JP2012178190A - 独立リンクおよびバンク選択 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリバンクごとに、リンク制御部ごとの出力を受け取り、そのリンク制御部のうちの1つだけの出力をメモリバンクに伝えるための第1のスイッチングロジックがある。リンク制御部ごとに、各メモリバンクの出力を受け取り、そのメモリバンクのうちの1つだけの出力をリンク制御部に伝えるための第2のスイッチングロジックがある。本発明の一部の実施形態によれば、複数のリンク制御部による同じメモリバンクへの同時の、または重複するアクセスを防ぎ、同じリンク制御部による複数のバンクへの同時の、または重複するアクセスを防ぐために、第1のスイッチングロジックおよび第2のスイッチングロジックの両方の動作を制御するためのスイッチ制御部ロジックがある。
【選択図】図2
Description
本出願は、2005年9月30日に出願された米国仮出願第60/722,368号の利益を主張する、2005年12月30日に出願され、「Multiple Independent Link Serial Memory」と題された米国特許出願第11/324,023号の一部継続出願である、2006年12月22日に出願された米国出願第11/643,850号の利益を主張するものであり、その両方の内容の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1. 複数のリンクポートからの同じバンクへの同時アクセスの防止。
2. オプション機能としてのシングルリンクアクセス。
3. リンク制御ブロックからバンク制御ブロックへの短いスイッチ経路。
4. リンク制御ブロックごとに同じであるロジック実装。
5. 同じバンクが後に別のリンクポートからアクセスされる場合に、前のバンクアクセスが保持される。
6. リンクからバンクへのアクセス(書込みおよび制御信号)と、バンクからリンクへのアクセス(データ読出し)とのための別々のロジック。
ただし、一部の実装形態は、これらの機能の一部しか提供しない場合があることが理解される。より広くは、各実装形態はこれらの機能のうちの任意の数を提供してよい。
バンク選択制御として機能するためにリンク0 10からスイッチ制御部48、50への入力として接続される制御入力Bnk0<1:0> 49。
リンク0からの制御、アドレスおよびデータをバンク0に与えることを可能にする、スイッチ制御部48からスイッチ40へのLnk_is_Bnk0_ctrl_enable 53。
リンク1からの制御、アドレスおよびデータをバンク0に与えることを可能にする、スイッチ制御部48からスイッチ40へのLnk_os_Bnk0_ctrl_enable 60。
ページバッファから、リンク0に関するリンクロジックブロックに対して読出し関連操作が実行される場合にバンクを選択するために使用される、スイッチ制御部48からスイッチ42へのLnk0_Bnk_slct<1:0>出力64。
バンク選択制御として機能するためにリンク1 12からスイッチ制御部48、50への入力として接続される制御入力Bnk1<1:0> 51。
リンク1からの制御、アドレスおよびデータをバンク1に与えることを可能にする、スイッチ制御部50からスイッチ44へのLnk_is_Bnk1_ctrl_enable 63。
リンク0からの制御、アドレスおよびデータをバンク1に与えることを可能にする、スイッチ制御部50からスイッチ44へのLnk_os_Bnk1_ctrl_enable 65。
ページバッファから、リンク1に関するリンクロジックブロックに対して読出し関連操作が実行される場合にバンクを選択するために使用される、スイッチ制御部50からスイッチ46へのLnk1_Bnk_slct<1:0>出力66。
スイッチ42、46のそれぞれに接続されて示されたバンク0出力60。この出力は、個々の設計に応じて例えば4ビット、8ビットまたは16ビットのパラレル出力とすることができ、リンクブロック内でパラレル/シリアル変換が行われる。あるいは、バンク0内に読出しアクセス用の組込パラレル/シリアル変換器がある場合、この出力はシリアル出力とすることができる。この説明の残りの部分では、この出力を8ビットのパラレル出力と想定する。
スイッチ42、46のそれぞれに接続されて示されたバンク1出力62。出力60に関して上記に説明したのと同様の解説がこの出力についても当てはまる。
スイッチ42とリンク0 10とを相互接続する接続67。
スイッチ46とリンク1 12とを相互接続する接続68。
スイッチ40の個々のスイッチング素子およびスイッチ44の個々のスイッチング素子にそれぞれ接続される、リンク0 10からの複数の出力70。
スイッチ40の個々のスイッチング素子およびスイッチ44の個々のスイッチング素子にそれぞれ接続される、リンク1 12からの複数の出力72。
バンク0 18に接続されるスイッチ40の各スイッチング素子からの個々の出力であり、74で集合的に示す出力。
バンク1 20に接続されるスイッチ44の各スイッチング素子からの個々の出力であり、76で集合的に示す出力。
リンク0用のLnk0_Bank_slct<0>、
各リンク0用のLnk0_Bank_slct<1>、
リンク1用のLnk1_Bank_slct<0>、
各リンク1用のLnk1_Bank_slct<1>、
Lnk_is_Bnk0_ctrl_enable、
Lnk_os_Bnk0_ctrl_enable、
Lnk_is_Bnk1_ctrl_enable、および
Lnk_os_Bnk1_ctrl_enableである。
以下に説明する様々なアクセスシナリオは、リンク0からバンク0へのアクセス、リンク0からバンク1へのアクセス、リンク1からバンク1へのアクセス、およびリンク1からバンク0へのアクセスを含む。
・ リンク0の位置(link_id=0)→NAND380の出力が「lnk_is」の結果に影響し、NAND388はロジック的にどんな影響も与えない。その結果はリンク0からのバンク0アクセス→内部にリンク(304A)。
・ リンク1の位置(link_id=1)→NAND388の出力が「lnk_is」の結果に影響し、NAND380はロジック的にどんな影響も与えない。その結果はリンク1からのバンク1アクセス→内部にリンク(304A)。
・ リンク0の位置(link_id=0)→NAND400の出力が「lnk_os」の結果に影響する。→Bk1<0>が入力の1つとしてNAND392にロジック的に接続される。その結果はリンク1からのバンク0アクセス→外部にリンク(304B)。
・ リンク1の位置(link_id=1)→NAND390の出力が「lnk_os」の結果に影響する。→Bk0<1>が入力の1つとしてNAND392にロジック的に接続される。その結果はリンク0からのバンク1アクセス→外部にリンク(304B)。
12 リンク1
14 制御ロジック
16 スイッチングロジック
18 バンク0
20 バンク1
30 デュアルポート構成
32 シングルポート構成
40 スイッチ
42 スイッチ
44 スイッチ
46 スイッチ
48 スイッチ制御部
48 スイッチ
49 Bnk0<1:0>
49 制御入力
50 スイッチ制御部
50 スイッチ
51 Bnk1<1:0>
51 制御入力
53 Lnk_is_Bnk0_ctrl_enable
60 Lnk_os_Bnk0_ctrl_enable
60 バンク0出力
62 バンク1出力
63 Lnk_is_Bnk1_ctrl_enable
65 Lnk_os_Bnk1_ctrl_enable
64 Lnk0_Bnk_slct<1:0>
66 Lnk1_Bnk_slct<1:0>
67 出力
67 接続
68 出力
68 接続
70 出力
72 出力
74 出力
76 出力
80 入力バッファ
82 シリアルデータ収集レジスタ
84 コマンドインタプリタ制御ロジック
86 入力バッファ
88 シリアルデータ収集レジスタ
90 コマンドインタプリタ制御ロジック
92 制御出力
94 制御出力
100 第1のNANDゲート
101 スイッチング素子
102 第2のNANDゲート
103 スイッチング素子
104 第3のNANDゲート
