TWI519904B - 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法 - Google Patents

感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI519904B
TWI519904B TW102134875A TW102134875A TWI519904B TW I519904 B TWI519904 B TW I519904B TW 102134875 A TW102134875 A TW 102134875A TW 102134875 A TW102134875 A TW 102134875A TW I519904 B TWI519904 B TW I519904B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
detectors
sensor system
grating
detector
substrate
Prior art date
Application number
TW102134875A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201418898A (en
Inventor
海口 維克多 寇卡
羅伯特 真 夫哥德
Original Assignee
Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201418898A publication Critical patent/TW201418898A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI519904B publication Critical patent/TWI519904B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法
本發明係關於一種用以量測物理量之感測器系統、一種包含感測器系統之微影裝置，及一種使用感測器系統將圖案自圖案化器件轉印至基板之目標部分上之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在此狀況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。習知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影裝置中，許多感測器系統用以量測任何種類之物理量。關注量之實例為距離/位置、時間、速率、加速度、力、透鏡像差等 等。此等感測器系統中之一些使用輸出週期性變化信號之偵測器。可使用諸如光柵之週期性結構來獲得此週期性變化信號。舉例而言，週期性變化信號可具有正弦形狀。
在不同空間部位處之多個量測之情形中，可藉由使用一並行偵測配置(parallel detection arrangement)來縮減量測時間，該並行偵測配置具有多個偵測器，從而允許在不同空間部位處並行地(例如，同時地)進行量測。當使用此並行偵測配置時，舉例而言，根據生產觀點及成本觀點，有利的是共用諸如電力組件或信號組件之相同組件，其中電力組件用以將能量提供至偵測器且信號組件通常用以以直接或間接方式來操控信號。
然而，儘管並行偵測配置改良量測速率，但仍具挑戰性的是使此感測器系統維持良好量測重複性或甚至改良量測重複性(當較嚴格需求可需要彼情形時)。改良量測重複性之明顯方式係增加量測時間，但在微影裝置中，此方式可由於產出率需求而不為可行選項。
舉例而言，需要提供一種用以量測一物理量之感測器系統，其中該感測器系統具有改良型量測重複性。
根據本發明之一實施例，提供一種用以量測一物理量之感測器系統，該系統包括一並行偵測配置，該並行偵測配置具有多個偵測器以允許在不同空間部位處並行地進行量測，其中該多個偵測器共用至少一雜訊源，其中該感測器系統經組態成使得該多個偵測器各自依據該物理量而輸出一信號，且其中該感測器系統經組態成使得至少一偵測器相比於該等其他偵測器不同地回應於起源於該共用雜訊源之雜訊。
根據本發明之一實施例，提供一種用以在至少兩個方向上量測一物理量之感測器系統，該系統包括一並行偵測配置，該並行偵測配 置具有多個偵測器以允許在不同空間部位處並行地進行量測，其中該多個偵測器共用至少一雜訊源，其中每一偵測器經組態以每次在該至少兩個方向中之一個方向上進行量測，其中該感測器系統經組態成使得該多個偵測器各自依據該物理量而輸出一信號，且其中該感測器系統經組態成使得在一並行量測期間，至少一偵測器同時地在不同於該等其他偵測器之一方向上進行量測。
根據本發明之一實施例，提供一種控制系統，該控制系統包含如本文所描述之一感測器系統、至少一致動器，及一控制單元，該控制單元經組態以基於該多個偵測器之輸出而將一驅動信號提供至該至少一致動器。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，該微影裝置包含如本文所描述之一感測器系統。
