JP2012199341A - 冷却装置の運転方法及び検査装置 - Google Patents

冷却装置の運転方法及び検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012199341A
JP2012199341A JP2011061823A JP2011061823A JP2012199341A JP 2012199341 A JP2012199341 A JP 2012199341A JP 2011061823 A JP2011061823 A JP 2011061823A JP 2011061823 A JP2011061823 A JP 2011061823A JP 2012199341 A JP2012199341 A JP 2012199341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inspection
cooling device
temperature inspection
high temperature
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011061823A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5632317B2 (ja
JP2012199341A5 (ja
Inventor
Masataka Hatta
政隆 八田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2011061823A priority Critical patent/JP5632317B2/ja
Priority to CN201210066539.8A priority patent/CN102692938B/zh
Priority to KR1020120027094A priority patent/KR101358504B1/ko
Priority to TW101108986A priority patent/TWI540326B/zh
Priority to US13/423,971 priority patent/US9310814B2/en
Publication of JP2012199341A publication Critical patent/JP2012199341A/ja
Publication of JP2012199341A5 publication Critical patent/JP2012199341A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5632317B2 publication Critical patent/JP5632317B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

【課題】検査装置に用いられる冷却装置の消費エネルギーを節減することができる冷却装置の運転方法を提供する。
【解決手段】冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能なウエハチャック上に半導体ウエハを載置し、制御装置の制御下で半導体ウエハの低温検査及び半導体ウエハの高温検査を行う際に、制御装置の制御下でウエハチャックを冷却する冷却装置を制御する方法であって、低温検査を行う時には制御装置を介して冷却装置を連続的に運転し、高温検査を行う時には、制御装置を介して高温検査の開始に合わせて冷却装置を少なくとも一回停止する。
【選択図】図2

