JP2012224925A - 表面処理装置および表面処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置10によれば、真空槽10と被処理物としての各基板18,18,…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Wpが供給される。このとき、各基板18,18,…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽10を陽極とし、各基板18,18,…を陰極として、これらに直流電力Waが供給される。これによって、各基板18,18,…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
Like Carbon)膜の生成処理が、基材に施される。ここで、プラズマを発生させるための放電用電源として周波数が50kHz〜500kHzという言わば長中波帯の高周波電源が採用されることで、当該放電用電源として直流電源が採用される場合と、当該放電用電源として周波数が13.56MHzという短波帯の高周波電源が採用される場合と、の両方の利点が得られる、とされている。
12 真空槽
16 櫛形電極
18 基板
30 長中波電源装置
34 直流電源装置
Claims (8)
- 基準電位に接続されると共に内部に被処理物が収容される真空槽を有し、該真空槽と該被処理物とを一対の電極として該真空槽と該被処理物とに交流の放電用電力を供給することによって該真空槽の内部にプラズマを発生させながら該被処理物に表面処理を施す表面処理装置において、
上記真空槽を陽極とし上記被処理物を陰極として該真空槽と該被処理物とに直流電力を供給する直流電力供給手段を具備し、
上記直流電力の電圧成分の絶対値は上記放電用電力の供給によって上記被処理物の表面に現れる自己バイアス電圧の絶対値よりも大きいこと、
を特徴とする、表面処理装置。 - 上記直流電力供給手段は上記直流電力の電圧成分の絶対値を任意に変更可能である、
請求項1に記載の表面処理装置。 - 上記表面処理はDLC膜の生成処理を含む、
請求項1または2に記載の表面処理装置。 - 上記表面処理はイオン窒化処理を含む、
請求項1ないし3のいずれかに記載の表面処理装置。 - 上記放電用電力は正弦波電力である、
請求項1ないし4のいずれかに記載の表面処理装置。 - 上記放電用電力の周波数は100kHzないし1MHzである、
請求項1ないし5のいずれかに記載の表面処理装置。 - 上記放電用電力の1周期において上記被処理物の電位が上記基準電位に対して負電位になる期間が5μs未満である、
請求項1ないし6のいずれかに記載の表面処理装置。 - 基準電位に接続された真空槽と該真空槽の内部に収容された被処理物とを一対の電極として該真空槽と該被処理物とに交流の放電用電力を供給することによって該真空槽の内部にプラズマを発生させながら該被処理物に表面処理を施す表面処理方法において、
上記真空槽を陽極とし上記被処理物を陰極として該真空槽と該被処理物とに直流電力を供給する直流電力供給過程を具備し、
上記直流電力の電圧成分の絶対値は上記放電用電力の供給によって上記被処理物の表面に現れる自己バイアス電圧の絶対値よりも大きいこと、
を特徴とする、表面処理方法。
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