JPH0652694A - フラッシュメモリの寿命検出方式 - Google Patents
フラッシュメモリの寿命検出方式Info
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- JPH0652694A JPH0652694A JP20343992A JP20343992A JPH0652694A JP H0652694 A JPH0652694 A JP H0652694A JP 20343992 A JP20343992 A JP 20343992A JP 20343992 A JP20343992 A JP 20343992A JP H0652694 A JPH0652694 A JP H0652694A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、フラッシュメモリを用いた半導体記
憶装置におけるフラッシュメモリの寿命を検出する方式
を提供することを目的とする。 【構成】メモリコントローラ５、フラッシュメモリ４間
のアドレスバス６、データバス７、制御信号８を監視す
ることでメモリコントローラ５からフラッシュメモリ４
へのデータ消去命令を検出する手段と、前記消去命令の
後フラッシュメモリ４上のデータが消去されたことを検
出する手段と、前記消去命令とフラッシュメモリ４上の
データの消去が完了するまでの時間を計測する手段を備
えたフラッシュメモリの寿命検出方式。 【効果】フラッシュメモリの寿命を早期に認識すること
ができる。
憶装置におけるフラッシュメモリの寿命を検出する方式
を提供することを目的とする。 【構成】メモリコントローラ５、フラッシュメモリ４間
のアドレスバス６、データバス７、制御信号８を監視す
ることでメモリコントローラ５からフラッシュメモリ４
へのデータ消去命令を検出する手段と、前記消去命令の
後フラッシュメモリ４上のデータが消去されたことを検
出する手段と、前記消去命令とフラッシュメモリ４上の
データの消去が完了するまでの時間を計測する手段を備
えたフラッシュメモリの寿命検出方式。 【効果】フラッシュメモリの寿命を早期に認識すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラッシュメモリを利
用した情報処理装置、特に半導体記憶装置に関する。
用した情報処理装置、特に半導体記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報機器の補助記憶装置の従来技術とし
ては磁気記憶装置が最も一般的であるが、磁気記憶装置
では書き込むファイルをセクタと呼ぶ記憶単位に分割
し、記憶媒体の物理的な位置に対応させて記憶する。す
なわちあるファイルの書き換えにおいては基本的に同一
位置に書き込みが行われ、書き込みデータが増えるとそ
の分だけ新たなセクタへの書き込みを行う。これに対し
別の補助記憶装置として光ディスク装置が挙げられる。
現在一般的な光ディスクは、書き込みが一回だけ可能で
消去は不可能である。従って一度書き込んだファイルの
書き換え時は実際には書き換えを行わず、別の領域に書
き込んで以前書き込んだデータは無効にして以後読み出
さないようにする。つまり磁気ディスク装置と異なり、
書き換えデータと記憶場所には全く関連性を持たせな
い、という方式で補助記憶装置の機能を果たしている。
以上のようなディスクを回転させて大容量のデータを高
速にアクセスし、補助記憶装置の機能を果たす記憶装置
にたいし、半導体メモリを用いて補助記憶装置とする半
導体ファイル記憶装置が近年脚光を浴びている。特に電
気的に書き換えが可能な不揮発性メモリ（以下ＥＥＰＲ
ＯＭと記す）を用いたものが今後半導体ファイル記憶装
置の主流になると考えられる。その中で近頃ＥＥＰＲＯ
Ｍの一種でフラッシュＥＥＰＲＯＭメモリ（以下フラッ
シュメモリと略す）というビット単価が安価なメモリが
開発された。このフラッシュメモリを用いた技術の一つ
として特開平２−２９２７９８号がある。これはフラッ
シュメモリを用いた記憶システムであり、フラッシュメ
モリの欠点である書き換え時に行う消去の回数制限を緩
和し、フラッシュメモリを用いて実用的な記憶装置を実
現する方式である。
ては磁気記憶装置が最も一般的であるが、磁気記憶装置
では書き込むファイルをセクタと呼ぶ記憶単位に分割
し、記憶媒体の物理的な位置に対応させて記憶する。す
なわちあるファイルの書き換えにおいては基本的に同一
位置に書き込みが行われ、書き込みデータが増えるとそ
の分だけ新たなセクタへの書き込みを行う。これに対し
別の補助記憶装置として光ディスク装置が挙げられる。
現在一般的な光ディスクは、書き込みが一回だけ可能で
消去は不可能である。従って一度書き込んだファイルの
書き換え時は実際には書き換えを行わず、別の領域に書
き込んで以前書き込んだデータは無効にして以後読み出
さないようにする。つまり磁気ディスク装置と異なり、
