JP2012172135A - ナノ粒子インク組成物及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態のナノ粒子インク組成物及びその製造方法は、Cuナノ粒子およびAgの化合物ナノ粒子と、前記Cuナノ粒子を被覆する有機分散剤と、前記有機分散剤で被覆されたCuナノ粒子を含むナノ粒子を分散させる分散媒とを備えていることを特徴としている。
【選択図】なし
Description
まず酸化銅粒子の分散液を調製した。
実施例1と同様にナノ粒子分散膜を作製し、キセノンフラッシュランプ(40J/cm2)により焼成し導電膜を形成した。実施例1と同様に体積抵抗率を測定した結果、3.3μΩ・cmであった。
含有される銅に対する銀の割合を20重量%に変化させた以外は実施例2と同様の作業を実施した。酸化銅粒子分散液とAgナノ粒子を混合し、ナノ粒子分散膜を作製し、キセノンフラッシュランプで焼成した。体積抵抗率を測定したところ、3.0μΩ・cmであった。
Cuナノ粒子インクを調製した。Cuナノ粒子として、熱プラズマ法により作製されたCuナノ粒子(日清エンジニアリング社製)を50g使用した。このCuナノ粒子は、SEM観察による一次粒子径が約50nmであった。高分子化合物として、ポリビニルピロリドン(重量平均分子量50000)を使用した。この高分子化合物1gと、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(85g)と、ウンデカン(10g)とを混合した。得られた混合物をローリングミルにて簡単に撹拌した後、超音波ホモジナイザーにより分散させた。超音波の条件は、周波数20kHz、出力約3Wとした。
実施例1と同様に酸化銅粒子の分散液を調製した。また実施例4と同様に酸化銀粒子の分散液を調製した。酸化銅粒子の分散液と酸化銀粒子の分散液とを混合し、含有される銅に対する銀の割合を3.3重量%となるようにした。実施例1と同様に分散処理を行って実施例5のナノ粒子インクを作製した。このインクを使用して実施例2と同様にナノ粒子分散膜を作製し、キセノンフラッシュランプで焼成した。体積抵抗率の測定結果は4.6μΩ・cmであった。
酸化物被覆銅ナノ粒子の分散液を調製した。酸化物被覆銅ナノ粒子として熱プラズマ法により作製された日清エンジニアリング製酸化物被覆銅ナノ粒子を(50g)使用した。このナノ粒子のSEM観察による一次粒径は50nmであった。ドデシルアミン(7.5g)、ターピネオール(75g)を混合し、Cuナノ粒子と同様にして超音波ホモジナイザーにより分散処理を行い、酸化銅被覆銅ナノ粒子の分散液を得た。得られた分散液を動的光散乱法による粒度分布計測により評価したところ、平均粒子径として58nm、最大粒径は100nm以下であった。
上記Cuナノ粒子インクを実施例1と同様にして塗膜とし、導電膜を形成した。体積抵抗率は15μΩ・cmであった。
上記Cuナノ粒子インクを実施例2と同様にして塗膜とし、キセノンフラッシュランプにより導電膜を形成した。体積抵抗率は22μΩ・cmであった。
上記Agナノ粒子をトルエンと混合し分散させた後、ターピネオールを混合した。ロータリーエバポレータを用いてトルエンを除去して溶媒置換し、Agナノ粒子分散インクを得た。このAgナノ粒子分散インクを実施例1と同様に塗膜とし、導電膜を形成した。体積抵抗率は3.4μΩ・cmであった。
上記Agナノ粒子をトルエンと混合し分散させた後、ターピネオールを混合した。ロータリーエバポレータを用いてトルエンを除去して溶媒置換し、Agナノ粒子分散インクを得た。このAgナノ粒子分散インクを実施例2と同様に塗膜とし、キセノンフラッシュランプにより導電膜を形成した。体積抵抗率は4.8μΩ・cmであった。
上記Cuナノ粒子インクに上記Agナノ粒子を混合し、実施例2と同様にして分散させた。これを塗膜とし、キセノンフラッシュランプにより導電膜を形成した。体積抵抗率は11μΩ・cmであった。
上記酸化銅粒子インクを使用し、実施例2と同様にして分散させた。これを塗膜とし、キセノンフラッシュランプにより導電膜を形成した。体積抵抗率は9.5μΩ・cmであった。
含有される銅に対する銀の割合を100重量%に変化させた以外は実施例2と同様に酸化銅粒子インクとAgナノ粒子を混合した。ナノ粒子分散膜を作製し、キセノンフラッシュランプで焼成した。体積抵抗率は3.5μΩ・cmであった。
Agナノ粒子合成の出発物質をカプリン酸銀として反応時間を8時間とした以外は、実施例2と同様の作業を実施した。ナノ粒子分散膜を作製し、キセノンフラッシュランプで焼成した。体積抵抗率は89μΩ・cmであった。なお、用いたAgナノ粒子の平均粒子径は80nm、また最大粒径は100nmを超えていた。