根據本發明之一實施例，提供一種圖案轉印方法，該圖案轉印方法包含：使用如本文所描述之一感測器系統來量測一圖案化器件相對於經組態以固持一基板之一基板台之一位置，該圖案化器件經組態以在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；基於該測定位置而使由該基板台固持之一基板上之一目標部分與該圖案化器件對準；及將該經圖案化輻射光束投影至該基板之該目標部分上以將一圖案自該圖案化器件轉印至該基板。
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CA‧‧‧攝影機
CO‧‧‧聚光器
CP‧‧‧攝影機處理單元
CU‧‧‧控制單元
DI‧‧‧漫射器
DI1‧‧‧漫射器
DI2‧‧‧漫射器
DI3‧‧‧漫射器
DI4‧‧‧漫射器
DP1‧‧‧資料點
DP2‧‧‧資料點
DP3‧‧‧資料點
DP4‧‧‧資料點
DP5‧‧‧資料點
DP6‧‧‧資料點
DP7‧‧‧資料點
GR1‧‧‧輸入光柵/圖案化器件光柵
GR1x‧‧‧光柵部件
GR1y‧‧‧光柵部件
GR2‧‧‧偵測光柵/偵測器光柵
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
L1‧‧‧光學元件
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影裝置控制單元
LAS‧‧‧雷射輸出/雷射
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MB‧‧‧量測光束
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PSA‧‧‧致動器
PW‧‧‧第二定位器
SI1‧‧‧週期性變化信號
SI2‧‧‧週期性變化信號
SI3‧‧‧週期性變化信號
SI4‧‧‧週期性變化信號
SI5‧‧‧週期性變化信號
SI6‧‧‧週期性變化信號
SI7‧‧‧週期性變化信號
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台/量測台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置； 圖2A更詳細地描繪圖1之微影裝置之部件及根據本發明之一實施例的感測器系統之偵測器；圖2B描繪可用於圖2A之感測器系統中之輸入光柵；圖2C描繪可用於圖2A之感測器系統中之偵測光柵；圖2D示意性地描繪使用根據圖2A之多個偵測器之並行偵測配置；圖3描繪直接並行偵測配置之可能輸出；圖4描繪根據本發明之一實施例的並行偵測配置之可能輸出；及圖5描繪根據本發明之一實施例的並行偵測配置之可能輸出。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WTa或WTb，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化 鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。作為一實例，圖1之實例中之兩個基板台WTa及WTb為此情形之說明。可以單獨方式來使用本文所揭示的本發明之實施例，但詳言之，本發明之實施例可在單載物台裝置抑或多載物台裝置之曝光前量測階段中提供額外功能。在一實施例中，微影裝置可具有基板台及量測台，其中量測台未經設計成固持基板(且經設計成提供量測功能性且視情況提供其他功能性，諸如，清潔)。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及 /或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且係藉由圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa/WTb，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa/WTb之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WTa/WTb保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WTa/WTb在X及/或Y方 向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2. 在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WTa/WTb(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WTa/WTb相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3. 