105 out0
110 第1のNANDゲート
112 第2のNANDゲート
114 第3のNANDゲート
115 out1
300 回路
301 無効検査ロジック
302 シングルリンク構成回路
303A 回路
303B 回路
304A スイッチロジック
304B スイッチロジック
305 リンク認識ロジック
306A 保持ロジック
306A 保持回路
306B 保持ロジック
306B 保持回路
307A バンク選択ロジック
307B バンク選択ロジック
350 NANDゲート
352 NANDゲート
354 インバータ
356 NANDゲート
358 NANDゲート
360 インバータ
370 第1のNANDゲート
372 第2のNANDゲート
374 第3のNANDゲート
380 第1のNANDゲート
380 NANDゲート
380 NAND
382 NANDゲート
388 第1のNANDゲート
388 NANDゲート
388 NAND
390 第2のNANDゲート
390 NANDゲート
390 NAND
392 第3のNANDゲート
392 NAND
400 NANDゲート
400 NAND
402 インバータ
403 インバータ
404 NANDゲート
406 インバータ
408 NANDゲート
410 インバータ
Claims (19)
- 複数のメモリバンクであって、各メモリバンクが少なくとも1つのメモリバンク入力と少なくとも1つのメモリバンク出力とをそれぞれ具備している複数のメモリバンクと、
複数の入力で受け取られた信号を前記複数のメモリバンクのメモリバンク入力へ選択的に渡すように構成された第1の選択部と、
メモリバンク出力から受け取られた信号を複数の出力へ選択的に渡すように構成された第2の選択部と、
複数の入力で受け取られた信号をメモリバンク入力へ選択的に渡す制御と、メモリバンク出力から受け取られた信号を複数の出力へ選択的に渡す制御とをするように構成された制御部と
を含むメモリシステム。 - 前記第1の選択部は、
メモリバンクごとに、前記複数の入力の1つで受信され選択された信号を前記メモリバンクへ渡すための出力を具備する個々のスイッチング素子を含む、請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記第2の選択部は、
出力ごとに、前記複数のメモリバンクの1つから選択され受信され信号を前記出力へ渡すための個々のスイッチング素子を含む、請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記複数のメモリバンクは、2つのメモリバンクを含む、請求項1に記載のメモリシステム。
- 前記制御部は、
メモリバンクごとに個々のスイッチ制御部を含む、請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記スイッチ制御部が実質的に同一の回路実装を有し、
前記スイッチ制御部のそれぞれは、前記スイッチ制御部の複数の可能な状態のうちの選択された状態に応じて、前記該スイッチ制御部が動作することになる命令を受け取るように構成された受信部を含む、請求項5に記載のメモリシステム。 - 前記複数のメモリバンクは、第1のメモリバンクと第2のメモリバンクとを含み、
前記制御部は、第1のリンク制御部と第2のリンク制御部とを含み、
前記メモリシステムにおける前記スイッチ制御部それぞれの取り得る複数の状態は、
前記スイッチ制御部が前記第1のバンクのために前記第1の選択部を制御するとともに、前記第1のリンク制御部のために前記第2の選択部を制御する、前記複数のスイッチ制御部それぞれについての第1の状態と、
前記スイッチ制御部が前記第2のバンクのために前記第1の選択部を制御するとともに、前記第2のリンク制御部のために前記第2の選択部を制御する、前記複数のスイッチ制御部それぞれについての第2の状態と
を含む、請求項6に記載のメモリシステム。 - シングルリンク動作を選択するように構成された入力をさらに含み、
前記入力によるシングルリンク動作のアサート時に、前記メモリシステムはリンク制御部があたかも1つしかないように動作する、請求項6に記載のメモリシステム。 - 前記リンク制御部のそれぞれからバンク選択出力を受け取るように構成されているとともに、同じリンク制御部による複数のバンクへの同時の、または重複するアクセスがあるかどうかを判定し、ある場合は無効信号を生成するように構成された受信部をさらに含む、請求項6に記載のメモリシステム。
- 各スイッチ制御部は、同じリンク制御部が複数のバンクに同時に、または重複してアクセスする場合に、および複数のリンクが同じバンクに同時に、または重複してアクセスする場合に、前の制御出力を保つように構成された保持部をさらに含む、請求項6に記載のメモリシステム。
- 各スイッチ制御部は、
前記バンクに伝えられるいずれかのリンク出力を選択するためのリンク選択信号と、
前記リンク制御部に伝えられるいずれかのバンク出力を選択するためのバンク選択信号と、
を含む出力を生成するように動作可能である、請求項6に記載のメモリシステム。 - 前記リンク制御部のそれぞれは、
前記リンク制御部の少なくとも1つの入力を介して入力コマンドおよび入力データを受け取るように構成された入力バッファと、
入力コマンドおよび入力データをパラレル形式に変換するように構成された変換部と、
入力コマンドを解釈するように構成されたコマンドインタプリタと
を含む、請求項6に記載のメモリシステム。 - 前記リンク制御部のそれぞれは、前記制御部のためにバンク選択信号を出力するように動作可能である、請求項6に記載のメモリシステム。
- 複数の入力で受け取った信号を複数のメモリバンクのメモリバンク入力に選択的に渡すステップと、
メモリバンク出力から受け取った信号を複数の出力に選択的に渡すステップと、
前記複数の入力で受け取った信号をメモリバンク入力に選択的に渡す前記ステップおよびメモリバンク出力から受け取った信号を前記複数の出力に選択的に渡す前記ステップを制御するステップと
を含む方法。 - 前記複数の入力で受け取った信号を複数のメモリバンクのメモリバンク入力に選択的に渡す前記ステップは、
前記複数の入力のうちの所与の入力から前記複数のメモリバンクのうちの所与のメモリバンクへの所与のアクセスについて、前記所与の入力から信号を受け取るために前記所与のメモリバンクを接続するステップを含む、請求項14に記載の方法。 - メモリバンク出力から受け取った信号を前記複数の出力に選択的に渡す前記ステップは、
所与のメモリバンクと所与の出力とについて、前記所与の出力に対して信号を送るために、所与のメモリバンクの前記出力を接続するステップを含む、請求項15に記載の方法。 - 前記制御するステップは、複数の同一のスイッチ制御部によって行われ、前記方法は、
前記複数の同一のスイッチ制御部のそれぞれを、全メモリシステム内でのそれらの位置に特有の態様で動作するように構成するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 複数の入力から同じメモリバンクへの同時の、もしくは重複するアクセスまたは複数のバンクから同じ出力への同時の、もしくは重複する出力のいずれか一方の無効なアクセスの試みが発生する際に、前のアクセス状態を保持するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記複数の入力それぞれの一部を形成するバンク選択信号を調べることにより無効なアクセスの試みを検出するステップをさらに含み、
前記複数の入力および前記複数の出力は、複数のリンク制御部ごとの少なくとも1つの個々の入力と少なくとも1つの個々の出力とを含む、請求項18に記載の方法。
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US8825939B2 (en) * | 2007-12-12 | 2014-09-02 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Semiconductor memory device suitable for interconnection in a ring topology |