Description

本発明は、高温検査及び低温検査を行うことができる検査装置に関し、更に詳しくは、検査装置に用いられる冷却装置の消費エネルギーを節減することができる冷却装置の運転方法及び検査装置に関するものである。
従来の検査装置は、例えば図4に示すように、半導体ウエハWを搬送するローダ室Lと、ローダ室Lから搬送された半導体ウエハWの電気的特性検査を行うプローバ室Pと、制御装置(図示せず)を備え、制御装置の制御下で、半導体ウエハWをローダ室Lからプローバ室Pへ搬送し、プローバ室P内で半導体ウエハWの電気的特性検査を行った後、半導体ウエハWを元に戻すように構成されている。
プローバ室Pは、図4に示すように、半導体ウエハWを載置し且つ温度調節可能なウエハチャック1と、ウエハチャック1をX、Y方向に移動させるXYテーブル2と、このXYテーブル2を介して移動するウエハチャック1の上方に配置されたプローブカード3と、プローブカード3の複数のプローブ3Aとウエハチャック1上の半導体ウエハWの複数の電極パッドを正確に位置合わせするアライメント機構4とを備えている。
また、図4に示すようにプローバ室Pのヘッドプレート5にはテスタのテストヘッドTが旋回可能に配設され、テストヘッドTとプローブカード3はパフォーマンスボード(図示せず)を介して電気的に接続されている。そして、ウエハチャック1上の半導体ウエハWを例えば低温領域から高温領域の間で半導体ウエハWの検査温度を設定し、テスタの信号をテストヘッドTを介してプローブ3Aへ送信し、半導体ウエハWの低温検査や高温検査を行う。
半導体ウエハWの低温検査をする場合には、一般的に図4に示すようにウエハチャック1に連結された冷却装置6によって冷媒を所定の温度に冷却し、その冷媒をウエハチャック1内の冷媒通路を循環させて半導体ウエハWを例えば−数10℃の低温領域まで冷却する。本出願人は、特許文献1においてウエハチャック1を循環する冷媒を常に一定の温度に保つことができる冷却加熱装置を提案した。この冷却加熱装置は、スターリング冷凍機の一次冷媒を用いてウエハチャックを循環する二次冷媒を冷却、加熱して二次冷媒を所定のマイナス領域の温度を維持するもので、それまでの冷却装置と比較して冷却回路が簡素化されている。
また、特許文献2には真空処理装置に用いられる冷却装置が記載されている。この冷却装置は、特許文献1の技術のように二次冷媒によって冷却対象物(真空室のシャワープレート)を冷却するのではなく、一次冷媒で直接シャワープレートを冷却している。
特開2006−060361 特開2006−308273
しかしながら、特許文献1に記載の冷却装置は、検査装置での低温検査、高温検査の区別なく、検査装置の稼動と同時に冷却装置が駆動し、高温検査を行っている時でも冷温検査に備えて所定の低温に冷却された二次冷媒を冷却装置に常に保持するようにしているため、高温検査を行っている間も冷却装置の運転によるエネルギーが消費され、省エネルギー上で好ましくなかった。
一方、特許文献2の技術では、単に真空室のシャワープレートを冷却するために設けられたものであり、検査装置のように高温と低温を使い分けることがないため、検査装置のような問題はない。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、検査装置に用いられる冷却装置の消費エネルギーを節減することができる冷却装置の運転方法及び検査装置を提供することを目的としている。
本発明の請求項1に記載の冷却装置の運転方法は、冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能な載置台上に被検査体を載置し、制御装置の制御下で上記被検査体の低温検査及び上記被検査体の高温検査を行う際に、制御装置の制御下で上記載置台を冷却する冷却装置を制御する方法であって、上記低温検査を行う時には上記制御装置を介して上記冷却装置を連続的に運転し、上記高温検査を行う時には、上記制御装置を介して上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載の冷却装置の運転方法は、冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能な載置台上に被検査体を載置し、制御装置の制御下で上記被検査体の低温検査及び上記被検査体の高温検査を行う際に、上記載置台を冷却する冷却装置を、上記冷却装置に設けられた専用制御装置の制御下で制御する方法であって、上記低温検査を行う時には上記専用制御装置を介して上記冷却装置を連続的に運転し、上記高温検査を行う時には、上記専用制御装置を介して上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止させることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載の冷却装置の運転方法は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記高温検査を終えるまでに、上記冷却装置を間欠的に運転、停止することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載の冷却装置