在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa/WTb。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa/WTb之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個台WTa及WTb以及兩個站(例如，曝光站及量測站)，在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，在一基板台上之一基板正曝光於曝光站處時，另一基板可在量測站處裝載至另一基板台上或量測台可位於量測站處，使得可進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面，及使用對準感測器AS來量測對準標記之位置。此情形實現裝置之產出率之實質增加。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠 在兩個站處追蹤台之位置。在一變化中，舉例而言，裝置可包含量測台WTb及基板台WTa。在此變化中，在基板台WTa處於量測站時(其中(例如)基板被卸載且在彼站處未必發生量測)，量測台WTb位於曝光站處以實現量測(例如，使用投影系統之量測)。
裝置進一步包括控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測的微影裝置控制單元LACU。控制單元LACU亦包括實施與裝置之操作有關之所要計算的信號處理及資料處理能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置裝置內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於定位器PW之伺服控制。分離單元可甚至處置粗略致動器及精細致動器，或不同軸線。另一單元可能專用於位置感測器IF之讀出。裝置之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作者通信，且與微影製造程序中涉及之其他裝置通信。
圖2A更詳細地描繪圖1之微影裝置之部件。示意性地展示圖案化器件MA，其係由支撐結構MT支撐且可在一或多個方向上由第一定位器PM移動(由虛線示意性地指示)。亦示意性地展示台WTa/WTb，其可由第二定位器PW移動(由虛線指示)。此處亦示意性地描繪投影系統PS，其中僅示意性地繪製上部部分及下部部分。
圖2A進一步描繪感測器系統之偵測器，其可用以量測投影系統中之像差及/或圖案化器件MA相對於台WTa/WTb之位置。感測器系統包含雷射輸出LAS，或經組態以提供量測光束MB之任何其他合適輻射源輸出。在一實施例中，感測器系統包含雷射，或與輸出LAS相關聯之任何其他合適輻射源。來自輸出LAS之量測光束首先由漫射器DI散播且隨後由光學元件L1聚焦至輸入光柵GR1上，在此狀況下聚焦至提供於圖案化器件MA上或與圖案化器件MA相關聯之圖案化器件光柵 GR1上。
光柵GR1在某一方向上調變來自雷射LAS之輻射以形成經調變量測光束，且經調變輻射隨後傳遞通過投影系統PS。投影系統PS形成經調變量測光束之影像，該影像投影至提供於(例如)台WTa/WTb上之偵測光柵GR2上。來自投影系統PS之影像與偵測光柵GR2之間的相互作用提供將彼此干涉之複數個重疊波前。干涉圖案係由經定位成與偵測光柵GR2相隔一距離之攝影機CA(例如，CCD攝影機)偵測。存在於波前中之像差及輸入光柵GR1與偵測光柵GR2之間的相對位置將影響所得干涉圖案。
通常，圖案化器件及偵測光柵相對於彼此在對應於經調變量測光束之調變之方向上步進，且影像係由攝影機在每一步進處捕獲。由攝影機獲得且表示波前之重疊及干涉複本之強度資料係在攝影機處理單元CP中予以處理，其中其可(例如)擬合至任尼克(Zernike)多項式以得到任尼克係數，每一任尼克係數提供關於在調變方向上之位置或特定像差之資訊。對於位置，結果為週期性變化信號，其週期係由輸入光柵及偵測光柵之間距予以判定。
以相似方式，可獲得關於在垂直於上述調變方向之方向上之像差及/或位置的資訊。為了允許此情形，輸入光柵GR1可包含兩個部件GR1x及GR1y(參見圖2B)，其中在第一量測期間，GR1x部件用以調變量測光束，且在第二量測期間，GR1y部件用以調變量測光束。因為兩個光柵部件GR1x及GR1y之線彼此正交，所以與該等光柵部件相關聯之調變方向亦彼此正交。
偵測光柵GR2亦可包含對應於兩個光柵部件GR1x及GR1y之兩個部件，但亦有可能使用呈如圖2C所展示之棋盤之形式的單一光柵，其可用於光柵部件GR1x及GR1y兩者。對於熟習此等感測器系統技術者將顯而易見，存在可用以在兩個方向上以與關於圖2A、圖2B及圖 2C所描述之方式相似的方式來獲得像差及/或位置資訊之許多光柵變體。此處將不明確地描述此等變體，但其屬於本發明之一實施例之範疇。
