JP2012111869A - 研磨用シリカゾル、研磨用組成物及び研磨用シリカゾルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリカゾルは動的光散乱法により測定される平均粒子径が5〜300nmの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が10〜60重量%であって、29Si−NMRスペクトル測定時のケミカルシフト−73〜−120ppmのピーク面積におけるQ4の面積が88%以上、Q3の面積が11%以下である。但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Q4は−100〜−120ppmの範囲のピークであり、Q3は−82〜−100ppmの範囲のピークである。
【選択図】なし
Description
29Si−NMRスペクトル測定時のケミカルシフト−73〜−120ppmのピーク面積におけるQ4の面積が88%以上、Q3の面積が11%以下であることを特徴としている。
但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Q4は−100〜−120ppmの範囲のピークであり、Q3は−82〜−100ppmの範囲のピークである。
(a)前記非球状シリカ微粒子を動的光散乱法により測定した平均粒子径を[A]とし、窒素吸着法により測定した平均粒子径[B]とするとき、当該非球状シリカ微粒子のA/Bの値が2.0〜5.0の範囲にあること。
(b)次の特徴を有する前記の研磨用シリカゾル。
1)前記シリカゾルのSiO2/MOH(Mは、Na、Kまたは第4級アミン)で定義されるモル比の値が100〜420であり、
2)前記シリカゾルのSiO2/X(Xは、SO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−)で定義されるモル比の値が400〜1000ある。
(c)前記非球状シリカ微粒子の表面電荷密度の絶対値が0.3〜1.3[μeq/m2]の範囲にあること。
この工程で得られた溶液に含まれる塩を洗浄して除去する工程と、
塩が除去された後の前記シリカヒドロゲルにアルカリ溶液を添加して得られた溶液を60〜100℃の温度範囲に保持しながら攪拌し、当該シリカヒドロゲルを解膠させて非球状シリカ微粒子を含むシリカゾルを得る工程と、
この工程で得られたシリカゾルを含む溶液を130〜300℃の温度範囲、0.13〜0.30MPaの圧力範囲で保持して第1の水熱処理を行い、非球状シリカ微粒子を成長させる工程と、
前記第1の水熱処理にて成長させた非球状シリカ微粒子を含むシリカゾルにアルカリ種と陰イオン種とを添加し、130〜300℃の温度範囲、0.13〜0.30MPaの圧力範囲で保持して第2の水熱処理を行い、シリカ粒子中のシラノール基の縮合を進行させる工程と、を含むことを特徴とする。
(d)前記第1の水熱処理は、シリカゾル中のシリカ微粒子の濃度が2〜5重量%の範囲で行われ、前記第2の水熱処理は、シリカゾル中のシリカ微粒子の濃度が10〜20重量%の範囲で行われること。
(e)前記第2の水熱処理工程におけるアルカリ種及び陰イオン種の添加量が、以下の1)、2)の条件を満たすこと。
1)前記アルカリ種がNaOH、KOH、第四級アミンからなるアルカリ種群から選択され、前記シリカゾル中のシリカに対するアルカリ種のモル比をSiO2/MOH(Mは、Na、Kまたは第4級アミン)で表したとき、このモル比の値が100〜420であり、
2)前記陰イオン種がSO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−からなる陰イオン種群から選択され、前記シリカゾル中のシリカに対する陰イオン種のモル比をSiO2/X(Xは、SO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−)で表したとき、このモル比の値が400〜1000であること。
本発明のシリカゾルは、シリカ微粒子を含んでいる。シリカ微粒子は、例えばケイ酸ナトリウムなどのケイ酸アルカリ塩を酸で中和して得られたシリカヒドロゲル(ゲル状のケイ酸)を解膠し、加熱させることなどにより得られる。シリカヒドロゲル中には必ずしもSiO2は含まれていなくてもよく、例えばSi(OH)2同士が水素結合で結びついているものなど、多様な構成のケイ酸が含まれる。前記シリカ微粒子は、主として酸素原子を介して2つのケイ素原子がつながったシロキサン結合(Si−O−Si)や、一部水酸基と結合したケイ素原子を含んでいる。
本発明は、このような考え方に基づいてなされたものであり、シロキサン構造部に含まれるQ4構造の含有割合が、同シロキサン構造部中のケイ素の88mol%以上であり、且つ、Q3構造の含有割合が同11mol%以下であって、Q0〜Q2構造のトータルの含有割合を残部とするものである。
また研磨用シリカゾルに含まれるシリカ微粒子の濃度は、10〜60質量%の範囲であることが好ましく、より好ましくは、20〜50質量%の範囲である。シリカ微粒子の濃度が10質量%未満の場合には、研磨速度が小さく、生産性が悪い。60質量%より大きい場合は、研磨速度は大きいが、研磨時に研磨液が乾燥して、凝集粒子が混入し、スクラッチの発生が多くなるなどの傾向がある。
シリカゾル中における非球状シリカ微粒子の表面電荷密度は、絶対値として0.3〜1.3[μeq/m2]の範囲にあることが好ましい。表面電荷密度の絶対値が0.3[μeq/m2]よりも小さくなると非球状シリカ微粒子が凝集してしまうおそれがある一方、5〜300nmの粒径範囲では表面電荷密度の絶対値を1.3[μeq/m2]より大きくすることは困難である。
上述の非球状シリカ微粒子を含むシリカゾルには、研磨促進剤、界面活性剤、複素環化合物、pH調整剤及びpH緩衝剤からなる添加剤群より選ばれる1種以上の添加剤を添加して研磨用組成物としてもよい。
以上に述べてきた特徴を備えるシリカゾルの製造方法の一例について説明する。
はじめにシリカ微粒子の原料であるケイ酸アルカリ塩を水溶液に溶解する。ケイ酸アルカリ塩の水溶液の濃度は、SiO2換算で1〜10重量%、さらには2〜8重量%に調製することが好ましい。SiO2としてのケイ素の含有量が1重量%未満の場合は、ケイ酸の重合(ゲル化)が不充分となり、硫酸ナトリウムなどの塩洗浄の際に、ろ布からのシリカ流出が多く、SiO2の収率が低くなるという問題がある。他方、この濃度がSiO2として10重量%を越えると、水溶液を均一に中和することができずケイ酸の重合が不均一となり、最終的に得られる非球状シリカ微粒子の大きさのばらつきが増大する。
