JP2012074470A - 希土類磁石、希土類磁石の製造方法及び回転機 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の希土類磁石100は、希土類元素R、遷移金属元素T及びホウ素Bを含有するR−T−B系の希土類磁石であって、Cu及びCoを更に含有し、希土類磁石におけるCuの濃度分布が、希土類磁石の表面から内部へ向かう方向に沿った勾配を有し、希土類磁石の表面側のCuの濃度が、希土類磁石の内部側のCuの濃度よりも高く、希土類磁石におけるCoの濃度分布が、希土類磁石の表面から内部へ向かう方向に沿った勾配を有し、希土類磁石の表面側のCoの濃度が、希土類磁石の内部側のCoの濃度よりも高い。
【選択図】図6
Description
図1及び2に示す本実施形態に係る希土類磁石100は、希土類元素R、遷移金属元素T及びホウ素Bを含有するR−T−B系希土類磁石である。希土類元素Rは、La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb及びLuからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。特に、希土類磁石100は、希土類元素RとしてNd及びPrの両方を含有することが好ましい。また、希土類磁石は、遷移金属元素TとしてCo及びFeを含有することが好ましい。希土類磁石100がこれらの元素を含有することにより、希土類磁石100の残留磁束密度及び保磁力が顕著に向上する。なお、希土類磁石100は、必要に応じて、Mn,Nb,Zr,Ti,W,Mo,V,Ga,Zn,Si及びBi等の他の元素を更に含んでもよい。
[第一の製造方法]
希土類磁石の第一の製造方法では、まず原料合金を鋳造し、インゴットを得る。原料合金としては、希土類元素R,Co及びBを含むものを用いればよい。原料合金は、必要に応じてCo以外の遷移金属元素T(例えばFe),Cu,Ni,Mn,Al,Nb,Zr,Ti,W,Mo,V,Ga,Zn,Si及びBi等の元素を更に含んでもよい。インゴットの化学組成は、最終的に得たい希土類磁石の主相の化学組成に応じて調整すればよい。
希土類磁石の第二の製造方法では、まず原料合金を鋳造し、インゴットを得る。原料合金としては、希土類元素R,B,Cu及びCoを含むものを用いればよい。原料合金は、必要に応じてCo以外の遷移金属元素T(例えばFe),Al,Ni,Mn,Nb,Zr,Ti,W,Mo,V,Ga,Zn,Si及びBi等の元素を更に含んでもよい。インゴットの化学組成は、最終的に得たい希土類磁石の主相の化学組成に応じて調整すればよい。
図3は、本実施形態の回転機(永久磁石回転機)の内部構造を示す説明図である。本実施形態の回転機200は、永久磁石同期回転機(SPM回転機)であり、円筒状のロータ50と該ロータ50の内側に配置されるステータ30とを備えている。ロータ50は、円筒状のコア52と円筒状のコア52の内周面に沿ってN極とS極が交互になるように複数の希土類磁石100が設けられている。ステータ30は、内周面に沿って設けられた複数のコイル32を有している。このコイル32と希土類磁石100とは互いに対向するように配置されている。
粉末冶金法により、組成が22.5重量%Nd−5.2重量%Pr−2.7重量%Dy−0.5重量%Co−0.3重量%Al−0.07重量%Cu−1.0重量%B−残部Feである鋳塊を作製した。鋳塊を粗粉砕して得た粗粉末を不活性ガス中でジェットミルにより粉砕して、平均粒径が約3.5μmの微粉末を得た。微粉末を金型内に充填し、磁場中で加圧成形して成形体を得た。成形体を真空中で焼成した後、時効処理を施して焼結体を得た。焼結体を切り出し加工し、13mm×8mm×2mmの寸法を有する磁石素体を作製した。
実施例2〜7では、塗膜を有する磁石素体を、Ar雰囲気において、表1に示す温度(拡散温度)で加熱した。また実施例2〜7では、塗膜を有する磁石素体を加熱した時間(拡散時間)を、表1に示す時間に調整した。なお、表1における「拡散源」とは、
磁石素体表面に形成した塗膜中に含まれる金属を意味する。
実施例8では、実施例1と同様の方法で作製した磁石素体の表面に対して脱脂処理及びエッチングを施した。そして、実施例8では、Cu粒子ではなく、平均粒径3μmのAl粒子を分散させた塗布液を調製した。この塗布液を、エッチング後の磁石素体の表面にディップコーティングにより塗布し、磁石素体の表面全体に塗膜を形成した。なお、磁石素体表面に形成した塗膜中に含まれるAlの総量を、磁石素体全体に対して0.3重量%に調整した。