為了在不同空間部位處快速地進行量測，可提供如圖2A所描繪之多個偵測器，因此，多個輸入光柵GR1提供於(例如)圖案化器件MA上，且多個對應偵測光柵GR2提供於(例如)台WTa/WTb上。藉由在實質上相同或相似時間照明光柵GR1且在實質上相同或相似時間自偵測光柵GR2捕獲影像，提供並行偵測配置，其中可在實質上相同或相似時間在不同空間部位處採取並行量測。
圖2D示意性地描繪上文所提及之並行偵測配置，其中根據圖2A之多個偵測器(在圖2D之實例中為四個偵測器)共用同一雷射輸出LAS。輻射係由四個漫射器DI1至DI4分裂成四個量測光束，該等漫射器亦散播輻射。量測光束聚焦至(例如)圖案化器件上之輸入光柵GR1上，且隨後傳遞通過投影系統以投影至偵測光柵GR2上。來自偵測光柵之影像係由攝影機CA同時地捕獲，攝影機CA亦係由多個偵測器共用。
如圖2A及圖2D所描繪之感測器系統可用於控制系統中，該控制系統亦包含用以操控微影裝置之一或多個組件之一或多個致動器。在圖2A之實施例中，所展示之第一定位器PM具有用以移動包括圖案化器件MA之支撐結構MT之致動器，所展示之第二定位器PW具有用以移動台WT之致動器，且一或多個致動器PSA經指示以操控一或多個光學組件(諸如，透鏡及/或鏡面)之位置及/或形狀。
控制系統包括控制單元CU，控制單元CU經組態以基於測定像差及/或位置而將驅動信號提供至一或多個不同致動器。舉例而言，由控制單元提供至致動器PSA之驅動信號意欲縮減或最小化像差(且因此改良或最佳化投影系統之效能)，及/或提供至第一及/或第二定位器 之驅動信號可意欲使圖案化器件MA對準於台WTa/WTb。
可使用分離輸出LAS及/或分離輻射源來同時地照明光柵GR1。在一實施例中，一共同輻射源及/或輻射輸出用以在實質上相同或相似時間照明所有光柵GR1。以相同方式，來自偵測光柵GR2之影像可由個別攝影機CA捕獲，但較具成本效益的是使用單一攝影機CA而一次捕獲所有影像。根據生產觀點，使用單一攝影機CA亦可有利。
並行偵測配置之直接實施係提供彼此緊接之多個(儘可能地相同)偵測器，使得依據各別物理量之週期性變化信號亦實質上相同。此情形在圖3中被展示為一實例，其中包括七個偵測器之感測器系統提供一樣多的週期性變化信號。在圖3中，展示依據在一個方向上之位置的七個週期性變化信號SI1至SI7中每一者之一個週期，其中每一週期性變化信號係與一相異空間部位相關聯。
在圖3中，可容易地看出，共同攝影機及/或輻射源(例如，雷射)中之相關強度雜訊引起如由感測器系統在七個部位處量測之視位置偏差或移位。作為一實例，圖3中描繪七個資料點DP1至DP7，其中每一資料點係與一各別週期性變化信號相關聯且指示在不存在雜訊之狀況下之測定位置。舉例而言，當來自共用雜訊源之強度雜訊引起信號SI1至SI7之強度之同時增加時，資料點DP1至DP7在圖3中向右移位，其被解譯為共同位置移位。因為包括雜訊之測定位置將用以控制致動器(例如，第一定位器PM及/或第二定位器PW)，所以可移動物件(例如，圖案化器件MA)將相對於另一物件(例如，台WTa/WTb)未適當地對準，使得在將圖案轉印至支撐於基板台上之基板時可發生誤差，諸如，疊對誤差。
相關強度雜訊可不僅僅來自諸如攝影機或輻射源之共用雜訊源，而可由所有偵測器共用之任何電力組件或信號組件(例如，電力供應器)造成。
在根據本發明之一實施例的並行偵測配置之實施中，該等偵測器中至少一者相比於一或多個其他偵測器不同地回應於起源於共用雜訊源之雜訊，此係(例如)因為至少一偵測器之週期性變化信號在相位及/或週期上不同於一或多個其他偵測器之週期性變化信號。由於此情形，相關強度雜訊將取決於相位及/或週期而對週期性變化信號具有不同效應，其與純粹位置移位不一致。此情形允許區分真實位置移位與雜訊影響。
在圖4中，描繪起源於根據本發明之一實施例之感測器系統的七個信號SI1至SI7，該感測器系統使用一並行偵測配置，該並行偵測配置具有七個偵測器，例如，與圖2A所展示之偵測器相似的七個偵測器。該七個信號可與圖3之七個信號相當，但在圖4之實施例中，第二偵測器及第六偵測器具有週期性變化信號SI2、SI6，週期性變化信號SI2、SI6相對於其他偵測器之週期性變化信號SI1、SI3至SI5、SI7具有實質上180度之相位差。因此，存在偵測器SI1、SI3至SI5、SI7之第一子集及偵測器SI2、SI6之第二子集，該第二子集具有一週期性變化信號，該週期性變化信號具有與偵測器之第一子集之週期性變化信號之相位相對的相位。
在向右之真實位置移位之狀況下，亦即，在資料點DP1至DP7在圖4中向右移動之狀況下，第二偵測器及第六偵測器將展示信號強度減低，而其他偵測器將展示信號強度增加。在相關強度雜訊之狀況下，所有偵測器將展示信號強度增加，使得對於第二偵測器及第六偵測器，位置似乎已向左移位，而其他偵測器指示出位置在圖4中已向右移位。因此，在相關雜訊之狀況下存在衝突指示。
