JP2012119599A - ウエハモールド材及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハから切り出されソーティングされた光半導体素子を基材シート上からピックアップし、光半導体素子を光半導体装置内の素子取付部に搭載した後、光半導体素子を前記素子取付部に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤であって、フィルム状に成形されており、基材シート上に配置されており、基材シートから剥離できるものであることを特徴とする光半導体装置用接着剤。
【選択図】なし
Description
前述のように、大口径、薄膜ウエハに対して良好な転写性能を有し、かつ可撓性で低応力性の硬化物を与えることができ、モールド後のウエハの反りが少ないウエハモールド材及びそれを用いた半導体装置の製造方法が望まれていた。
表面に半導体素子を有するウエハを一括して樹脂モールドするためのウエハモールド材であって、
少なくともアクリル樹脂、エポキシ基を有するシリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂のいずれか一つと、フィラーとからなる樹脂層を有するものであり、フィルム状に形成されたものであることを特徴とするウエハモールド材を提供する。
本発明のフィルム状に形成されたウエハモールド材は少なくともアクリル樹脂、エポキシ基を有するシリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂のいずれか一つと、フィラーとからなる樹脂層を有する。
本発明に係るアクリル樹脂は、特に限定されないが、(a)アクリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステル、(b)アクリロニトリルおよび/またはメタクリロニトリル、ならびに(c)不飽和カルボン酸の3成分を共重合することにより得られたアクリル系ポリマーが好ましい。なお、このアクリル系ポリマーは、(a)〜(c)成分のみからなる共重合体であっても、その他の成分を含む共重合体であってもよい。(a)成分は下記一般式(1)で例示される。
本発明に係るエポキシ基を有するシリコーン樹脂は、エポキシ基を有するシリコーン化合物であれば直鎖、環状、分岐状など特に限定されないが、好適に用いられる例として、エポキシ基を有する環状シリコーン化合物が好ましく、また、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとアルケニル基含有ポリシロキサンとの塩化白金酸によるハイドロシリレーションにより得られるシリコーン樹脂であって、エポキシ基を有するシリコーン樹脂が好ましい。この際、シリコーンレジンを添加しても良い。
本発明に係るウレタン樹脂は、特に限定されないが、好適に用いられる例として、有機ジイソシアネート化合物と下記一般式(2)の原料から合成されるウレタン樹脂が挙げられる。R2は炭素数1〜7の同一又は異種のアルキル基又はアリール基であり、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、4−メチルフェニル基などが挙げられる。また、Xは水酸基又はアミノ基である。下記一般式(2)で示される分枝状ジオール又はジアミンは、ウレタン樹脂合成において鎖長延長剤となる。
本発明に係るポリイミドシリコーン樹脂は、特に限定されないが、好適に用いられる例として、酸二無水物とジアミノポリシロキサン等のジアミンシリコーン化合物からポリアミック酸を合成し、しかる後に加熱脱水することで得られるポリイミドシリコーン樹脂が挙げられる。
本発明に係るフィラーとしては、特に限定されないが、好適に用いられる例として、シリカ微粉末、複合シリコーンゴム微粒子、シリコーン微粒子、アクリル微粒子等が挙げられ、公知のものを一種単独で使用しても二種以上を組み合わせて使用してもよい。また半導体素子及びウエハ等との密着性の向上を目的としてカーボンファンクショナルシランを添加しても良い。
本発明に係る樹脂層はその他エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂等を含むことができる。以下、本発明に含むことができる各樹脂について説明する。
本発明に含むことができるエポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールA等のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールF等のビスフェノールF型エポキシ樹脂、トリフェニロールプロパントリグリシジルエーテル等のトリフェニルメタン型エポキシ樹脂、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等の環状脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジメチルグリシジルフタレート等のグリシジルエステル系樹脂、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジル−p−アミノフェノール、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン系樹脂などが挙げられこれらの1種を単独でまたは2種以上併用して用いることができる。さらに必要に応じて1分子中にエポキシ基を1つ含む単官能エポキシ化合物を添加しても良い。