また第2の水熱処理を開始する際におけるシリカゾル中のシリカ微粒子の濃度は、分散液の10〜20重量%の範囲内で行うことが好ましい。シリカ微粒子の濃度が10重量%を下回ると、アルカリ種を添加した分散媒中に再溶解するシリカ微粒子の量が多くなり、収率が悪くなる。反対にシリカ微粒子の濃度が20重量%を超えると、処理容器へのスケールの付着量が多くなり、シリカ粒子の収率が悪くなるばかりか、シリカ微粒子の凝集も進行してしまう。
各例の研磨用シリカゾルの評価方法について以下に記す。
[1]29Si−NMR
専用ガラスセルに各例に係わる研磨用シリカゾルを入れ、基準物質としてテトラメチルシランを5重量%添加し、NMR装置(日本電子(株)製JNM−EX270型、解析ソフト;日本電子(株)製Excalibur)にて、シングルパルスノンデカップリング法にて29Si−NMRのスペクトルを得た。得られたNMRスペクトルのケミカルシフト−73.0〜−120.0ppmの範囲にあるピークのトータルの面積STをシロキサン構造部(Q0構造〜Q4構造)のピーク面積とし、ケミカルシフトが−100.0〜−120.0ppmの範囲をQ4構造のピークの面積(S4)、同じく−82.0〜−100.0ppmの範囲をQ3構造のピーク面積(S3)とした。各構造のピークの面積の比率は、(Si/ST)×100[%](i=3または4)により計算した。
シリカゾルを0.58%アンモニア水にて希釈して、シリカ微粒子の固形分濃度を1重量%に調製し、当該シリカゾルを10mm角のプラスチックセルに充填して、レーザーパーティクルアナライザー(大塚電子株式会社製、レーザー粒径解析システム:LP−510モデルPAR−III、測定原理:動的光散乱法、測定角度90°、受光素子:光電子倍増管2インチ、測定範囲:3nm〜5μm、光源:He-Neレーザー(5mW、632.8nm)を用いて平均粒子径A[nm]を計測した。セル内のシリカゾルは、25℃に調整した。
シリカゾル50mlをHNO3でpHを3.5に調整し、1−プロパノールを40ml加え、110℃で16時間乾燥した試料について、乳鉢で粉砕後、マッフル炉にて500℃、1時間焼成して測定用試料とした。そして、比表面積測定装置(ユアサアイオニクス製、型番マルチソーブ12)を用いて窒素吸着法(BET法)を用いて、窒素の吸着量から、BET1点法により比表面積を算出した。
B=6000/(ρ×SA) … (1)
但し、 ρ:試料の密度(シリカでは2.2[g/cm3]を用いた)
SA:試料の比表面積[m2/g]
(1)被研磨基板
被研磨基板として、ハードディスク用アルミノシリケート製ガラス基板を使用した。このハードディスク用アルミノシリケート製ガラス基板は、ドーナツ形状の基板である(外径65mmΦ/内径20mmΦ−厚さ0.635mm)。なお、この基板は一次研磨済みで、表面粗さ(RA)は0.3nmであった。
上記被研磨基板を研磨装置(ナノファクター(株)製:NF300)にセットし、研磨パッド(ニッタ・ハース社製「ポリテックス」)を使用し、基板荷重0.05MPA、テーブル回転速度30rpmで、固形分濃度が15重量%の研磨用シリカゾルを20g/分の速度で5分間供給して研磨を行った。
研磨前後の研磨基板の重量差と研磨時間より、研磨速度を算出した。比較例5のCataloid SI-80Pの研磨速度を1.0として研磨速度比を算出した。
粒子の基材残りについては、超微細欠陥・可視化マクロ装置(VISION PSYTEC社製、製品名:Micro−MAX)を使用し、15にて目視で前面観察し、65.97cm2に相当する研磨処理された基板表面に存在する白色のシミ状の欠陥がない場合を良(○)、かなりの面積の白色のシミが観察される場合を不可(×)、それらの間のものを(△)と評価した。
スクラッチの発生状況については、アルミニウムディスク用基板を(2)に記載の方法で研磨処理した後、超微細欠陥・可視化マクロ装置(VISION PSYTEC社製、製品名:Micro−MAX)を使用し、Zoom15にて全面観察し、65.97cm2に相当する研磨処理された基板表面に存在する100μm以上の長さのスクラッチ(線状痕)の個数を数えて合計した。スクラッチの数が3個以下の場合を良(○)、4〜20個の場合を可(△)、20個以上の場合を不可(×)と評価した。
ケイ酸ナトリウム462.5gを水に溶解し、SiO2換算で24重量%のケイ酸ナトリウム水溶液を調整した後、pHが4.5となるように25重量%の硫酸を添加してシリカヒドロゲルを含む溶液を得る。シリカヒドロゲル溶液は、恒温槽で21℃の温度に維持し、5.75時間静置して熟成を行った後、シリカヒドロゲルに含まれるSiO2としてのケイ素に対し、硫酸ナトリウムの含有量が0.05重量%となるまで純水で洗浄する([SiO2]/[SO4 2−]のモル比で6208に相当)。洗浄が終了したシリカヒドロゲルの分散液のpHが10.5となるようにアルカリ溶液として15重量%のアンモニア水を加え([SiO2]/[NH3]のモル比で1に相当)、スラリー状の分散液を攪拌機にて攪拌しながら95℃に維持し、4時間保持してシリカヒドロゲルの解膠をさせてシリカ微粒子を含むシリカゾルを得た。分散液中のシリカヒドロゲルの濃度は、SiO2の含有量として3重量%であった。
第2の水熱処理にてアルカリ種として添加するNaOHの量を33.73mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とし、処理時間を6時間とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例2)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理においてアルカリ種として添加するNaOHの量を33.73mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とした点と、陰イオン種をNO3 −に変更するため、陰イオン種源として5重量%の硝酸を0.34mL添加した点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例2)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理においてアルカリ種として添加するNaOHの量を33.73mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とした点と、陰イオン種をCl−に変更するため、陰イオン種源として5重量%の塩酸を2mL添加した点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例3)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理にてアルカリ種として添加するNaOHの量を17.8mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を300とし、その処理温度を200℃とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例5)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理において添加するアルカリ種を5重量%、23.7mLのKOHに変更して「SiO2/KOH」のモル比を158とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例6)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理において添加するアルカリ種を第4級アミンである5重量%、38.4mLのTMAHに変更して「SiO2/TMAH」のモル比を158とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。