此情形可在衝突指示不能容易地由控制單元及一或多個致動器遵循時有利地用於控制系統中。在彼狀況下，相關強度雜訊之影響縮減，但個別偵測器之重複性尚未改良。因此，哪一或多個偵測器相對 於一或多個其他偵測器需要改變相位可基於該一或多個致動器之可能性(不可能性)。在一實施例中，使用給出最好結果之偵測器組合。
換言之，由於歸因於共同雜訊的多個偵測器之信號變化而造成的至致動器之驅動信號之變化小於由於歸因於對應物理量變化(在此狀況下為對應位置移位)之信號變化而造成的至致動器之驅動信號之變化。
可藉由調適光柵GR1而使第二偵測器及第六偵測器之相位移位達180度。適用之一或多個光柵可被移位半個週期，或線及空間可被互換。或者，偵測器光柵GR2可被移位半個週期。
圖5描繪根據另外實施例之感測器系統之七個信號SI1至SI7，該感測器系統使用與圖4之實施例相似的具有七個偵測器之並行偵測配置。在此實施例中，第二偵測器、第四偵測器及第六偵測器具有週期性變化信號SI2、SI4、SI6，週期性變化信號SI2、SI4、SI6相對於其他偵測器之週期性變化信號SI1、SI3、SI5、SI7具有實質上90度之相位差。
圖5之實施例使用如下事實：偵測器對週期性變化信號之「側邊(flank)」中的物理量(在此狀況下為位置)之改變最敏感，且在週期性變化信號之最大值或最小值下較不敏感。歸因於90度之相位差，第二偵測器、第四偵測器及第六偵測器在其他偵測器對位置改變不敏感時對位置改變最敏感，且反之亦然。因此，當獲得多個資料點時，未同時地獲得用以判定位置之資料點(亦即，週期性變化信號之「側邊」中之資料點)，且因此，不再存在最初存在於所有偵測器處之雜訊之間的相關性，且因此，雜訊之影響將在某一程度上達到平均數。
破壞不同偵測器處之雜訊之間的相關性之相同效應可藉由如下操作而達成：互換一些偵測器之光柵部分GP1x及GP1y，使得在第一量測期間，由偵測器之第一子集在第一方向上且由偵測器之第二子集 在第二方向上獲得資訊，且使得在第二量測期間，由偵測器之第一子集在第二方向上且由偵測器之第二子集在第一方向上獲得資訊，其中在該兩個量測之後，組合在每一方向上之資訊。歸因於未同時地獲得與一個方向相關聯之資訊之事實，引起雜訊之影響在某一程度上達到平均數。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具 有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
DP1‧‧‧資料點
DP2‧‧‧資料點
DP3‧‧‧資料點
DP4‧‧‧資料點
DP5‧‧‧資料點
DP6‧‧‧資料點
DP7‧‧‧資料點
SI1‧‧‧週期性變化信號
SI2‧‧‧週期性變化信號
SI3‧‧‧週期性變化信號
SI4‧‧‧週期性變化信號
SI5‧‧‧週期性變化信號
SI6‧‧‧週期性變化信號
SI7‧‧‧週期性變化信號

Claims (19)

  1. 一種用以量測一物理量之感測器系統，該系統包括一並行偵測配置，該並行偵測配置具有多個偵測器以允許在不同空間部位處並行地進行量測，其中該多個偵測器使用一共同雜訊源，其中該感測器系統經組態成使得該多個偵測器各自依據該物理量而輸出一信號，且其中該感測器系統經組態成使得至少一偵測器相比於該一或多個其他偵測器不同地回應於起源於該使用之共同雜訊源之雜訊。
  2. 如請求項1之感測器系統，其中該多個偵測器依據該物理量而輸出一週期性變化信號，且其中來自至少一偵測器之該週期性變化信號在週期及/或相位上不同於該一或多個其他偵測器。
  3. 如請求項2之感測器系統，其中歸因於該至少一偵測器之該週期性變化信號在週期及/或相位上不同於該一或多個其他偵測器，該至少一偵測器不同地回應於起源於該使用之共同雜訊源之雜訊。
  4. 如請求項2或3之感測器系統，其中該至少一偵測器之該週期性變化信號在相位上不同於該一或多個其他偵測器，且其中相位差為實質上180度。
  5. 如請求項2或3之感測器系統，其中該至少一偵測器之該週期性變化信號在相位上不同於該一或多個其他偵測器，且其中相位差為實質上90度。
  6. 如請求項2或3之感測器系統，其中該至少一偵測器之該週期性變化信號在週期上不同於該一或多個其他偵測器，且其中該等週期之間的比率為至少2。
  7. 如請求項2或3之感測器系統，其中每一偵測器包含： 一輻射輸出，其用以提供一量測光束；一輸入光柵，其用以調變該量測光束；一偵測光柵，其用以在該經調變量測光束之一波前已通過一光學系統之後產生該波前之多個重疊及干涉複本；及一攝影機，其經配置成與該偵測光柵相隔一距離以捕獲該波前之該等重疊及干涉複本之一影像，其中該等偵測器之該等週期性變化信號之間的週期差及/或相位差係由該輸入光柵及/或該偵測光柵之差造成。
  8. 如請求項1、2或3之感測器系統，其中該多個偵測器使用該同一輻射輸出及/或使用該同一攝影機作為該共同雜訊源。
