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  1. 結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)と、
    測定光線(34)を案内するための測定光路(36)であって、前記光学系(18)の内部に延在する測定光路(36)と
    を備えるマイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)であって、
    該装置(10)はスキャナーとして構成されており、作動時に前記基板表面(21)におけるスリット状の面(44)が前記結像光線(15)の露光光線によって露光され、前記基板(20)が、該基板における露光される前記面(44)が変位されるように露光光線に対して相対移動され、前記測定光路(36)が、露光動作時に露光される前記面(44)に先行および/または後続する前記基板(20)の部分(46,48)に前記測定光線(34)が向けられるように構成されている装置。
  2. EUV波長領域および/または高周波数波長領域で作動するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 前記光学系(18)の少なくとも2つの光学素子(22)が前記測定光路(36)に含まれるように、前記測定光路(36)が前記光学系(18)の内部に延在することを特徴とする請求項1または2に記載の装置(10)。
  4. 前記装置(10)の作動時に、前記測定光路に含まれない少なくとも一つの光学素子が存在するように、前記測定光線(34)は、部分的にのみ前記光学系(18)を通過することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の装置(10)。
  5. 前記基板表面(21)への前記マスクパターンの結像を行うと同時に、前記基板表面(21)における少なくとも1点の位置を決定するように構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の装置。
  6. 前記測定光線(34)を前記光学系(18)に結合するために設けられた光学的な結合素子(38)をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置。
  7. 前記光学系(18)から前記測定光線(34)を分離するための光学的な分離素子(40)をさらに備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記光学系(18)が少なくとも1つの反射光学素子(22)を備え、前記装置(10)の作動時に前記少なくとも1つの反射光学素子(22−6;22−3,22−4,22−5,22−6)で前記測定光線(34)が反射されるように、前記測定光路(36)が前記光学系(18)の内部に延在していることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記測定光路(36)は、前記少なくとも1つの反射光学素子(22−3,22−4,22−5,22−6)で前記測定光線(34)が2回反射されるように構成されていることを特徴とする請求項8に記載の装置。
  10. 前記光学系(18)が少なくとも1つの反射光学素子(22)を備え、前記測定光路(34)が、前記装置(10)の作動時に前記測定光線(34)が前記少なくとも1つの反射光学素子(22−5,22−6)における開口(26)を通過するように前記光学系(18)の内部に延在していることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の装置。
  11. 前記光学系(18)が、反射光学系として構成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の装置。
  12. 前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に、前記測定光路(36)を案内される前記測定光線(34)によって前記基板表面(21)の少なくとも1点をその位置に関して測定するように構成されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の装置。
  13. 前記測定光路(36)が、前記装置(10;110)の作動時に前記測定光線(34)が前記基板(20)の表面(21)で反射されるように構成されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の装置。
  14. 結像すべき前記マスクパターン(16)がマスク(14)に配置されており、前記測定光路(36)が、前記装置(10)の作動時に前記マスク(14)における前記光学系(18)に向いた表面(14a)で前記測定光線(34)が反射されるように構成されていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の装置。
  15. 前記光学系(18)の瞳平面(28)に遮光膜(29)が配置されていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載の装置。
  16. 前記測定光路(36)が、前記光学系(18)の前記瞳平面(30)を少なくとも1回通って延在することを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の装置。
  17. マイクロリソグラフィ投影露光用の装置(10)と、該装置(10)の露光位置に配置された基板(20)とを備えるシステムの特性を決定するための方法において、
    前記装置(10)が、結像光線(15)によってマスクパターン(16)を投影することにより前記基板(20)の表面(21)に前記マスクパターン(16)を結像するための光学系(18)を備え、前記方法が、
    スキャナーとして構成される前記装置の露光動作を行うステップであって、前記基板の前記表面(21)におけるスリット状の面(44)が前記結像光線(15)の露光光線によって露光され、前記基板(20)が、該基板における露光された前記面(44)が変位されるように前記露光光線に対して相対移動されるステップと、
    測定光線(34)が、露光される前記面(44)に先行および/または後続する前記基板(20)の部分(46,48)に向けられるように、前記装置の露光動作時に、前記光学系(18)の内部の測定光路内で前記測定光線(34)を案内するステップと、
    該測定光線(34)から前記システムの特性を決定するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5022959B2 (ja) * 2008-03-24 2012-09-12 株式会社日立製作所 反射屈折型対物レンズを用いた欠陥検査装置
DE102010041562A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
DE102010041556A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung
WO2012137699A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 株式会社ニコン 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US8948495B2 (en) 2012-08-01 2015-02-03 Kla-Tencor Corp. Inspecting a wafer and/or predicting one or more characteristics of a device being formed on a wafer
US8755114B1 (en) 2013-06-14 2014-06-17 Computer Power Supply, Inc. Apparatus for aiding manual, mechanical alignment of optical equipment
CN103365118B (zh) * 2013-07-19 2015-03-25 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机光束监测系统的标定装置及标定方法
US10495982B2 (en) * 2013-10-28 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for real-time overlay error reduction
JP5932859B2 (ja) * 2014-02-18 2016-06-08 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、および物品の製造方法
US10656098B2 (en) 2016-02-03 2020-05-19 Kla-Tencor Corporation Wafer defect inspection and review systems
WO2017136286A1 (en) 2016-02-03 2017-08-10 Kla-Tencor Corporation Wafer defect inspection and review systems
DE102017217680A1 (de) * 2017-10-05 2017-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit einem Messstrahlengang

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3318980C2 (de) * 1982-07-09 1986-09-18 Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
NL8600639A (nl) 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
US4747678A (en) * 1986-12-17 1988-05-31 The Perkin-Elmer Corporation Optical relay system with magnification
NL8900991A (nl) * 1989-04-20 1990-11-16 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2890882B2 (ja) 1990-04-06 1999-05-17 キヤノン株式会社 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
DE4109484C2 (de) * 1991-03-22 2001-03-01 Zeiss Carl Fa Meßobjektiv
JP3384038B2 (ja) * 1992-06-15 2003-03-10 株式会社ニコン 面位置検出光学装置
US5978071A (en) * 1993-01-07 1999-11-02 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage
JP3412704B2 (ja) * 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3368091B2 (ja) 1994-04-22 2003-01-20 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JP4037947B2 (ja) * 1998-01-29 2008-01-23 株式会社テクノホロン 対象物のアライメント方法