書き換えデータと記憶場所には全く関連性を持たせな
い、という方式で補助記憶装置の機能を果たしている。
以上のようなディスクを回転させて大容量のデータを高
速にアクセスし、補助記憶装置の機能を果たす記憶装置
にたいし、半導体メモリを用いて補助記憶装置とする半
導体ファイル記憶装置が近年脚光を浴びている。特に電
気的に書き換えが可能な不揮発性メモリ（以下ＥＥＰＲ
ＯＭと記す）を用いたものが今後半導体ファイル記憶装
置の主流になると考えられる。その中で近頃ＥＥＰＲＯ
Ｍの一種でフラッシュＥＥＰＲＯＭメモリ（以下フラッ
シュメモリと略す）というビット単価が安価なメモリが
開発された。このフラッシュメモリを用いた技術の一つ
として特開平２−２９２７９８号がある。これはフラッ
シュメモリを用いた記憶システムであり、フラッシュメ
モリの欠点である書き換え時に行う消去の回数制限を緩
和し、フラッシュメモリを用いて実用的な記憶装置を実
現する方式である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術によるフ
ラッシュメモリを用いた半導体記憶装置では、書き込み
動作時にフラッシュメモリにかかるストレスを小さくす
るように工夫をしており、フラッシュメモリの寿命を延
ばすことができる。フラッシュメモリの特性として、書
き換えを行う為には特定の大きさ（デバイスによって異
なる）のメモリブロックを単位として消去し、その後に
書き込みを行う必要がある。その際、ある特定のメモリ
ブロックの消去を繰り返すとフラッシュメモリはそのメ
モリブロック内のデータ消去にかかる時間が増加してゆ
く。そして最終的にはデータの消去が不可能となり、フ
ラッシュメモリの該ブロックは壊れたことになる。その
ため、フラッシュメモリをシリコンディスクとして使用
していた場合、突然書き込みができなくなる恐れがあ
る。従来の技術では、この破壊がいつ起こるかを予測す
ることができず、データの損失を予防することが困難で
あった。
ラッシュメモリを用いた半導体記憶装置では、書き込み
動作時にフラッシュメモリにかかるストレスを小さくす
るように工夫をしており、フラッシュメモリの寿命を延
ばすことができる。フラッシュメモリの特性として、書
き換えを行う為には特定の大きさ（デバイスによって異
なる）のメモリブロックを単位として消去し、その後に
書き込みを行う必要がある。その際、ある特定のメモリ
ブロックの消去を繰り返すとフラッシュメモリはそのメ
モリブロック内のデータ消去にかかる時間が増加してゆ
く。そして最終的にはデータの消去が不可能となり、フ
ラッシュメモリの該ブロックは壊れたことになる。その
ため、フラッシュメモリをシリコンディスクとして使用
していた場合、突然書き込みができなくなる恐れがあ
る。従来の技術では、この破壊がいつ起こるかを予測す
ることができず、データの損失を予防することが困難で
あった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、フラッシュメモリを記憶媒体として用いた
半導体記憶装置においてフラッシュメモリの寿命を検出
する方式であって、メモリコントローラのフラッシュメ
モリへのデータ消去命令を検出する手段と、前記命令の
後フラッシュメモリ上のデータが消去されたことを検出
する手段と、前記消去命令とフラッシュメモリ上のデー
タの消去が完了するまでの時間を検出する手段を備えた
ことを特徴とするフラッシュメモリの寿命検出方式を提
供する。
に本発明は、フラッシュメモリを記憶媒体として用いた
半導体記憶装置においてフラッシュメモリの寿命を検出
する方式であって、メモリコントローラのフラッシュメ
モリへのデータ消去命令を検出する手段と、前記命令の
後フラッシュメモリ上のデータが消去されたことを検出
する手段と、前記消去命令とフラッシュメモリ上のデー
タの消去が完了するまでの時間を検出する手段を備えた
ことを特徴とするフラッシュメモリの寿命検出方式を提
供する。
【０００５】また、本発明はフラッシュメモリの寿命検
出方式であって、メモリコントローラが出力するアドレ
ス、データ、及びメモリ制御信号を監視することでメモ
リコントローラがフラッシュメモリに対して出力するデ
ータ消去命令を検出する手段を有することを特徴とする
フラッシュメモリの寿命検出方式を提供する。
出方式であって、メモリコントローラが出力するアドレ
ス、データ、及びメモリ制御信号を監視することでメモ
リコントローラがフラッシュメモリに対して出力するデ
ータ消去命令を検出する手段を有することを特徴とする
フラッシュメモリの寿命検出方式を提供する。
【０００６】また、本発明は上記フラッシュメモリの寿
命検出方式を用いた情報処理装置、特にフラッシュメモ
リを用いた半導体記憶装置を提供する。
命検出方式を用いた情報処理装置、特にフラッシュメモ
リを用いた半導体記憶装置を提供する。
【０００７】
【作用】メモリコントローラがフラッシュメモリに対し