  9. 一種用以在至少兩個方向上量測一物理量之感測器系統，該系統包括一並行偵測配置，該並行偵測配置具有多個偵測器以允許在不同空間部位處並行地進行量測，其中該多個偵測器使用一共同雜訊源，其中每一偵測器經組態以每次在該至少兩個方向中之一個方向上進行量測，其中該感測器系統經組態成使得該多個偵測器各自依據該物理量而輸出一信號，且其中該感測器系統經組態成使得在一並行量測期間，至少一偵測器同時地在不同於該一或多個其他偵測器之一方向上進行量測。
  10. 如請求項9之感測器系統，其中該多個偵測器依據該物理量而輸出一週期性變化信號。
  11. 如請求項9或10之感測器系統，其中每一偵測器包含：一輻射輸出，其用以提供一量測光束；一輸入光柵，其用以調變該量測光束；一偵測光柵，其用以在該經調變量測光束之一波前已通過一光學系統之後產生該波前之多個重疊及干涉複本；及一攝影機，其經配置成與該偵測光柵相隔一距離以捕獲該波 前之該等重疊及干涉複本之一影像，其中由該輸入光柵及/或該偵測光柵判定該量測方向。
  12. 如請求項9或10之感測器系統，其中該多個偵測器使用該同一輻射輸出及/或使用該同一攝影機作為該共同雜訊源。
  13. 一種控制系統，其包含一如請求項1至12中任一項之感測器系統、一致動器，及一控制單元，該控制單元經組態以基於該多個偵測器之該輸出而將一驅動信號提供至該致動器。
  14. 如請求項13之控制系統，其包含如請求項1至8中任一項之感測器系統，其中該多個偵測器及該致動器經組態成使得歸因於起源於該共同雜訊源之雜訊的該多個偵測器之該輸出之一信號變化不能由該致動器遵循或不能完全地由該致動器遵循。
  15. 一種微影裝置，其包含一如請求項1至12中任一項之感測器系統。
  16. 如請求項15之微影裝置，其中該感測器系統之每一偵測器包含：一輻射輸出，其用以提供一量測光束；一輸入光柵，其用以調變該量測光束以形成一經調變量測光束；一偵測光柵，其用以產生該經調變量測光束之一波前之多個重疊及干涉複本；及一攝影機，其經配置成與該偵測光柵相隔一距離以捕獲該波前之該等重疊及干涉複本之一影像，其中該微影裝置進一步包含：一支撐件，其經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件包含該多個偵測器之該等輸入光柵；一基板台，其經建構以固持一基板，該基板台包含該多個偵 測器之該等偵測光柵及該等攝影機；及一投影系統，其經組態以將該等經調變量測光束投影至該基板台上之該等各別偵測光柵上，其中待由該感測器系統量測之該物理量為該等輸入光柵相對於該基板台之位置。
  17. 如請求項16之微影裝置，其包含用以定位該支撐件之一第一定位器及/或用以定位該基板台之一第二定位器，其中該微影裝置包含經組態以基於該多個偵測器之一輸出而將驅動信號提供至該第一定位器及/或該第二定位器之一控制單元。
  18. 一種圖案轉印方法，其包含：使用一如請求項1至12中任一項之感測器系統來量測一圖案化器件相對於經組態以固持一基板之一基板台之一位置，該圖案化器件經組態以在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；基於該測定位置而使由該基板台固持之一基板上之一目標部分與該圖案化器件對準；及將該經圖案化輻射光束投影至該基板之該目標部分上以將一圖案自該圖案化器件轉印至該基板。
  19. 如請求項18之圖案轉印方法，其中該圖案化器件包含每偵測器一個光柵，且其中藉由如下操作而量測該圖案化器件之該位置：運用一量測光束來照明該圖案化器件之該光柵以形成一經調變量測光束；將該經調變量測光束投影至提供於該基板台上之一偵測光柵上以產生該經調變量測光束之一波前之多個重疊及干涉複本；捕獲該波前之該等重疊及干涉複本之一影像；及自該經捕獲影像計算該圖案化器件相對於該基板台之該位置。
TW102134875A 2012-10-17 2013-09-26 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法 TWI519904B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261715167P 2012-10-17 2012-10-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201418898A TW201418898A (en) 2014-05-16
TWI519904B true TWI519904B (zh) 2016-02-01

Family

ID=49118552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102134875A TWI519904B (zh) 2012-10-17 2013-09-26 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9690207B2 (zh)