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US8134852B2 (en) * | 2008-10-14 | 2012-03-13 | Mosaid Technologies Incorporated | Bridge device architecture for connecting discrete memory devices to a system |
US7957173B2 (en) * | 2008-10-14 | 2011-06-07 | Mosaid Technologies Incorporated | Composite memory having a bridging device for connecting discrete memory devices to a system |
US20100115172A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Mosaid Technologies Incorporated | Bridge device having a virtual page buffer |
US8549209B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-10-01 | Mosaid Technologies Incorporated | Bridging device having a configurable virtual page size |
US8472199B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-06-25 | Mosaid Technologies Incorporated | System including a plurality of encapsulated semiconductor chips |
KR101006748B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2011-01-10 | (주)인디링스 | 패드들의 동시 스위칭을 제어하는 고체 상태 디스크를 위한컨트롤러 |
TW201044371A (en) * | 2009-06-15 | 2010-12-16 | Novatek Microelectronics Corp | Memory architecture of display device and reading method thereof |
US8484428B2 (en) * | 2009-07-30 | 2013-07-09 | Micron Technology, Inc. | Enhanced block copy |
US8582382B2 (en) * | 2010-03-23 | 2013-11-12 | Mosaid Technologies Incorporated | Memory system having a plurality of serially connected devices |
US8843692B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-09-23 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | System of interconnected nonvolatile memories having automatic status packet |
US8533403B1 (en) | 2010-09-30 | 2013-09-10 | Apple Inc. | Arbitration unit for memory system |
WO2012082480A2 (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-21 | Rambus Inc. | Multi-die dram banks arrangement and wiring |
JP5864957B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-02-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2014004713A1 (en) | 2012-06-26 | 2014-01-03 | Synergetics, Inc. | Ophthalmic surgical fluid handling cassette |
US9471484B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-10-18 | Novachips Canada Inc. | Flash memory controller having dual mode pin-out |
US9361973B2 (en) | 2013-10-28 | 2016-06-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Multi-channel, multi-bank memory with wide data input/output |
US9933980B2 (en) | 2014-02-24 | 2018-04-03 | Toshiba Memory Corporation | NAND raid controller for connection between an SSD controller and multiple non-volatile storage units |
KR102346629B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2022-01-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 접근 제어 방법 및 장치 |
US9747042B2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Statistic-based isolation of lethargic drives |
US9690494B2 (en) * | 2015-07-21 | 2017-06-27 | Qualcomm Incorporated | Managing concurrent access to multiple storage bank domains by multiple interfaces |
US10140044B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-11-27 | Qualcomm Incorporated | Efficient memory bank design |
JP2019057336A (ja) | 2017-09-19 | 2019-04-11 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07319755A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複数ポートメモリ |
JPH08221319A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2003263363A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Ricoh Co Ltd | メモリ制御回路 |
JP2004242332A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 高速交換環境でパケットを交換するシステム、方法及び論理 |
JP2005004895A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 同期バンク型メモリ |
