JP2012074398A

JP2012074398A - 発光装置

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Publication number: JP2012074398A
Application number: JP2011269899A
Authority: JP
Inventors: Tetsushi Seo; 哲史瀬尾; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-03-22
Filing date: 2011-12-09
Publication date: 2012-04-12
Also published as: US8026531B2; CN100570882C; US8680562B2; US20060214152A1; US20140145220A1; US8890204B2; US20120007110A1; CN1848445A

Abstract

【課題】本発明では電流効率の高い発光素子を用いた発光装置であっても、隣接する発光素子同士のクロストークの発生を抑制した発光装置を提供することを課題とする。また、本発明では電流効率の高い発光素子を用いた発光装置であっても、表示品質の高い発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の発光素子よりなる画素部を有し、発光素子は第１の電極と第２の電極との間に設けられた複数の発光体、及び発光体同士の間に形成された導電層よりなり、導電層は前記発光素子毎に設けられており、導電層の端部は発光体で覆われている。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光の電流効率が高い発光素子よりなり且つ表示品質の高い発光装置に関す
る。

近年、有機材料や無機材料を含む発光素子を用いた発光装置やディスプレイの開発が盛
んに行われている。発光素子は、一対の電極間に有機化合物や無機化合物を挟み込むこと
で作製されるが、液晶表示装置と異なりそれ自体が発光するのでバックライトなどの光源
がいらない上、素子自体が非常に薄いため薄型軽量ディスプレイを作製するにあたり非常
に有利である。

発光素子は、一対の電極間に有機材料や無機材料を有しており、これらに電流を与え、
発光材料を励起させること等により、所定の発光色を得ることができる。このような発光
素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られている。しかし、同時に大きな
電流を流すことは発光素子の劣化を促進してしまうことも知られている。つまり電極に高
い電圧を印加し、多くの電流を流すことにより発光輝度を大きくすることが可能であるが
、発光素子の劣化を早めてしまうことにもなる。より少ない電流で大きな輝度を得ること
ができれば、それは発光素子の寿命を延ばすことにも繋がる。

そこで、複数の発光素子を積層し、発光素子が一つの場合と同じ電流密度の電流を流す
ことによって、高い発光輝度を得ることが可能な発光素子が提案されている（特許文献１
参照）。これを利用すれば、積層構造を有する発光素子では、単層の場合の半分の電流密
度としても、所定の輝度を得ることができる。例えばｎ倍の輝度を所望の電流密度におい
て得たい場合は、電極間に存在する同一の構成の発光ユニットをｎ個とすれば、電流密度
を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できるとされている。このとき、駆動電圧もｎ倍
、もしくはそれ以上になってしまうが、ｎ倍の輝度が寿命を犠牲にせずに実現できること
の利点は大きい、と記載されている。

しかし、特許文献１に記載したような構成の場合、発光ユニットと発光ユニットとの間
にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などによる等電位
面が設けられている。これが複数画素にまたがって形成されてしまうと、隣接する画素の
電圧に影響を受けていわゆるクロストークが発生してしまう。

また、この等電位面は導電性を有するため、もし発光ユニットから等電位面が露出して
いる場合、電極に触れるとショートによる初期不良を起こしてしまう。

また、この等電位面を発光領域と一致させるように形成しようとすると、等電位面と発
光領域の形成位置に僅かでもズレが生じ、発光領域内において明暗の差が現れたり当電位
面とずれてしまった位置が非発光領域になったりすることが考えられ、僅かなズレが表示
品質に大きな影響を及ぼしてしまう。

特開２００３−４５６７６号公報

そこで本発明では隣接する発光素子同士のクロストークの発生を抑制した発光装置を提
供することを課題とする。

また、本発明は初期不良の発生を抑制することができる発光装置を提供することを課題
とする。

また、本発明では、電流効率の高い発光素子を用いた発光装置であって表示品質の高い
発光装置を提供することを課題とする。

上記課題を解決する為の本発明の発光装置は、複数の発光素子よりなる画素部を有し、
発光素子は第１の電極と第２の電極との間に設けられた複数の発光体及び発光体同士の間
に形成された導電層よりなり、導電層は発光素子毎に設けられており、導電層の端部は発
光体で覆われている。

上記課題を解決する為の本発明の発光装置は、複数の発光素子よりなる画素部を有し、
発光素子は第１の電極と第２の電極との間に設けられた複数の発光体及び発光体同士の間
に形成された導電層よりなり、導電層は発光素子毎に、互いに独立して設けられている。

上記構成において、互いに独立して設けられた隣接する導電層の間には、発光体を構成
する化合物の一部又は全部からなる層が設けられている。

上記構成において、発光素子における発光領域の端部より導電層の端部が外側に形成さ
れている。

上記構成において、第１の電極に接して第２の導電層が形成されている。

上記構成において、発光素子における発光領域の端部より第２の導電層の端部が外側に
形成されている。

上記構成において、第２の電極に接して第３の導電層が形成されている。

上記構成において、発光素子における発光領域の端部より第３の導電層の端部が外側に
形成されている。

本発明の発光装置は隣接する発光素子同士のクロストークの発生を抑制した発光装置で
ある。

また、本発明の発光装置は初期不良の発生が抑制された発光装置である。

また、本発明の発光装置は、電流効率の高い発光素子を用いた発光装置であって表示品
質の高い発光装置である。

本発明の発光装置の断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する断面図。本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する断面図。本発明の発光装置の断面図。本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明のアクティブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明の発光装置の上面図及び断面図。本発明の発光装置の画素回路一例を示す図。本発明の発光装置の保護回路の一例を示す図。本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明のパッシブマトリクス型発光装置の作製方法を説明する上面図。本発明の発光装置の断面図及び上面図。本発明が適用可能な電子機器の例示した図。本発明の発光装置の画素回路一例を示す図。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
図１は本発明の発光装置の模式図である。図１（Ａ）は発光装置内の１発光素子を表し
ており、第１の電極１００、第１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０
３及び導電層１１０を含む。導電層１１０は第１の発光体１０１と第２の発光体１０２と
の間に設けられており、その端部は第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２に覆われ
て画素毎に分離されている。

第１の電極１００及び第２の電極１０３は金属、合金、電気伝導性化合物等を用いるこ
とができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、
ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆ
ｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウ
ム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チ
タン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓ
ｉ）、アルミニウムとチタンの合金（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウムとシリコンと銅の合金
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等それらの合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の窒化
物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ケイ素を含有
するＩＴＯ（ＩＴＳＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属化合物などを用いることができるが、第１の
電極１００を発光素子が発光する際に高い電圧がかかる方の電極（陽極として機能する電
極）とする場合には、その中でも、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）材料で
形成されていることが好ましい。また、第１の電極１００を発光素子が発光する際に低い
電圧がかかる方の電極（陰極として機能する電極）とする場合にはその中でも、仕事関数
の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）材料で形成されていることが好ましい。なお、第１
の電極１００と第２の電極１０３は一方が陽極として機能する電極、他方が陰極として機
能する電極に相当する。