の運転方法は、被検査体を載置する温度調節可能な載置台と、上記載置台を加熱する加熱装置と、上記載置台を冷却する冷却装置と、上記加熱装置及び上記冷却装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置を介して上記冷却装置及び上記加熱装置を制御して上記被検査体の低温検査及び高温検査を行う検査装置において、上記制御装置は、上記高温検査を行う時には、上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止するように制御することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載の検査装置は、被検査体を載置する温度調節可能な載置台と、上記載置台を加熱する加熱装置と、上記載置台を冷却する冷却装置と、上記加熱装置及び上記冷却装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置を介して上記冷却装置及び上記加熱装置を制御して上記被検査体の低温検査及び高温検査を行う検査装置において、上記冷却装置に専用制御装置を設け、上記専用制御装置は、上記高温検査を行う時には、上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止するように制御することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項6に記載の検査装置は、請求項4または請求項5に記載の発明において、上記高温検査を終えるまでに、上記冷却装置を間欠的に運転、停止することを特徴とするものである。
本発明によれば、検査装置に用いられる冷却装置の消費エネルギーを節減することができる冷却装置の運転方法及び検査装置を提供することができる。
本発明の検査装置の一実施形態を示すブロック図である。 (a)〜(c)は、それぞれ半導体ウエハの検査を行う時の冷却装置の運転方法を説明するためのタイムチャートで、(a)は本発明の冷却装置の運転方法の一実施形態を示し、高温検査をする時に冷却装置を停止し、低温検査を開始する時に冷却装置を運転する場合を示す図、(b)は本発明の冷却装置の運転方法の他の実施形態を示し、高温検査をする時に冷却装置を停止し、低温検査を開始するまでの間に間欠的に運転、停止を繰り返す場合を示す図、(c)は従来の冷却装置の運転方法を示す図である。 本発明の検査装置の他の実施形態を示す断面図である。 従来の載置装置を備えた検査装置を示す正面図である。
以下、図1〜図3に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
第1の実施形態
本実施形態の検査置装置10は、例えば図1に示すように、半導体ウエハWを載置する温度調節可能な載置台(ウエハチャック)11と、ウエハチャック11の温度を検出する温度センサ12と、ウエハチャック11を冷却する冷却装置13と、ウエハチャック11を加熱する加熱装置14と、低温検査に関するプログラム及び高温検査に関するプログラムが格納された制御装置15と、制御装置15の制御下で冷却装置13をオン、オフ制御するリレースイッチ16と、を備え、制御装置15に格納された低温検査プログラム及び高温検査プログラムに即してウエハチャック11上に載置された半導体ウエハWの低温検査及び高温検査を行うように構成されている。尚、本明細書では、50℃以上の温度で半導体ウエハWの電気的特性検査を行う場合を高温検査と定義し、50℃未満の温度で半導体ウエハWの電気的特性検査を行う場合を低温検査と定義する。
また、検査装置10は、上記の各機器の他に、従来の検査装置と同様にプローブカード、アライメント機構等の検査に必要とされる機器を備え、プローブカードの複数のプローブとウエハチャック11上の半導体ウエハWの複数の電極パッドを電気的に接触させて半導体ウエハWの低温検査、高温検査を行うように構成されている。
半導体ウエハWの電気的特性検査を行う時には、低温検査、高温検査のいずれの場合でも半導体ウエハWに形成された電気回路への通電により半導体ウエハWが発熱するため、その影響でウエハチャック11の温度が上昇する。温度センサ12は、検査時にウエハチャック11の温度を検出し、検出温度を検出信号として制御装置15へ送信する。制御装置15は、温度センサ12からの検出信号に基づいて冷却装置13または加熱装置14を制御し、ウエハチャック11を低温検査及び高温検査それぞれで要求される一定の温度に保持する。
而して、冷却装置13は、図1に示すように、一次冷媒を冷却する冷凍機13Aと、冷凍機13Aと第1の循環路13Bを介して連結され且つ一次冷媒が循環する熱交換器13Cと、熱交換器13Cとウエハチャック11内に形成された冷媒通路11Aを連結し且つ二次冷媒が循環する第2の循環路13Dと、第2の循環路13Dに設けられたポンプ13Eと、を備え、制御装置15の制御下で作動するリレースイッチ16を介して、低温検査をする時には冷凍機13Aは連続運転されて二次冷媒を冷却して所定の低温(例えば、−50℃)を保持し、高温検査をする時には高温検査の開始に合わせて少なくとも一回停止されるように構成されている。尚、第1、2の循環路13B、13Dはいずれも断熱処理が施されている。
