JP2012174331A - 不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法 - Google Patents
不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012174331A JP2012174331A JP2011289737A JP2011289737A JP2012174331A JP 2012174331 A JP2012174331 A JP 2012174331A JP 2011289737 A JP2011289737 A JP 2011289737A JP 2011289737 A JP2011289737 A JP 2011289737A JP 2012174331 A JP2012174331 A JP 2012174331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- erase
- block
- memory device
- command
- controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置の動作方法は、コントローラから出力されたブロックアドレスとイレース命令とを受信する段階と、ブロックアドレスに相応するブロックに対して、イレース命令によって行われるイレース動作が完了するまで、イレース動作に関連したパラメータ値を変更する段階と、最後に変更されたパラメータ値に相応する情報を保存する段階と、コントローラから出力された命令によって、情報をコントローラに伝送する段階と、を有する。
【選択図】図3
Description
また、本発明の目的は、劣化度情報を用いてイレース動作の対象となったブロックのウェアレベリングのレベルを調節することができるウェアレベリング方法を提供することにある。
前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令(read status command)である。
前記パラメータ値は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数(incremental−step−pulse erase loop count)、ISPE電圧(incremental−step−pulse erase voltage)、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数である。
前記情報は、前記イレース動作の成功又は失敗を表わす状態ビットと共に前記コントローラに伝送される。
前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令である。
前記コントローラの動作方法は、前記何れか1つのグループに分類された前記ブロックの現在のウェアレベリングのレベルを、前記解析結果によって、前記複数のグループのうちから他のグループに再分類する段階を更に含む。
前記コントローラの動作方法は、前記コントローラが、前記分類結果又は前記再分類結果を前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階を更に含む。
前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わす。
前記メモリシステムの動作方法は、前記不揮発性メモリ装置が、前記ブロックに対して、前記イレース命令によって行われる前記イレース動作が完了するまで、前記イレース動作に関連した前記パラメータ値を変更し、最後に変更されたパラメータ値を前記情報として保存する段階と、前記不揮発性メモリ装置が、前記命令がリード状態命令である時、前記リード状態命令に応答して、前記情報を前記コントローラに伝送する段階と、を更に含む。
前記メモリシステムの動作方法は、前記コントローラが、前記何れか1つのグループに分類された前記ブロックの現在のウェアレベリングのレベルを、前記解析結果によって、前記複数のグループのうちから他のグループに再分類する段階を更に含む。
前記メモリシステムは、スマートカード又はSSD(Solid State Drive)である。
前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令であり、前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わす。
前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令であり、前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数である。
前記情報は、前記イレース動作の成功又は失敗を表わす状態ビットと共に前記コントローラに伝送される。
前記劣化度情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わす。
(Ready/Busy)出力をモニタリングし、該モニタリング結果によって、プログラム動作(又はプログラムサイクル)又はイレース動作(又はイレースサイクル)の終了を検出し、プログラム動作又はイレース動作が終了した時、メモリコントローラ20は、命令CMD、例えばリード状態命令を不揮発性メモリ装置30に伝送する。
出力がロー(low)レベルである時、これは、不揮発性メモリ装置30でプログラム動作、リード動作、又はイレース動作が行われていることを示す。
出力が、ローレベルからハイ(high)レベルに遷移(transition)すると、プログラム動作、リード動作、又はイレース動作が完了(complete)したことを意味する。
出力は、ローからハイに遷移する。メモリコントローラ20は、ハイレベルに遷移した
出力に応答して、第3命令、例えば70hに表現されうるリード状態命令をデータピンI/Oxを通じて不揮発性メモリ装置30に伝送する。
出力に応答して、リード状態命令、例えば70hを不揮発性メモリ装置30に伝送する。不揮発性メモリ装置30は、リード状態命令によって、メモリ、例えば図5に示す状態レジスタ151又はメモリセルアレイ120に保存された、最後に変更されたパラメータ値に相応する情報、即ち状態レジスタデータSRDをプロセッサ21に出力する。
出力によって、リード状態命令、例えば70hを不揮発性メモリ装置30に伝送する。不揮発性メモリ装置30は、リード状態命令を受信し(ステップS120)、該受信したリード状態命令によって、メモリ、例えば図5に示した状態レジスタ151又はメモリセルアレイ120に保存された、最後に変更されたパラメータ値に相応する情報、即ち状態レジスタデータSRDをプロセッサ21に出力する(図9のステップS122と図10の35)。
20 メモリコントローラ
21 プロセッサ
22 ROM
23 RAM
30 不揮発性メモリ装置
30′ メモリコア
120 メモリセルアレイ
122 アクセス回路
128 電圧供給回路
130 電圧発生器
140 ローデコーダ
150 コントロールロジック
151 状態レジスタ
160 カラムデコーダ
170 ページバッファ及び感知増幅器ブロック
180 Y−ゲーティング回路
190 入出力ブロック
200 データ処理システム
210 インターフェースドライバー
220 カードインターフェースコントローラ
230 メモリコアインターフェース
300 データ処理装置(SSD)
310 フラッシュメモリコントローラ
330 バッファマネージャー
340 揮発性メモリ装置(DRAM)
350 ホスト
Claims (22)
- コントローラから出力されたブロックアドレスとイレース命令とを受信する段階と、
前記ブロックアドレスに相応するブロックに対して、前記イレース命令によって行われるイレース動作が完了するまで、該イレース動作に関連したパラメータ値を変更する段階と、
最後に変更されたパラメータ値に相応する情報を保存する段階と、
前記コントローラから出力された命令によって、前記情報を前記コントローラに伝送する段階と、を有することを特徴とする不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令(read status command)であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記パラメータ値は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数(incremental−step−pulse erase loop count)、ISPE電圧(incremental−step−pulse erase voltage)、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数であることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記情報は、前記イレース動作の成功又は失敗を表わす状態ビットと共に前記コントローラに伝送されることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 不揮発性メモリ装置の動作を制御するコントローラの動作方法であって、