なお、発光を取り出す側の電極はＩＴＯやＩＴＳＯ、ＩＺＯなどの透光性を有する材料
で形成することが望ましい。なお、アルミニウムや銀などは厚膜で形成すると非透光性で
あるが、薄膜化すると透光性を有するようになるため、アルミニウムや銀の薄膜を透光性
を有する電極として用いることもできる。

第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２は少なくとも発光物質を含む単層もしくは
積層からなる層である。

第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２の積層構造は機能分離型の積層構造が代表
的である。正孔と電子が再結合する発光層を挟んで正孔の輸送性が高い材料による層を陽
極として機能する電極側に、電子の輸送性が高い材料による層を陰極側に配置することに
よって効率良く正孔及び電子の輸送を行うことができる。また、各々の電極に接して、当
該電極から注入されるキャリアの注入性に優れた材料を配置することによって、発光体へ
のキャリアの注入をスムーズに行うことができるようになる。

これら積層構造は、陽極として機能する電極に近い方から正孔を注入する機能に優れた
層（正孔注入層）、正孔を輸送する機能に優れた層（正孔輸送層）、発光物質が含まれて
いる層（発光層）、電子を輸送する機能に優れた層（電子輸送層）、電子を注入する機能
に優れた層（電子注入層）などの各機能層よりなる。なお、これらの層の他に電子と正孔
が発光層において効率よく再結合することが出来るようにする為のブロッキング層等、他
の機能を有する層が形成されていても良く、また、上記した機能を複数有する層を有して
いても良い。これら機能層は必ずしも全ての層が発光体中に含まれている必要は無く、ま
た、発光層単層により発光体が形成されていても良い。

本発明の発光装置では、発光素子内に第１の発光体１０１と第２の発光体１０２の複数
の発光体を有する構成となっている。そのため、第１の発光体１０１と第２の発光体１０
２に含まれる発光物質を発光色の異なった異なる発光物質とすることで、当該発光素子か
ら各々の発光物質の発光色が混合した色の発光を得ることが可能となる。なお、発光体の
数は２個に限らず、それ以上であっても良い。その場合、発光体と発光体との間には導電
層１１０を設ける。

また、第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２に含まれる発光物質を同じ物質とす
ることで、当該発光物質を含み発光体が単数でなる他の発光装置と比較して少ない電流密
度で同じ輝度を得ることが可能となる。また、同じ電流密度なら約２倍の輝度を得ること
ができる。

正孔注入層を形成するのに用いることのできる物質の具体例として、フタロシアニン（
略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或い
はポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯ
Ｔ／ＰＳＳ）等の高分子等が挙げられる。正孔注入層として用いる材料のイオン化ポテン
シャルが、正孔注入層に陽極として機能する電極の反対側に接して形成されている機能層
のイオン化ポテンシャルよりも相対的に小さくなるような物質を正孔輸送性を有する物質
の中から選択することによって、正孔注入層を形成することができる。

正孔輸送層を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、４，４’−ビス
［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’
−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ
）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称
：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニ
ルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（
Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニル（略称：
ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称
：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＴＣＴＡ）、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：
ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等が挙げられる。また、正孔輸
送層は、以上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であっ
てもよい。

また、正孔輸送層を設けることによって、第１の電極１００と発光層との距離を離すこ
とができ、第１の電極１００等に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐ
こともできる。正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、
特に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質を用いて形成することが好
ましい。

発光層として機能する層には大きく分けて２つの態様等がある。一つは発光中心となる
発光物質の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料（ホ
スト材料）からなる層に発光材料を分散して含むホスト−ゲスト型の層と、もう一つは発
光材料のみで発光層を構成する層である。前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成
である。発光材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ
）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−Ｂ
ｕＤＮＡ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢ
ｉ）、クマリン３０、クマリン６、クマリン５４５、クマリン５４５Ｔ、ペリレン、ルブ
レン、ペリフランテン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称
：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニ
ルテトラセン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［ｐ−（ジメチルアミノ）
スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル
−６−［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）
、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ
−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）等が挙げられる。また、ビス［２−（４’，６’−ジフ
ルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）］（ピコリナト）イリジウム（略称：ＦＩｒ
ｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト
−Ｎ，Ｃ^２’）｝（ピコリナト）イリジウム（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）
）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）
_３）、（アセチルアセトナト）ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム
（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２−（２’−
チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）_２（ａｃａｃ）
）、（アセチルアセトナト）ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（
略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２−（２’−ベン
ゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ
））などの燐光を放出できる化合物も用いることもできる。また、上記発光材料を分散し
てなる層を形成する場合に母体となるホスト材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル
）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導
体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール
誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メ
チル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシ
ベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−
キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２
−（２−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ_２）、ビス［２−（２
−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体
等を用いることができる。また、発光物質のみで発光層を構成することのできる材料とし
ては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、９，１０−ビス（
２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などがある。

電子輸送層を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、トリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト
）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナ
ト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フ
ェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェ
ニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロ
キシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）等の他、２−（４−
ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニ
リル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾ
ール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ビフェニリル）−４−（４−エチルフェニル）−５−
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ
））、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）
、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ
−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、４，４−ビス（５−メチルベンズオキサゾ
ル−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等が挙げられる。また、電子輸送層は、以
上に述べた物質から成る層を二以上組み合わせて形成した多層構造の層であってもよい。

また、電子輸送層を設けることによって、第２の電極１０３と発光層との距離を離すこ
とができ、第２の電極１０３に含まれている金属に起因して発光が消光することを防ぐこ
とができる。電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を用いて形成することが好ましく、特
に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質を用いて形成することが好ま
しい。

電子注入層を形成するのに用いることができる物質の具体例としては、アルカリ金属ま
たはアルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカ
リ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物等の無機物が挙げられる。また、無機物の他
、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＡＺ、ＢｚＯｓ等の電子輸送層を形成するの
に用いることのできる物質も、これらの物質の中から、電子輸送層の形成に用いる物質よ
りも電子親和力が大きい物質を選択することによって、電子注入層を形成する物質として
用いることができる。つまり、電子注入層における電子親和力が電子輸送層における電子
親和力よりも相対的に大きくなるような物質を電子輸送性を有する物質の中から選択する
ことによって、電子注入層を形成することもできる。

導電層１１０を形成するのに用いることの出来るのは透光性を有する透明導電膜であり
、具体例としては、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＩＺＯ等の無機導電膜、ＭｏＯｘ、ＶＯｘ、Ｚｎ
Ｏ等の無機化合物半導体、透光性を有する程度に薄膜化した金属膜、Ｃ_６０等の導電性有
機化合物などが挙げられる。