但し、(TMAH)は、「[(CH3)4N]+OH−」を示す。(実施例7)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
熟成後の洗浄時に、シリカヒドロゲルに含まれるSiO2に対して、硫酸ナトリウムの含有量が0.05重量%となるまで純水で洗浄し、[SiO2]/[SO4 2−]のモル比を611にした点と、シリカヒドロゲルを解膠させる際に添加するアルカリ溶液を5重量%のNaOH溶液に変更した点([SiO2]/[NaOH]のモル比の値が158)と、第1の水熱処理において処理温度を160℃、処理圧力を0.16MPaとし、シリカ微粒子の平均粒子径が21nmとなるまで成長させた点と、第2の水熱処理にてアルカリ種として添加するNaOHの量を23mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とした点と、第2の水熱処理を6時間行った点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(実施例8)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理にて陰イオン種として添加する硫酸の量を1.3mLに変更して「SiO2/SO4 2−」のモル比が2500とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例1)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第2の水熱処理にてアルカリ種として添加するNaOHの量を66.7mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を80とした点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例2)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第1の水熱処理後のシリカゾルに、「SiO2/NaOH」のモル比を158となるようにNaOHを添加し、「SiO2/SO4 2−」のモル比が611となるように硫酸を添加した後、加熱処理を行わず、第2の水熱処理を実施しなかった点以外は(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例3)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
市販のシリカゾル(日揮触媒化成社製、Cataloid SI-80P、SiO2としての濃度;3重量%、シリカ微粒子形状;球形、平均粒子径;80nm)に、「SiO2/NaOH」のモル比が246となるようにNaOHを添加し、「SiO2/Cl−」のモル比が400となるように塩酸を添加した後、(実施例1)と同様の条件で第2の水熱処理に相当する加熱処理を行い、研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例4)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
アルカリ種(NaOH)及び陰イオン種(Cl−)の添加後に加熱処理を行わなかった点以外は、(比較例4)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例5)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
熟成後の洗浄時に、シリカヒドロゲルに含まれるSiO2に対して、硫酸ナトリウムの含有量が0.05重量%となるまで純水で洗浄し、[SiO2]/[SO4 2−]のモル比を611にした点と、第1の水熱処理を温度160℃、圧力0.16MPaの条件下にて3時間行い、平均粒子径20nmの非球形シリカ微粒子を含むシリカゾル得た点と、第1の水熱処理の後にアルカリ種として添加するNaOHの量を33.73mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とし、その後、第2の水熱処理は行わなかった点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例6)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
第1の水熱処理の後にアルカリ種として添加するNaOHの量を33.73mLに変更して「SiO2/NaOH」のモル比を158とし、その後、第2の水熱処理は行わなかった点以外は、(実施例1)と同様の条件で研磨用シリカゾル及び研磨用組成物を調製した。(比較例7)に係わるシリカゾルの製造条件を(表1)に示し、得られたシリカゾルの物性及び研磨試験の結果を(表2)に示す。
このほか、市販の球状のシリカ微粒子を含むシリカゾルを用いた場合は、(比較例4)のように第2の水熱処理を行っても、(比較例5)のようにこれを行わなくても研磨速度比は小さかった。
Claims (8)
- 動的光散乱法により測定される平均粒子径が5〜300nmの範囲にある非球状シリカ微粒子を分散媒に分散してなり、固形分濃度が10〜60質量%のシリカゾルであって、
29Si−NMRスペクトル測定時のケミカルシフト−73〜−120ppmのピーク面積におけるQ4の面積が88%以上、Q3の面積が11%以下であることを特徴とする研磨用シリカゾル。
但し、前記ケミカルシフトは、テトラメチルシランを基準物質とし、Q4は−100〜−120ppmの範囲のピークであり、Q3は−82〜−100ppmの範囲のピークである。 - 前記非球状シリカ微粒子を動的光散乱法により測定した平均粒子径を[A]とし、窒素吸着法により測定した平均粒子径[B]とするとき、当該非球状シリカ微粒子のA/Bの値が2.0〜5.0の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の研磨用シリカゾル。