JP2006260127A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Hiroshima Univ | 結合網およびそれを用いたマルチポートメモリ |
Family Cites Families (130)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4174536A (en) | 1977-01-21 | 1979-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Digital communications controller with firmware control |
US4617566A (en) | 1983-12-15 | 1986-10-14 | Teleplex Corporation | Addressable-port, daisy chain telemetry system with self-test capability |
DE3586523T2 (de) | 1984-10-17 | 1993-01-07 | Fujitsu Ltd | Halbleiterspeicheranordnung mit einer seriellen dateneingangs- und ausgangsschaltung. |
US4683555A (en) | 1985-01-22 | 1987-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Serial accessed semiconductor memory with reconfigureable shift registers |
US4714536A (en) | 1985-08-26 | 1987-12-22 | Varian Associates, Inc. | Planar magnetron sputtering device with combined circumferential and radial movement of magnetic fields |
JPS6289149A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 多ポ−トメモリシステム |
JPS62152050A (ja) | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Nec Corp | 半導体メモリ |
JPS63113624A (ja) | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Tokyo Electric Co Ltd | 電子秤のプリンタインタ−フエ−ス |
EP0417314B1 (en) | 1989-03-15 | 1997-06-04 | Oki Electric Industry Company, Limited | Serial in to parallel out converting circuit |
US5126808A (en) | 1989-10-23 | 1992-06-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Flash EEPROM array with paged erase architecture |
US5175819A (en) | 1990-03-28 | 1992-12-29 | Integrated Device Technology, Inc. | Cascadable parallel to serial converter using tap shift registers and data shift registers while receiving input data from FIFO buffer |
US5243703A (en) | 1990-04-18 | 1993-09-07 | Rambus, Inc. | Apparatus for synchronously generating clock signals in a data processing system |
US5204669A (en) | 1990-08-30 | 1993-04-20 | Datacard Corporation | Automatic station identification where function modules automatically initialize |
US5319598A (en) | 1990-12-10 | 1994-06-07 | Hughes Aircraft Company | Nonvolatile serially programmable devices |
US5132635A (en) | 1991-03-05 | 1992-07-21 | Ast Research, Inc. | Serial testing of removable circuit boards on a backplane bus |
JP2673390B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1997-11-05 | 三菱電機株式会社 | マルチポートメモリ |
JPH0776942B2 (ja) | 1991-04-22 | 1995-08-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | マルチプロセッサ・システムおよびそのデータ伝送装置 |
US5430859A (en) | 1991-07-26 | 1995-07-04 | Sundisk Corporation | Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus |
US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
KR950000761B1 (ko) | 1992-01-15 | 1995-01-28 | 삼성전자 주식회사 | 직렬 입력신호의 동기회로 |
JP3088180B2 (ja) | 1992-03-26 | 2000-09-18 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | シリアル入力インタフェース回路 |
KR960000616B1 (ko) | 1993-01-13 | 1996-01-10 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
JPH06275069A (ja) | 1993-03-20 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | シリアルメモリ |
US5365484A (en) | 1993-08-23 | 1994-11-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Independent array grounds for flash EEPROM array with paged erase architechture |
JPH0793219A (ja) | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Olympus Optical Co Ltd | 情報処理装置 |
US5602780A (en) | 1993-10-20 | 1997-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Serial to parallel and parallel to serial architecture for a RAM based FIFO memory |
US5452259A (en) | 1993-11-15 | 1995-09-19 | Micron Technology Inc. | Multiport memory with pipelined serial input |