また、導電層１１０は、正孔を発生する層と電子を発生する層との積層体であっても良
い。この積層体は、陰極として機能する層側から正孔を発生する層、電子を発生する層の
順に設ける。正孔を発生する層は無機化合物と有機化合物との複合材料でなり、この層に
おいて無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す物質であり、有機化合物は正孔
輸送性に優れた物質である。無機化合物としては特に限定されないが、遷移金属酸化物が
好ましく、具体的には酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム
、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マ
ンガン、酸化レニウムが好適である。有機化合物としては先に正孔輸送層の材料として挙
げた材料を用いることができるが、特にその中でも、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ｍ−Ｍ
ＴＤＡＢ、ＴＰＤ、ＮＰＢ、ＤＮＴＰＤ、ＢＢＰＢ、ＴＣＴＡなどに代表される芳香族ア
ミン化合物は、ホールを発生しやすく、有機化合物として好適な化合物群である。電子を
発生する層は電子を発生できる層であれば特に限定はされないが、具体的には、電子輸送
性の有機化合物と、その有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有する層を含んで
いればよい。電子輸送性の有機化合物としては、先に述べたＡｌｑ_３、Ａｌｍｑ_３、Ｂｅ
Ｂｑ_２、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰ、ＰＢＤ
、ＯＸＤ−７、ＴＰＢＩ、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺなどを用いることができる。また、電
子供与性を示す物質としては、リチウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム等のアル
カリ金属またはアルカリ土類金属、あるいはそれらの合金が挙げられる。また、酸化リチ
ウム、酸化バリウム、窒化リチウム、窒化マグネシウム、窒化カルシウム等のアルカリ金
属化合物またはアルカリ土類金属化合物を用いることもできる。また、正孔を発生する層
と電子を発生する層との間には、透光性を有する透明導電膜が設けられていても良い。具
体例としては、ＩＴＯ、ＩＴＳＯ、ＩＺＯ等の無機導電膜、ＭｏＯｘ、ＶＯｘ、ＺｎＯ等
の無機化合物半導体、透光性を有する程度に薄膜化した金属膜、Ｃ_６０等の導電性有機化
合物などが挙げられる。

なお、導電層１１０は可視光領域の吸収ができるだけ小さいことが望ましい。ここで、
正孔を発生する層において、有機化合物に下記一般式に示したような構造を有する有機材
料を用いることによって、光射出側の可視光領域における吸収を低減させることができる
。

ただし、式中Ｒ^１〜Ｒ^２４は、それぞれ同一でも異なっていても良く、水素、アルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基のいずれかを表す。

ただし、式中Ｘは、構造式（２−１）〜（２−６）に示す芳香族炭化水素基のいずれか
を表し、Ｒ^１〜Ｒ^２０はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アル
コキシ基、アリール基のいずれかを表す。

ただし、式中Ｒ^１〜Ｒ^９はそれぞれ同一でも異なっていても良く、水素、アルキル基、
アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。

また、導電層１１０は、陰極として機能する層側から順に、正孔を発生する層、透明導
電膜、電子を発生する層が積層された積層体であっても良い。

なお、導電層１１０は５０ｎｍ以下の膜厚であると、たとえ可視光領域に吸収を有して
いたとしてもその影響を小さくすることが出来る為好ましい。

導電層１１０は画素毎に設けられており、その端部が第１の発光体１０１及び第２の発
光体１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置
の表示品質が向上する。このことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も
高い発光装置とすることが可能となる。また、導電層１１０が第１の発光体１０１及び第
２の発光体１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と導電層１１０が短絡する
恐れも無く、第２の電極１０３と導電層１１０が導電層１１０の端部においてショートし
てしまうことによる初期不良を無くすことができる。

図１（Ｂ）はアクティブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図である。
基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トラン
ジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、第
１の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８及び第２の電極２０９よりなる発
光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁２０６により覆われ
ており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁２０６から露出した部分に形成される。発光
素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、発光の制御がな
される。

基板２００は薄膜トランジスタや発光素子の支持体として用いられ、その材料としては
ガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポ
リカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど）等を用いることができ
るが、その他薄膜トランジスタや発光素子の支持体として用いることが出来るものであれ
ばこれら以外の材料で形成されていても良い。また、基板は必要に応じてＣＭＰ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）等により研磨されていても良
い。

基板２００と半導体層２０１との間には下地絶縁膜が単層もしくは多層で設けられてい
ても良い。下地絶縁膜は、基板２００中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体
膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設ける。材料
としては酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸素を含む窒化珪素などを用いるこ
とができる。なお、基板からの不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁層は設
ける必要がない。

薄膜トランジスタは本発明ではトップゲート型（順スタガ型）の薄膜トランジスタの例
を示したが、ボトムゲート型（逆スタガ型）など他の形状の薄膜トランジスタでも良く、
本発明は発光素子を駆動するトランジスタの種類及び駆動方法によって限定されることは
ない。

層間絶縁膜２０３は、不要な部分において薄膜トランジスタと発光素子が電気的に接触
することを防ぐ為に設けられ、単層であっても多層であっても良い。層間絶縁膜２０３は
少なくとも一層が下部の薄膜トランジスタなどにより発生した凹凸を緩和できるような自
己平坦性を有する材料で形成することが好ましい。例えば、アクリル、ポリイミド、もし
くは珪素と酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基として少なくとも水素を含む有機
基（例えばアルキル基、アリール基）、フルオロ基、又は少なくとも水素を含む有機基及
びフロオロ基を有する材料、いわゆるシロキサンなどの材料を用いることが望ましい。ま
た、その他の材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ケイ素を含む酸化ケイ素、酸化
ケイ素を含む窒化ケイ素、低誘電率材料等を用いて形成することができる。

第１の電極２０５、第１の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８、第２の
電極２０９よりなる発光素子は図１（Ａ）で説明した発光素子と同じ構成を有している。
発光素子の第１の電極２０５は隔壁２０６によってその端部が覆われており、隔壁２０６
より第１の電極２０５が露出している部分が当該発光素子の発光領域となる。隔壁２０６
は層間絶縁膜２０３の材料として挙げた材料と同様の材料を使用することができる。

発光素子の第１の電極２０５と薄膜トランジスタとを電気的に接続する電極２０４はア
ルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブデ
ンの合金等の単層や多層で形成する。多層構造の場合例えば、薄膜トランジスタ側からモ
リブデン、アルミニウム、モリブデンやチタン、アルミニウム、チタンもしくはチタン、
窒化チタン、アルミニウム、チタンといった積層構造等が考えられる。

図１（Ｂ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層２５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体２０７及び第２の発光体２０８に覆われてい
ることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上した発
光装置とすることができる。このことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品
質も高い発光装置とすることが可能となる。また、導電層２５０が第１の発光体２０７及
び第２の発光体２０８に覆われていることから、第２の電極２０９と導電層２５０が導電
層２５０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極２０９と導電層２５０がショー
トしてしまうことによる初期不良を無くすことができる。