- 次の特徴を有する請求項1または請求項2記載の研磨用シリカゾル。
1)前記シリカゾルのSiO2/MOH(Mは、Na、Kまたは第4級アミン)で定義されるモル比の値が100〜420
2)前記シリカゾルのSiO2/X(Xは、SO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−)で定義されるモル比の値が400〜1000 - 前記非球状シリカ微粒子の表面電荷密度の絶対値が0.3〜1.3[μeq/m2]の範囲にあることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の研磨用シリカゾル。
- 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の研磨用シリカゾルと、研磨促進剤、界面活性剤、複素環化合物、pH調整剤及びpH緩衝剤からなる添加剤群より選ばれる1種以上の添加剤とを含むことを特徴とする研磨用組成物。
- ケイ酸アルカリ塩と無機酸とを混合して、混合溶液のpHを3〜7の範囲に調整し、シリカヒドロゲルを含む溶液を調整する工程と、
この工程で得られた溶液に含まれる塩を洗浄して除去する工程と、
塩が除去された後の前記シリカヒドロゲルにアルカリ溶液を添加して得られた溶液を60〜100℃の温度範囲に保持しながら攪拌し、当該シリカヒドロゲルを解膠させて非球状シリカ微粒子を含むシリカゾルを得る工程と、
この工程で得られたシリカゾルを含む溶液を130〜300℃の温度範囲、0.13〜0.30MPaの圧力範囲で保持して第1の水熱処理を行い、非球状シリカ微粒子を成長させる工程と、
前記第1の水熱処理にて成長させた非球状シリカ微粒子を含むシリカゾルにアルカリ種と陰イオン種とを添加し、130〜300℃の温度範囲、0.13〜0.30MPaの圧力範囲で保持して第2の水熱処理を行い、シリカ粒子中のシラノール基の縮合を進行させる工程と、を含むことを特徴とする研磨用シリカゾルの製造方法。 - 前記第1の水熱処理は、シリカゾル中のシリカ微粒子の濃度が2〜5重量%の範囲で行われ、前記第2の水熱処理は、シリカゾル中のシリカ微粒子の濃度が10〜20重量%の範囲で行われることを特徴とする請求項6に記載の研磨用シリカゾルの製造方法。
- 前記第2の水熱処理工程におけるアルカリ種及び陰イオン種の添加量が、以下の1)、2)の条件を満たすことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の研磨用シリカゾルの製造方法。
1)前記アルカリ種がNaOH、KOH、第四級アミンからなるアルカリ種群から選択され、前記シリカゾル中のシリカに対するアルカリ種のモル比をSiO2/MOH(Mは、Na、Kまたは第4級アミン)で表したとき、このモル比の値が100〜420である
2)前記陰イオン種がSO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−からなる陰イオン種群から選択され、前記シリカゾル中のシリカに対する陰イオン種のモル比をSiO2/X(Xは、SO4 2−、Cl−、NO3 −またはPO4 3−)で表したとき、このモル比の値が400〜1000であること
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103896287A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法 |
JP2014130663A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
JP2015041391A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2015087965A1 (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル |
GB2527671A (en) * | 2014-05-20 | 2015-12-30 | Kao Corp | Polishing liquid composition for a magnetic disk substrate |
JP2016015184A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP2016121044A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | Dic株式会社 | シリカ構造体およびその製造方法 |
JP2016521242A (ja) * | 2013-04-17 | 2016-07-21 | シルボンド・コーポレイションSilbond Corporation | コロイドゾルとその製造方法 |
WO2016129476A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 堺化学工業株式会社 | 研磨用複合粒子、研磨用複合粒子の製造方法及び研磨用スラリー |
JP2017518243A (ja) * | 2014-03-11 | 2017-07-06 | レ イノベーションズ マタレアム インコーポレイテッド | シリカ−炭素同素体複合材料の調製および使用プロセス |
WO2018012176A1 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
WO2018012173A1 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
WO2020059213A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 日産化学株式会社 | セメンチング組成物用シリカ系添加剤、セメンチング組成物及びセメンチング方法 |
JP2020132479A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
KR102245260B1 (ko) * | 2020-10-06 | 2021-04-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR20220045683A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
TWI799981B (zh) * | 2020-09-07 | 2023-04-21 | 南韓商Skc索密思有限公司 | 拋光墊及其製備方法以及半導體器件的製備方法 |
