JP2008042036A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008042036A5
JP2008042036A5 JP2006216261A JP2006216261A JP2008042036A5 JP 2008042036 A5 JP2008042036 A5 JP 2008042036A5 JP 2006216261 A JP2006216261 A JP 2006216261A JP 2006216261 A JP2006216261 A JP 2006216261A JP 2008042036 A5 JP2008042036 A5 JP 2008042036A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
optical system
mark
measurement
measurement light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006216261A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008042036A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006216261A priority Critical patent/JP2008042036A/ja
Priority claimed from JP2006216261A external-priority patent/JP2008042036A/ja
Priority to TW096128626A priority patent/TW200826154A/zh
Priority to US11/835,035 priority patent/US8130360B2/en
Priority to KR1020070078871A priority patent/KR100898441B1/ko
Publication of JP2008042036A publication Critical patent/JP2008042036A/ja
Publication of JP2008042036A5 publication Critical patent/JP2008042036A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (9)

  1. 原版ステージと、前記原版ステージによって保持される原版を照明する照明光学系と、基板ステージと、前記原版のパターンを前記基板ステージ上の基板に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
    撮像素子と、
    計測光を前記投影光学系に斜入射させ、前記投影光学系から戻ってくる計測光を前記撮像素子に導く計測光学系と、
    前記撮像素子の出力に基づいて前記基板の面位置情報を導出する制御部とを備え、
    前記撮像素子は、
    (a)前記計測光学系から出て前記原版ステージに配置されたマークに斜入射して前記マークおよび前記投影光学系を通過し、前記基板ステージ上の基板に入射して前記基板で反射され、前記投影光学系を更に通過して前記計測光学系に戻ってくる計測光で形成される前記マークの像と、
    (b)前記計測光学系から出て前記原版ステージに配置された前記マークに斜入射して、前記マークで反射され、前記計測光学系に戻ってくる計測光で形成される前記マークの像と、
    を撮像し、
    前記制御部は、前記マークを通過した計測光で形成される前記マークの像と前記マークで反射した計測光で形成される前記マークの像との間隔に基づいて前記基板の面位置情報導出することを特徴とする露光装置。
  2. 前記計測光学系は、前記計測光学系の光軸からシフトした位置に開口部を有する絞りを含み、前記絞りによって前記マークに斜入射させる計測光が規定されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記基板は、前記投影光学系の焦平面からデフォーカスされ、
    前記マークを通過した計測光は、前記投影光学系から前記計測光学系に戻ってくる間に、前記マークからシフトした位置を通過することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記マークを基準とした前記基板の面位置の変化を前記面位置情報として導出することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
  5. 前記基板ステージを移動させながら前記間隔に基づいて前記基板の面位置情報を導出することによって前記基板の面形状が計測されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
  6. 前記投影光学系の第1位置に計測光を入射させた状態で前記基板の面形状を計測し、前記投影光学系の第2位置に計測光を入射させた状態で前記基板の面形状を計測し、両計測結果に基づいて前記投影光学系の光軸方向における前記基板ステージの駆動誤差が計測されることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
  7. 前記計測光学系及び前記撮像素子を含んでそれぞれ構成される第1TTR検出器および第2TTR検出器備え、
    前記第1TTR検出器によって前記第1位置に計測光を入射させた状態で前記基板の面形状が計測され、前記第2TTR検出器によって前記第2位置に計測光を入射させた状態で前記基板の面形状が計測されることを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
  8. 前記投影光学系を介することなく前記基板に計測光を入射させ、前記基板からの反射光を受光することによって前記基板の面位置情報を検出する面位置検出器を更に備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の露光装置。
  9. デバイス製造方法であって、
    請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
JP2006216261A 2006-08-08 2006-08-08 露光装置及びデバイス製造方法 Withdrawn JP2008042036A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006216261A JP2008042036A (ja) 2006-08-08 2006-08-08 露光装置及びデバイス製造方法
TW096128626A TW200826154A (en) 2006-08-08 2007-08-03 Exposure apparatus and device manufacturing method
US11/835,035 US8130360B2 (en) 2006-08-08 2007-08-07 Exposure apparatus and device manufacturing method
KR1020070078871A KR100898441B1 (ko) 2006-08-08 2007-08-07 노광장치 및 디바이스의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006216261A JP2008042036A (ja) 2006-08-08 2006-08-08 露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008042036A JP2008042036A (ja) 2008-02-21
JP2008042036A5 true JP2008042036A5 (ja) 2009-09-24