て出力するデータ消去命令を検出する手段は、メモリコ
ントローラ、フラッシュメモリ間の信号を監視し、メモ
リコントローラがフラッシュメモリに出力するデータ消
去命令を検出する、もしくはメモリコントローラの他の
出力信号を監視することで消去命令を検出する。メモリ
コントローラがフラッシュメモリ上のデータ消去完了確
認の命令を検出する手段は、メモリコントローラ、フラ
ッシュメモリ間の信号を監視することで、メモリコント
ローラがフラッシュメモリに出力するデータの消去が完
了したか未完了かを確認する信号を検出する、もしくは
メモリコントローラの他の出力信号を監視することで消
去完了か未完了かを確認する命令を検出する。フラッシ
ュメモリがメモリコントローラに対してデータ消去完了
またはデータ消去未完了を伝える信号を検出する手段
は、フラッシュメモリ、メモリコントローラ間の信号を
監視し、フラッシュメモリがメモリコントローラにデー
タの消去が完了したか未完了かを伝える信号を検出す
る、もしくはメモリコントローラの他の出力信号を監視
することでフラッシュメモリがデータの消去が完了した
か未完了かを示す信号の有無を検出する。メモリコント
ローラがフラッシュメモリへデータ消去命令を出力して
からフラッシュメモリが消去完了信号を出力するまでの
時間を計測する手段は、メモリコントローラがフラッシ
ュメモリに送るデータ消去命令を前記手段を用いて検出
したときにタイマを起動し、フラッシュメモリがメモリ
コントローラに出力する消去完了信号を前記手段を用い
て検出したときにタイマを停止する、もしくはデータ消
去命令を検出したときとフラッシュメモリが出力するデ
ータ消去の未完了を示す信号を検出したときにカウンタ
を動作させ、データ消去完了信号を検出したときにカウ
ンタをリセットする。前記タイマまたはカウンタは各々
が比較用のレジスタまたはそれに替わる手段を持ってお
りコンパレータで比較をしている。レジスタ内の値とタ
イマまたはカウンタの値の関係が特定の条件を満たした
ときにコンパレータはフラッシュメモリの寿命が近付い
たことを示す信号を出力する。
て出力するデータ消去命令を検出する手段は、メモリコ
ントローラ、フラッシュメモリ間の信号を監視し、メモ
リコントローラがフラッシュメモリに出力するデータ消
去命令を検出する、もしくはメモリコントローラの他の
出力信号を監視することで消去命令を検出する。メモリ
コントローラがフラッシュメモリ上のデータ消去完了確
認の命令を検出する手段は、メモリコントローラ、フラ
ッシュメモリ間の信号を監視することで、メモリコント
ローラがフラッシュメモリに出力するデータの消去が完
了したか未完了かを確認する信号を検出する、もしくは
メモリコントローラの他の出力信号を監視することで消
去完了か未完了かを確認する命令を検出する。フラッシ
ュメモリがメモリコントローラに対してデータ消去完了
またはデータ消去未完了を伝える信号を検出する手段
は、フラッシュメモリ、メモリコントローラ間の信号を
監視し、フラッシュメモリがメモリコントローラにデー
タの消去が完了したか未完了かを伝える信号を検出す
る、もしくはメモリコントローラの他の出力信号を監視
することでフラッシュメモリがデータの消去が完了した
か未完了かを示す信号の有無を検出する。メモリコント
ローラがフラッシュメモリへデータ消去命令を出力して
からフラッシュメモリが消去完了信号を出力するまでの
時間を計測する手段は、メモリコントローラがフラッシ
ュメモリに送るデータ消去命令を前記手段を用いて検出
したときにタイマを起動し、フラッシュメモリがメモリ
コントローラに出力する消去完了信号を前記手段を用い
て検出したときにタイマを停止する、もしくはデータ消
去命令を検出したときとフラッシュメモリが出力するデ
ータ消去の未完了を示す信号を検出したときにカウンタ
を動作させ、データ消去完了信号を検出したときにカウ
ンタをリセットする。前記タイマまたはカウンタは各々
が比較用のレジスタまたはそれに替わる手段を持ってお
りコンパレータで比較をしている。レジスタ内の値とタ
イマまたはカウンタの値の関係が特定の条件を満たした
ときにコンパレータはフラッシュメモリの寿命が近付い
たことを示す信号を出力する。
【０００８】
【実施例】以下に本発明のフラッシュメモリの寿命検出
方式の実施例を図１〜図４を参照しながら説明する。
方式の実施例を図１〜図４を参照しながら説明する。
【０００９】図１は、本発明のフラッシュメモリの寿命
検出方式を用いた半導体記憶装置の第１の実施例のブロ
ック図である。１はフラッシュメモリを使用した半導体
記憶装置、２はパーソナルコンピュータなどの半導体記
憶装置１のホストシステム、３はホストシステム２のバ
スであるホストバス、４はフラッシュメモリ、５はホス
トバス３と接続しているフラッシュメモリ用のメモリコ
ントローラ、６はメモリコントローラ５からフラッシュ
メモリ４へのアドレス線、７はメモリコントローラ５と