また、加熱装置14は、図1に示すように、ウエハチャック11内に設けられたヒータ14Aと、ヒータ14Aへの印加電力を制御する電力調節器14Bとを備え、制御装置15の制御下で温度センサ12の検出信号に基づいて電力調節器14Bを制御してヒータ14Aを介してウエハチャック11を所定の高温を保持するように構成されている。ヒータ14Aは、同図に示すように冷媒通路11Aの上方に配置されている。
低温検査を行う時には、制御装置15が低温検査の開始信号を冷却装置13の冷凍機13A及びポンプ13Eへ送信して冷凍機13A及びポンプ13Eの運転をそれぞれ開始し、低温検査を行っている間、冷却装置13は制御装置15を介して連続運転され、二次冷媒を所定の低温(例えば、−50℃)に保持する。即ち、冷却装置13が始動すると、冷凍機13Aによって冷却された一次冷媒が第1の循環路13Bを介して熱交換器13Cのシェル側を循環する。一次冷媒が熱交換器13Cを循環する間に、ポンプ13Eを介して熱交換器13Cのチューブ側を循環する二次冷媒が一次冷媒との間で熱交換されて所定の温度に冷却される。所定の温度に冷却された二次冷媒は、ウエハチャック11の冷媒通路11A内を循環する間にウエハチャック11を低温検査で要求される温度まで冷却する。低温検査を行う間、制御装置15が温度センサ12からの検出信号に基づいてポンプ13Eを制御して二次冷媒の流量を調節し、ウエハチャック11を低温検査で要求される温度に冷却し、その温度を保持する。
また、高温検査を行う時には、制御装置15が開始信号を加熱装置14の電力調節器14Bへ送信して電力調節器14Bを制御する。加熱装置14が作動すると、制御装置15が温度センサ12の検出信号に基づいて電力調節器14Bを介してヒータ14Aを制御してウエハチャック11を高温検査で要求される温度まで加熱し、その温度を保持する。
高温検査を行う時には、基本的にウエハチャック11を冷却する必要がないため、制御装置15の制御下で、加熱装置14のみが作動し、冷却装置13が少なくとも高温検査を開始する時に運転を停止するようにしている。このように高温検査を行う時には冷却装置13の運転を停止するため、消費電力を節減することができる。高温検査を行う間、冷却装置13は、制御装置15の制御下で作動するリレースイッチ16を介して高温検査の開始に合わせて少なくとも一回運転を停止し、次の低温検査時に運転を再開する。また、リレースイッチ16は、高温検査を行っている間に、間欠的に停止、運転を繰り返すように設定することができる。この際の運転時間、停止時間はいずれも制御装置15を介して適宜設定することができる。冷却装置13がリレースイッチ16を介して間欠的に停止、運転を繰り返す場合には後述するように一時間当たり数回以下の頻度で繰り返すことが好ましい。冷却装置13が頻繁に停止、運転を繰り返すと冷却装置13の駆動部品の消耗を早めるため、好ましくない。
次いで、図2の(a)〜(c)を参照しながら本実施形態の検査装置において適用される本発明の冷却装置の運転方法の実施形態について説明する。
図2の(a)は本発明の冷却装置の運転方法の一実施形態を示す図で、低温検査、高温検査、低温検査の順で半導体ウエハの電気的特性検査を行う場合である。まず、低温検査を行う場合には、制御装置15による指令信号に基づいて同図に示すように冷却装置13を連続運転する。この際、冷凍機13Aで冷却された一次冷媒が熱交換器13Cを循環する間に二次冷媒を所定の温度(例えば、−50℃)まで冷却する。二次冷媒は、第2の循環路13Dを介してウエハチャック11の冷媒通路11Aを循環し、半導体ウエハWの低温検査で要求される温度(例えば、−30℃)までウエハチャック11を冷却し、半導体ウエハWの低温検査が行われる。
低温検査を行う間は温度センサ12がウエハチャック11の温度を検出し、制御装置15が温度センサ12からの検出信号に基づいてポンプ16Eを制御し、ウエハチャック11の温度を−30℃に保持する。低温検査中に半導体ウエハWが発熱してウエハチャック11の温度が上昇しても温度センサ12の検出信号に基づいてポンプ13Eによる二次冷媒の循環流量を上げてウエハチャック11の温度を一定に保持する。
低温検査時には上述のようにウエハチャック11の温度を一定に保持することができるため、半導体ウエハWの低温検査を安定的に行うことができる。また、途中で制御装置15の指令信号に基づいて半導体ウエハWの低温検査の温度を−30℃から25℃に切り換え、この温度で低温検査を行う場合には、冷却装置13ではポンプ13Eによる二次冷媒の流量を下げてウエハチャック11の温度を25℃に保持し、その温度で低温検査を行う。
低温検査の終了後、制御装置15の指令信号に基づいて低温検査から高温検査(例えば、85℃)に切り換えると、図2の(a)に示すように冷却装置13が制御装置15からの指令信号に基づいて作動するリレースイッチ16を介して高温検査の開始に合わせて運転を停止すると共に、加熱装置14が制御装置15の制御下で作動する。
一方、加熱装置14が作動すると、電力調節器14Bがヒータ14Aに電力を印加し、ヒータ14Aを介してウエハチャック11を高温検査で要求される温度である85℃まで加熱する。電力調節器14Bは、温度センサ12の検出信号を受けた制御装置15によって制御されて、ウエハチャック11の温度を85℃に保持し、半導体ウエハWの高温検査を行う。冷却装置13は次の低温検査を開始する時まで運転を停止している。