実施例9〜13では、Al粒子を含有する塗膜を有する磁石素体を、Ar雰囲気において、表1に示す温度(拡散温度)で加熱した。また実施例9〜13では、塗膜を有する磁石素体を加熱した時間(拡散時間)を、表1に示す時間に調整した。
磁石素体の表面のエッチング以降の工程を実施しなかったこと以外は実施例1と同様の方法で比較例1の希土類磁石を作製した。つまり、Cu粒子及びAl粒子のいずれも用いることなく比較例1の希土類磁石を作製した。
比較例2,3では、Cu粒子を含有する塗膜を有する磁石素体を、Ar雰囲気において、表1に示す温度(拡散温度)で加熱した。また比較例2では、塗膜を有する磁石素体を加熱した後、時効処理を行わなかった。
比較例4,5では、Al粒子を含有する塗膜を有する磁石素体を、Ar雰囲気において、表1に示す温度(拡散温度)で加熱した。また比較例4では、塗膜を有する磁石素体を加熱した後、時効処理を行わなかった。
LA−ICP−MSにより、各実施例及び比較例の希土類磁石におけるCu,Co,Al,Ni及びFeの各濃度分布を測定した。LA−ICP−MSでは、あらかじめ各元素の感度係数を算出して、検出された各元素のカウントを感度係数で補正した後に、規格化計算によって各元素の濃度(単位:重量%)を求めた。なお、各元素の濃度の値は、各希土類磁石の単位重量を基準としたものである。LA−ICP−MSでは、各希土類磁石の破断面の厚み方向に沿って、50μm間隔で20本のラインスキャンを行い、その平均値をとることで、磁石表面からの深さ方向における各元素の濃度分布とした。なお、希土類磁石の破断面の厚み方向とは、希土類磁石の表面に垂直であり、希土類磁石の表面から内部へ向かう方向である。LA−ICP−MSに用いた装置、及びLA−ICP−MSの測定条件の詳細は下記の通りとした。
レーザーアブレーション装置:New Wave Research社製 LUV266X。
ICP−MS分析装置:アジレントテクノロジー社製 Agilent7500s。
なお、装置間はタイゴンチューブで接続し、キャリアガスとしてArガスを使用した。
レーザー径:50μm。
周波数:10Hz。
パワー:0.1mJ。
レーザー走査方法:ラインスキャン法。
走査速度:25μm/sec。
測定質量数:m/z=2〜260の中の72種の質量数。mは質量数、zは電荷である。
上記72種の測定質量数中には、磁石の主要構成元素(質量数)であるB(11),Al(27),Fe(57),Co(59),Cu(63),Pr(141),Nd(146)及びDy(163)の各質量数が含まれる。
各質量数積算時間:上記主要構成元素の場合は0.01secとし、主要構成元素以外の元素の場合は0.005secとした。定量に用いる質量数のみを積算した。
各実施例及び比較例の希土類磁石の耐食性をプレッシャークッカーテスト(Pressure Cooker Test:PCT)により評価した。PCTでは、2気圧、温度120℃、湿度100%RHである環境下に各希土類磁石を設置してから300時間後の各希土類磁石の重量の減少量を測定した。各希土類磁石の単位表面積あたりの重量減少量(単位:mg/cm2)を表3に示す。
Claims (5)
- 希土類元素R、遷移金属元素T及びホウ素Bを含有するR−T−B系の希土類磁石であって、
Cu及びCoを更に含有し、
前記希土類磁石におけるCuの濃度分布が、前記希土類磁石の表面から内部へ向かう方向に沿った勾配を有し、
前記希土類磁石の表面側のCuの濃度が、前記希土類磁石の内部側のCuの濃度よりも高く、
前記希土類磁石におけるCoの濃度分布が、前記希土類磁石の表面から内部へ向かう方向に沿った勾配を有し、
前記希土類磁石の表面側のCoの濃度が、前記希土類磁石の内部側のCoの濃度よりも高い、
希土類磁石。 - Alを更に含有し、
前記希土類磁石におけるAlの濃度分布が、前記希土類磁石の表面から内部へ向かう方向に沿った勾配を有し、
前記希土類磁石の表面側のAlの濃度が、前記希土類磁石の内部側のAlの濃度よりも高い、
請求項1に記載の希土類磁石。 - 請求項1又は2に記載の希土類磁石を備える回転機。
- 希土類元素R、遷移金属元素T及びホウ素Bを含有するR−T−B系の磁石素体の表面に、Cu元素を付着させる工程と、
Cu元素を付着させた前記磁石素体を480〜650℃で加熱する工程と、
を備え、
前記磁石素体がCoを更に含有する、
希土類磁石の製造方法。 - 希土類元素R、遷移金属元素T及びホウ素Bを含有するR−T−B系の磁石素体の表面に、Al元素を付着させる工程と、
Al元素を付着させた前記磁石素体を540〜630℃で加熱する工程と、
を備え、
前記磁石素体がCu及びCoを更に含有する、
希土類磁石の製造方法。
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