フラッシュメモリ４間のデータ線、８はメモリコントロ
ーラ５からフラッシュメモリ４への制御信号、９は本発
明のフラッシュメモリの寿命検出方式を利用したフラッ
シュメモリ寿命検出回路、１０はメモリコントローラ５
がフラッシュメモリのデータ消去が完了したか否かをフ
ラッシュメモリ寿命検出回路９へ知らせるタイマ起動／
停止信号、１１はホストバス３とメモリコントローラ５
及びフラッシュメモリ寿命検出回路９を接続するバスで
ある。次に、本発明のフラッシュメモリの寿命検出方式
がどのように動作するかを述べる。ホストシステム２は
ホストバス３を通してメモリコントローラ５にデータの
書き換え命令を送る。メモリコントローラ５はフラッシ
ュメモリ４から書き換えを行うアドレスのデータを読み
出しを行う。そのためにメモリコントローラ５はアドレ
スバス６に書き換えを行うアドレスを出力し、制御信号
８を用いてデータバス７から書き換えを行うアドレスの
データを読み込む。その後メモリコントローラ５は書き
換えを行うアドレスのフラッシュメモリ上のデータの消
去を行う。メモリコントローラ５は、アドレスバス６で
アドレスを指定した後に制御信号８でフラッシュメモリ
４に対して、消去信号を送る。メモリコントローラ５は
前記消去信号と同時にメモリ消去を開始した事を示す信
号（以下消去開始信号と略す）をタイマ起動／停止信号
１０を通してフラッシュメモリ寿命検出回路９に送る。
その後、フラッシュメモリ４が規定するデータ消去を行
うために最低必要な期間を置いた後、メモリコントロー
ラ５は消去命令を送ったアドレスのデータ消去が完了し
たか否かを確認する。その時点でまだ消去未完了の場合
は再び前回と同じ期間をおいて消去の確認を行う。そし
て、消去完了を確認した後フラッシュメモリ４にデータ
を書き込む。また、前記データ書き込みと同時にタイマ
起動／停止信号１０を用いてフラッシュメモリ寿命検出
回路９にフラッシュメモリ４のデータ消去が完了したこ
とを知らせる。以下、図２を用いてフラッシュメモリ寿
命検出回路９の動作を説明する。９１は寿命の近付いた
フラッシュメモリがデータを消去するのにかかる時間を
設定しておくためのレジスタ、９２はフラッシュメモリ
のデータ消去にかかる時間を計測するためのタイマ、９
３は前記レジスタ９１とタイマ９２の値を比較するため
のコンパレータである。図２において、タイマ９２はタ
イマ起動／停止信号１０からフラッシュメモリの消去開
始信号を受け取ると、タイマを起動する。コンパレータ
９３はレジスタ９１に設定してある値（時間）とタイマ
９２の計測している値（時間）を比較する。コンパレー
タ９３はレジスタ９１に設定してある値がタイマ９２の
値より大きいうちは何も行わないが、タイマ９２の計測
している値（時間）がレジスタ９１の値（時間）よりも
大きくなると、バス１１を通してフラッシュメモリ４の
寿命が近付いていることをホストシステムに知らせる。
検出方式を用いた半導体記憶装置の第１の実施例のブロ
ック図である。１はフラッシュメモリを使用した半導体
記憶装置、２はパーソナルコンピュータなどの半導体記
憶装置１のホストシステム、３はホストシステム２のバ
スであるホストバス、４はフラッシュメモリ、５はホス
トバス３と接続しているフラッシュメモリ用のメモリコ
ントローラ、６はメモリコントローラ５からフラッシュ
メモリ４へのアドレス線、７はメモリコントローラ５と
フラッシュメモリ４間のデータ線、８はメモリコントロ
ーラ５からフラッシュメモリ４への制御信号、９は本発
明のフラッシュメモリの寿命検出方式を利用したフラッ
シュメモリ寿命検出回路、１０はメモリコントローラ５
がフラッシュメモリのデータ消去が完了したか否かをフ
ラッシュメモリ寿命検出回路９へ知らせるタイマ起動／
停止信号、１１はホストバス３とメモリコントローラ５
及びフラッシュメモリ寿命検出回路９を接続するバスで
ある。次に、本発明のフラッシュメモリの寿命検出方式
がどのように動作するかを述べる。ホストシステム２は
ホストバス３を通してメモリコントローラ５にデータの
書き換え命令を送る。メモリコントローラ５はフラッシ
ュメモリ４から書き換えを行うアドレスのデータを読み
出しを行う。そのためにメモリコントローラ５はアドレ
スバス６に書き換えを行うアドレスを出力し、制御信号
８を用いてデータバス７から書き換えを行うアドレスの
データを読み込む。その後メモリコントローラ５は書き
換えを行うアドレスのフラッシュメモリ上のデータの消
去を行う。メモリコントローラ５は、アドレスバス６で
アドレスを指定した後に制御信号８でフラッシュメモリ
４に対して、消去信号を送る。メモリコントローラ５は
前記消去信号と同時にメモリ消去を開始した事を示す信
号（以下消去開始信号と略す）をタイマ起動／停止信号
１０を通してフラッシュメモリ寿命検出回路９に送る。
その後、フラッシュメモリ４が規定するデータ消去を行
うために最低必要な期間を置いた後、メモリコントロー
ラ５は消去命令を送ったアドレスのデータ消去が完了し