以上説明したように図2の(a)に示す運転方法では、高温検査を行っている間、リレースイッチ16を介して冷却装置13が運転を停止するため、その間の冷却装置13を運転するための消費エネルギーを節減することができる。また、冷却装置13の運転を停止するため、冷却装置13に用いられている駆動部品の消耗を抑制することができる。
図2の(a)に示す実施形態では冷却装置13は高温検査を行っている間中停止しているため、冷凍機13A及び熱交換器13C、更に熱交換器13C内にある二次冷媒の温度は、外部からの熱の進入により徐々に上昇する。従って、次の低温検査を行う時に冷却装置13の運転を開始すると、二次冷媒の温度を元の温度(−50℃)まで冷却するまでに時間を要し、低温検査の開始までに待ち時間が生じる。待ち時間が問題にならない場合には、本実施形態の冷却装置の運転方法を採用することができる。
しかしながら、検査状況によっては待ち時間を極力短縮しなくてはならないことがある。この場合には図2の(a)に示す冷却装置の運転方法に代えて、図2の(b)に示す冷却装置の運転方法を採用することができる。
図2の(b)に示す実施形態では、高温検査を行う時の冷却装置13の運転方法を異にする以外は、図2の(a)に示す場合と同様であるため、高温検査を行う時の冷却装置の運転方法について説明する。
本実施形態では、図2の(b)に示すように低温検査から高温検査に切り換えると、冷却装置13は、制御装置15の制御下で高温検査の開始に合わせて運転を停止する。また、高温検査の継続中に、冷却装置13は、制御装置15の制御下にあるリレースイッチ16を介して間欠的に運転、停止を繰り返す。この際、冷却装置13は、例えば一時間当たり数回以下の頻度で運転と停止を繰り返すようにリレースイッチ16のオン、オフのタイミングを設定することが好ましい。
冷却装置13が間欠的に運転、停止を繰り返すことにより、冷却装置13の停止中に熱交換器13C内部の二次冷媒の温度が上昇しても、冷却装置13が運転を再開して温度上昇しかけた二次冷媒を冷却して短時間で二次冷媒の温度を実質的に元の温度に戻し、冷却装置13が再度停止する。この動作は、リレースイッチ16を介して高温検査が終了するまで繰り返され、二次冷媒の温度上昇を極力抑制することができる。そのため、高温検査から低温検査に切り換わっても、切り換え時点での二次冷媒の温度上昇が少ないため、二次冷媒を短時間で元の温度(例えば、−50℃)に戻すことができ、低温検査までの待ち時間を短縮し、高温検査から低温検査へ迅速に移行することができ、図2の(c)に示す従来の運転方法のように検査装置の運転開始時から終了時まで連続して冷却装置を運転して二次冷媒の温度を常に低温検査で要求される温度に保持している場合と遜色ない時間で高温検査から低温検査へ移行させることができる。ここで、冷却装置13を間欠運転する際の停止中における二次冷媒の所定温度からの温度上昇は、例えば10℃前後を目安にすることが好ましい。
以上説明したように、本実施形態によれば、冷却装置13による消費エネルギーを節減することができると共に、高温検査から低温検査へ迅速に移行することができ、検査を効率よく行うことができる。
第2の実施形態
上記実施形態の検査装置10では、検査装置10に設けられた制御装置15を用いて冷却装置13を制御している。本実施形態の検査装置10Aは、図3に示すように冷却装置13は、専用の制御装置(以下、「専用制御装置」と称す。)13Fを備え、冷却装置13の運転に関しては基本的に専用制御装置13Fが制御装置15の肩代わりをするようになっている。
即ち、専用制御装置13Fには制御装置15が接続され、ウエハチャック11の設定温度を制御装置15から専用制御装置13Fへ送信するようになっている。冷却装置13は、制御装置15からのウエハチャック11の設定温度に基づいて作動する専用制御装置13Fを介して低温検査時の運転あるいは高温検査時の運転が行われる。冷凍機13Aは、低温検査時には専用制御装置13F及びリレースイッチ16を介して低温検査時の運転が行われ、二次冷媒の温度を所定の低温に保持する、更に、制御装置15は、温度センサ12の検出信号に基づいてポンプ13Eによる二次冷媒の循環流量を制御して、ウエハチャック11を低温検査で要求される温度を保持するようにしてある。また、冷却装置13は、高温検査時には専用制御装置13F及びリレースイッチ16を介して高温検査時の運転が行われる。高温検査時には、冷却装置13は、専用制御装置13Fの制御下で図2の(a)に示す運転、あるいは図2の(b)に示す運転が行われる。本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。
尚、本発明は上記の各実施形態になんらの制限されるものではなく、必要に応じて本発明の要旨に反しない限り、各構成要素を適宜変更することができる。
10、10A 検査装置
11 ウエハチャック(載置台)
12 温度センサ
13 冷却装置
13F 専用制御装置
14 加熱装置
15 制御装置
16 リレースイッチ
W 半導体ウエハ(被検査体)