前記不揮発性メモリ装置に具現されたブロックをイレースするために、該ブロックに対するブロックアドレスとイレース命令とを該不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
命令を前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
前記不揮発性メモリ装置から、前記命令に応答して出力され、前記イレース命令によるイレース動作に関連したパラメータ値に相応する情報を受信する段階と、
前記受信した情報を解析し、該解析結果によって前記ブロックのウェアレベリングのレベルを複数のグループのうちの何れか1つのグループに分類する段階と、を有することを特徴とするメモリコントローラの動作方法。 - 前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令であることを特徴とする請求項5に記載のメモリコントローラの動作方法。
- 前記何れか1つのグループに分類された前記ブロックの現在のウェアレベリングのレベルを、前記解析結果によって、前記複数のグループのうちから他のグループに再分類する段階を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のメモリコントローラの動作方法。
- 前記コントローラは、前記分類結果又は前記再分類結果を前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階を更に含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリコントローラの動作方法。
- 前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わすことを特徴とする請求項6に記載のメモリコントローラの動作方法。
- ブロックが具現された不揮発性メモリ装置及び該不揮発性メモリ装置の動作を制御するコントローラを含むメモリシステムの動作方法であって、
前記コントローラが、前記ブロックに対するブロックアドレスとイレース命令とを前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
前記コントローラが、命令を前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
前記コントローラが、前記不揮発性メモリ装置から、前記命令に応答して出力され、前記イレース命令によるイレース動作に関連したパラメータ値に相応する情報を受信する段階と、
前記コントローラが、前記受信した情報を解析し、該解析結果によって前記ブロックのウェアレベリングのレベルを複数のグループのうちの何れか1つのグループに分類する段階と、を有することを特徴とするメモリシステムの動作方法。 - 前記不揮発性メモリ装置が、前記ブロックに対して、前記イレース命令によって行われる前記イレース動作が完了するまで、前記イレース動作に関連した前記パラメータ値を変更し、最後に変更されたパラメータ値を前記情報として保存する段階と、
前記不揮発性メモリ装置が、前記命令がリード状態命令である時、前記リード状態命令に応答して、前記情報を前記コントローラに伝送する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項10に記載のメモリシステムの動作方法。 - 前記コントローラが、前記何れか1つのグループに分類された前記ブロックの現在のウェアレベリングのレベルを、前記解析結果によって、前記複数のグループのうちから他のグループに再分類する段階を更に含むことを特徴とする請求項11に記載のメモリシステムの動作方法。
- 前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わすことを特徴とする請求項11に記載のメモリシステムの動作方法。
- 前記メモリシステムは、スマートカードであることを特徴とする請求項10に記載のメモリシステムの動作方法。
- 前記メモリシステムは、SSD(Solid State Drive)であることを特徴とする請求項10に記載のメモリシステムの動作方法。
- プログラムを保存するメモリと、
前記メモリに保存された前記プログラムを実行するプロセッサと、を備え、
前記プログラムによって、前記プロセッサは、
不揮発性メモリ装置に具現されたブロックをイレースするために、該ブロックに対するブロックアドレスとイレース命令とを該不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
命令を前記不揮発性メモリ装置に伝送する段階と、
前記不揮発性メモリ装置から、前記命令に応答して出力され、前記イレース命令によるイレース動作に関連したパラメータ値に相応する情報を受信する段階と、
前記受信した情報を解析し、該解析結果によって前記ブロックのウェアレベリングのレベルを複数のグループのうちの何れか1つのグループに分類する段階と、を実行することを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令であり、
前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わすことを特徴とする請求項16に記載のメモリコントローラ。 - 複数のブロックを含むメモリセルアレイと、
コントローラから出力されたブロックアドレスとイレース命令とを受信し、前記複数のブロックのうちから前記ブロックアドレスによって指定されたブロックに対して、前記イレース命令によって行われるイレース動作が完了するまで、該イレース動作に関連したパラメータ値を変更し、最後に変更されたパラメータ値に相応する情報をメモリ保存し、前記コントローラから出力された命令によって、前記情報を前記コントローラに伝送するコントロールロジックと、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記命令は、前記イレース動作の成功又は失敗についての情報を要求するリード状態命令であり、
前記情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わすことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記情報は、前記イレース動作の成功又は失敗を表わす状態ビットと共に前記コントローラに伝送されることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
- 不揮発性メモリのブロックについての劣化度情報を受信する段階と、
前記劣化度情報に基づいて少なくとも1つの劣化度指標を決定する段階と、
前記決定された劣化度指標に基づいて、前記ブロックをウェアレベリンググループ(wear−leveling group)に分類する段階と、を有し、
前記劣化度指標は、前記ブロックのメモリセルにトラップされた電荷量を表わすことを特徴とするウェアレベリング方法。 - 前記劣化度情報は、前記ブロックがイレースされるまでに必要な時間、ISPEループ回数、ISPE電圧、ISPEの各イレースループの各イレースパルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、イレース検証パルスの幅と振幅とのうちの少なくとも1つ、前記不揮発性メモリ装置の温度、前記イレース動作途中で前記ブロックに供給される電圧、又は前記ブロックに対するイレース回数を表わすことを特徴とする請求項21に記載のウェアレベリング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0015475 | 2011-02-22 | ||
KR1020110015475A KR20120096212A (ko) | 2011-02-22 | 2011-02-22 | 비휘발성 메모리 장치, 메모리 컨트롤러, 및 이들의 동작 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012174331A true JP2012174331A (ja) | 2012-09-10 |