たか否かを確認する。その時点でまだ消去未完了の場合
は再び前回と同じ期間をおいて消去の確認を行う。そし
て、消去完了を確認した後フラッシュメモリ４にデータ
を書き込む。また、前記データ書き込みと同時にタイマ
起動／停止信号１０を用いてフラッシュメモリ寿命検出
回路９にフラッシュメモリ４のデータ消去が完了したこ
とを知らせる。以下、図２を用いてフラッシュメモリ寿
命検出回路９の動作を説明する。９１は寿命の近付いた
フラッシュメモリがデータを消去するのにかかる時間を
設定しておくためのレジスタ、９２はフラッシュメモリ
のデータ消去にかかる時間を計測するためのタイマ、９
３は前記レジスタ９１とタイマ９２の値を比較するため
のコンパレータである。図２において、タイマ９２はタ
イマ起動／停止信号１０からフラッシュメモリの消去開
始信号を受け取ると、タイマを起動する。コンパレータ
９３はレジスタ９１に設定してある値（時間）とタイマ
９２の計測している値（時間）を比較する。コンパレー
タ９３はレジスタ９１に設定してある値がタイマ９２の
値より大きいうちは何も行わないが、タイマ９２の計測
している値（時間）がレジスタ９１の値（時間）よりも
大きくなると、バス１１を通してフラッシュメモリ４の
寿命が近付いていることをホストシステムに知らせる。
【００１０】本実施例では、フラッシュメモリの寿命検
出回路にレジスタを１個使用しているが２個でもそれ以
上でも、またレジスタではなくＲＯＭ等に記憶した固定
値を比較対象としても構わない。また、タイマとレジス
タを別々にしてあるがタイマ内にレジスタを設け、タイ
マ起動信号が来たらレジスタの値を初期値としてカウン
トダウンを行い、タイマの値が特定の値になった時点で
フラッシュメモリの寿命が近付いたことを知らせる信号
を出力してもよい。また、フラッシュメモリの寿命の判
定方法を本実施例ではコンパレータ１個を使用した１段
階としているが、複数個のコンパレータを使用した複数
段階でもよい。また、本実施例ではフラッシュメモリの
寿命が近付いたことを知らせる信号をバスに出力してい
るが、直接外部に出力してもよく、１つもしくは複数の
別の手段を組み合せて用いてもよい。
出回路にレジスタを１個使用しているが２個でもそれ以
上でも、またレジスタではなくＲＯＭ等に記憶した固定
値を比較対象としても構わない。また、タイマとレジス
タを別々にしてあるがタイマ内にレジスタを設け、タイ
マ起動信号が来たらレジスタの値を初期値としてカウン
トダウンを行い、タイマの値が特定の値になった時点で
フラッシュメモリの寿命が近付いたことを知らせる信号
を出力してもよい。また、フラッシュメモリの寿命の判
定方法を本実施例ではコンパレータ１個を使用した１段
階としているが、複数個のコンパレータを使用した複数
段階でもよい。また、本実施例ではフラッシュメモリの
寿命が近付いたことを知らせる信号をバスに出力してい
るが、直接外部に出力してもよく、１つもしくは複数の
別の手段を組み合せて用いてもよい。
【００１１】図３は、本発明のフラッシュメモリの寿命
検出方式を用いた半導体記憶装置の第２の実施例のブロ
ック図である。１はフラッシュメモリを使用した半導体
記憶装置、２はパーソナルコンピュータなどの半導体記
憶装置１のホストシステム、３はホストシステム２のバ
スであるホストバス、４はフラッシュメモリ、５はホス
トバス３と接続しているフラッシュメモリ用のメモリコ
ントローラ、６はメモリコントローラ５からフラッシュ
メモリ４へのアドレス線、７はメモリコントローラ５と
フラッシュメモリ４間のデータ線、８はメモリコントロ
ーラ５からフラッシュメモリ４への制御信号、９０は本
発明のフラッシュメモリの寿命検出方式を利用したフラ
ッシュメモリ寿命検出回路、１１はホストバス３とメモ
リコントローラ５、フラッシュメモリ寿命検出回路９０
を接続するバスである。次に、本発明のフラッシュメモ
リの寿命検出方式がどのように動作するかを述べる。ホ
ストシステム２はホストバス３を通してメモリコントロ
ーラ５にデータの書き換え命令を送る。メモリコントロ
ーラ５はまずフラッシュメモリ４から書き換えを行うア
ドレスのデータを読み出す。そのためにメモリコントロ
ーラ５はアドレスバス６に書き換えを行うアドレスを出
力し、制御信号８を用いてデータバス７から書き換えを
行うアドレスのデータを読み込む。その後メモリコント
ローラ５は書き換えを行うアドレスのフラッシュメモリ
上のデータの消去を行う。このとき、フラッシュメモリ
寿命検出回路９０はアドレスバス６、データバス７、制
御信号８を監視することでメモリコントローラ５がフラ
ッシュメモリ４に対して出力する消去命令を検出する。
また、同様にしてフラッシュメモリ寿命検出回路９０は
メモリコントローラがフラッシュメモリに対してデータ
の消去命令を送ったことと、メモリコントローラがフラ
ッシュメモリに対してデータの消去が完了したか否かを
確認するための信号（以下消去完了確認信号と略す）
