JP2012186292A - 貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イオン注入層形成工程と、貼り合わせ体形成工程と、熱処理工程と、剥離工程とを有する貼り合わせウェーハを製造する方法であって、少なくとも、前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体の外周端に温度分布が生じるように熱処理を加え、前記剥離工程において、前記温度分布の中で最高温度を示す前記貼り合わせ体の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し前記薄膜層を形成することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【選択図】 図1
Description
前記ボンドウェーハのイオン注入した面と、ベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して、或いは直接密着させて貼り合わせ体を形成する貼り合わせ体形成工程と、
該貼り合わせ体に対し前記イオン注入層において剥離が発生しない温度の熱処理を加えて前記イオン注入層を脆弱化する熱処理工程と、
前記貼り合わせ体の貼り合わせ面付近の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し、薄膜層を形成する剥離工程とを有する貼り合わせウェーハを製造する方法であって、少なくとも、
前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体の外周端に温度分布が生じるように熱処理を加え、
前記剥離工程において、前記温度分布の中で最高温度を示す前記貼り合わせ体の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し前記薄膜層を形成することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
前記ボンドウェーハのイオン注入した面と、ベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して、或いは直接密着させて貼り合わせ体を形成する貼り合わせ体形成工程と、
該貼り合わせ体に対し前記イオン注入層において剥離が発生しない温度の熱処理を加えて前記イオン注入層を脆弱化する熱処理工程と、
前記貼り合わせ体の貼り合わせ面付近の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し、薄膜層を形成する剥離工程とを有する貼り合わせウェーハを製造する方法であって、少なくとも、
前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体の外周端に温度分布が生じるように熱処理を加え、
前記剥離工程において、前記温度分布の中で最高温度を示す前記貼り合わせ体の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し前記薄膜層を形成することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
本発明で用いるボンドウェーハ1及びベースウェーハ4は、一般的に貼り合わせウェーハの製造に用いられるウェーハであれば特に限定されず、本発明の方法によりSOIウェーハを作製する場合にはボンドウェーハとしてシリコン単結晶ウェーハを用いることができ、また化合物半導体ウェーハなどを用いることもできる。また、ボンドウェーハ及びベースウェーハは、鏡面研磨ウェーハであることが好ましい(図1(a))。
本発明にかかる薄膜層は、貼り合わせ体の貼り合わせ面付近の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離して形成されたものである。
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、ボンドウェーハ1及びベースウェーハ4のいずれか一方又は両方に絶縁膜形成工程を行うことができ、ボンドウェーハ1及びベースウェーハ4の一方又は両方に絶縁膜2を形成することができる(図1(b))。絶縁膜2としては特に制限されないが、ボンドウェーハ又はベースウェーハがシリコン単結晶ウェーハであるときはシリコン酸化膜を形成することが好ましい。ここで形成された絶縁膜は貼り合わせウェーハとなったときに絶縁層(埋め込み絶縁層)2’となることができる(図1(i)参照)。もちろん、絶縁膜を形成せず、ボンドウェーハとベースウェーハを直接貼り合わせることもできる。
本発明にかかるイオン注入層形成工程は、ボンドウェーハ1に表面から水素イオンまたは希ガスイオン或いはこれらの両方を注入してイオン注入層3を形成する工程である(図1(c)参照)。イオン注入層形成工程前に前記の絶縁膜形成工程を行った場合には、絶縁膜2が形成されたボンドウェーハ1に絶縁膜を介して水素イオンまたは希ガスイオン或いはこれらの両方を注入することができる(図1(c))。なお、イオン注入層形成工程と絶縁膜形成工程の順序はこれに限られず、絶縁膜形成工程をイオン注入層形成工程の後に行うことも可能である。イオン注入のドーズ量は熱処理工程の熱処理量に応じて決定することができ、また、イオン注入層の深さは所望の薄膜層の厚さに応じて決定することができる。
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、前記貼り合わせ体形成工程前に、ボンドウェーハ1のイオン注入した面と、ベースウェーハ4の貼り合わせる面の少なくとも一方にプラズマ活性化処理を行い、活性化処理面1a、4aとする活性化処理工程を行うことができる(図1(d)、(f))。このような活性化処理工程を行うことで、ボンドウェーハ1のイオン注入した面、ベースウェーハ4の貼り合わせる面は、OH基が増加するなどして活性化する。活性化処理後、貼り合わせ体形成工程を行えば、水素結合等によりボンドウェーハ1とベースウェーハ4をより強固に貼り合わせることができるため好ましい。例えば、プラズマ活性化処理は、窒素プラズマ、室温、圧力0.4Torr(53.3Pa)、出力100W、15秒として行うことができる。
本発明にかかる貼り合わせ体形成工程は、ボンドウェーハ1のイオン注入した面と、ベースウェーハ4の表面とを絶縁膜2を介して、或いは直接密着させて貼り合わせ体5を形成する工程である(図1(g))。貼り合わせ体5の形成は室温で行うことができる。また、貼り合わせにはノッチ位置が揃うように自動貼り合わせ機を使用することもできる。