AU2300099A (en) * 1998-02-09 1999-08-23 Nikon Corporation Method of adjusting position detector
US6240158B1 (en) * 1998-02-17 2001-05-29 Nikon Corporation X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system
JPH11238666A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Nikon Corp X線投影露光装置
US6481003B1 (en) * 1998-09-30 2002-11-12 Nikon Corporation Alignment method and method for producing device using the alignment method
WO2000030163A1 (fr) * 1998-11-18 2000-05-25 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
US6241056B1 (en) * 1998-12-29 2001-06-05 Hayes Lemmerz International, Inc. Composite brake drum
JP3796369B2 (ja) 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 干渉計を搭載した投影露光装置
JP4175748B2 (ja) * 1999-09-20 2008-11-05 大日本スクリーン製造株式会社 パターン検査装置
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
EP1093021A3 (en) * 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
US6600608B1 (en) * 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
JP2002175964A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Nikon Corp 観察装置およびその製造方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
CN1256628C (zh) * 2001-04-17 2006-05-17 皇家菲利浦电子有限公司 远紫外线可透过的界面结构
DE10120446C2 (de) * 2001-04-26 2003-04-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie
DE10139177A1 (de) * 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
US6618120B2 (en) * 2001-10-11 2003-09-09 Nikon Corporation Devices and methods for compensating for tilting of a leveling table in a microlithography apparatus
TWI225665B (en) * 2001-10-17 2004-12-21 Canon Kk Apparatus control system, apparatus control method, semiconductor exposure apparatus, semiconductor exposure apparatus control method and semiconductor device manufacturing method
JP3564104B2 (ja) * 2002-01-29 2004-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びその制御方法、これを用いたデバイスの製造方法
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10220816A1 (de) * 2002-05-10 2003-11-20 Zeiss Carl Microelectronic Sys Reflektives Röntgenmikroskop und Inspektionssystem zur Untersuchung von Objekten mit Wellenlängen 100 nm
US6828542B2 (en) * 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US20030234993A1 (en) 2002-06-21 2003-12-25 Hazelton Andrew J. Adaptive optic off-axis metrology
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
ATE358291T1 (de) 2002-08-26 2007-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Gitter basierter spektraler filter zur unterdrückung von strahlung ausserhalb des nutzbandes in einem extrem-ultraviolett lithographiesystem
EP1394616A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-03 ASML Netherlands BV An alignment tool, a lithographic apparatus, an alignment method and a device manufacturing method
JP2004193269A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Hitachi Ltd マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
SG123587A1 (en) 2002-12-16 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2004228456A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Canon Inc 露光装置
DE10323664B4 (de) 2003-05-14 2006-02-16 Carl Zeiss Smt Ag Belichtungsvorrichtung mit Dosissensorik
JP4378109B2 (ja) * 2003-05-30 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置、投影光学系、デバイスの製造方法
EP1496398A1 (de) 2003-07-05 2005-01-12 Carl Zeiss SMT AG Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung, optisches Abbildungssystem und Kalibrierverfahren
AU2003304304A1 (en) 2003-07-05 2005-01-21 Carl Zeiss Smt Ag Device for the polarization-specific examination of an optical system
JP2005166785A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Canon Inc 位置検出装置及び方法、並びに、露光装置
US7288779B2 (en) * 2003-12-17 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Method for position determination, method for overlay optimization, and lithographic projection apparatus
US20050134816A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP5420821B2 (ja) 2004-01-14 2014-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射屈折投影対物レンズ
JP2005209896A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Nikon Corp Euv露光装置におけるレチクル位置検出方法
US7423765B2 (en) * 2004-07-31 2008-09-09 Carl Zeiss Smt Ag Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
KR101148589B1 (ko) 2004-12-23 2012-05-22 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
ES2329270T3 (es) 2004-12-30 2009-11-24 F. Hoffmann-La Roche Ag Sintesis del peptido t-1249 utilizando fragmentos intermediarios del ipeptido.
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7612892B2 (en) 2005-10-06 2009-11-03 Nikon Corporation Imaging optical system configured with through the lens optics for producing control information
JP5622068B2 (ja) 2005-11-15 2014-11-12 株式会社ニコン 面位置検出装置、露光装置、およびデバイスの製造方法
DE102005056914A1 (de) 2005-11-29 2007-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsystem
DE102005062618B4 (de) 2005-12-23 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren mit Bestimmung von Abbildungsfehlern
JP4924604B2 (ja) 2006-03-10 2012-04-25 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法
JP2007250947A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 露光装置および像面検出方法
JP2008108852A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Canon Inc 投影露光装置、光学部品及びデバイス製造方法
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik

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