US5404460A (en) | 1994-01-28 | 1995-04-04 | Vlsi Technology, Inc. | Method for configuring multiple identical serial I/O devices to unique addresses through a serial bus |
US5475854A (en) | 1994-01-28 | 1995-12-12 | Vlsi Technology, Inc. | Serial bus I/O system and method for serializing interrupt requests and DMA requests in a computer system |
US5596724A (en) | 1994-02-04 | 1997-01-21 | Advanced Micro Devices | Input/output data port with a parallel and serial interface |
DE4429433C1 (de) | 1994-08-19 | 1995-10-26 | Siemens Ag | Adreßzuordnungsverfahren |
US5473566A (en) | 1994-09-12 | 1995-12-05 | Cirrus Logic, Inc. | Memory architecture and devices, systems and methods utilizing the same |
KR0142367B1 (ko) | 1995-02-04 | 1998-07-15 | 김광호 | 열 리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거 검증회로 |
US5636342A (en) | 1995-02-17 | 1997-06-03 | Dell Usa, L.P. | Systems and method for assigning unique addresses to agents on a system management bus |
US5729683A (en) | 1995-05-18 | 1998-03-17 | Compaq Computer Corporation | Programming memory devices through the parallel port of a computer system |
US5594694A (en) | 1995-07-28 | 1997-01-14 | Micron Quantum Devices, Inc. | Memory circuit with switch for selectively connecting an input/output pad directly to a nonvolatile memory cell |
US5742840A (en) | 1995-08-16 | 1998-04-21 | Microunity Systems Engineering, Inc. | General purpose, multiple precision parallel operation, programmable media processor |
US5835935A (en) | 1995-09-13 | 1998-11-10 | Lexar Media, Inc. | Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory |
JPH0991197A (ja) | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Sharp Corp | データ転送制御装置 |
JP3693721B2 (ja) | 1995-11-10 | 2005-09-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ及びそのテスト方法 |
TW307869B (en) | 1995-12-20 | 1997-06-11 | Toshiba Co Ltd | Semiconductor memory |
KR100211760B1 (ko) | 1995-12-28 | 1999-08-02 | 윤종용 | 멀티뱅크 구조를 갖는 반도체 메모리 장치의 데이타 입출력 경로 제어회로 |
KR0170723B1 (ko) | 1995-12-29 | 1999-03-30 | 김광호 | 단일 ras 신호에 의해 동시 동작이 가능한 이중 뱅크를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US5828899A (en) | 1996-01-04 | 1998-10-27 | Compaq Computer Corporation | System for peripheral devices recursively generating unique addresses based on the number of devices connected dependent upon the relative position to the port |
WO1997030395A1 (fr) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Hitachi, Ltd. | Memoire a acces multiples et processeur de donnees procurant l'acces a cette memoire |
JPH09231740A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体記憶装置 |
US5941974A (en) | 1996-11-29 | 1999-08-24 | Motorola, Inc. | Serial interface with register selection which uses clock counting, chip select pulsing, and no address bits |
US6493347B2 (en) * | 1996-12-16 | 2002-12-10 | Juniper Networks, Inc. | Memory organization in a switching device |
US6075743A (en) * | 1996-12-26 | 2000-06-13 | Rambus Inc. | Method and apparatus for sharing sense amplifiers between memory banks |
KR100243335B1 (ko) | 1996-12-31 | 2000-02-01 | 김영환 | 독립적인 리프레쉬 수단을 가지는 데이지 체인 구조의 반도체 장치 |
KR100272037B1 (ko) | 1997-02-27 | 2000-12-01 | 니시무로 타이죠 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
US5900021A (en) | 1997-04-04 | 1999-05-04 | United Memories, Inc. | Pad input select circuit for use with bond options |
GB2329792A (en) | 1997-08-20 | 1999-03-31 | Nokia Telecommunications Oy | Identification signals enable a transceiver module to correctly configure itself to an attached functional module |