Claims (6)

  1. 冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能な載置台上に被検査体を載置し、制御装置の制御下で上記被検査体の低温検査及び上記被検査体の高温検査を行う際に、制御装置の制御下で上記載置台を冷却する冷却装置を制御する方法であって、上記低温検査を行う時には上記制御装置を介して上記冷却装置を連続的に運転し、上記高温検査を行う時には、上記制御装置を介して上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止することを特徴とする冷却装置の運転方法。
  2. 冷却装置及び加熱装置を介して温度調節可能な載置台上に被検査体を載置し、制御装置の制御下で上記被検査体の低温検査及び上記被検査体の高温検査を行う際に、上記載置台を冷却する冷却装置を、上記冷却装置に設けられた専用制御装置の制御下で制御する方法であって、上記低温検査を行う時には上記専用制御装置を介して上記冷却装置を連続的に運転し、上記高温検査を行う時には、上記専用制御装置を介して上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止させることを特徴とする冷却装置の運転方法。
  3. 上記高温検査を終えるまでに、上記冷却装置を間欠的に運転、停止することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の冷却装置の運転方法。
  4. 被検査体を載置する温度調節可能な載置台と、上記載置台を加熱する加熱装置と、上記載置台を冷却する冷却装置と、上記加熱装置及び上記冷却装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置を介して上記冷却装置及び上記加熱装置を制御して上記被検査体の低温検査及び高温検査を行う検査装置において、上記制御装置は、上記高温検査を行う時には、上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止するように制御することを特徴とする検査装置。
  5. 被検査体を載置する温度調節可能な載置台と、上記載置台を加熱する加熱装置と、上記載置台を冷却する冷却装置と、上記加熱装置及び上記冷却装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置を介して上記冷却装置及び上記加熱装置を制御して上記被検査体の低温検査及び高温検査を行う検査装置において、上記冷却装置に専用制御装置を設け、上記専用制御装置は、上記高温検査を行う時には、上記高温検査の開始に合わせて上記冷却装置を少なくとも一回停止するように制御することを特徴とする検査装置。
  6. 上記高温検査を終えるまでに、上記冷却装置を間欠的に運転、停止することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の冷却装置の運転方法。
JP2011061823A 2011-03-19 2011-03-19 冷却装置の運転方法及び検査装置 Active JP5632317B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011061823A JP5632317B2 (ja) 2011-03-19 2011-03-19 冷却装置の運転方法及び検査装置
CN201210066539.8A CN102692938B (zh) 2011-03-19 2012-03-14 冷却装置的运转方法以及检查装置
KR1020120027094A KR101358504B1 (ko) 2011-03-19 2012-03-16 냉각 장치의 운전 방법 및 검사 장치
TW101108986A TWI540326B (zh) 2011-03-19 2012-03-16 The operation method and the inspection device of the cooling device
US13/423,971 US9310814B2 (en) 2011-03-19 2012-03-19 Cooling device operating method and inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011061823A JP5632317B2 (ja) 2011-03-19 2011-03-19 冷却装置の運転方法及び検査装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012199341A true JP2012199341A (ja) 2012-10-18
JP2012199341A5 JP2012199341A5 (ja) 2014-03-27
JP5632317B2 JP5632317B2 (ja) 2014-11-26

