JP2012129798A5 - - Google Patents
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CMOSイメージセンサ３０においては、図５のタイミングチャートに示される、電荷排出期間における電荷排出、露光・蓄積期間における露光・蓄積、および電荷転送期間における電荷転送は全画素一括で行われる。また、電荷保持期間における電荷保持、信号レベル読み出し期間における信号レベル読み出し、およびリセットレベル読み出し期間におけるリセットレベル読み出しは、行単位で行われる。
以下で説明する動作を行うCMOSイメージセンサ３０においても、図６のタイミングチャートに示される、電荷排出期間における電荷排出、露光・蓄積期間における露光・蓄積、および電荷転送期間における電荷転送は全画素一括で行われる。また、電荷保持期間における電荷保持、信号レベル読み出し期間における信号レベル読み出し、およびリセットレベル読み出し期間におけるリセットレベル読み出しは、行単位で行われる。
なお、図８乃至１１を参照して説明した単位画素５０Ｂ乃至５０Ｅにおいても、遮光膜７３の低い方の電圧（Ｌレベルの遮光膜電圧SHD）は、負電圧に設定されるようにできる。これにより、浮遊拡散領域６５やメモリ部９２のSi表面に反転層を形成し、Si表面の結晶欠陥から発生する暗電流や点欠陥の発生を抑制することが可能となる。
図１２は、単位画素の構成例を示す平面図である。図１２においては、４つの単位画素が示されている。なお、図１２に示される単位画素のそれぞれは、具体的には、転送ゲート９１およびメモリ部９２を有する単位画素５０Ｂ乃至５０Ｅ（図８乃至１１）に対応するが、図２の単位画素５０にも対応するものとする。また、図１２において、図２，８乃至１１に示される構成と対応する部分には、同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
［本発明を適用した電子機器の構成例］
なお、本発明は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本発明は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部および光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
なお、本発明は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本発明は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部および光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
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