JP2012176449A - 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 - Google Patents
研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012176449A JP2012176449A JP2011039586A JP2011039586A JP2012176449A JP 2012176449 A JP2012176449 A JP 2012176449A JP 2011039586 A JP2011039586 A JP 2011039586A JP 2011039586 A JP2011039586 A JP 2011039586A JP 2012176449 A JP2012176449 A JP 2012176449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- liquid
- pad
- contact member
- polishing pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 212
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008844 regulatory mechanism Effects 0.000 abstract 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】パッド温度調整機構は、研磨パッド3の表面に接触するパッド接触部材11と、温度調整された液体をパッド接触部材11に供給する液体供給システム30とを有する。パッド接触部材11は、その内部に第1の液体流路21と第2の液体流路22を有し、これらは直列に接続されている。第1の液体流路21と第2の液体流路22には、研磨テーブル2の半径方向に対して略垂直に延びる複数のバッフル25がそれぞれ配置される。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る研磨装置を示す模式図である。図1に示すように、研磨装置は、半導体ウェハなどの基板を保持して回転させるトップリング1と、研磨パッド3を支持する研磨テーブル2と、研磨パッド3の表面に研磨液(例えばスラリー)を供給する研磨液供給機構4と、研磨パッド3の表面温度を調整するパッド温度調整機構5とを備えている。
2 研磨テーブル
3 研磨パッド
4 研磨液供給機構
5 パッド温度調整機構
11 パッド接触部材
12 エアシリンダー
13 モータ
15 板部材
16 流路形成部材
18 仕切り
20 液体流路
21 第1の液体流路
22 第2の液体流路
23 液体流入口
24 液体流出口
25 バッフル
27 断熱材
30 液体供給システム
50 洗浄機構
Claims (16)
- 基板を研磨パッドに摺接させて該基板を研磨する研磨装置において、
前記研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
前記研磨テーブル上の前記研磨パッドに前記基板を押し付けるトップリングと、
前記研磨パッドの表面温度を調整するパッド温度調整機構とを備え、
前記パッド温度調整機構は、前記研磨パッドの表面に接触するパッド接触部材と、温度調整された液体を前記パッド接触部材に供給する液体供給システムとを有し、
前記パッド接触部材は、その内部に空間を有し、該空間は仕切りによって第1の液体流路と第2の液体流路とに分けられ、
前記第1の液体流路と前記第2の液体流路は、直列に接続されており、
前記第1の液体流路は、前記液体供給システムに接続された液体流入口に連通し、
前記第2の液体流路は、前記液体供給システムに接続された液体流出口に連通し、
前記第1の液体流路と前記第2の液体流路には、前記研磨テーブルの半径方向に対して略垂直に延びる少なくとも1つのバッフルがそれぞれ配置されていることを特徴とする研磨装置。 - 前記少なくとも1つのバッフルは、互いに平行に配置された複数のバッフルであることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記少なくとも1つのバッフルは、前記仕切りに対して略垂直に延びることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 前記少なくとも1つのバッフルは、交互に位置をずらして配置された複数のバッフルであり、前記複数のバッフルにより、前記第1の液体流路および前記第2の液体流路はジグザグ流路を構成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 研磨パッド中心側に位置する前記ジグザグ流路の幅は、研磨パッド外周側に位置する前記ジグザグ流路の幅よりも広いことを特徴とする請求項4に記載の研磨装置。
- 前記液体流入口および前記液体流出口は、前記研磨パッドの外周側部位の上方に位置することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記パッド接触部材は、前記研磨パッドに接触する板部材と、前記仕切りを有する流路形成部材とを有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記第1の液体流路および前記第2の液体流路を形成する前記流路形成部材の内面は、断熱材で覆われていることを特徴とする請求項7に記載の研磨装置。
- 前記パッド接触部材は、前記研磨パッドに接触する接触面および前記仕切りを有する流路形成部材と、前記流路部材を覆うカバーとを備えたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記仕切りは、前記研磨テーブルの半径方向に延びていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記パッド温度調整機構は、前記パッド接触部材を昇降させる昇降機構と、前記パッド接触部材を前記研磨パッドの上方にある所定の上昇位置と前記研磨テーブルの半径方向外側にある所定の退避位置との間で移動させる移動機構とをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記パッド温度調整機構は、前記パッド接触部材を洗浄する洗浄機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 基板を研磨パッドに摺接させて該基板を研磨する研磨装置において、
前記研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
前記研磨テーブル上の前記研磨パッドに前記基板を押し付けるトップリングと、
前記研磨パッドの表面温度を調整するパッド温度調整機構とを備え、
前記パッド温度調整機構は、前記研磨パッドの表面に接触するパッド接触部材と、温度調整された液体を前記パッド接触部材に供給する液体供給システムとを有し、
前記パッド接触部材は、その内部に液体流路を有しており、
前記液体流路は、前記液体供給システムに接続された液体流入口および液体流出口に連通しており、
前記液体流路には、前記研磨テーブルの半径方向に対して略垂直に延びる少なくとも1つのバッフルが配置されていることを特徴とする研磨装置。 - 前記少なくとも1つのバッフルは、互いに平行に配置された複数のバッフルであることを特徴とする請求項13に記載の研磨装置。
- 前記少なくとも1つのバッフルは、交互に位置をずらして配置された複数のバッフルであり、前記複数のバッフルにより、前記液体流路はジグザグ流路を構成することを特徴とする請求項13または14に記載の研磨装置。
- 前記液体流入口は、前記研磨パッドの外周側部位の上方に配置されており、前記液体流出口は、前記研磨パッドの中心側部位の上方に配置されていることを特徴とする請求項13乃至15のいずれか一項に記載の研磨装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011039586A JP5628067B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
TW101104875A TWI476070B (zh) | 2011-02-25 | 2012-02-15 | 具備用於研磨墊之溫度調整器之研磨裝置 |
US13/397,908 US9475167B2 (en) | 2011-02-25 | 2012-02-16 | Polishing apparatus having temperature regulator for polishing pad |