また、導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て導電層２５０と第１の発光体が接して
形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得られないか
、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが出来
ない。そのため導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると導電層２５
０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品質が悪化し
たりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層２５０の端部を発光領域の端部
よりも外側に形成することによってたとえ導電層２５０が多少ズレて形成されてしまった
としても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクアラインメ
ントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置に適用する
と特に好適であり、マスクアラインメントのズレなどによる表示品質の低下やスループッ
トの低下を抑制することができる。

図１（Ｃ）はパッシブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図であり、基
板３００上に、第１の電極３０１、第１の発光体３０３、導電層３５０、第２の発光体３
０４及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子は第１の電極３
０１を同じとする他の発光素子と隔壁３０２によって分離されている。基板３００、第１
の電極３０１、第１の発光体３０３、導電層３５０、第２の発光体３０４、第２の電極３
０５及び隔壁３０２はそれぞれ図１（Ｂ）における基板２００、第１の電極２０５、第１
の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８、第２の電極２０９及び隔壁２０６
に相当し、同様の材料を用いることができる。

図１（Ｃ）に示したような本発明の発光装置は、発光素子における導電層３５０が画素
毎に設けられており、当該導電層３５０の端部が第１の発光体３０３及び第２の発光体３
０４に覆われていることから、画素間でのクロストークを抑制することができる。このこ
とから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが可能
となる。また、導電層３５０が第１の発光体３０３及び第２の発光体３０４に覆われてい
ることから、第２の電極３０５と導電層３５０が導電層３５０の端部において短絡する恐
れも無く、第２の電極３０５と導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不良を
無くすことができる。

また、導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て導電層３５０と第１の発光体３０３が
接して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得られ
ないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ること
が出来ない。そのため導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると導電
層３５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品質が
悪化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層３５０の端部を発光領域
の端部よりも外側に形成することによって、たとえ導電層３５０が多少ズレて形成されて
しまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクア
ラインメントを非常にシビアに行わなければいけない高精細なパッシブマトリクス型の発
光装置に適用すると特に好適であり、マスクアラインメントのズレなどによる表示品質の
低下やスループットの低下を抑制することができる。

（実施の形態２）
図２は本発明の発光装置の模式図である。図２（Ａ）は発光装置内の１発光素子を表し
ており、第１の電極１００、第１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０
３、導電層１１０及び導電層１１１を含む。図２（Ａ）において、第１の電極１００、第
１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０３及び導電層１１０は図１（Ａ
）と全く同じ構成であるので図１（Ａ）の説明に準ずる。導電層１１１は画素毎に分離さ
れており、その構成、材料は導電層１１０と同じ材料を用いることができる。また、導電
層１１１は実施の形態１における導電層１１０の構成の説明において説明した正孔を発生
する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。

また、第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２に含まれる発光物質を同じ物質とす
ることで、当該発光物質を含み発光体が単数でなる他の発光装置と比較して少ない電流密
度で同じ輝度を得ることが可能となる。また、電流密度を同じとすれば約２倍の輝度を得
ることが可能となる。

また、導電層１１１はその膜厚が大きくなっても、発光体と比較して抵抗が小さいこと
から発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため導電層１１１を適当な膜厚で設けるこ
とによって、発光体から発した発光が第１の電極１００に達するまでの光路長を調整する
ことが可能となる。第１の電極１００までの光路長を調整することができることから、第
１の電極１００の界面で起こった反射光を利用して、マイクロキャビティー効果により発
光の色純度や視野角依存性を制御するなどの光学設計が出来るようになり、より表示品質
を向上させることができるようになる。さらに導電層１１１は厚膜化が可能であることか
ら、第１の電極１００表面に何らかの原因で凹凸が発生していたり、第１の電極上に異物
が存在していたりしても、凹凸を緩和したり異物を覆ったりすることができる。これによ
り、第１の電極１００上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低
減させることができるようになる。

導電層１１０が画素毎に設けられており、その端部が第１の発光体１０１と第２の発光
体１０２に覆われていることから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の
表示品質が向上する。このことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高
い発光装置とすることが可能となる。また、導電層１１０が第１の発光体１０１及び第２
の発光体１０２に覆われていることから、第２の電極１０３と導電層１１０が導電層１１
０の端部において短絡する恐れも無く、第２の電極１０３と導電層１１０がショートして
しまうことによる初期不良を無くすことができる。

図２（Ｂ）はアクティブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図である。
基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トラン
ジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、導
電層２５１、第１の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８及び第２の電極２
０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁２０
６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁２０６から露出した部分に形
成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、
発光の制御がなされる。図２（Ｂ）に示した発光装置において導電層２５１以外の構成は
図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ずる。導電層２５１は画素毎に分
離されており、導電層２５１の構成、材料は導電層２５０と同じ材料を用いることができ
る。また、導電層２５１は実施の形態１における導電層１１０の構成の説明において説明
した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。

また、導電層２５１はその膜厚が大きくなっても、発光体と比較して抵抗が小さいこと
から発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため導電層２５１を適当な膜厚で設けるこ
とによって、発光体から発した発光が第１の電極２０５に達するまでの光路長を調整する
ことが可能となる。第１の電極２０５までの光路長を調整することができることから、第
１の電極２０５の界面で起こった反射光を利用して、干渉効果により発光の色純度や視野
角依存性を制御するなどの光学設計が出来るようになり、より表示品質を向上させること
ができるようになる。さらに導電層２５１は厚膜化が可能であることから、第１の電極２
０５表面に何らかの原因で凹凸が発生していたり、第１の電極２０５上に異物が存在して
いたりしても、凹凸を緩和したり異物を覆ったりすることができる。これにより、第１の
電極２０５上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させるこ
とができるようになる。

図２（Ｂ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層２５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体２０７と第２の発光体２０８に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層２５０が第１の発光体２０７及び第２の発光体２０８に覆われ
ていることから、第２の電極２０９と導電層２５０が導電層２５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極２０９と導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て第１の電極２０５と導電層２５１が接
して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得られな
いか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが
出来ない。そのため導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると導電層
２５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品質が悪
化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層２５０の端部を発光領域の
端部よりも外側に形成することによってたとえ導電層２５０が多少ズレて形成されてしま
ったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクアライ
ンメントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精
細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクアラインメン
トのズレなどによる表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

また、導電層２５１もその端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光
が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、導電
層２５１が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層２５１が発光領域を覆ったまま
でいられるため、表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

図２（Ｃ）はパッシブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図であり、基
板３００上に、第１の電極３０１、導電層３５１、第１の発光体３０３、導電層３５０、
第２の発光体３０４及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子
は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁３０２によって分離されている
。図２（Ｃ）に示した発光装置において導電層３５１以外の構成は図１（Ｃ）と同じ構成
であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。導電層３５１は画素毎に分離されており導電層３
５１の構成、材料は導電層３５０と同じ材料を用いることができる。また、導電層３５１
は実施の形態１における導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層
、電子を発生する層のみで形成しても良い。