Claims (22)
- Cuナノ粒子およびAgの化合物ナノ粒子と、
前記Cuナノ粒子を被覆する有機分散剤と、
前記有機分散剤で被覆されたCuナノ粒子を含むナノ粒子を分散させる分散媒と、
を有するナノ粒子インク組成物。 - Cuの化合物ナノ粒子およびAgナノ粒子と、
前記Agナノ粒子を被覆する有機分散剤と、
前記有機分散剤で被覆されたAgナノ粒子を含むナノ粒子を分散させる分散媒と、
を有するナノ粒子インク組成物。 - Cuの化合物ナノ粒子およびAgの化合物ナノ粒子と、
前記各化合物ナノ粒子を分散させる分散媒と、
を有するナノ粒子インク組成物。 - 前記Agの化合物ナノ粒子はAgの酸化物ナノ粒子である、請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Cuの化合物ナノ粒子はCuの酸化物ナノ粒子である、請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Agの化合物ナノ粒子はAgの酸化物被覆ナノ粒子である、請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Cuの化合物ナノ粒子はCuの酸化物被覆ナノ粒子である、請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Agナノ粒子もしくはAgの化合物ナノ粒子の粒径は、前記Cuナノ粒子もしくはCuの化合物ナノ粒子の粒径よりも小さい、請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Cuナノ粒子もしくは前記Agナノ粒子の一次粒子径は300nm以下である、請求項1または2に記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記有機分散剤は、炭素数24以下の含窒素あるいは含酸素有機化合物分散剤である、請求項1または2に記載のナノ粒子インク組成物。
- 前記Cuナノ粒子およびAgナノ粒子は光照射により還元焼成されて導電性を示す、請求項1または2に記載のナノ粒子インク組成物。
- インクジェット印刷用インクである、請求項1ないし9のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物。
- Agの化合物ナノ粒子溶液を調製する工程と、
前記Agの化合物ナノ粒子溶液とCuナノ粒子との混合液を調製する工程と、
前記混合液を攪拌し分散させる工程と、
を有するナノ粒子インク組成物の製造方法。 - Cuの化合物ナノ粒子溶液を調製する工程と、
前記Cuの化合物ナノ粒子溶液とAgナノ粒子との混合液を調製する工程と、
前記混合液を攪拌し分散させる工程と、
を有するナノ粒子インク組成物の製造方法。 - Cuの化合物ナノ粒子溶液を調製する工程と、
Agの化合物ナノ粒子溶液を調製する工程と、
前記Cuの化合物ナノ粒子溶液と前記Agの化合物ナノ粒子溶液との混合液を攪拌し分散させる工程と、
を有するナノ粒子インク組成物の製造方法。 - 前記Agの化合物ナノ粒子はAgの酸化物ナノ粒子である、請求項13ないし15のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 前記Cuの化合物ナノ粒子はCuの酸化物ナノ粒子である、請求項13ないし15のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 前記Agの化合物ナノ粒子はAgの酸化物被覆ナノ粒子である、請求項13ないし15のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 前記Cuの化合物ナノ粒子はCuの酸化物被覆ナノ粒子である、請求項13ないし15のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 前記Agナノ粒子もしくはAgの化合物含有ナノ粒子の粒径は、前記Cuナノ粒子もしくはCuの化合物含有ナノ粒子の粒径よりも小さい、請求項13ないし15のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 前記Cuナノ粒子もしくは前記Agナノ粒子の一次粒子径は300nm以下である、請求項13または14に記載のナノ粒子インク組成物の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載のナノ粒子インク組成物を用いてパターンを印刷する工程と、
前記パターンに光照射する焼成還元工程と、
を有する、印刷物の製造方法。
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