KR1020120018406A KR101522070B1 (ko) | 2011-02-25 | 2012-02-23 | 연마 패드용 온도 조정 기구를 구비한 연마 장치 |
KR1020150054196A KR101704187B1 (ko) | 2011-02-25 | 2015-04-17 | 연마 패드용 온도 조정 기구를 구비한 연마 장치와, 패드 접촉 부재의 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011039586A JP5628067B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012176449A true JP2012176449A (ja) | 2012-09-13 |
JP2012176449A5 JP2012176449A5 (ja) | 2013-10-24 |
JP5628067B2 JP5628067B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=46719303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011039586A Active JP5628067B2 (ja) | 2011-02-25 | 2011-02-25 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9475167B2 (ja) |
JP (1) | JP5628067B2 (ja) |
KR (2) | KR101522070B1 (ja) |
TW (1) | TWI476070B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014188596A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Ebara Corp | 研磨装置温度制御システム、及び研磨装置 |
KR20150024781A (ko) | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 및 연마 장치 |
JP2016007652A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調節システムおよびこれを備えた基板処理装置 |
US10099340B2 (en) | 2015-10-20 | 2018-10-16 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including pad contact member with baffle in liquid flow path therein |
KR20200063993A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 온도 조정 장치 및 연마 장치 |
KR20220148106A (ko) | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 에바라코포레이숀 | 연마 장치, 및 연마 방법 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5628067B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2014-11-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
JP5695963B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-04-08 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法 |
JP5927129B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2016-05-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP6139420B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2017-05-31 | 株式会社東芝 | 研磨装置および研磨方法 |
SG10201503374QA (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-27 | Ebara Corp | Substrate Polishing Apparatus |
US9742977B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Camera remote control |
US10414018B2 (en) * | 2016-02-22 | 2019-09-17 | Ebara Corporation | Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad |
JP2018122406A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面温度を調整するための熱交換器、研磨装置、研磨方法、およびコンピュータプログラムを記録した記録媒体 |
JP6923342B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2021-08-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、研磨方法 |
JP7059117B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP6975078B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-12-01 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
US11787007B2 (en) * | 2018-06-21 | 2023-10-17 | Illinois Tool Works Inc. | Methods and apparatus to control a fluid dispenser on a metallurgical specimen preparation machine |
TW202402454A (zh) * | 2018-06-27 | 2024-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 化學機械研磨設備及化學機械研磨方法 |
JP7240931B2 (ja) | 2019-03-29 | 2023-03-16 | 株式会社荏原製作所 | 熱交換器の洗浄装置、および研磨装置 |
TW202110575A (zh) | 2019-05-29 | 2021-03-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨系統的蒸氣處置站 |
US11628478B2 (en) | 2019-05-29 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Steam cleaning of CMP components |
US11633833B2 (en) | 2019-05-29 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Use of steam for pre-heating of CMP components |
US11897079B2 (en) | 2019-08-13 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Low-temperature metal CMP for minimizing dishing and corrosion, and improving pad asperity |
WO2022006008A1 (en) | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Applied Materials, Inc. | Control of steam generation for chemical mechanical polishing |