Family

ID=46827537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011061823A Active JP5632317B2 (ja) 2011-03-19 2011-03-19 冷却装置の運転方法及び検査装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9310814B2 (ja)
JP (1) JP5632317B2 (ja)
KR (1) KR101358504B1 (ja)
CN (1) CN102692938B (ja)
TW (1) TWI540326B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014157123A1 (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及び基板温度調整方法
KR20180009090A (ko) * 2016-07-18 2018-01-26 세메스 주식회사 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
JP2022059036A (ja) * 2018-03-22 2022-04-12 株式会社東京精密 プローバの冷却システム

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502835B1 (ko) * 2001-05-23 2005-07-20 전길자 영지추출물, 올레아미드 및 그의 구조적 유사체를유효성분으로 함유하는 치매의 예방 및 치료용 조성물
US20140042152A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage
JP6333112B2 (ja) * 2014-08-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 ウエハ検査装置
JP6804309B2 (ja) * 2017-01-12 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び温度制御方法
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7018368B2 (ja) * 2018-07-12 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 検査装置及び検査装置の清浄化方法
US10877089B2 (en) * 2018-09-24 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer testing system and related method for improving external magnetic field wafer testing
JP7304722B2 (ja) * 2018-11-29 2023-07-07 東京エレクトロン株式会社 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置
US11169204B2 (en) * 2018-11-29 2021-11-09 Tokyo Electron Limited Temperature control device, temperature control method, and inspection apparatus
CN111743683A (zh) * 2020-07-15 2020-10-09 苏州好博医疗器械有限公司 一种恒温蜡疗仪的控制方法
JP7568360B2 (ja) * 2020-08-07 2024-10-16 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法及び検査装置
US11435398B2 (en) * 2020-12-07 2022-09-06 Texas Instruments Incorporated Real time chuck temperature monitoring