本発明にかかる熱処理工程は、貼り合わせ体5に対し前記イオン注入層3において剥離が発生しない温度の熱処理を加えて前記イオン注入層3を脆弱化(脆弱化したイオン注入層3’)する工程であり、貼り合わせ体5の外周端に温度分布が生じるように熱処理を加える工程である(図1(h))。これにより、外部衝撃で剥離しうる最小限の熱処理量で熱処理しながら、イオン注入層の脆弱化が特に進んだ部分(外周端の温度分布の中で最高温度を示す貼り合わせ体の端部)を形成することができる。剥離が発生しない温度の熱処理条件としては、イオン注入のドーズ量を固定して、様々な熱処理条件(温度、時間)で熱処理を行うことで、熱処理のみで剥離してしまう臨界条件を実験的に見出して、その臨界条件に達しない範囲で設定すればよい。具体的には、ドーズ量が4×1016〜8×1016atoms/cm2の場合、200〜350℃の温度とすることができる。このように、200℃以上であれば脆弱化が十分で機械的剥離が容易になり、一方で、350℃以下では、熱処理のみでの剥離の発生を抑制でき剥離面の面粗さの悪化を抑制できるため好ましい。熱処理時間としては、30分〜4時間の熱処理とすることができる。さらに、熱処理工程において、外周端の温度分布の中で最高温度を示す貼り合わせ体の端部では、該温度分布の中で最低温度を示す貼り合わせ体の端部よりも25℃以上高い温度となるように熱処理することが好ましい。このような温度差があれば、外部衝撃で剥離しうる最小限の熱処理量で熱処理しながらも、外周部においてイオン注入層の脆弱化が特に進んだ部分をより効率よく形成することができるため好ましい。
本発明にかかる剥離工程は、貼り合わせ体5の貼り合わせ面付近の端部8に外部衝撃を付与することによって、脆弱化したイオン注入層3’を境界としてボンドウェーハ1を機械的に剥離し、薄膜層6を形成する工程であり、温度分布の中で最高温度を示す貼り合わせ体5の端部に外部衝撃を付与することによって、脆弱化したイオン注入層3’を境界としてボンドウェーハ1を機械的に剥離し薄膜層6を形成する工程である(図1(i)、図2)。このように前記熱処理工程後に温度分布の中で最高温度を示す貼り合わせ体5の端部に外部衝撃を付与することによって、結合面12で薄膜層6が剥離することを防ぎ、外部衝撃を付与する部分におけるテラス幅13の広がりを回避することができ、剥離面11では面粗れの少ない良質な薄膜層6を有することができる貼り合わせウェーハ7の製造方法となる(図1(i)、図2)。
ボンドウェーハ及びベースウェーハとしてシリコン単結晶からなる鏡面研磨ウェーハを2枚用意した。ボンドウェーハに、150nmの熱酸化膜を形成し、そこに、6.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入し、イオン注入層を形成した。
実施例1と同様にして貼り合わせ体を作製し、熱処理した。熱処理後の貼り合わせ体を、アライナー付自動搬送機構をもつ剥離装置を用いて、剥離台の上に載せた。この時、ノッチと反対側において、クサビが挿入されるような、ウェーハ向きを選択してアライナーに設定値を入力しておいた(図3(a))。熱処理炉内の温度分布からは、ノッチの反対側は、熱処理温度が低い部分であることがわかっている(図3(b))。
熱処理中の貼り合わせ体の面内平均温度を325℃、1時間とした以外は実施例1と同様にして貼り合わせ体を作製し、熱処理した。なお、この熱処理条件では、イオン注入層において剥離は発生せず、イオン注入層は脆弱化する。熱処理後の貼り合わせ体を、アライナー付自動搬送機構をもつ剥離装置を用いて、剥離台の上に載せた。この時、ノッチと反対側において、クサビが挿入されるような、ウェーハ向きを選択してアライナーに設定値を入力しておいた(図3(a))。熱処理炉内の温度分布からは、ノッチの反対側は、熱処理温度が低い部分であることがわかっているものである(図3(b))。
Claims (6)
- ボンドウェーハに表面から水素イオンまたは希ガスイオン或いはこれらの両方を注入してイオン注入層を形成するイオン注入層形成工程と、
前記ボンドウェーハのイオン注入した面と、ベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して、或いは直接密着させて貼り合わせ体を形成する貼り合わせ体形成工程と、
該貼り合わせ体に対し前記イオン注入層において剥離が発生しない温度の熱処理を加えて前記イオン注入層を脆弱化する熱処理工程と、
前記貼り合わせ体の貼り合わせ面付近の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し、薄膜層を形成する剥離工程とを有する貼り合わせウェーハを製造する方法であって、少なくとも、
前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体の外周端に温度分布が生じるように熱処理を加え、
前記剥離工程において、前記温度分布の中で最高温度を示す前記貼り合わせ体の端部に外部衝撃を付与することによって、前記イオン注入層を境界として前記ボンドウェーハを機械的に剥離し前記薄膜層を形成することを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体に生じさせる前記温度分布が予め分かっている炉、又は前記貼り合わせ体に前記温度分布を生じさせる機構を持つ炉を使用して、前記貼り合わせ体の外周端に前記温度分布が生じるように熱処理を加えることを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記貼り合わせ体形成工程前に、前記ボンドウェーハのイオン注入した面と、前記ベースウェーハの貼り合わせる面の少なくとも一方にプラズマ活性化処理を行う活性化処理工程を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記熱処理工程において、前記貼り合わせ体の温度が200℃以上350℃以下になるように設定して熱処理を加えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記熱処理工程において、前記外周端の温度分布の中で最高温度を示す前記貼り合わせ体の端部では、該温度分布の中で最低温度を示す前記貼り合わせ体の端部よりも25℃以上高い温度となるように熱処理することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
- 前記剥離工程において、前記貼り合わせ体の貼り合わせ面付近の端部にクサビ状部材を挿入することで外部衝撃を付与することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
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