JP7534419B2 (ja) | 2020-06-29 | 2024-08-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmpにおける温度及びスラリ流量の制御 |
US11577358B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Gas entrainment during jetting of fluid for temperature control in chemical mechanical polishing |
CN115461193A (zh) | 2020-06-30 | 2022-12-09 | 应用材料公司 | 用于cmp温度控制的设备和方法 |
CN112629124A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-09 | 新昌浙江工业大学科学技术研究院 | 力流变抛光液温度调控系统及方法 |
CN112643523A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-13 | 新昌浙江工业大学科学技术研究院 | 带有通孔的球形零件用的力流变抛光设备 |
JP2022149635A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-07 | 株式会社荏原製作所 | パッド温度調整装置、および研磨装置 |
CN117067124B (zh) * | 2023-10-13 | 2023-12-26 | 歌玛磨具南通有限公司 | 一种自冷却磨削砂轮 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05237761A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨機の除熱方法 |
JPH09123057A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-13 | Sony Corp | 基板研磨装置 |
JP2000225563A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 研磨定盤支持機構 |
JP2002057131A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハ研磨加工用定盤の形状制御機構 |
JP2006074060A (ja) * | 2000-01-31 | 2006-03-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨方法 |
JP2007136560A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hamai Co Ltd | 平面研磨装置 |
JP2008235609A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2008307630A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2997312A (en) * | 1955-08-13 | 1961-08-22 | Daimler Benz Ag | Brake system for vehicles |
US3516522A (en) * | 1968-08-14 | 1970-06-23 | Gen Tire & Rubber Co | Liquid cooled wheel and brake assembly |
US3592298A (en) * | 1969-07-02 | 1971-07-13 | Gen Motors Corp | Brake heat pipe cooling |
US4088266A (en) * | 1976-06-24 | 1978-05-09 | International Solarthermics Corporation | Method and apparatus for collecting, storing and transmitting solar heat |
BE1007213A5 (nl) * | 1993-06-11 | 1995-04-25 | Atlas Copco Airpower Nv | Warmtewisselaar. |
US5355945A (en) * | 1993-11-25 | 1994-10-18 | Delio Sanz | Heat exchanger and method of fabrication |
JPH07310998A (ja) * | 1994-05-17 | 1995-11-28 | Kankyo Kagaku Kogyo Kk | 熱交換器 |
KR100282160B1 (ko) * | 1996-05-07 | 2001-03-02 | 가야시마 고조 | 기판처리장치 및 처리방법 |
JP3672685B2 (ja) | 1996-11-29 | 2005-07-20 | 松下電器産業株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
TW396085B (en) * | 1997-07-16 | 2000-07-01 | Ind Tech Res Inst | Method and apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) with temperature compensation |
TW458849B (en) * | 1999-07-23 | 2001-10-11 | Applied Materials Inc | Temperature control device for chemical mechanical polishing |
DE60133231T2 (de) * | 2000-01-31 | 2008-07-03 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierverfahren |
WO2002028160A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Nanostream, Inc. | Microfluidic devices for heat transfer |
US6736952B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-05-18 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece |
US6588379B2 (en) * | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Bwx Technologies, Inc. | Multi-stream energy source steam generator system |
US7314402B2 (en) * | 2001-11-15 | 2008-01-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for controlling slurry distribution |
US6631077B2 (en) * | 2002-02-11 | 2003-10-07 | Thermal Corp. | Heat spreader with oscillating flow |
JP2003275948A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の研磨装置 |
US6896586B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-24 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for heating polishing pad |
AUPS173602A0 (en) * | 2002-04-15 | 2002-05-23 | Safe Effect Pty Ltd | Fluid cooled brake housing |