本発明に含むことができるポリイミド樹脂は、特に限定されないが、好適に用いられる例として、酸二無水物とジアミン化合物からポリアミック酸を合成し、しかる後に加熱脱水することで得られるポリイミド樹脂が挙げられる。
本発明に含むことができるシリコーン樹脂は、特に限定されないが、好適に用いられる例として、オルガノハイドロジェンポリシロキサンとアルケニル基含有ポリシロキサンとの塩化白金酸によるハイドロシリレーションにより得られるシリコーン樹脂が好ましい。この際、シリコーンレジンを添加しても良い。
本発明の樹脂層には適宜有機溶媒を含めることができる。有機溶媒は特に限定されないが、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、トルエンなどが挙げられる。
本発明のフィルム状に形成されたウエハモールド材は支持フィルムを有することができる。前記支持フィルムは、単一でも複数の重合体フィルムを積層した多層フィルムでもよい。材質としてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムがあるが、適度の可とう性、機械的強度及び耐熱性を有するポリエチレンテレフタレートが好ましい。また、これらの支持フィルムについては、コロナ処理や剥離剤が塗布されたような各種処理が行われたものでもよい。これらは市販品を使用することができ、例えばセラピールWZ(RX)、セラピールBX8(R)(以上、東レフィルム加工(株)製)、E7302、E7304(以上、東洋紡績(株)製)、ピューレックスG31、ピューレックスG71T1(以上、帝人デュポンフィルム(株)製)、PET38×1−A3、PET38×1−V8、PET38×1−X08(以上、ニッパ(株)製)等が挙げられる。
本発明のフィルム状に形成されたウエハモールド材は保護フィルムを有することができる。前記保護フィルムは、上述した支持フィルムと同様のものを用いることができるが、適度の可とう性を有するポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンが好ましい。これらは市販品を使用することができ、ポリエチレンテレフタレートとしてはすでに例示したもの、ポリエチレンとしては、例えばGF−8(タマポリ(株)製)、PEフィルム0タイプ(ニッパ(株)製)が挙げられる。
本発明のウエハモールド材は表面に半導体素子を有するウエハを一括して樹脂モールドするためのウエハモールド材であって、少なくともアクリル樹脂、エポキシ基を有するシリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂のいずれか一つと、フィラーとからなる前記樹脂層を有するものであり、フィルム状に形成されたものである。本発明のウエハモールド材の一態様を図1に例示する。本発明のフィルム状に形成されたウエハモールド材10は前記樹脂層2の他、前記支持フィルム1及び前記保護フィルム3を有することができる。このようなウエハモールド材であれば、ウエハサイズが大口径化(8インチ、12インチ、あるいはそれ以上)、薄膜化した場合でも、モールド後のウエハの反りを抑制することができ、さらに該ウエハに対して良好な転写性能を発揮することができる。
また、本発明は、少なくとも、前記フィルム状のウエハモールド材を表面に半導体素子を有するウエハへ転写する転写工程、前記転写されたウエハモールド材を加熱する加熱工程、及び前記加熱されたウエハモールド材を有する前記表面に半導体素子を有するウエハを該ウエハモールド材ごと切断して個片化する個片化工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。以下、本発明のウエハモールド材を用いた半導体装置の製造方法の一実施態様について、図2を用いて詳細に説明する。
本発明に係る転写工程は、フィルム状の前記ウエハモールド材10を表面に半導体素子4を有するウエハ7へ転写する工程である(図2(A)〜(D))。まず、フィルム状のウエハモールド材10から保護フィルム3を剥がし、樹脂層2を露出させる(図2(A)、(B))。銅ポスト5とアンダーフィル材6を介して表面に半導体素子4を有するウエハ7に対してウエハモールド材の樹脂層2を密着させる(図2(C))。その後、支持フィルム1を剥離することでウエハモールド材(樹脂層2)が半導体素子4を有するウエハ7の表面に転写される(図2(D))。前記ウエハモールド材10は大口径化、薄膜化したウエハ7に対しても良好に転写することができるため、モールド面積の増大に伴う充填不良を抑制することができる。また、この転写工程において、ウエハモールド材の樹脂層2はウエハ7の半導体素子4の形状に対し隙間を生じることなく転写することができる。