JP7460844B1 (ja) | 2022-11-08 | 2024-04-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10920120B2 (en) | 2016-11-14 | 2021-02-16 | Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. | Ceria composite particle dispersion, method for producing same, and polishing abrasive grain dispersion comprising ceria composite particle dispersion |
CN110922897B (zh) * | 2019-11-18 | 2024-03-08 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种用于硅化合物的低雾值无损伤抛光液及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003226516A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ及びその製造方法 |
JP2004107204A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Kao Corp | 水系シリカ分散液 |
JP2005022895A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ及びその製造方法 |
JP2005314197A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-11-10 | Fuso Chemical Co Ltd | 高純度疎水性有機溶媒分散シリカゾル及びその製造方法 |
JP2007308339A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mizusawa Ind Chem Ltd | 高純度非晶質シリカ及びその製造方法 |
WO2008123373A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Fuso Chemical Co., Ltd. | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP2009149493A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物 |
WO2010035613A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 扶桑化学工業株式会社 | 屈曲構造及び/又は分岐構造を持つシリカ二次粒子を含有するコロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP2010192904A (ja) * | 2010-03-01 | 2010-09-02 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 研磨用組成物 |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010262683A patent/JP5860587B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003226516A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-08-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ及びその製造方法 |
JP2004107204A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Kao Corp | 水系シリカ分散液 |
JP2005314197A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-11-10 | Fuso Chemical Co Ltd | 高純度疎水性有機溶媒分散シリカゾル及びその製造方法 |
JP2005022895A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | シリカ及びその製造方法 |
JP2007308339A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mizusawa Ind Chem Ltd | 高純度非晶質シリカ及びその製造方法 |
WO2008123373A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Fuso Chemical Co., Ltd. | コロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP2009149493A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物 |
WO2010035613A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 扶桑化学工業株式会社 | 屈曲構造及び/又は分岐構造を持つシリカ二次粒子を含有するコロイダルシリカ及びその製造方法 |
JP2010192904A (ja) * | 2010-03-01 | 2010-09-02 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 研磨用組成物 |
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103896287B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-04-13 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法 |
JP2014130663A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Kao Corp | 磁気ディスク基板の製造方法 |
CN103896287A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-02 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种非球形二氧化硅溶胶及其制备方法 |