図２（Ｃ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層３５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体３０３と第２の発光体３０４に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層３５０が第１の発光体３０３及び第２の発光体３０４に覆われ
ていることから、第２の電極３０５と導電層３５０が導電層３５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極３０５と導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て導電層３５１が第１の電極３０１と接
して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得られな
いか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが
出来ない。そのため導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると導電層
３５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品質が悪
化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層３５０の端部を発光領域の
端部よりも外側に形成することによってたとえ導電層３５０が多少ズレて形成されてしま
ったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクアライ
ンメントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精
細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクアラインメン
トのズレなどによる表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

また、導電層３５１もその端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光
が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、導電
層３５１が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層２５１が発光領域を覆ったまま
でいられるため、表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

（実施の形態３）
図３は本発明の発光装置の模式図である。図３（Ａ）は発光装置内の１発光素子を表し
ており、第１の電極１００、第１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０
３、導電層１１０及び導電層１１２を含む。図３（Ａ）において、第１の電極１００、第
１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０３及び導電層１１０は図１（Ａ
）と全く同じ構成であるので図１（Ａ）の説明に準ずる。導電層１１２は第２の発光体１
０２と第２の電極１０３との間に設けられ、その端部は第２の発光体１０２と第２の電極
１０３に覆われており、画素毎に分離されている。導電層１１２の構成、材料は導電層１
１０と同じ材料を用いることができる。また、導電層１１２は実施の形態１における導電
層１１０の構成の説明において説明した正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成
しても良い。

本発明の発光装置では、発光素子内に第１の発光体１０１と第２の発光体１０２の複数
の発光体を有する構成となっている。そのため、第１の発光体１０１と第２の発光体１０
２に含まれる発光物質を発光色の異なった異なる発光物質とすることで、当該発光素子か
ら各々の発光物質の発光色が混合した色の発光を得ることが可能となる。なお、発光体の
数は２層に限らず、それ以上であっても良い。その場合、発光体と発光体との間には導電
層１１０を設ける。

また、第１の発光体１０１及び第２の発光体１０２に含まれる発光物質を同じ物質とす
ることで、当該発光物質を含み発光体が単数でなる他の発光装置と比較して少ない電流密
度で同じ輝度を得ることが可能となる。

また、導電層１１２はその膜厚が大きくなっても、発光体と比較して抵抗が小さいこと
から発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため導電層１１２を適当な膜厚で設けるこ
とによって、発光体から発した発光が第２の電極１０３に達するまでの光路長を調整する
ことが可能となる。第２の電極１０３までの光路長を調整することができることから、第
２の電極１０３の界面で起こった反射光を利用して、干渉効果により発光の色純度や視野
角依存性を制御するなどの光学設計が出来るようになり、より表示品質を向上させること
ができるようになる。

図３（Ｂ）はアクティブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図である。
基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トラン
ジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、第
１の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８、導電層２５２及び第２の電極２
０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の端部は隔壁２０
６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁２０６から露出した部分に形
成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接続されており、
発光の制御がなされる。図３（Ｂ）に示した発光装置において導電層２５２以外の構成は
図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ずる。導電層２５２は第２の発光
体２０８と第２の電極２０９との間に設けられ、その端部は第２の発光体２０８と第２の
電極２０９に覆われており、画素毎に分離されている。導電層２５２の構成、材料は導電
層２５０と同じ材料を用いることができる。また、導電層２５２は実施の形態１における
導電層１１０の構成の説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみ
で形成しても良い。

また、導電層２５２はその膜厚が大きくなっても、発光体と比較して抵抗が小さいこと
から発光素子の駆動電圧の上昇が小さい。そのため導電層２５２を適当な膜厚で設けるこ
とによって、発光体から発した発光が第２の電極２０９に達するまでの光路長を調整する
ことが可能となる。第２の電極２０９までの光路長を調整することができることから、第
２の電極２０９の界面で起こった反射光を利用して、干渉効果により発光の色純度や視野
角依存性を制御するなどの光学設計が出来るようになり、より表示品質を向上させること
ができるようになる。

図３（Ｂ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層２５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体２０７と第２の発光体２０８に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層２５０が第１の発光体２０７及び第２の発光体２０８に覆われ
ていることから、第２の電極２０９と導電層２５０が導電層２５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極２０９と導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て第１の電極２０５が第１の発光体２０
７と接して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得
られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得る
ことが出来ない。そのため導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると
導電層２５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品
質が悪化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層２５０の端部を発光
領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ導電層２５０が多少ズレて形成され
てしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスク
アラインメントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置
や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクアライ
ンメントのズレなどによる表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる
。

また、導電層２５２もその端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光
が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、導電
層２５２が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層２５２が発光領域を覆ったまま
でいられるため、表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

図３（Ｃ）はパッシブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図であり、基
板３００上に、第１の電極３０１、第１の発光体３０３、導電層３５０、第２の発光体３
０４、導電層３５２及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されている。発光素子
は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁３０２によって分離されている
。図３（Ｃ）に示した発光装置において導電層３５２以外の構成は図１（Ｃ）と同じ構成
であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。導電層３５２は第２の発光体３０４と第２の電極
３０５との間に設けられ、その端部は第２の発光体３０４と第２の電極３０５に覆われて
おり、画素毎に分離されている。導電層３５２の構成、材料は導電層３５０と同じ材料を
用いることができる。また、導電層３５２は実施の形態１における導電層１１０の構成の
説明において説明した、正孔を発生する層、電子を発生する層のみで形成しても良い。

図３（Ｃ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層３５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体３０３と第２の発光体３０４に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層３５０が第１の発光体３０３及び第２の発光体３０４に覆われ
ていることから、第２の電極３０５と導電層３５０が導電層３５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極３０５と導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層３５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て第１の電極３０１が第１の発光体３０
３と接して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得
られないか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得る
ことが出来ない。そのため導電層３５０を発光領域と一致するように形成しようとすると
導電層３５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品
質が悪化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層３５０の端部を発光
領域の端部よりも外側に形成することによってたとえ導電層３５０が多少ズレて形成され
てしまったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスク
アラインメントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置
や高精細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクアライ
ンメントのズレなどによる表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる
。

また、導電層３５２もその端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光
が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。これにより、導電
層３５２が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層３５２が発光領域を覆ったまま
でいられるため、表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

（実施の形態４）
図４は本発明の発光装置の模式図である。図４（Ａ）は発光装置内の１発光素子を表し
ており、第１の電極１００、第１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０
３、導電層１１０、導電層１１１及び導電層１１２を含む。図４（Ａ）において、第１の
電極１００、第１の発光体１０１、第２の発光体１０２、第２の電極１０３及び導電層１
１０は図１（Ａ）と全く同じ構成であるので図１（Ａ）の説明に準ずる。また、導電層１
１１については図２（Ａ）に、導電層１１２については図３（Ａ）の説明に準ずる。本実
施の形態における発光装置は、第１の電極１００側と第２の電極１０３側の両方に導電層
を有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため、より綿密な光学設
計を行うことができる。また、第１の電極１００側に導電層１１１を有することから、第
１の電極１００上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させ
ることができるようになる。