本発明に係る加熱工程は、前記転写されたウエハモールド材(樹脂層2)を加熱する工程である。ウエハモールド材(樹脂層2)は加熱により硬化し、表面に半導体素子4を有するウエハ7を一括してモールドすることができる。硬化後のウエハモールド材(樹脂層2’)でモールドされたウエハ7は、大口径化、薄膜化したウエハであっても、反りが抑制されたものとなる(図2(E))。
本発明に係る個片化工程は、前記加熱されたウエハモールド材(硬化後の樹脂層2’)を有する前記表面に半導体素子4を有するウエハ7を、ダイサー(不図示)を用いて該ウエハモールド材(硬化後の樹脂層2’)ごと切断して個片化する工程である。モールド後でも反りが抑制されているウエハ7は良好に個片化することができる。これにより、個片化された硬化後の樹脂層2”でモールドされ、個片化されたウエハ7’からなる半導体装置9を製造することができる(図2(F))。
はじめに本発明のウエハモールド材について説明する。
下記成分を自転・公転方式の混合機((株)シンキー社製)に仕込み、更に、これら成分の合計の濃度が50質量%となるようにメチルエチルケトンを加え、混合して、エポキシ基を有するシリコーン樹脂とフィラーからなる樹脂組成物(I)を調製した。
SG−P3:エポキシ基を有するアクリロニトリル系樹脂(ナガセケムテックス社製)60質量部
KF−102:エポキシ基を有するシリコーン樹脂(信越化学工業社製)40質量部
RE−310S:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製)20質量部
4,4’−DDS:4,4’−ジアミノジフェニルスルホン(和歌山精化社製)3質量部
2PHZ:2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成製)1質量部
SE−2050:シリカ微粉末(アドマテックス社製)15質量部
フィルムコーターとしてダイコーター、支持フィルムとしてポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ38μm)を用いて、前記樹脂組成物(I)を上記支持フィルム上に塗布した。次いで、100℃に設定された熱風循環オーブン(長さ4m)を5分間で通過させることにより、支持フィルム上に膜厚100μmの樹脂層を形成した。次に上記樹脂層の上から、保護フィルムとしてポリエチレンフィルム(厚さ50μm)を用いて、上記保護フィルムをラミネートロールを用いて圧力1MPaにて貼り合わせて、ウエハモールド材(実施例1)を作製した。
撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコ内に、4,4’−ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物44.4g(0.1モル)およびジグライム350gを仕込んだ。ついで、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン5.2g(0.02モル)およびジアミノシロキサン(下記一般式(3)の両末端がアミノ基であり、R3はメチル基で、hの平均が8のもの)67.2g(0.08モル)を反応系の温度が50℃を越えないように調節しながら、上記フラスコ内に加えた。その後、さらに室温で10時間撹拌した。つぎに、該フラスコに水分受容器付き還流冷却器を取り付けた後、トルエン100gを加え、150℃に昇温してその温度を6時間保持したところ、褐色の溶液が得られた。
[(CH3)3SiO1/2]単位1.1モルと[SiO4/2]単位1モルの割合からなり、水酸基を100グラム当たり、0.07モル含有するメチルポリシロキサンレジン50部と、末端が水酸基で封鎖された重合度2,000の生ゴム状のジメチルポリシロキサン50部をトルエン100部に溶解し、この溶液に濃度28%のアンモニア水を0.5部添加し、室温で16時間攪拌、縮合反応を行った。次いでこの反応溶液を120〜130℃に加熱し、共沸脱水により縮合水を除去し、さらに150℃で30分間溶媒を揮発させ不揮発成分を得、この不揮発成分が40質量%になるようにトルエンを加えてシリコーン部分縮合物−I溶液を合成した。
(a)アクリル酸メチル30部、(b)アクリロニトリル30部、ならびに(c)アクリル酸40部、(d)片末端メタクリル変性シリコーン(X−22−174DX 信越化学工業社製)50部の4成分をラジカル重合開始剤として2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.5部を用いてトルエン溶液中60℃で共重合させ、アクリル樹脂を得た。