JP2016521242A (ja) * | 2013-04-17 | 2016-07-21 | シルボンド・コーポレイションSilbond Corporation | コロイドゾルとその製造方法 |
JP2015041391A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
WO2015087965A1 (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-18 | 日産化学工業株式会社 | シリカ粒子及びその製造方法並びにシリカゾル |
KR20160097287A (ko) | 2013-12-12 | 2016-08-17 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 실리카 입자 및 그 제조 방법 그리고 실리카 졸 |
US10173901B2 (en) | 2013-12-12 | 2019-01-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silica particles, manufacturing method for the same, and silica sol |
JP2017518243A (ja) * | 2014-03-11 | 2017-07-06 | レ イノベーションズ マタレアム インコーポレイテッド | シリカ−炭素同素体複合材料の調製および使用プロセス |
GB2527671A (en) * | 2014-05-20 | 2015-12-30 | Kao Corp | Polishing liquid composition for a magnetic disk substrate |
JP2016015184A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP2016121044A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | Dic株式会社 | シリカ構造体およびその製造方法 |
WO2016129476A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 堺化学工業株式会社 | 研磨用複合粒子、研磨用複合粒子の製造方法及び研磨用スラリー |
JP5979340B1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-24 | 堺化学工業株式会社 | 研磨用複合粒子、研磨用複合粒子の製造方法及び研磨用スラリー |
WO2018012173A1 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
US11111412B2 (en) | 2016-07-15 | 2021-09-07 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, method for producing polishing composition, and polishing method |
WO2018012176A1 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法 |
JP7425414B2 (ja) | 2018-09-18 | 2024-01-31 | 日産化学株式会社 | セメンチング組成物用シリカ系添加剤、セメンチング組成物及びセメンチング方法 |
US11795363B2 (en) | 2018-09-18 | 2023-10-24 | Nissan Chemical Corporation | Silica-based additive for cementing composition, cementing composition, and cementing method |
JPWO2020059213A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2021-08-30 | 日産化学株式会社 | セメンチング組成物用シリカ系添加剤、セメンチング組成物及びセメンチング方法 |
WO2020059213A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-03-26 | 日産化学株式会社 | セメンチング組成物用シリカ系添加剤、セメンチング組成物及びセメンチング方法 |
JP2023041697A (ja) * | 2019-02-21 | 2023-03-24 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7211147B2 (ja) | 2019-02-21 | 2023-01-24 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2020132479A (ja) * | 2019-02-21 | 2020-08-31 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7444298B2 (ja) | 2019-02-21 | 2024-03-06 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
TWI799981B (zh) * | 2020-09-07 | 2023-04-21 | 南韓商Skc索密思有限公司 | 拋光墊及其製備方法以及半導體器件的製備方法 |
KR102510019B1 (ko) * | 2020-10-06 | 2023-03-13 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102245260B1 (ko) * | 2020-10-06 | 2021-04-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR20220045683A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
JP7460844B1 (ja) | 2022-11-08 | 2024-04-02 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
WO2024101242A1 (ja) * | 2022-11-08 | 2024-05-16 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5860587B2 (ja) | 2016-02-16 |
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