Family
ID=46605048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011289737A Ceased JP2012174331A (ja) | 2011-02-22 | 2011-12-28 | 不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120213005A1 (ja) |
JP (1) | JP2012174331A (ja) |
KR (1) | KR20120096212A (ja) |
CN (1) | CN102646447A (ja) |
DE (1) | DE102011056526A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040165A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリ装置 |
JP2014068017A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 非対称シリサイド構造を含む電界効果トランジスタ及び関連した装置 |
US9292210B1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-22 | International Business Machines Corporation | Thermally sensitive wear leveling for a flash memory device that includes a plurality of flash memory modules |
CN105989888A (zh) * | 2015-03-19 | 2016-10-05 | 爱思开海力士有限公司 | 非易失性存储器件及其操作方法和具有其的测试系统 |
US10249349B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-04-02 | Toshiba Memory Corporation | Control system |
US10395723B2 (en) | 2017-03-07 | 2019-08-27 | Toshiba Memory Corporation | Memory system that differentiates voltages applied to word lines |
US10658055B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-05-19 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method for controlling memory system |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102331943B (zh) * | 2011-09-08 | 2014-09-17 | 威盛电子股份有限公司 | 在线更新存储器系统与方法 |
US8879330B1 (en) * | 2013-04-30 | 2014-11-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) with variable verify operations |
US9646705B2 (en) * | 2013-06-12 | 2017-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory systems including nonvolatile memory devices and dynamic access methods thereof |
US10067829B2 (en) | 2013-12-13 | 2018-09-04 | Intel Corporation | Managing redundancy information in a non-volatile memory |
KR20150094129A (ko) * | 2014-02-10 | 2015-08-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102187524B1 (ko) | 2014-02-13 | 2020-12-07 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
KR102187116B1 (ko) | 2014-04-07 | 2020-12-04 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템, 및 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 |
US10365835B2 (en) * | 2014-05-28 | 2019-07-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for performing write count threshold wear leveling operations |
KR102290974B1 (ko) * | 2014-11-07 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 그것들을 포함하는 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 |
KR102291309B1 (ko) * | 2015-05-20 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102348092B1 (ko) | 2015-09-14 | 2022-01-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
US10203884B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-02-12 | Intel Corporation | Methods and apparatus to perform erase-suspend operations in memory devices |
KR102637160B1 (ko) | 2016-04-14 | 2024-02-19 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
US10289487B2 (en) | 2016-04-27 | 2019-05-14 | Silicon Motion Inc. | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device |
US10133664B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-11-20 | Silicon Motion Inc. | Method, flash memory controller, memory device for accessing 3D flash memory having multiple memory chips |
CN111679787B (zh) | 2016-04-27 | 2023-07-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法 |
US10019314B2 (en) * | 2016-04-27 | 2018-07-10 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
CN107391026B (zh) | 2016-04-27 | 2020-06-02 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置及闪存存储管理方法 |
US9910772B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-03-06 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