と、フラッシュメモリがメモリコントローラに消去完了
または未完了を伝えるための信号（以下、消去完了信号
と略す）を検出する。以下、図４を用いてフラッシュメ
モリ寿命検出回路９０の動作を説明する。９４はアドレ
スバス６、データバス７、制御信号８を監視し、メモリ
コントローラがフラッシュメモリに対してデータの消去
命令を送ったことと、消去完了確認信号と、前記確認信
号を受けてフラッシュメモリがメモリコントローラに送
る消去完了信号を検出するバス監視回路、９５はバス監
視回路９４の出力する信号によってカウントアップ、リ
セットを行うカウンタ、９１はメモリコントローラがフ
ラッシュメモリに消去命令を送ってから消去完了確認信
号を送り、消去完了信号を受け取るまでにリトライを繰
り返したときにフラッシュメモリの寿命が近付いている
と判断するための値（回数）を記憶するレジスタ、９３
はカウンタ９５とカウンタ９１の値を比較するためのコ
ンパレータである。図４において、バス監視回路９４は
アドレスバス６、データバス７、制御信号８の各信号か
らフラッシュメモリの消去開始信号を検出するとカウン
タ９５にカウントアップ信号を送る。カウンタ９５は前
記カウントアップ信号を受けてカウンタをインクリメン
トする。バス監視回路９４は引続きアドレスバス６、デ
ータバス７、制御信号８を監視し、メモリコントローラ
がフラッシュメモリに対して消去完了確認信号を送った
ときもカウンタ９５に対してカウントアップ信号を送
る。バス監視回路９４は、メモリコントローラが消去確
認の動作をリトライするたび毎にカウントアップ信号を
出力する。そして、バス監視回路９４はメモリコントロ
ーラがフラッシュメモリから消去完了信号を受け取る
と、カウンタ９５に対してカウンタリセット信号を送
る。カウンタ９５はカウンタリセット信号を受け取ると
カウンタをリセットする。コンパレータ９３はカウンタ
９１とカウンタ９５の値を比較し、カウンタ９５の値が
カウンタ９１の値よりも小さい場合は何も行わず、カウ
ンタ９５の値がカウンタ９１の値よりも大きくなった場
合にバス１１に対してフラッシュメモリの寿命が近付い
ていることを知らせる信号を送る。
検出方式を用いた半導体記憶装置の第２の実施例のブロ
ック図である。１はフラッシュメモリを使用した半導体
記憶装置、２はパーソナルコンピュータなどの半導体記
憶装置１のホストシステム、３はホストシステム２のバ
スであるホストバス、４はフラッシュメモリ、５はホス
トバス３と接続しているフラッシュメモリ用のメモリコ
ントローラ、６はメモリコントローラ５からフラッシュ
メモリ４へのアドレス線、７はメモリコントローラ５と
フラッシュメモリ４間のデータ線、８はメモリコントロ
ーラ５からフラッシュメモリ４への制御信号、９０は本
発明のフラッシュメモリの寿命検出方式を利用したフラ
ッシュメモリ寿命検出回路、１１はホストバス３とメモ
リコントローラ５、フラッシュメモリ寿命検出回路９０
を接続するバスである。次に、本発明のフラッシュメモ
リの寿命検出方式がどのように動作するかを述べる。ホ
ストシステム２はホストバス３を通してメモリコントロ
ーラ５にデータの書き換え命令を送る。メモリコントロ
ーラ５はまずフラッシュメモリ４から書き換えを行うア
ドレスのデータを読み出す。そのためにメモリコントロ
ーラ５はアドレスバス６に書き換えを行うアドレスを出
力し、制御信号８を用いてデータバス７から書き換えを
行うアドレスのデータを読み込む。その後メモリコント
ローラ５は書き換えを行うアドレスのフラッシュメモリ
上のデータの消去を行う。このとき、フラッシュメモリ
寿命検出回路９０はアドレスバス６、データバス７、制
御信号８を監視することでメモリコントローラ５がフラ
ッシュメモリ４に対して出力する消去命令を検出する。
また、同様にしてフラッシュメモリ寿命検出回路９０は
メモリコントローラがフラッシュメモリに対してデータ
の消去命令を送ったことと、メモリコントローラがフラ
ッシュメモリに対してデータの消去が完了したか否かを
確認するための信号（以下消去完了確認信号と略す）
と、フラッシュメモリがメモリコントローラに消去完了
または未完了を伝えるための信号（以下、消去完了信号
と略す）を検出する。以下、図４を用いてフラッシュメ
モリ寿命検出回路９０の動作を説明する。９４はアドレ
スバス６、データバス７、制御信号８を監視し、メモリ
コントローラがフラッシュメモリに対してデータの消去
命令を送ったことと、消去完了確認信号と、前記確認信
号を受けてフラッシュメモリがメモリコントローラに送
る消去完了信号を検出するバス監視回路、９５はバス監
視回路９４の出力する信号によってカウントアップ、リ
セットを行うカウンタ、９１はメモリコントローラがフ
ラッシュメモリに消去命令を送ってから消去完了確認信
号を送り、消去完了信号を受け取るまでにリトライを繰
り返したときにフラッシュメモリの寿命が近付いている
と判断するための値（回数）を記憶するレジスタ、９３
