
本発明の加工方法によると、切削ブレードの切り込み深さが所定深さに達するまで切削ブレードの切り込み送り及びチャックテーブルの回転を停止させることがない。従って、本発明の加工方法では、一部深さ分のウエーハの外周部を除去しつつ加工が遂行されるため、ウエーハの回転速度を向上することができ、その結果、ウエーハの加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ11の表面側斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
このように構成された、半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aの平坦部に備えている。
半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されているとともに、その外周には表面11aから裏面11bに至る円弧状の面取り部23が形成されている。
本発明のウエーハの加工方法では、図2に示すように、半導体ウエーハ11の裏面11bを切削装置のチャックテーブル10で保持してウエーハ表面11aを露出させるウエーハ保持ステップを実施する。チャックテーブル10は回転軸10bと直交する保持面10aを有している。
このように半導体ウエーハ11をチャックテーブル10で保持した後、図3に示すように、チャックテーブル10に保持された半導体ウエーハ11の外周部上方に切削ブレード16を位置付ける切削ブレード位置付けステップを実施する。
この切削ブレード位置付けステップでは、切削ユニット12のスピンドル14の先端に取り付けられた切削ブレード16を半導体ウエーハ11の外周部に形成された面取り部23の上方に位置付ける。スピンドル14の回転軸12aはチャックテーブル10の保持面10aと平行に伸長している。
切削ブレード位置付けステップを実施した後、図4に示すように、切削ブレード16を回転させるとともに下方に(ウエーハ11に接近する方向)に移動させてウエーハ11の表面11aに接触させる。切削ブレード16がウエーハ11の表面11aに接触するまでにチャックテーブル10の矢印a方向の回転を開始する。
引き続いて、図5に示すように、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら回転する切削ブレード16を下方(チャックテーブル10に接近する方向)に所定速度で切り込み送りすることにより、ウエーハ11の外周部に深さが連続的に変化する円形溝25を形成し、切削ブレード16が第1の深さt1に達したならば切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成する。これにより。ウエーハ11の表面11aから第1の深さt1に至る領域の面取り部23が除去される。
切削ブレード16のチャックテーブル10に近づく方向の移動は、図5に示した切削ブレード16の位置づけ位置から第1の深さt1までの切り込み位置まで一定速度でもよいし、ウエーハ11の表面11aに切削ブレード16が接触するまでは移動速度を早くし、ウエーハ11に切り込んでからは切削ブレード16の切り込み送り速度を遅くするように制御してもよい。
図6を参照すると、切削ブレード16の切り込み深さが変化する様子を示しており、最終的に図6(D)に示す第1の深さt1まで切削ブレード16を切り込ませる。図7(A)を参照すると、加工ステップの平面図が示されており、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら切削ブレード16を切り込み送りすることにより、ウエーハ11の外周部に円形溝25を形成する様子が示されている。
図7(B)に示すように、切削ブレード16が第1の深さt1まで切り込んだ時点で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、この切り込み位置でチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成する。
上述した実施形態では、切削ブレード16をウエーハ11に第1の深さt1まで連続的に切り込ませているが、この実施形態の変形例として、第1の深さt1より小さい値の切り込み深さで切削ブレード16の切り込み送りを一旦停止し、この位置でチャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に浅い第1の円形溝を形成する。
次いで第1の深さt1より小さい値の切り込み量まで切削ブレード16を切り込ませて、この位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、チャックテーブル10を一回転以上回転させて第2の円形溝を形成する。このステップを複数回繰り返して、最終的にウエーハ11の外周部に第1の深さt1を有する円形溝25を形成するようにしてもよい。
例えば、図6(B)に示す位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に浅い第1の円形溝を形成し、次に図6(C)に示す位置で切削ブレード16の切り込み送りを停止し、チャックテーブル10を一回転以上回転させてウエーハ11の外周部に第2の円形溝を形成する。
上述した本実施形態の加工方法では、切削ブレード16の切り込み深さが所定深さt1に達するまで切削ブレード16の切り込み送り及びチャックテーブル10の回転を停止させることがない。
所定深さ分のウエーハの外周部を除去しつつ加工が遂行される従来の加工方法に対して、本発明の加工方法では、一部深さ分のウエーハ11の外周部を除去しつつ加工が遂行されるため、ウエーハ11の回転速度を向上することができ、その結果、ウエーハ11の加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。
尚、切削ブレード16の切り込み送りを複数回に分けて第1の深さt1の円形溝25を形成する上述した本発明実施形態の変形例では、ウエーハ11を保持したチャックテーブル10の回転速度を更に早くすることができる。
図8を参照すると、大きなサイズのウエーハ11の外周部を円形に切削してウエーハ11のサイズを所望のサイズにダウンサイジングする場合の本発明第2実施形態の側面図が示されている。
この実施形態の場合には、まず図8(A)に示すように、切削ブレード16をチャックテーブル10に保持されたウエーハ11のダウンサイジングしたいサイズのウエーハの半径位置上方に位置づけ、チャックテーブル10を矢印a方向に回転させながら回転する切削ブレード16をウエーハ11に切り込ませ、図8(B)に示すウエーハ11を完全切断する位置(フルカット位置)で切削ブレード16の切り込み送りを停止して、チャックテーブル10を一回転以上回転させることにより、ウエーハ11を円形に切削して小さなサイズのウエーハを形成することができる。
この実施形態の場合にも、チャックテーブル10の回転を停止させることなく一部深さ分のウエーハ11を除去しつつ加工が遂行されるため、チャックテーブル10の回転速度を向上することができ、その結果加工時間の短縮化及び生産効率の向上を図ることができる。
10 チャックテーブル
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
16 切削ブレード
23 面取り部
25 円形溝
11 半導体ウエーハ
12 切削ユニット
16 切削ブレード
23 面取り部
25 円形溝
Claims (2)
- ウエーハの外周部に第1の深さを有する円形溝を形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハを保持する保持面と、該保持面に対して直交する回転軸を有するチャックテーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、
該チャックテーブルで保持されたウエーハの外周部上方に切削ブレードを位置付ける切削ブレード位置づけステップと、