JPH1166841A (ja) | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
KR100240873B1 (ko) | 1997-08-26 | 2000-01-15 | 윤종용 | 송수신 겸용의 레지스터를 갖는 직렬인터페이스장치 |
JP4039532B2 (ja) | 1997-10-02 | 2008-01-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
US5937425A (en) | 1997-10-16 | 1999-08-10 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash file system optimized for page-mode flash technologies |
US6148364A (en) | 1997-12-30 | 2000-11-14 | Netlogic Microsystems, Inc. | Method and apparatus for cascading content addressable memory devices |
US6002638A (en) | 1998-01-20 | 1999-12-14 | Microchip Technology Incorporated | Memory device having a switchable clock output and method therefor |
US6453365B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-09-17 | Globespanvirata, Inc. | Direct memory access controller having decode circuit for compact instruction format |
JP3714969B2 (ja) | 1998-03-02 | 2005-11-09 | レクサー・メディア・インコーポレイテッド | 改良されたオペレーティングモード検出機能を備えたフラッシュメモリーカード及びユーザフレンドリなインターフェーシングシステム |
US6016270A (en) | 1998-03-06 | 2000-01-18 | Alliance Semiconductor Corporation | Flash memory architecture that utilizes a time-shared address bus scheme and separate memory cell access paths for simultaneous read/write operations |
US6085290A (en) | 1998-03-10 | 2000-07-04 | Nexabit Networks, Llc | Method of and apparatus for validating data read out of a multi port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM) |
JPH11282794A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Chokosoku Network Computer Gijutsu Kenkyusho:Kk | メモリ・アクセス方式 |
US6144576A (en) | 1998-08-19 | 2000-11-07 | Intel Corporation | Method and apparatus for implementing a serial memory architecture |
US5995417A (en) | 1998-10-20 | 1999-11-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Scheme for page erase and erase verify in a non-volatile memory array |
JP4601737B2 (ja) | 1998-10-28 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | メモリ混載ロジックlsi |
JP2000149564A (ja) | 1998-10-30 | 2000-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6405273B1 (en) * | 1998-11-13 | 2002-06-11 | Infineon Technologies North America Corp. | Data processing device with memory coupling unit |
US6216178B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-04-10 | Infineon Technologies Ag | Methods and apparatus for detecting the collision of data on a data bus in case of out-of-order memory accesses of different times of memory access execution |
US6304921B1 (en) | 1998-12-07 | 2001-10-16 | Motorola Inc. | System for serial peripheral interface with embedded addressing circuit for providing portion of an address for peripheral devices |
KR100284742B1 (ko) | 1998-12-28 | 2001-04-02 | 윤종용 | 입출력 센스앰프의 개수가 최소화된 메모리장치 |
JP3853537B2 (ja) | 1999-04-30 | 2006-12-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体メモリファイルシステム |
US6176135B1 (en) * | 1999-07-27 | 2001-01-23 | Marc Dubois | System and method for laser-ultrasonic frequency control using optimal wavelength tuning |
US7130958B2 (en) | 2003-12-02 | 2006-10-31 | Super Talent Electronics, Inc. | Serial interface to flash-memory chip using PCI-express-like packets and packed data for partial-page writes |
JP3892655B2 (ja) | 1999-09-17 | 2007-03-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US6680904B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-01-20 | Orckit Communications Ltd. | Bi-directional chaining of network access ports |
US20050160218A1 (en) | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Sun-Teck See | Highly integrated mass storage device with an intelligent flash controller |