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007218500A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 恒温装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5084671A (en) * 1987-09-02 1992-01-28 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
US5198752A (en) * 1987-09-02 1993-03-30 Tokyo Electron Limited Electric probing-test machine having a cooling system
JP3120982B2 (ja) * 1989-04-17 2000-12-25 株式会社日立製作所 流体温度制御システム及びそれを用いたコンピユータシステム
TW262566B (ja) * 1993-07-02 1995-11-11 Tokyo Electron Co Ltd
JPH10135315A (ja) * 1996-10-29 1998-05-22 Tokyo Electron Ltd 試料載置台の温度制御装置及び検査装置
JP4357813B2 (ja) * 2002-08-23 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びプローブ方法
JP2004152916A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Nec Corp 半導体デバイス検査装置及び検査方法
JP2006308273A (ja) 2005-03-31 2006-11-09 Toyota Industries Corp 冷却装置
TW200721363A (en) * 2005-07-25 2007-06-01 Sumitomo Electric Industries Wafer holder, heater unit having the wafer holder, and wafer prober having the heater unit
KR20070053535A (ko) * 2005-11-21 2007-05-25 삼성전자주식회사 저온 및 고온 테스트를 수행하는 웨이퍼 테스트 장치
JP2007240035A (ja) 2006-03-06 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd 冷却加熱装置及び載置装置
JP2007324508A (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの検査方法及び半導体ウエハの検査装置
JP4996184B2 (ja) * 2006-09-19 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 ウエハの温度制御装置及びウエハの温度制御方法
JP2008103528A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の検査方法およびプローブカード
JP2008235315A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体
JP5004686B2 (ja) * 2007-06-15 2012-08-22 株式会社東京精密 プローバおよびプローバのウエハチャック温度制御方法
JP5074878B2 (ja) * 2007-10-15 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP5080228B2 (ja) * 2007-12-13 2012-11-21 株式会社シスウェーブ 温度制御方式
US8350191B2 (en) * 2008-05-21 2013-01-08 Formfactor, Inc. Probe card thermal conditioning system
KR101004541B1 (ko) 2008-08-05 2011-01-03 양성철 에너지 절약이 가능한 반도체 테스트 핸들러
JP2010127600A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 冷却装置及び冷却方法
WO2010092672A1 (ja) * 2009-02-12 2010-08-19 株式会社アドバンテスト 半導体ウェハ試験装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007218500A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 恒温装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014157123A1 (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及び基板温度調整方法
JP2014209536A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及び基板温度調整方法
US9885747B2 (en) 2013-03-25 2018-02-06 Tokyo Electron Limited Substrate inspection apparatus and substrate temperature control method
KR20180009090A (ko) * 2016-07-18 2018-01-26 세메스 주식회사 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
KR102490594B1 (ko) * 2016-07-18 2023-01-19 세메스 주식회사 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
JP2022059036A (ja) * 2018-03-22 2022-04-12 株式会社東京精密 プローバの冷却システム
JP7333498B2 (ja) 2018-03-22 2023-08-25 株式会社東京精密 プローバの冷却システム
JP7569495B2 (ja) 2018-03-22 2024-10-18 株式会社東京精密 プローバの冷却システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120106927A (ko) 2012-09-27
US20120234528A1 (en) 2012-09-20
KR101358504B1 (ko) 2014-02-05
CN102692938B (zh) 2015-03-25
CN102692938A (zh) 2012-09-26
US9310814B2 (en) 2016-04-12
TW201303330A (zh) 2013-01-16
JP5632317B2 (ja) 2014-11-26
TWI540326B (zh) 2016-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5632317B2 (ja) 冷却装置の運転方法及び検査装置
TWI587114B (zh) 雙迴路溫度控制模組及具備該模組之電子元件測試設備
TWI534573B (zh) 廣域溫度控制裝置
JP2010127600A (ja) 冷却装置及び冷却方法
EP2980837A1 (en) Substrate testing apparatus and substrate temperature adjustment method
KR20080053768A (ko) 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법
US9841459B2 (en) Device and method for controlling IC temperature
KR101015600B1 (ko) 프로브 스테이션용 스테이지 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼검사 장치
JP2008170179A (ja) オートハンドラ
JP2007324508A (ja) 半導体ウエハの検査方法及び半導体ウエハの検査装置
JP2021124457A (ja) パワーサイクル試験装置及びパワーサイクル試験方法
JP2009145151A (ja) 温度制御方式
US20120216559A1 (en) Mounting device
JP5121322B2 (ja) プローバおよびプローバのウエハチャックの温度制御方法
JP2019169549A (ja) プローバの冷却システム
KR20160007999A (ko) 반도체소자 테스트용 핸들러와 테스터용 인터페이스보드
JP5004686B2 (ja) プローバおよびプローバのウエハチャック温度制御方法
JP2007134545A (ja) プローバ
JP2012059037A (ja) 電子制御装置
JP2007129091A (ja) プローバ
JP7333498B2 (ja) プローバの冷却システム
JP2004003753A (ja) 冷媒の温度制御方法、冷却方法及び冷却装置
KR101335435B1 (ko) 반도체 제조설비용 냉각장치
JP2008192860A (ja) 半導体検査装置および半導体検査方法
JP2005326217A (ja) 温度制御システムおよび半導体試験装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140206

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140812

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140930

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141009

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5632317

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250