該切削ブレード位置づけステップを実施した後、該切削ブレードをウエーハに対して接近する方向に移動させるとともに、該切削ブレードがウエーハに接触するまでに該チャックテーブルの回転を開始し、回転するウエーハへ該切削ブレードで該第1の深さに達するまで切り込み、該切削ブレードが該第1の深さに達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させてウエーハの外周部に該第1の深さを有する円形溝を形成する加工ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記加工ステップは、回転するウエーハへ該切削ブレードで切り込んで前記第1の深さより小さい値の第1切込み量まで切り込ませる切込みステップと、該切削ブレードが該第1切込み量に達したなら切り込み送りを停止するとともに該チャックテーブルを一回転以上回転させる加工溝形成ステップとを含み、
該切込みステップと該加工溝形成ステップを複数回繰り返すことによりウエーハの外周部に該第1の深さを有する前記円形溝を形成する請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011099302A JP2012231058A (ja) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011099302A JP2012231058A (ja) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | ウエーハの加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012231058A true JP2012231058A (ja) | 2012-11-22 |
Family
ID=47432373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011099302A Pending JP2012231058A (ja) | 2011-04-27 | 2011-04-27 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012231058A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015006709A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの研削方法及び研削装置 |
JP2015023148A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2015050296A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09216152A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | 端面研削装置及び端面研削方法 |
JP2000042887A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法 |
JP2003229385A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2009072851A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の研削方法 |
-
2011
- 2011-04-27 JP JP2011099302A patent/JP2012231058A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09216152A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Okamoto Kosaku Kikai Seisakusho:Kk | 端面研削装置及び端面研削方法 |
JP2000042887A (ja) * | 1998-05-18 | 2000-02-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り方法 |
JP2003229385A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2009072851A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の研削方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015006709A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの研削方法及び研削装置 |
JP2015023148A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2015050296A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI625810B (zh) | Wafer processing method | |
JP6180223B2 (ja) | ウェーハの製造方法 | |
JP5500942B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5657302B2 (ja) | 切削方法 | |
JP2009176793A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20140133451A (ko) | 웨이퍼 절삭 방법 | |
JP6792408B2 (ja) | チャックテーブルの整形方法 | |
JP6298723B2 (ja) | 貼り合わせウェーハ形成方法 | |
JP2013012595A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
TWI300737B (en) | Method for the material-removing machining of a semiconductor wafer | |
US9676114B2 (en) | Wafer edge trim blade with slots | |
JP5881504B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2012231058A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5313014B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5313018B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
CN109285771A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP6200765B2 (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP5226472B2 (ja) | 切削方法 | |
JP2012227485A (ja) | パッケージ基板の加工方法 | |
JP6284440B2 (ja) | 切削装置及びエッジトリミング方法 | |
JP2016127098A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2010245253A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6016473B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5318537B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010184319A (ja) | 切削方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150428 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160315 |