US6442098B1 (en) | 2000-02-08 | 2002-08-27 | Alliance Semiconductor | High performance multi-bank compact synchronous DRAM architecture |
US6988154B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-01-17 | Arc International | Memory interface and method of interfacing between functional entities |
US6816933B1 (en) | 2000-05-17 | 2004-11-09 | Silicon Laboratories, Inc. | Serial device daisy chaining method and apparatus |
US6535948B1 (en) | 2000-05-31 | 2003-03-18 | Agere Systems Inc. | Serial interface unit |
US6317350B1 (en) | 2000-06-16 | 2001-11-13 | Netlogic Microsystems, Inc. | Hierarchical depth cascading of content addressable memory devices |
US6356487B1 (en) | 2000-08-23 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Memory device having data path containing dual mode flip-flop used for normal operation and for internal testing |
US6754807B1 (en) | 2000-08-31 | 2004-06-22 | Stmicroelectronics, Inc. | System and method for managing vertical dependencies in a digital signal processor |
GB2370667B (en) | 2000-09-05 | 2003-02-12 | Samsung Electronics Co Ltd | Semiconductor memory device having altered clock frequency for address and/or command signals, and memory module and system having the same |
US6317352B1 (en) | 2000-09-18 | 2001-11-13 | Intel Corporation | Apparatus for implementing a buffered daisy chain connection between a memory controller and memory modules |
US6853557B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-02-08 | Rambus, Inc. | Multi-channel memory architecture |
US6658509B1 (en) | 2000-10-03 | 2003-12-02 | Intel Corporation | Multi-tier point-to-point ring memory interface |
FR2816751A1 (fr) | 2000-11-15 | 2002-05-17 | St Microelectronics Sa | Memoire flash effacable par page |
JP2002236611A (ja) | 2000-12-04 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置と情報処理システム |
JP2002298595A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US6642986B2 (en) | 2001-04-13 | 2003-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display device having uniform integrated spacers |
US6757761B1 (en) * | 2001-05-08 | 2004-06-29 | Tera Force Technology Corp. | Multi-processor architecture for parallel signal and image processing |
US6732221B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-04 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd | Wear leveling of static areas in flash memory |
US6996644B2 (en) | 2001-06-06 | 2006-02-07 | Conexant Systems, Inc. | Apparatus and methods for initializing integrated circuit addresses |
US6823402B2 (en) | 2001-11-14 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for distribution of signals from a high level data link controller to multiple digital signal processor cores |
KR100413762B1 (ko) | 2001-07-02 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 뱅크 수를 가변할 수 있는 반도체 장치 및 그 방법 |
WO2003009301A1 (fr) * | 2001-07-17 | 2003-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Dispositif de stockage |
JP2003036681A (ja) | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶装置 |
US6928501B2 (en) | 2001-10-15 | 2005-08-09 | Silicon Laboratories, Inc. | Serial device daisy chaining method and apparatus |
US6914901B1 (en) | 2001-12-05 | 2005-07-05 | Cisco Technology, Inc. | System and method for communicating using multiple memory banks |
US6763426B1 (en) | 2001-12-27 | 2004-07-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Cascadable content addressable memory (CAM) device and architecture |
US6906978B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-06-14 | Intel Corporation | Flexible integrated memory |