はカウンタ９５とカウンタ９１の値を比較するためのコ
ンパレータである。図４において、バス監視回路９４は
アドレスバス６、データバス７、制御信号８の各信号か
らフラッシュメモリの消去開始信号を検出するとカウン
タ９５にカウントアップ信号を送る。カウンタ９５は前
記カウントアップ信号を受けてカウンタをインクリメン
トする。バス監視回路９４は引続きアドレスバス６、デ
ータバス７、制御信号８を監視し、メモリコントローラ
がフラッシュメモリに対して消去完了確認信号を送った
ときもカウンタ９５に対してカウントアップ信号を送
る。バス監視回路９４は、メモリコントローラが消去確
認の動作をリトライするたび毎にカウントアップ信号を
出力する。そして、バス監視回路９４はメモリコントロ
ーラがフラッシュメモリから消去完了信号を受け取る
と、カウンタ９５に対してカウンタリセット信号を送
る。カウンタ９５はカウンタリセット信号を受け取ると
カウンタをリセットする。コンパレータ９３はカウンタ
９１とカウンタ９５の値を比較し、カウンタ９５の値が
カウンタ９１の値よりも小さい場合は何も行わず、カウ
ンタ９５の値がカウンタ９１の値よりも大きくなった場
合にバス１１に対してフラッシュメモリの寿命が近付い
ていることを知らせる信号を送る。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、フラッシュメモリを記
憶媒体として用いた半導体記憶装置において、フラッシ
ュメモリの寿命を早期に認識することができる。したが
って、データのバックアップ等の作業をあらかじめ行う
ことができるようになるため、ユーザーインターフェー
スを大きく向上することができる。
憶媒体として用いた半導体記憶装置において、フラッシ
ュメモリの寿命を早期に認識することができる。したが
って、データのバックアップ等の作業をあらかじめ行う
ことができるようになるため、ユーザーインターフェー
スを大きく向上することができる。
【００１３】さらに本発明によれば、メモリコントロー
ラ、フラッシュメモリ間の信号を監視すれば良いため、
新規にシステムを開発することなく、本発明を用いた回
路を付加するだけで上記効果を得ることができ、開発コ
ストを下げることができる。
ラ、フラッシュメモリ間の信号を監視すれば良いため、
新規にシステムを開発することなく、本発明を用いた回
路を付加するだけで上記効果を得ることができ、開発コ
ストを下げることができる。
【図１】本発明の第一の実施例の構成図である。
【図２】第一の実施例におけるフラッシュメモリ寿命検
出回路の構成図である。
出回路の構成図である。
【図３】本発明の第二の実施例の構成図である。
【図４】第二の実施例におけるフラッシュメモリ寿命検
出回路の構成図である。
出回路の構成図である。
１…半導体記憶装置、 ２…ホストシステム、 ３…ホストバス、 ４…フラッシュメモリ、 ５…メモリコントローラ、 ６…アドレスバス、 ７…データバス、 ８…制御信号、 ９…フラッシュメモリ寿命検出回路、 １０…タイマ起動／停止信号、 １１…バス、 ９０…フラッシュメモリ寿命検出回路、 ９１…レジスタ、 ９２…タイマ、 ９３…コンパレータ、 ９４…バス監視回路、 ９５…カウンタ。
Claims (5)
- 【請求項１】フラッシュメモリを記憶媒体として用いた
半導体記憶装置においてフラッシュメモリの寿命を検出
する方式であって、メモリコントローラが出力するフラ
ッシュメモリへのデータ消去命令を検出する手段と、前
記消去命令の後メモリコントローラが出力するフラッシ
ュメモリ上のデータの消去が完了したか否かを確認する
命令を検出する手段と、前記消去確認命令の後フラッシ
ュメモリがメモリコントローラに出力する消去完了信号
または消去未完了信号を検出する手段と、メモリコント
ローラが前記消去命令を出力してからフラッシュメモリ
が前記消去完了信号を出力するまでの時間を計測する手
段を備えたことを特徴とするフラッシュメモリの寿命検
出方式。 - 【請求項２】請求項１記載のフラッシュメモリの寿命検
出方式であって、メモリコントローラが出力するアドレ
ス、データ、及びメモリ制御信号を監視することでメモ
リコントローラがフラッシュメモリに対して出力するデ
ータ消去命令を検出する手段を有することを特徴とする
フラッシュメモリの寿命検出方式。 - 【請求項３】メモリコントローラがフラッシュメモリに
対して出力するデータ消去命令のリトライ回数を検出す
ることでフラッシュメモリの寿命を判断することを特徴
とするフラッシュメモリの寿命検出方式。 - 【請求項４】メモリコントローラがフラッシュメモリに
対して出力したデータ消去命令からデータ消去が完了す
るまでの時間を計測することでフラッシュメモリの寿命
を判断することを特徴とするフラッシュメモリの寿命検
出方式。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載の寿
命検出方式を用いたことを特徴とする情報処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20343992A JPH0652694A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | フラッシュメモリの寿命検出方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20343992A JPH0652694A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | フラッシュメモリの寿命検出方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652694A true JPH0652694A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16474124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20343992A Pending JPH0652694A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | フラッシュメモリの寿命検出方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652694A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07281842A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| WO1996028826A1 (fr) * | 1995-03-15 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a memoire a semiconducteur dote d'une fonction de determination de la deterioration |
| US6092164A (en) * | 1997-03-13 | 2000-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microcomputer having division of timing signals to initialize flash memory |
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| US6694460B2 (en) | 1997-09-11 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor memory device having deterioration determining function |
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| US7707353B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Access frequency estimation apparatus and access frequency estimation method |
| JP2011070346A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | メモリシステム |
| US8161333B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-04-17 | Fujitsu Limited | Information processing system |
| JP2012174331A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置及びメモリコントローラとこれらの動作方法、メモリシステムの動作方法、並びにウェアレベリング方法 |
| US8605504B2 (en) | 2010-02-10 | 2013-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20343992A patent/JPH0652694A/ja active Pending
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| US9053016B2 (en) | 2010-02-10 | 2015-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
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