US10025662B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-07-17 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
US10110255B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-10-23 | Silicon Motion Inc. | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device |
US10514862B2 (en) | 2016-07-21 | 2019-12-24 | Micron Technology, Inc. | Memory device including concurrent suspend states for different operations |
KR102618699B1 (ko) | 2016-09-28 | 2024-01-02 | 삼성전자주식회사 | 호스트에 의해 제어되는 스토리지 장치를 포함하는 컴퓨팅 시스템 |
CN108228075A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-29 | 北京忆恒创源科技有限公司 | 访问存储器的方法和设备 |
US9799387B1 (en) * | 2016-12-21 | 2017-10-24 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated circuits with programmable memory cells and methods for programming the same |
US10698460B2 (en) * | 2017-03-13 | 2020-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Advanced thermal control for SSD |
KR102524916B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2023-04-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
CN110275668B (zh) * | 2018-03-14 | 2022-09-13 | 群联电子股份有限公司 | 区块管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置 |
KR102434986B1 (ko) * | 2018-03-30 | 2022-08-22 | 삼성전자주식회사 | 데이터 신뢰성이 개선된 메모리 장치 및 이의 동작방법 |
US11205485B2 (en) * | 2018-03-30 | 2021-12-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Three-dimensional NAND flash memory device having improved data reliability by varying program intervals, and method of operating the same |
KR20200060155A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-05-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
CN111863091B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-07-08 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种控制擦除性能的方法和装置 |
US11328778B2 (en) * | 2020-07-09 | 2022-05-10 | Stmicroelectronics S.R.L. | Methods and devices for wear leveling |
US11494299B2 (en) | 2021-02-18 | 2022-11-08 | Silicon Motion, Inc. | Garbage collection operation management with early garbage collection starting point |
US20220300184A1 (en) * | 2021-03-19 | 2022-09-22 | Silicon Motion, Inc. | Method of performing wear-leveling operation in flash memory and related controller and storage system |
KR20220169285A (ko) * | 2021-06-18 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 서브 워드라인 구동 회로를 포함하는 메모리 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652694A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリの寿命検出方式 |
JP2006504221A (ja) * | 2002-10-28 | 2006-02-02 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶システムにおける最高頻度消去ブロックの追跡 |
JP2006228406A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-31 | Saifun Semiconductors Ltd | 1つ又はそれ以上の不揮発性メモリセルを消去する方法、回路及びシステム |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7349118B2 (en) * | 2001-10-19 | 2008-03-25 | Xerox Corp. | Confirmation of secure data file erasure |
US7096313B1 (en) * | 2002-10-28 | 2006-08-22 | Sandisk Corporation | Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems |
US20040114265A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-17 | Xerox Corporation | User-selectable automatic secure data file erasure of job after job completion |
US6944063B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-09-13 | Sandisk Corporation | Non-volatile semiconductor memory with large erase blocks storing cycle counts |
US20090204872A1 (en) * | 2003-12-02 | 2009-08-13 | Super Talent Electronics Inc. | Command Queuing Smart Storage Transfer Manager for Striping Data to Raw-NAND Flash Modules |
TWI343531B (en) * | 2003-12-19 | 2011-06-11 | Oce Tech Bv | Erasing a stored information pattern on a storage medium |
US20060010301A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for file guard and file shredding |
US7246209B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for secure erasing of files |
