JP2012140291A - 多結晶シリコン原料のリチャージ方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多結晶シリコン塊のリチャージにおいて、最初にスモールサイズ多結晶シリコン塊又はミドルサイズ多結晶シリコン塊S2である緩衝層形成多結晶シリコン塊Sbが投入され、緩衝層形成多結晶シリコン塊Sbが坩堝20内のシリコン融液40の表面41に積層されて緩衝層50を形成する。次いでこの緩衝層50上に大きな大きさのラージサイズ多結晶シリコン塊S3が投入されるので、緩衝層50が落下するラージサイズ多結晶シリコン塊S3の衝撃を緩衝する。
【選択図】図2−3
Description
1a,1b 端部
2 蓋体
2a 円錐面
3 ワイヤー
4 支持体
10 リチャージ装置
20 坩堝
30 ヒータ
40 シリコン融液
41 表面
50 緩衝層
S1 スモールサイズ多結晶シリコン塊
S2 ミドルサイズ多結晶シリコン塊
S3 ラージサイズ多結晶シリコン塊
Sb 緩衝層形成多結晶シリコン塊
Claims (7)
- 坩堝内に多結晶シリコン原料を充填する充填工程と、前記坩堝内において前記充填された多結晶シリコンを溶解してシリコン融液にする溶融工程と、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、該接触させられた種結晶を引き上げることによりシリコン単結晶インゴットを育成する引上工程とを有するシリコン単結晶インゴットの製造方法において、前記溶融工程又は前記引上工程の後に多結晶シリコン原料を前記坩堝内に供給する多結晶シリコン原料のリチャージ方法であって、
前記坩堝内のシリコン融液の表面に緩衝領域を形成し、該形成された緩衝領域上に前記多結晶シリコン原料を供給し、
前記緩衝領域は、大きさが小さな多結晶シリコンの塊を前記坩堝内のシリコン融液の表面に投入することにより形成され、前記緩衝領域上に供給される多結晶シリコン原料は、前記小さな多結晶シリコンの塊よりも大きさが大きな多結晶シリコンの塊から成ることを特徴とする多結晶シリコン原料のリチャージ方法。 - 前記小さな多結晶シリコンの塊はその大きさが5mm以上50mm以下であることを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
- 前記小さな多結晶シリコンの塊はその大きさが5mm以上であり20mmより小さいことを特徴とする請求項2記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
- 前記小さな多結晶シリコンの塊はその大きさが20mm以上50mm以下であることを特徴とする請求項2記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
- 貫通する通路を有する本体と、該本体の一端を開閉可能にする蓋体とを備えるリチャージ装置を用いて前記多結晶シリコン原料を前記坩堝内のシリコン融液に供給することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
- 前記大きな多結晶シリコンの塊はその大きさが前記本体の通路内を通過可能な大きさであって50mmより大きいことを特徴とする請求項5記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
- 前記リチャージ装置の本体の一端を前記蓋体により閉鎖し、前記本体内に前記小さな多結晶シリコンの塊を充填し、該充填された小さな多結晶シリコンの塊の上に前記大きな多結晶シリコンの塊を充填し、前記蓋体を開放して前記多結晶シリコン原料を前記坩堝内のシリコン融液に供給することを特徴とする請求項5又は6記載の多結晶シリコン原料のリチャージ方法。
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