JP2004042217A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Ebara Corp | 研磨方法、研磨装置および研磨工具の製造方法 |
US7126822B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-24 | Intel Corporation | Electronic packages, assemblies, and systems with fluid cooling |
US20080047786A1 (en) * | 2003-06-06 | 2008-02-28 | Safe Effect Pty Ltd | Fluid cooled wet brake system |
US7105446B2 (en) * | 2003-09-04 | 2006-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for pre-conditioning CMP polishing pad |
KR100513402B1 (ko) | 2003-09-25 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 패드의 컨디셔너 클리닝장치 |
JP2005131732A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Ebara Corp | 研磨装置 |
US7368017B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for semiconductor wafer planarization |
EP1610081A1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-28 | Haldor Topsoe A/S | Heat exchange process and heat exchanger |
KR100655284B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는로드컵 |
TWI278426B (en) * | 2004-12-30 | 2007-04-11 | Prec Instr Dev Ct Nat | Composite plate device for thermal transpiration micropump |
US8211242B2 (en) * | 2005-02-07 | 2012-07-03 | Ebara Corporation | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program |
US7374027B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-05-20 | Warner Electric Technology Llc | Balanced flow cooling water jacket |
JP4787063B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-10-05 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
US7452264B2 (en) * | 2006-06-27 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Pad cleaning method |
CN101808780A (zh) * | 2007-09-03 | 2010-08-18 | 塞米奎斯特股份有限公司 | 抛光垫 |
KR20090052981A (ko) | 2007-11-22 | 2009-05-27 | 삼성전자주식회사 | 씨엠피의 클리닝 장치 |
DE102007063232B4 (de) * | 2007-12-31 | 2023-06-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum Polieren eines Substrats |
US8292691B2 (en) * | 2008-09-29 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Use of pad conditioning in temperature controlled CMP |
US8269341B2 (en) * | 2008-11-21 | 2012-09-18 | Infineon Technologies Ag | Cooling structures and methods |
US20100279435A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | Applied Materials, Inc. | Temperature control of chemical mechanical polishing |
US8133097B2 (en) * | 2009-05-07 | 2012-03-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing apparatus |
JP5547472B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-07-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 |
JP5628067B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2014-11-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 |
TWI565559B (zh) * | 2011-07-19 | 2017-01-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置及方法 |
-
2011
- 2011-02-25 JP JP2011039586A patent/JP5628067B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-15 TW TW101104875A patent/TWI476070B/zh active
- 2012-02-16 US US13/397,908 patent/US9475167B2/en active Active
- 2012-02-23 KR KR1020120018406A patent/KR101522070B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-04-17 KR KR1020150054196A patent/KR101704187B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05237761A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨機の除熱方法 |
JPH09123057A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-13 | Sony Corp | 基板研磨装置 |
JP2000225563A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 研磨定盤支持機構 |
JP2006074060A (ja) * | 2000-01-31 | 2006-03-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨方法 |
JP2002057131A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウェーハ研磨加工用定盤の形状制御機構 |
JP2007136560A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Hamai Co Ltd | 平面研磨装置 |
JP2008235609A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 研磨方法及び研磨装置 |