EP (1) EP2909677A1 (zh)
JP (1) JP6076487B2 (zh)
KR (1) KR101697606B1 (zh)
CN (1) CN104823112B (zh)
TW (1) TWI519904B (zh)
WO (1) WO2014060149A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2793042B1 (en) * 2013-04-15 2018-06-06 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Positioning device comprising a light beam
NL2017356A (en) * 2015-09-24 2017-03-30 Asml Netherlands Bv Scanning Measurement System
CN105259738A (zh) * 2015-11-09 2016-01-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 光刻机投影物镜多视场点波像差并行检测装置与检测方法
NL2017748A (en) * 2015-12-01 2017-06-07 Asml Netherlands Bv Scanning Measurement System
EP3296723A1 (en) * 2016-09-14 2018-03-21 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
DE102017200428B3 (de) 2017-01-12 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Vermessen eines Abbildungsfehlers
US10403471B2 (en) * 2017-11-29 2019-09-03 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for charged particle beam modulation
CN115309000A (zh) * 2021-05-07 2022-11-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种多通道物镜畸变和倍率的检测装置及方法
WO2023247125A1 (en) * 2022-06-23 2023-12-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for determining a physical quantity

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4613981A (en) * 1984-01-24 1986-09-23 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for lithographic rotate and repeat processing
JPS62229942A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Univ Nagoya 光学式位置決め装置
US5155370A (en) * 1988-09-09 1992-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Device for detecting the relative position of first and second objects
JPH07153660A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Hitachi Ltd 焦点位置補正方法および投影露光装置
US6034378A (en) 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
JP3622249B2 (ja) * 1995-02-01 2005-02-23 株式会社ニコン 位置検出方法及び装置
JPH11121325A (ja) * 1997-09-03 1999-04-30 Canon Inc 投影露光装置
JP4168665B2 (ja) * 2002-05-22 2008-10-22 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
US7308368B2 (en) * 2004-09-15 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for vibration detection, method and apparatus for vibration analysis, lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2009236854A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Olympus Corp 光学式エンコーダ
JP5153457B2 (ja) * 2008-05-29 2013-02-27 京セラ株式会社 ステージの位置変動検出装置およびこれを備えた搬送装置
CN102540778B (zh) 2010-12-22 2014-07-16 上海微电子装备有限公司 一种测量系统及使用该测量系统的光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201418898A (en) 2014-05-16
US9864282B2 (en) 2018-01-09
CN104823112B (zh) 2018-06-29
KR101697606B1 (ko) 2017-01-18
JP2015535090A (ja) 2015-12-07
US20150286153A1 (en) 2015-10-08
EP2909677A1 (en) 2015-08-26
WO2014060149A1 (en) 2014-04-24
CN104823112A (zh) 2015-08-05
US9690207B2 (en) 2017-06-27
KR20150066595A (ko) 2015-06-16
US20170219937A1 (en) 2017-08-03
JP6076487B2 (ja) 2017-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI519904B (zh) 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法
TWI557513B (zh) 疊對測量裝置及使用該疊對測量裝置之微影裝置及器件製造方法
KR101642033B1 (ko) 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판
KR101208462B1 (ko) 리소그래피 장치를 제어하는 방법 및 장치
TWI375131B (en) A scatterometer and a focus analysis method
KR100718741B1 (ko) 다수의 정렬 구성들을 갖는 리소그래피 장치 및 정렬 측정방법
KR100734588B1 (ko) 2-차원 정렬 시스템 구성을 갖는 리소그래피 장치 및2-차원 정렬 측정 방법
TWI476538B (zh) 定位測量系統及微影裝置
KR101654599B1 (ko) 오버레이 오차를 결정하는 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI383269B (zh) 一光學聚焦感應器、一檢視裝置及一微影裝置
NL2015812A (en) Level sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR101714561B1 (ko) 패턴 내에 위치된 타겟을 검출하는 리소그래피용 검사 장치
JP5284481B2 (ja) スキャトロメータおよびリソグラフィ装置
TWI519906B (zh) 位置量測系統、用於位置量測系統之光柵及方法
TWI417679B (zh) 微影裝置及圖案化元件
CN101231472A (zh) 测量方法、检验设备和光刻设备
JP2008083032A (ja) 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法
TWI424281B (zh) 微影裝置及元件製造方法
NL2005092A (en) Object alignment measurement method and apparatus.
TWI417680B (zh) 微影裝置及元件製造方法
KR20120044374A (ko) 리소그래피용 검사 장치
TWI440992B (zh) 微影裝置
TWI725039B (zh) 位置量測系統、微影裝置及位置量測方法
JP2019518233A (ja) 測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ
TWI616732B (zh) 具有感測器之設備及執行目標量測之方法