US7073022B2 (en) | 2002-05-23 | 2006-07-04 | International Business Machines Corporation | Serial interface for a data storage array |
US7062601B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-06-13 | Mosaid Technologies Incorporated | Method and apparatus for interconnecting content addressable memory devices |
KR100499686B1 (ko) | 2002-07-23 | 2005-07-07 | 주식회사 디지털웨이 | 메모리 확장 가능한 휴대용 플래쉬 메모리 장치 |
CA2396632A1 (en) | 2002-07-31 | 2004-01-31 | Mosaid Technologies Incorporated | Cam diamond cascade architecture |
KR100487539B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 직렬 에이티에이 케이블과 연결되는 불휘발성 반도체메모리 장치 |
EP1424635B1 (en) | 2002-11-28 | 2008-10-29 | STMicroelectronics S.r.l. | Non volatile memory device architecture, for instance a flash kind, having a serial communication interface |
KR100493884B1 (ko) | 2003-01-09 | 2005-06-10 | 삼성전자주식회사 | 시리얼 플래시 메모리에서의 현지 실행을 위한 제어 장치및 그 방법, 이를 이용한 플래시 메모리 칩 |
US7308524B2 (en) | 2003-01-13 | 2007-12-11 | Silicon Pipe, Inc | Memory chain |
US20040199721A1 (en) | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Power Data Communication Co., Ltd. | Multi-transmission interface memory card |
US7571287B2 (en) | 2003-03-13 | 2009-08-04 | Marvell World Trade Ltd. | Multiport memory architecture, devices and systems including the same, and methods of using the same |
US7421525B2 (en) | 2003-05-13 | 2008-09-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | System including a host connected to a plurality of memory modules via a serial memory interconnect |
JP4156986B2 (ja) | 2003-06-30 | 2008-09-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005025473A (ja) | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合入出力装置 |
US7031221B2 (en) | 2003-12-30 | 2006-04-18 | Intel Corporation | Fixed phase clock and strobe signals in daisy chained chips |
CN100495369C (zh) | 2004-01-20 | 2009-06-03 | 特科2000国际有限公司 | 使用多个存储器设备的便携数据存储设备 |
US7930540B2 (en) | 2004-01-22 | 2011-04-19 | Mcafee, Inc. | Cryptographic policy enforcement |
JP2005260321A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nec Corp | ラベルパスネットワークの迂回制御方式 |
JP4697924B2 (ja) | 2004-06-07 | 2011-06-08 | キヤノン株式会社 | データ転送方法 |
KR100705221B1 (ko) | 2004-09-03 | 2007-04-06 | 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. | 플래쉬 메모리 소자 및 이를 이용한 플래쉬 메모리 셀의소거 방법 |
US6950325B1 (en) | 2004-10-07 | 2005-09-27 | Winbond Electronics Corporation | Cascade-connected ROM |
US8041879B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-10-18 | Sandisk Il Ltd | Flash memory backup system and method |
JP2006260124A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Hitachi Ltd | データバックアップ方法 |
WO2007003370A2 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A memory arrangement for multi-processor systems |
US7747833B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-06-29 | Mosaid Technologies Incorporated | Independent link and bank selection |
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Patent Citations (6)
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JPH07319755A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複数ポートメモリ |
JPH08221319A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2003263363A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Ricoh Co Ltd | メモリ制御回路 |
JP2004242332A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Fujitsu Ltd | 高速交換環境でパケットを交換するシステム、方法及び論理 |
JP2005004895A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | 同期バンク型メモリ |
JP2006260127A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Hiroshima Univ | 結合網およびそれを用いたマルチポートメモリ |
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