JP2012080109A - アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を所定の温度に加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にアミノ系シランガスを供給する。そして、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給することにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜を形成する。
【選択図】図1
Description
複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、
前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内にアミノ系シランガスを供給する、ことを特徴とする。
前記反応室内の温度を室温〜700℃に設定することが好ましい。
複数枚の被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にアミノ系シランガスを供給するアミノ系シランガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記アミノ系シランガス供給手段を制御して前記反応室内にアミノ系シランガスを供給した後、前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱し、前記成膜用ガス供給手段を制御して所定の温度に加熱された反応室内に成膜用ガスを供給して当該被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する、ことを特徴とする。
シリコンソースとしては、アミノ系シラン、DCS(ジクロロシラン)、HCD(ヘキサクロロジシラン)等が用いられる。アミノ系シランとしては、塩素(Cl)を含まないアミノ系シランであることが好ましい。塩素を含まないことにより、インキュベーションタイムが短くすることができるためである。このようなアミノ系シランとしては、例えば、TDMAS(トリジメチルアミノシラン)、BTBAS(ビスターシャリブチルアミノシラン)、BDMAS(ビスジメチルアミノシラン)、BDEAS(ビスジエチルアミノシラン)、DMAS(ジメチルアミノシラン)、DEAS(ジエチルアミノシラン)、DPAS(ジプロピルアミノシラン)、およびBAS(ブチルアミノシラン)が挙げられる。本実施の形態では、後述するように、シリコンソースとして、BTBAS、DCSが用いられている。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
また、反応管2内の圧力は、13.3Pa(0.1Torr)〜6650Pa(50Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜2660Pa(20Torr)であることがより好ましい。
また、反応管2内の圧力は、133Pa(1Torr)〜53200Pa(400Torr)であることが好ましく、133Pa(1Torr)〜26600Pa(200Torr)であることがより好ましい。
また、バッチ式の縦型CVD装置を用いてアモルファスカーボン膜を形成しているので、カバレッジ性能が良好なアモルファスカーボン膜を形成できる。このため、カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜を形成することができる。
また、反応管2内の圧力は、1.33Pa(0.01Torr)〜1330Pa(10Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜133Pa(1Torr)であることがより好ましい。
反応管2内の圧力は、1.33Pa(0.01Torr)〜1330Pa(10Torr)であることが好ましく、13.3Pa(0.1Torr)〜133Pa(1Torr)であることがより好ましい。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (4)
- 複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、
前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、前記反応室内にアミノ系シランガスを供給する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。 - 前記反応室内に、前記アモルファスカーボン膜を形成する反応室内の温度よりも低い温度で前記アミノ系シランガスを供給する、ことを特徴とする請求項1に記載のアモルファスカーボン膜の形成方法。
- 前記反応室内の温度を室温〜700℃に設定する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のアモルファスカーボン膜の形成方法。
- 複数枚の被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にアミノ系シランガスを供給するアミノ系シランガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記アミノ系シランガス供給手段を制御して前記反応室内にアミノ系シランガスを供給した後、前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱し、前記成膜用ガス供給手段を制御して所定の温度に加熱された反応室内に成膜用ガスを供給して当該被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251880A JP5351948B2 (ja) | 2009-06-04 | 2011-11-17 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009135483 | 2009-06-04 | ||
JP2009135483 | 2009-06-04 | ||
JP2011251880A JP5351948B2 (ja) | 2009-06-04 | 2011-11-17 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010094417A Division JP2011014872A (ja) | 2009-06-04 | 2010-04-15 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012080109A true JP2012080109A (ja) | 2012-04-19 |
JP5351948B2 JP5351948B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=46239926
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251880A Active JP5351948B2 (ja) | 2009-06-04 | 2011-11-17 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP2012177170A Active JP5276743B2 (ja) | 2009-06-04 | 2012-08-09 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP2013093748A Active JP5571225B2 (ja) | 2009-06-04 | 2013-04-26 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177170A Active JP5276743B2 (ja) | 2009-06-04 | 2012-08-09 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP2013093748A Active JP5571225B2 (ja) | 2009-06-04 | 2013-04-26 | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP5351948B2 (ja) |
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2011
- 2011-11-17 JP JP2011251880A patent/JP5351948B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177170A patent/JP5276743B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-26 JP JP2013093748A patent/JP5571225B2/ja active Active
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JP2013153221A (ja) | 2013-08-08 |
JP5276743B2 (ja) | 2013-08-28 |
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JP5571225B2 (ja) | 2014-08-13 |
JP5351948B2 (ja) | 2013-11-27 |
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