図４（Ｂ）はアクティブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図である。
基板２００上に、半導体層２０１、ゲート絶縁膜、ゲート電極２０２よりなる薄膜トラン
ジスタが形成され、薄膜トランジスタ上には層間絶縁膜２０３介し第１の電極２０５、導
電層２５１、第１の発光体２０７、導電層２５０、第２の発光体２０８、導電層２５２及
び第２の電極２０９よりなる発光素子が形成されている。発光素子の第１の電極２０５の
端部は隔壁２０６により覆われており、発光素子は第１の電極２０５が隔壁２０６から露
出した部分に形成される。発光素子は電極２０４を介して薄膜トランジスタと電気的に接
続されており、発光の制御がなされる。図４（Ｂ）に示した発光装置において導電層２５
１、導電層２５２以外の構成は図１（Ｂ）と同じ構成であるので図１（Ｂ）の説明に準ず
る。また、導電層２５１については図２（Ｂ）に、導電層２５２については図３（Ｂ）の
説明に準ずる。本実施の形態における発光装置は、第１の電極２０５側と第２の電極２０
９側の両方に導電層を有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため
、より綿密な光学設計を行うことができる。また、第１の電極２０５側に導電層２５１を
有することから、第１の電極２０５上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショー
トなど）を低減させることができるようになる。

図４（Ｂ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層２５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体２０７と第２の発光体２０８に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層２５０が第１の発光体２０７及び第２の発光体２０８に覆われ
ていることから、第２の電極２０９と導電層２５０が導電層２５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極２０９と導電層２５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層２５０の端部を発光素子における発光領域（基板面方向から見て発光が得
られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成するとなお良い。本発明の発光装置
に用いられるような発光素子は基板面方向から見て導電層２５１と第１の電極２０５が接
して形成された領域のみから所望の発光が得られ、それ以外の領域は発光自体が得られな
いか、その輝度が著しく低い発光しか得られない。または所望の色彩の発光を得ることが
出来ない。そのため導電層２５０を発光領域と一致するように形成しようとすると導電層
２５０を形成する際、形成領域が僅かにズレただけで発光領域が減少したり表示品質が悪
化したりなどの不都合を引き起こしてしまう。しかし、導電層２５０の端部を発光領域の
端部よりも外側に形成することによってたとえ導電層２５０が多少ズレて形成されてしま
ったとしても、表示品質の劣化を招くことを低減することができる。これはマスクアライ
ンメントを非常にシビアに行わなければいけないアクティブマトリクス型発光装置や高精
細なパッシブマトリクス型の発光装置に適用すると特に好適であり、マスクアラインメン
トのズレなどによる表示品質の低下やスループットの低下を抑制することができる。

また、導電層２５１、導電層２５２もその端部を発光素子における発光領域（基板面方
向から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。こ
れにより、導電層２５１や導電層２５２が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層
２５１や導電層２５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下やスルー
プットの低下を抑制することができる。

図４（Ｃ）はパッシブマトリクス型の本発明の発光装置の例を示した模式図であり、基
板３００上に、第１の電極３０１、導電層３５１、第１の発光体３０３、導電層３５０、
第２の発光体３０４、導電層３５２及び第２の電極３０５よりなる発光素子が形成されて
いる。発光素子は他の第１の電極３０１を同じとする他の発光素子と隔壁３０２によって
分離されている。図４（Ｃ）に示した発光装置において導電層３５１、導電層３５２以外
の構成は図１（Ｃ）と同じ構成であるので図１（Ｃ）の説明に準ずる。また、導電層３５
１については図２（Ｃ）に、導電層３５２については図３（Ｃ）の説明に準ずる。本実施
の形態における発光装置は、第１の電極３０１側と第２の電極３０５側の両方に導電層を
有することから発光素子の両側で光学設計を行うことができるため、より綿密な光学設計
を行うことができる。また、第１の電極３０１側に導電層３５１を有することから、第１
の電極３０１上の凹凸や異物が原因で引き起こされる不良（ショートなど）を低減させる
ことができるようになる。

図４（Ｃ）に示したような本発明の発光装置は発光素子における導電層３５０が画素毎
に設けられており、その端部が第１の発光体３０３と第２の発光体３０４に覆われている
ことから、画素間でのクロストークの発生が抑制され発光装置の表示品質が向上する。こ
のことから本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装置とすることが
可能となる。また、導電層３５０が第１の発光体３０３及び第２の発光体３０４に覆われ
ていることから、第２の電極３０５と導電層３５０が導電層３５０の端部において短絡す
る恐れも無く、第２の電極３０５と導電層３５０がショートしてしまうことによる初期不
良を無くすことができる。

また、導電層３５１、導電層３５２もその端部を発光素子における発光領域（基板面方
向から見て発光が得られる部分）の端部よりも外側に位置するように形成すると良い。こ
れにより、導電層３５１や導電層３５２が多少ズレて形成されてしまったとしても導電層
３５１や導電層３５２が発光領域を覆ったままでいられるため、表示品質の低下やスルー
プットの低下を抑制することができる。

（実施の形態５）
図５は発光素子からの発光の方向が異なるアクティブマトリクス型の発光装置の例を示
す。なお、図５は発光装置の発光方向を説明する為に設けた図面であり、本発明の発光装
置はこれに記載された構造に限定されず、薄膜トランジスタの形状などは適宜選択できる
ことは言うまでもない。また、各々付した番号は実施の形態１乃至実施の形態４に準ずる
こととする。図５（Ａ）は薄膜トランジスタが形成された方の基板側に発光素子の発光を
取り出す構造である。この場合第１の電極２０５を透過して光を取り出すこととなる為、
第１の電極２０５を透光性を有する材料で形成する。図５（Ｂ）は薄膜トランジスタが形
成された方とは逆の方向に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合、第２の電極
２０９が透光性を有する材料により形成する。図５（Ｃ）は両側から発光素子の発光を取
り出す構造である。この場合は第１の電極２０５、第２の電極２０９の両方を透光性を有
する材料によって形成する。なお、第１の電極２０５と第２の電極２０９の材料について
は実施の形態１で第１の電極１００及び第２の電極１０３の材料として述べた材料のうち
、ＩＴＯに代表される透光性を有する材料を選択すればよい。