JP2008307630A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Ebara Corp | 研磨装置の研磨面加熱、冷却装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014188596A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Ebara Corp | 研磨装置温度制御システム、及び研磨装置 |
US10195712B2 (en) | 2013-08-27 | 2019-02-05 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
CN110076683A (zh) * | 2013-08-27 | 2019-08-02 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置 |
KR20210035131A (ko) | 2013-08-27 | 2021-03-31 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 |
US9782870B2 (en) | 2013-08-27 | 2017-10-10 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
JP2017193048A (ja) * | 2013-08-27 | 2017-10-26 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
US10035238B2 (en) | 2013-08-27 | 2018-07-31 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
CN104416451A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法及研磨装置 |
KR20150024781A (ko) | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 및 연마 장치 |
US10710208B2 (en) | 2013-08-27 | 2020-07-14 | Ebara Corporation | Polishing method and polishing apparatus |
JP2016007652A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの温度調節システムおよびこれを備えた基板処理装置 |
US10099340B2 (en) | 2015-10-20 | 2018-10-16 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including pad contact member with baffle in liquid flow path therein |
KR20200063993A (ko) * | 2018-11-28 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 온도 조정 장치 및 연마 장치 |
US11577357B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-02-14 | Ebara Corporation | Temperature adjusting device and polishing device |
KR102512402B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2023-03-22 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 온도 조정 장치 및 연마 장치 |
KR20220148106A (ko) | 2021-04-28 | 2022-11-04 | 에바라코포레이숀 | 연마 장치, 및 연마 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150048687A (ko) | 2015-05-07 |
JP5628067B2 (ja) | 2014-11-19 |
TW201249593A (en) | 2012-12-16 |
TWI476070B (zh) | 2015-03-11 |
KR101522070B1 (ko) | 2015-05-20 |
KR20120098455A (ko) | 2012-09-05 |
US20120220196A1 (en) | 2012-08-30 |
KR101704187B1 (ko) | 2017-02-07 |
US9475167B2 (en) | 2016-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5628067B2 (ja) | 研磨パッドの温度調整機構を備えた研磨装置 | |
JP5547472B2 (ja) | 基板研磨装置、基板研磨方法、及び基板研磨装置の研磨パッド面温調装置 | |
US20230029290A1 (en) | Temperature control of chemical mechanical polishing | |
KR102700536B1 (ko) | 분배시 혼합에 의한 슬러리 온도 제어 | |
JP7355861B2 (ja) | 化学機械研磨のための水蒸気生成 | |
US20190126428A1 (en) | Heat exchanger for regulating temperature of polishing surface of polishing pad, polishing apparatus having such heat exchanger, polishing method for substrate using such heat exchanger, and computer-readable storage medium storing a program for regulating temperature of polishing surface of polishing pad | |
US10099340B2 (en) | Polishing apparatus including pad contact member with baffle in liquid flow path therein | |
US11697187B2 (en) | Temperature-based assymetry correction during CMP and nozzle for media dispensing | |
US20240157504A1 (en) | Apparatus and method for cmp temperature control | |
JP2019081241A (ja) | 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US20220355440A1 (en) | Hot water generation method for chemical mechanical polishing | |
JP7217202B2 (ja) | 温度調整装置および研磨装置 | |
KR102701508B1 (ko) | 디싱 및 부식을 최소화하고 패드 돌기를 개선하기 위한 저온 금속 cmp | |
JP7557608B2 (ja) | 化学機械研磨のための温水生成 | |
CN207534605U (zh) | 化学机械式研磨装置 | |
KR20240135020A (ko) | 분배시 혼합에 의한 슬러리 온도 제어 | |
JP2016119406A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20240135038A (ko) | 디싱 및 부식을 최소화하고 패드 돌기를 개선하기 위한 저온 금속 cmp |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130906 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141001 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5628067 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |