JP2012114118A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上に複数の平行なワード線WLと複数の平行な第1ビット線1BLとが互いに垂直な方向に設けられている。隣接する2本のワード線WLの間に、ビットコンタクト電極BCが設けられている。ビットコンタクト電極BCを挟んで隣接する2本のワード線WLのそれぞれを間にしてビットコンタクト電極BCと反対側に、ノードコンタクト電極NCが設けられている。ノードコンタクト電極NCは、接続層23を介して下部電極21に接続されている。下部電極21は、基板11の表面に平行な面内においてノードコンタクト電極NCの直上からビットコンタクト電極BCに近づく方向にずれた位置に設けられている。複数の第2ビット線2BLの各々は、第1ビット線1BLの両側のノードコンタクト電極NCに接続された下部電極21に重なっている。
【選択図】図1
Description
1.第1の実施の形態(下部電極をビットコンタクト電極方向にずらし、各第2ビット線を第1ビット線の両側の下部電極に重ねる例)
2.変形例1(接続プラグの径を大きくする例)
3.変形例2(ノードコンタクト電極,接続プラグおよび下部電極を少しずつずらす例)
4.第2の実施の形態(下部電極をビットコンタクト電極方向にずらして一列に配置する例)
5.第3の実施の形態(各第2ビット線を、隣接する2本の第1ビット線の間に位置するノードコンタクト電極に接続された下部電極に重ねる例)
6.第4の実施の形態(下部電極をずらして一列に配置する例)
7.第5の実施の形態(各第2ビット線を、隣接する3本の第1ビット線のうち両端の第1ビット線の間に位置するノードコンタクト電極に接続された下部電極に重ねる例)
8.第6の実施の形態(下部電極をずらして二列に配置する例)
9.第7の実施の形態(PCMの例)
10.第8の実施の形態(ReRAMの例)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る記憶装置の平面構成を表し、図2は、図1に示した記憶装置の一部をIIA方向およびIIB方向から見た構成を表したものである。この記憶装置1は、複数のトランジスタを有するトランジスタアレイ10の上に、複数の記憶素子20を有している。
なお、上記実施の形態では、ノードコンタクト電極NCと下部電極21との間に、ノードコンタクト電極NCと下部電極21とのずれ量を吸収可能な形状を有する接続層23を設けるようにした場合について説明したが、図9に示したように、接続プラグ14,ノードコンタクト電極NCおよび下部電極21を、接続プラグ14から順に下部電極21の側にずらして積層するようにしてもよい。
また、図10に示したように、ノードコンタクト電極NCが、接続プラグ14よりも大きな径を有するようにしてもよい。ノードコンタクト電極NCの径は、接続プラグ14の上面と、下部電極21の下面との両方に接触可能な大きさとする。
図11は、本発明の第2の実施の形態に係る記憶装置1Aの平面構成を表したものである。この記憶装置1Aは、下部電極21が第1ビット線1BLに平行な方向に一列に配置されていることを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
上述した第1および第2の実施の形態では、第1ビット線1BLと第2ビット線2BLとが1対1の対応関係になっている場合について説明した。以下、第3ないし第6の実施の形態は、第1ビット線1BLと第2ビット線2BLとの対応関係を変えた例に関するものである。
図13は、本発明の第3の実施の形態に係る記憶装置1Bの平面構成を表し、図14はその等価回路を表したものである。この記憶装置1Bは、隣接する2本の第1ビット線1BLに付属する下部電極21が一本の第2ビット線2BLを共有している。言い換えれば、同一の第1ビット線1BLの右側に付属する下部電極21と、左側に付属する下部電極21とは、異なる第2ビット線2BLの下に配置されている。このことを除いては、この記憶装置1Bは、上記第1の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図15は、本発明の第4の実施の形態に係る記憶装置1Cの平面構成を表したものである。この記憶装置1Cでは、隣接する2本の第1ビット線1BLの間に位置するノードコンタクト電極NCに接続された下部電極21が、第1ビット線1BLに平行な方向に一列に配置されている。このことを除いては、この記憶装置1Cは、上記第3の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図17は、本発明の第5の実施の形態に係る記憶装置1Dの平面構成を表し、図18はその等価回路を表したものである。この記憶装置1Dでは、二本ぶんの第1ビット線1BLに付属する下部電極21に対して、一本の第2ビット線2BLの割合で配置したことを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成および効果を有し、同様にして製造することができる。
図19は、本発明の第6の実施の形態に係る記憶装置1Eの平面構成を表したものである。この記憶装置1Eでは、隣接する3本の第1ビット線1BLのうち両端の第1ビット線1BLの間に位置するノードコンタクト電極NCに接続された下部電極21が第1ビット線1BLに平行な方向に二列に配置されている。このことを除いては、この記憶装置1Eは、上記第5の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。
図21は、本発明の第7の実施の形態に係る記憶装置1の記憶素子20Aの構成を表したものである。この記憶装置1は、記憶素子20AがPCM(Phase Change Memory)(相変化型メモリ)により構成されていることを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、第1の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
図22は、本発明の第8の実施の形態に係る記憶装置1の記憶素子20Bの構成を表したものである。この記憶装置1は、記憶素子1BがReRAM(Resistive Random Access Memory)(抵抗変化型メモリ)により構成されていることを除いては、上記第1の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、第1の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
Claims (16)
- 複数のトランジスタを有するトランジスタアレイと、前記複数のトランジスタの各々に対して一つずつ配置された複数の記憶素子とを備え、
前記トランジスタアレイは、
表面に前記複数のトランジスタの拡散層を有する基板と、
前記基板上の複数の平行なワード線と、
前記ワード線に垂直な方向に設けられた複数の平行な第1ビット線と、
隣接する2本の前記ワード線の間に設けられ、前記第1ビット線と前記拡散層とを接続するビットコンタクト電極と、
前記隣接する2本のワード線のそれぞれを間にして前記ビットコンタクト電極とは反対側に設けられ、前記拡散層に接続されたノードコンタクト電極と
を備え、
前記複数の記憶素子は、
前記ノードコンタクト電極に接続され、前記基板の表面に平行な面内において前記ノードコンタクト電極の直上から前記ビットコンタクト電極に近づく方向にずれた位置に、前記複数の記憶素子の各々ごとに設けられた下部電極と、
前記下部電極の上に設けられ、電圧印加によって抵抗値が可逆的に変化する記憶層と、
前記記憶層の上に前記第1ビット線と同じ方向に延在する複数の平行な第2ビット線と
を有し、
前記複数の第2ビット線の各々は、前記第1ビット線の両側の前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極に重なっている
記憶装置。 - 前記第1ビット線の両側の前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極が、前記第1ビット線に平行な方向に一列に配置されている
請求項1記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記下部電極との間に接続層を有し、前記接続層は、前記ノードコンタクト電極と前記下部電極とのずれ量を吸収可能な形状を有する
請求項1または2記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記ノードコンタクト電極は、前記接続プラグよりも大きな径を有する
請求項1または2記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記接続プラグ,前記ノードコンタクト電極および前記下部電極は、前記接続プラグから順に前記下部電極の側にずらして積層されている
請求項1または2記載の記憶装置。 - 複数のトランジスタを有するトランジスタアレイと、前記複数のトランジスタの各々に対して一つずつ配置された複数の記憶素子とを備え、
前記トランジスタアレイは、
表面に前記複数のトランジスタの拡散層を有する基板と、
前記基板上の複数の平行なワード線と、
前記ワード線に垂直な方向に設けられた複数の平行な第1ビット線と、
隣接する2本の前記ワード線の間に設けられ、前記第1ビット線と前記拡散層とを接続するビットコンタクト電極と、
前記隣接する2本のワード線のそれぞれを間にして前記ビットコンタクト電極とは反対側に設けられ、前記拡散層に接続されたノードコンタクト電極と
を備え、
前記複数の記憶素子は、
前記ノードコンタクト電極に接続され、前記複数の記憶素子の各々ごとに設けられた下部電極と、
前記下部電極の上に設けられ、電圧印加によって抵抗値が可逆的に変化する記憶層と、
前記記憶層の上に前記第1ビット線と同じ方向に延在する複数の平行な第2ビット線と
を有し、
前記複数の第2ビット線の各々は、隣接する2本の前記第1ビット線の間に位置する前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極に重なっている
記憶装置。 - 隣接する2本の前記第1ビット線の間に位置する前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極は、前記基板の表面に平行な面内において前記ワード線に平行な方向にずれた位置に設けられると共に、前記第1ビット線に平行な方向に一列に配置されている
請求項6記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記下部電極との間に接続層を有し、前記接続層は、前記ノードコンタクト電極と前記下部電極とのずれ量を吸収可能な形状を有する
請求項7記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記ノードコンタクト電極は、前記接続プラグよりも大きな径を有する
請求項7記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記接続プラグ,前記ノードコンタクト電極および前記下部電極は、前記接続プラグから順に前記下部電極の側にずらして積層されている
請求項7記載の記憶装置。 - 複数のトランジスタを有するトランジスタアレイと、前記複数のトランジスタの各々に対して一つずつ配置された複数の記憶素子とを備え、
前記トランジスタアレイは、
表面に前記複数のトランジスタの拡散層を有する基板と、
前記基板上の複数の平行なワード線と、
前記ワード線に垂直な方向に設けられた複数の平行な第1ビット線と、
隣接する2本の前記ワード線の間に設けられ、前記第1ビット線と前記拡散層とを接続するビットコンタクト電極と、
前記隣接する2本のワード線のそれぞれを間にして前記ビットコンタクト電極とは反対側に設けられ、前記拡散層に接続されたノードコンタクト電極と
を備え、
前記複数の記憶素子は、
前記ノードコンタクト電極に接続され、前記複数の記憶素子の各々ごとに設けられた下部電極と、
前記下部電極の上に設けられ、電圧印加によって抵抗値が可逆的に変化する記憶層と、
前記記憶層の上に前記第1ビット線と同じ方向に延在する複数の平行な第2ビット線と
を有し、
前記複数の第2ビット線の各々は、隣接する3本の前記第1ビット線のうち両端の前記第1ビット線の間に位置する前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極に重なっている
記憶装置。 - 隣接する3本の前記第1ビット線のうち両端の前記第1ビット線の間に位置する前記ノードコンタクト電極に接続された前記下部電極は、前記基板の表面に平行な面内において前記ワード線に平行な方向にずれた位置に設けられると共に、前記第1ビット線に平行な方向に二列に配置されている
請求項11記載の記憶装置。 - 選択された記憶素子と前記ワード線および前記第2ビット線を共有する他の記憶素子の前記下部電極が付属する前記第1ビット線を、前記共有されている第2ビット線と同電位にすることにより、前記選択された記憶素子の抵抗値を変化させる
請求項11または12記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記下部電極との間に接続層を有し、前記接続層は、前記ノードコンタクト電極と前記下部電極とのずれ量を吸収可能な形状を有する
請求項13記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記ノードコンタクト電極は、前記接続プラグよりも大きな径を有する
請求項13記載の記憶装置。 - 前記ノードコンタクト電極と前記拡散層との間に接続プラグを有し、前記接続プラグ,前記ノードコンタクト電極および前記下部電極は、前記接続プラグから順に前記下部電極の側にずらして積層されている
請求項13記載の記憶装置。
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US20240023345A1 (en) * | 2022-07-18 | 2024-01-18 | Globalfoundries U.S. Inc. | Resistive memory element arrays with shared electrode strips |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004040006A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
WO2005076355A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp. | 記憶装置 |
WO2007088626A1 (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置 |
JP2007287794A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004040006A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
WO2005076355A1 (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp. | 記憶装置 |
WO2007088626A1 (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置 |
JP2007287794A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置 |
JP2010161173A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9064792B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
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