本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態４と自由に組み合わせて用いることができ
る。

（実施の形態６）
図６は発光素子からの発光の方向が異なるパッシブマトリクス型の発光装置の例を示す
。なお、図６は発光装置の発光方向を説明する為に設けた図面であり、本発明の発光装置
はこれに記載された構造に限定されず、薄膜トランジスタの形状などは適宜選択できるこ
とは言うまでもない。また、各々付した番号は実施の形態１乃至実施の形態４に準ずるこ
ととする。図６（Ａ）は第１の電極３０１が形成された方の基板側に発光素子の発光を取
り出す構造である。この場合第１の電極３０１を透過して光を取り出すこととなる為、第
１の電極３０１を透光性を有する材料で形成する。図６（Ｂ）は第１の電極３０１が形成
された方とは逆の方向に発光素子の発光を取り出す構造である。この場合、第２の電極３
０５が透光性を有する材料により形成する。図６（Ｃ）は両側から発光素子の発光を取り
出す構造である。この場合は第１の電極３０１、第２の電極３０５の両方を透光性を有す
る材料によって形成する。なお、第１の電極３０１と第２の電極３０５の材料については
実施の形態１で第１の電極３０１及び第２の電極３０５の材料として述べた材料のうち、
ＩＴＯに代表される透光性を有する材料を選択すればよい。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の発光装置について図７、図８を参照し、作製方法を示しな
がら説明する。なお、本実施の形態ではアクティブマトリクス型の発光装置を作製する例
を示した。

まず、基板５０上に第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂを形成した後、
さらに半導体層を第２の下地絶縁層５１ｂ上に形成する。（図７（Ａ））

基板５０の材料としてはガラス、石英やプラスチック（ポリイミド、アクリル、ポリエ
チレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンな
ど）等を用いることができる。これら基板は必要に応じてＣＭＰ等により研磨してから使
用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。

第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂは基板５０中のアルカリ金属やアル
カリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散する
のを防ぐ為に設ける。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒素を含む酸化ケイ素、酸
素を含む窒化ケイ素などを用いることができる。本実施の形態では第１の下地絶縁層５１
ａを窒化ケイ素で、第２の下地絶縁層５１ｂを酸化ケイ素で形成する。本実施の形態では
、下地絶縁層を第１の下地絶縁層５１ａ、第２の下地絶縁層５１ｂの２層で形成したが、
単層で形成してもかまわないし、２層以上の多層であってもかまわない。また、基板から
の不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。

続いて形成される半導体層は本実施の形態では非晶質ケイ素膜をレーザ結晶化して得る
。第２の下地絶縁層５１ｂ上に非晶質ケイ素膜を２５〜１００ｎｍ（好ましくは３０〜６
０ｎｍ）の膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧ＣＶ
Ｄ法またはプラズマＣＶＤ法などが使用できる。その後、５００℃で１時間の加熱処理を
行い、水素出しをする。

続いてレーザ照射装置を用いて非晶質ケイ素膜を結晶化して結晶質ケイ素膜を形成する
。本実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用し、発振されたレーザビームを
光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質ケイ素膜に照射することで結晶質ケ
イ素膜とし、半導体層として用いる。

非晶質ケイ素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方
法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う事によって行う方法もある。結晶化
を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金
などが挙げられ、このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合
に比べ、低温、短時間で結晶化が行われるため、ガラス基板などへのダメージが少ない。
熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板５０を熱に強い石英基板などにすればよい。

続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールする為に微量の不純物添加、
いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にＮ型もしくはＰ型を
呈する不純物（リン、ボロンなど）をイオンドーピング法などにより添加する。

その後、図７（Ａ）に示すように半導体層を所定の形状に加工し、島状の半導体層５２
を得る。この工程は半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼
成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをするこ
とにより行われる。

続いて半導体層５２を覆うようにゲート絶縁層５３を形成する。ゲート絶縁層５３はプ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用いて膜厚を４０〜１５０ｎｍとしてケイ素を含む絶
縁層で形成する。本実施の形態では酸化ケイ素を用いて形成する。

次いで、ゲート絶縁層５３上にゲート電極５４を形成する。ゲート電極５４はタンタル
、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた
元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、
リン等の不純物元素をドーピングした多結晶ケイ素膜に代表される半導体膜を用いてもよ
い。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。

また、本実施の形態ではゲート電極５４は単層で形成されているが、下層にタングステ
ン、上層にモリブデンなどの２層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート
電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わ
せも適宜選択すればよい。ゲート電極５４の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用
し、エッチングをして行う。

続いて、ゲート電極５４をマスクとして半導体層５２に高濃度の不純物を添加する。こ
れによって半導体層５２、ゲート絶縁層５３、及びゲート電極５４を含む薄膜トランジス
タ７０が形成される。

なお、薄膜トランジスタの作製工程については特に限定されず、所望の構造のトランジ
スタを作製できるように適宜変更すればよい。

本実施の形態では、レーザ結晶化を使用して結晶化した結晶性シリコン膜を用いたトッ
プゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜
トランジスタを画素部に用いることも可能である。非晶質半導体はケイ素だけではなくシ
リコンゲルマニウムも用いることができ、シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニ
ウムの濃度は０．０１〜４．５ａｔｏｍｉｃ％程度であることが好ましい。

また非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を観察することができる微結晶半導
体膜（セミアモルファス半導体）を用いてもよい。また０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶を粒
観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタル（μｃ）とも呼ばれている。

セミアモルファス半導体であるセミアモルファスシリコン（ＳＡＳとも表記する）は、
ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＦ_４などをグ
ロー放電分解することにより得ることができる。これらを水素、水素とヘリウム、アルゴ
ン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いるこ
とでＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は１０倍〜１０００倍の範囲
であることが好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は０．１Ｐａ〜１３３Ｐａ
の範囲の圧力で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ
、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は３
００度以下が好ましく、１００〜２５０度の基板加熱温度が好適である。

このようにして形成されたＳＡＳはＬ−Ｏフォノンに由来するラマンスペクトルが５２
０ｃｍ^−１よりも低波数側にシフトしており、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとさ
れる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド
）の終端化剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませてい
る。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０^２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０^１９ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。ＴＦＴにした
ときの電界効果移動度μ＝１〜１０ｃｍ^２／Ｖｓｅｃとなる。

また、このＳＡＳをレーザでさらに結晶化して用いても良い。

続いて、ゲート電極５４、ゲート絶縁層５３を覆って絶縁膜（水素化膜）５９を窒化ケ
イ素により形成する。絶縁膜（水素化膜）５９を形成したら４８０℃で１時間程度加熱を
行って、不純物元素の活性化及び半導体層５２の水素化を行う。

続いて、絶縁膜（水素化膜）５９を覆う第１の層間絶縁層６０を形成する。第１の層間
絶縁層６０を形成する材料としては酸化ケイ素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、ｌ
ｏｗ−ｋ材料等をもちいるとよい。本実施の形態では酸化ケイ素膜を第１の層間絶縁層と
して形成した。（図７（Ｂ））

次に、半導体層５２に至るコンタクトホールを開口する。コンタクトホールはレジスト
マスクを用いて、半導体層５２が露出するまでエッチングを行うことで形成することがで
き、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条
件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行
っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチン
グの両方を用いても良い。（図７（Ｃ））