末端アルコール変性シリコーン(X−22−170B 信越化学工業社製)50部と2,4−トリレンジイソシアネート50部を反応させウレタン樹脂を得た。該ウレタン樹脂50部、ビスフェノールAジグリシジルエーテル10質量部および2−エチルイミダゾール0.5質量部、フィラーとしてSE−2050(アドマテックス社製)20質量部および溶剤としてシクロペンタノンを濃度が50%になるよう加えて、ウレタン樹脂とフィラーからなる樹脂組成物(V)を作製した。
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体(商品名:TR2000日本合成ゴム社製、数平均分子量100000、スチレン/ブタジエン共重合比[質量]=40/60)300g、酢酸エチル1500gを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の30質量%酢酸エチル溶液169gを連続滴下させ、撹拌40℃で3時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量520のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
テトラグリシジルフェニルメタン型エポキシ樹脂:エピコート604(油化シェルエポキシ社製)47.1質量%
ノボラック型フェノール樹脂:ショーノールBRG555(昭和高分子社製)29.7質量%
ジアミノジシロキサン:TSL9306(東芝シリコーン社製)0.9質量%
エポキシ系シランカップリング剤:サイラエースS530(チッソ社製)3質量%
イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤:キュアゾール2E4MZ(四国化成工業社製)0.3質量%
厚み100μm、直径300mm(12インチ)のウエハで、表面に半導体素子を有するシリコンウエハを用意した。上記6種類のウエハモールド材について、その保護フィルムを剥離し、真空ラミネーター((株)タカトリ社製 TEAM−300M)を用いて、真空チャンバー内を真空度100Paに設定し、100℃で支持フィルム上の樹脂層を上記シリコンウエハに密着させた。常圧に戻した後、上記シリコンウエハを25℃に冷却して上記真空ラミネーターから取り出し、支持フィルムを剥離し、ウエハモールド材をウエハへ転写した。この際、各ウエハモールド材について目視にて転写性を評価した。転写性の評価では隙間を生じることなく転写することができれば良好とし、充填不良を生じれば不良とした。結果を表1に示す。
続いて、ウエハモールド材が転写されたウエハを150℃、1時間で加熱し、ウエハモールド材を硬化させた。硬化、モールド後の各ウエハモールド材の貯蔵弾性率(MPa)及びウエハ反り量(mm)を測定した。結果を表1に示す。
加熱工程後、ダイサー(DISCO社製 DAD361)を用いてウエハをウエハモールド材ごと切断して個片化した。個片化後、ダイシング性について評価をした。ダイシング性の評価では、チップ(半導体装置)の欠けなどの異常がないか目視にて確認し、異常がなければ良好とし異常があれば不良とした。結果を表1に示す。
Claims (5)
- 表面に半導体素子を有するウエハを一括して樹脂モールドするためのウエハモールド材であって、
少なくともアクリル樹脂、エポキシ基を有するシリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂のいずれか一つと、フィラーとからなる樹脂層を有するものであり、フィルム状に形成されたものであることを特徴とするウエハモールド材。 - 前記樹脂層の膜厚が20ミクロンから500ミクロンのものであることを特徴とする請求項1に記載のウエハモールド材。
- 前記樹脂層は支持フィルム上に形成され、該樹脂層の上に保護フィルムを備えるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハモールド材。
- 硬化後の前記樹脂層の25℃での貯蔵弾性率が1GPa以下のものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のウエハモールド材。
- 半導体装置の製造方法であって、少なくとも
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のフィルム状の前記ウエハモールド材を表面に半導体素子を有するウエハへ転写する転写工程、
前記転写されたウエハモールド材を加熱する加熱工程、及び
前記加熱されたウエハモールド材を有する前記表面に半導体素子を有するウエハを該ウエハモールド材ごと切断して個片化する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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