US20060120235A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Teac Aerospace Technologies | System and method of erasing non-volatile recording media |
US20060155944A1 (en) * | 2005-01-13 | 2006-07-13 | Hitachi, Ltd. | System and method for data migration and shredding |
US7224604B2 (en) * | 2005-03-14 | 2007-05-29 | Sandisk Il Ltd. | Method of achieving wear leveling in flash memory using relative grades |
US7752387B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-07-06 | International Business Machines Corporation | Offloading firmware update tasks from RAID adapter to distributed service processors in switched drive connection network enclosure |
US20070300031A1 (en) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Ironkey, Inc. | Memory data shredder |
US20080028141A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Kalos Matthew J | System and Method for Implementing Hard Disk Drive Data Clear and Purge |
US20080049512A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Konrad Seidel | Nonvolatile memory device and method of programming the same |
US8935302B2 (en) * | 2006-12-06 | 2015-01-13 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc | Apparatus, system, and method for data block usage information synchronization for a non-volatile storage volume |
WO2008070191A2 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Fusion Multisystems, Inc. (Dba Fusion-Io) | Apparatus, system, and method for a reconfigurable baseboard management controller |
KR100811274B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 낸드형 플래쉬 메모리소자의 데이터 소거방법 |
US8793457B2 (en) * | 2007-01-22 | 2014-07-29 | International Business Machines Corporation | Method and system for policy-based secure destruction of data |
JP5042660B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2012-10-03 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム |
KR100843037B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2008-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 장치 및 이의 소거 방법 |
KR100859258B1 (ko) * | 2007-09-10 | 2008-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 장치 및 동작 방법 |
JP2009098887A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Hitachi Ltd | 記憶システム及びデータ消去方法 |
US8140746B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-03-20 | Spansion Llc | Intelligent memory data management |
US8085586B2 (en) * | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Anobit Technologies Ltd. | Wear level estimation in analog memory cells |
US20090190255A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and for wide track erasure in a hard disk drive |
KR20100013485A (ko) * | 2008-07-31 | 2010-02-10 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 웨어 레벨링 방법 |
JP5107833B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-12-26 | 株式会社日立製作所 | ストレージシステム及びストレージシステムの制御方法 |
JP4769853B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2011-09-07 | 株式会社日立製作所 | 記憶制御装置及び記憶装置のデータ消去方法 |
US8275933B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-09-25 | Fusion-10, Inc | Apparatus, system, and method for managing physical regions in a solid-state storage device |
US8374036B2 (en) * | 2008-11-14 | 2013-02-12 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of operating nonvolatile memory device |
KR101100547B1 (ko) * | 2008-11-20 | 2011-12-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 소자의 소거 방법 |
US20100174865A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-08 | International Business Machines Corporation | Dynamic data security erasure |
US8024530B2 (en) * | 2009-01-14 | 2011-09-20 | Cms Products, Inc. | Security erase of a delete file and of sectors not currently assigned to a file |
KR101029825B1 (ko) | 2009-08-07 | 2011-04-18 | 주식회사 엑스엘티 | 도전성 소켓 및 그 제조방법 |
-
2011