Family

ID=39050394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006216261A Withdrawn JP2008042036A (ja) 2006-08-08 2006-08-08 露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8130360B2 (ja)
JP (1) JP2008042036A (ja)
KR (1) KR100898441B1 (ja)
TW (1) TW200826154A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8068211B2 (en) * 2007-07-06 2011-11-29 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method for manufacturing device
KR100971322B1 (ko) 2008-08-21 2010-07-20 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 제조용 노광장치
NL2003331A (en) * 2008-09-02 2010-03-12 Asml Netherlands Bv Device manufacturing method, control system, computer program and computer-readable medium.
TWI418914B (zh) * 2010-03-31 2013-12-11 Pixart Imaging Inc 適用於光感測系統之失焦校正模組及其方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130707A (en) 1980-03-18 1981-10-13 Canon Inc Photo-printing device
JPH0743245B2 (ja) 1987-07-03 1995-05-15 キヤノン株式会社 アライメント装置
US5331371A (en) 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
JP3109852B2 (ja) 1991-04-16 2000-11-20 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP3183046B2 (ja) 1994-06-06 2001-07-03 キヤノン株式会社 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US5751404A (en) 1995-07-24 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
JP4136067B2 (ja) 1997-05-02 2008-08-20 キヤノン株式会社 検出装置及びそれを用いた露光装置
JP4261689B2 (ja) 1999-07-01 2009-04-30 キヤノン株式会社 露光装置、当該露光装置に対して用いられる方法、及び当該露光装置を用いたデバイスの製造方法
JP2001332490A (ja) 2000-03-14 2001-11-30 Nikon Corp 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20020021433A1 (en) * 2000-03-24 2002-02-21 Shinichi Okita scanning exposure apparatus
JP2002093691A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Canon Inc 露光装置、結像性能測定方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2003084189A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Canon Inc オートフォーカス検出方法および投影露光装置
JP5002100B2 (ja) * 2001-09-13 2012-08-15 キヤノン株式会社 焦点位置検出方法及び焦点位置検出装置
JP3780221B2 (ja) * 2002-03-26 2006-05-31 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
JP4227402B2 (ja) 2002-12-06 2009-02-18 キヤノン株式会社 走査型露光装置
JP4174324B2 (ja) * 2003-01-06 2008-10-29 キヤノン株式会社 露光方法及び装置
US7154582B2 (en) * 2003-02-14 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP2005175407A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
JP4497908B2 (ja) * 2003-12-15 2010-07-07 キヤノン株式会社 露光方法及び装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008171960A5 (ja)
JP2011040549A5 (ja)
KR101597387B1 (ko) 검출기, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
KR910019166A (ko) 초점면 검출 방법 및 장치
TWI519904B (zh) 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法
JP2011040549A (ja) 検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP2009182253A5 (ja)
JP2012507173A5 (ja)
JP2005244126A5 (ja)
JP2006261607A5 (ja)
JP2008042036A5 (ja)
JP2005166785A5 (ja)
JP2006135111A5 (ja)
TWI358529B (en) Shape measuring apparatus, shape measuring method,
JP2005057205A5 (ja)
JP2008147258A5 (ja)
JP2008175803A5 (ja)
JP2005311198A5 (ja)
JP2005093697A5 (ja)
JP6302185B2 (ja) 検出装置、露光装置及び物品の製造方法
JP2005175383A5 (ja)
JP2006112788A5 (ja)
US20210072652A1 (en) Level Sensor and Lithographic Apparatus
JP2020160165A5 (ja)
CN107305320A (zh) 检测装置、检测方法、程序、光刻装置和物品制造方法