- 2011-02-22 KR KR1020110015475A patent/KR20120096212A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-12-16 DE DE102011056526A patent/DE102011056526A1/de not_active Withdrawn
- 2011-12-28 JP JP2011289737A patent/JP2012174331A/ja not_active Ceased
- 2011-12-30 CN CN2011104541012A patent/CN102646447A/zh active Pending
-
2012
- 2012-02-16 US US13/398,204 patent/US20120213005A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0652694A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリの寿命検出方式 |
JP2006504221A (ja) * | 2002-10-28 | 2006-02-02 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶システムにおける最高頻度消去ブロックの追跡 |
JP2006228406A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-31 | Saifun Semiconductors Ltd | 1つ又はそれ以上の不揮発性メモリセルを消去する方法、回路及びシステム |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040165A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリ装置 |
JP2014068017A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 非対称シリサイド構造を含む電界効果トランジスタ及び関連した装置 |
US9292210B1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-22 | International Business Machines Corporation | Thermally sensitive wear leveling for a flash memory device that includes a plurality of flash memory modules |
CN105989888A (zh) * | 2015-03-19 | 2016-10-05 | 爱思开海力士有限公司 | 非易失性存储器件及其操作方法和具有其的测试系统 |
CN105989888B (zh) * | 2015-03-19 | 2020-07-17 | 爱思开海力士有限公司 | 非易失性存储器件及其操作方法和具有其的测试系统 |
US10395723B2 (en) | 2017-03-07 | 2019-08-27 | Toshiba Memory Corporation | Memory system that differentiates voltages applied to word lines |
US10249349B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-04-02 | Toshiba Memory Corporation | Control system |
US10658055B2 (en) | 2017-03-24 | 2020-05-19 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and method for controlling memory system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011056526A1 (de) | 2012-08-23 |
CN102646447A (zh) | 2012-08-22 |
KR20120096212A (ko) | 2012-08-30 |
US20120213005A1 (en) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012174331A (ja) | 不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法 | |
US9886214B2 (en) | Nonvolatile memory system with erase suspend circuit and method for erase suspend management | |
US9779833B2 (en) | Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device | |
CN102298966B (zh) | 非易失性存储器设备、系统及编程方法 | |
CN109671462A (zh) | 具有参数校准功能的存储设备及其操作方法 | |
KR101891164B1 (ko) | 프로그램 스케줄러를 포함하는 플래시 메모리 장치 | |
US20150340099A1 (en) | Operating method of storage device | |
KR20180058890A (ko) | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법 | |
KR20180027710A (ko) | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법 | |
CN110400588A (zh) | 存储器装置以及该存储器装置的操作方法 | |
CN102651236B (zh) | 存储装置和控制存储装置的擦除操作的方法 | |
US20140043901A1 (en) | Nonvolatile memory device and operating method with variable memory cell state definitions | |
US9030878B2 (en) | Semiconductor memory device including a plurality of cell strings, memory system including the same, and control method thereof | |
KR20150103932A (ko) | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 | |
CN109308931A (zh) | 存储装置及其操作方法 | |
KR20200014136A (ko) | 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법 | |
CN110244093A (zh) | 低电压检测电路与包括该低电压检测电路的存储器装置 | |
US20230050399A1 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
US8902665B2 (en) | Solid state storage system for uniformly using memory area and method controlling the same | |
CN108694989A (zh) | 存储设备及其坏块指派方法 | |
US20210334000A1 (en) | Memory system, memory controller and memory device for configuring super blocks | |
KR20150007397A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 | |
CN110648708A (zh) | 半导体存储器装置、其操作方法以及存储器系统 | |
US9672914B1 (en) | Semiconductor memory device and operating method thereof | |
US9627075B1 (en) | Semiconductor memory device and semiconductor system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20161129 |