そして、当該コンタクトホールや第１の層間絶縁層６０を覆う導電層を形成する。当該
導電層を所望の形状に加工し、接続部６１ａ、配線６１ｂなどが形成される。この配線は
アルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブ
デンの合金等の単層でも良いが、基板側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積
層構造やチタン、アルミニウム。チタンやチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンと
いった構造でも良い。（図７（Ｄ））

その後、接続部６１ａ、配線６１ｂ、第１の層間絶縁層６０を覆って第２の層間絶縁層
６３を形成する。第２の層間絶縁層６３の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポ
リイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを
第２の層間絶縁層６３として用いる。（図７（Ｅ））

続いて第２の層間絶縁層６３上に窒化ケイ素などで絶縁層を形成してもよい。これは後
の画素電極のエッチングにおいて、第２の層間絶縁層６３が必要以上にエッチングされて
しまうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第２の層間絶縁層のエッチングレー
トの比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第２の層間絶縁層６３を貫通し
て接続部６１ａに至るコンタクトホールを形成する。

そして当該コンタクトホールと第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）を覆って、透
光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して薄膜発光素子
の第１の電極６４を形成する。ここで第１の電極６４は接続部６１ａと電気的に接触して
いる。

第１の電極６４の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（
Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）
、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、リチウム（Ｌｉ）
、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）などの導電性を有する金属、又はアルミニウムとシリコンの合金（
Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウムとチタンの合金（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム、シリコン及
び銅の合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等の合金、または窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料の
窒化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ケイ素を
含有するＩＴＯ、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）等の金属化合物など実施の形態１に示したような導電膜により
形成することができる。

また、発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く、ＩＴＯ
、ＩＴＳＯ、ＩＺＯなどの金属化合物の他、Ａｌ、Ａｇ等金属の極薄膜を用いる。また、
第２の電極の方から発光を取り出す場合は第１の電極は反射率の高い材料（Ａｌ、Ａｇ等
）を用いることができる。本実施の形態ではＩＴＳＯを第１の電極６４として用いた（図
８（Ａ））。

次に第２の層間絶縁層６３（もしくは絶縁層）及び第１の電極６４を覆って有機材料も
しくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を第１の電極６４の一部が
露出するように加工し、隔壁６５を形成する。隔壁６５の材料としては、感光性を有する
有機材料（アクリル、ポリイミドなど）が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材
料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁６５の材料にカーボンナイトライドな
どの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁６５を黒くすることでブラックマ
トリクス様に用いても良い。隔壁６５の第１の電極に向かう端面は曲率を有し、当該曲率
が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい（図８（Ｂ））。

続いて、実施の形態１乃至実施の形態４のいずれかに倣って複数の発光体及び少なくと
も２以上存在する発光体と発光体との間に設けられた導電層を形成する。発光体と導電層
の数は実施者が適宜定めれば良い。これらの層をまとめて図では発光層を含む層６６とす
る。

続いて第２の電極６７を形成する。これによって第１の電極６４と第２の電極６７との
間に発光層を含む層を挟んでなる発光素子９３を作製することができ、第１の電極に第２
の電極より高い電圧をかけることによって発光を得ることができる。第２の電極６７の形
成に用いられる電極材料としては第１の電極の材料と同様の材料を用いることができる。
本実施の形態ではアルミニウムを第２の電極として用いた。

その後、プラズマＣＶＤ法により窒素を含む酸化ケイ素膜をのパッシベーション膜とし
て形成する。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ_４、
Ｎ_２Ｏ、ＮＨ_３から作製される酸化窒化ケイ素膜、またはＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏから作製され
る酸化窒化ケイ素膜、あるいはＳｉＨ_４、Ｎ_２ＯをＡｒで希釈したガスから形成される酸
化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。

また、パッシベーション膜としてＳｉＨ_４、Ｎ_２Ｏ、Ｈ_２から作製される酸化窒化水素
化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は単層構造に限定されるも
のではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い
。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜
やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化ケイ素膜の代わりに形成してもよい。

続いて発光素子を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行
う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するよ
うに貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体
を充填しても良いし、シール材を画素部全面に塗布しそれにより対向基板を貼り合わせて
も良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥剤や
基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部に
フレキシブル配線基板を貼り付けることによって、発光装置が完成する。

以上のように作製した発光装置の構成の１例を図９参照しながら説明する。なお、形が
異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もあ
る。本実施の形態では、ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタが接続部を介して発光素子
に接続している。

図９（Ａ）は第１の電極が透光性を有する導電膜により形成されており、基板側に発光
体より発せられた光が取り出される構造である。なお９４は対向基板であり、発光素子が
形成された後、シール材などを用い、基板に固着される。対向基板９４と素子との間に透
光性を有する樹脂８８等を充填し、封止することによって発光素子が水分により劣化する
ことを防ぐ事ができる。また、樹脂８８が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹
脂８８中に透光性の高い乾燥剤８９を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能
になるためさらに望ましい形態である。

図９（Ｂ）は第１の電極と第２の電極６７両方が透光性を有する導電膜により形成され
ており、基板及び対向基板の両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、
この構成では基板と対向基板の外側に偏光板９０を設けることによって画面が透けてしま
うことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板９０の外側には保護フィルム９１を
設けると良い。

なお、表示機能を有する本発明の発光装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビ
デオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号
が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光素子の発光時に
おいて、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ
信号が定電圧のものには、発光素子に印加される電圧が一定のものと、発光素子に流れる
電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光素子に印加される
電圧が一定のものと、発光素子に流れる電流が一定のものとがある。この発光素子に印加
される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光素子に流れる電流が一定のものは定電
流駆動である。定電流駆動は、発光素子の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発
明の発光装置及びその駆動方法には、上記したどの駆動方法を用いてもよい。

このような構成を有する本発明の発光装置は発光効率が高く且つ表示品質も高い発光装
置である。

本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態７の適当な構成と組み合わせて用いること
が可能である。

（実施の形態８）
本実施の形態では図１０乃至図１２を用い、上面図を参照しながら本発明のアクティブ
マトリクス型発光装置の作製方法を説明する。なお、各構成の材料等については実施の形
態１乃至実施の形態７に準ずることとし、説明を省略する。

図１０（Ａ）は実施の形態７において隔壁６５まで作製した発光装置の上面図である。
基板２００上に設けられた点線部は走査線駆動回路形成領域４００、信号線駆動回路形成
領域４０１、外部接続部形成領域４０２、画素部４０３をそれぞれ示し、４０４は隔壁６
５の開口部に相当し下部の第１の電極が露出した状態である。なお、４０４は発光領域に
相当する。このように各々薄膜トランジスタと電気的に接続した第１の電極の一部が露出
した発光領域４０４がマトリクス状に配列される。

図１０（Ｂ）は画素部４０３を覆って第１の発光体２０７が形成された状態である。本
実施の形態では全画素にわたって同一の発光体が形成されているが、異なる発光を呈する
発光体を画素毎や画素の一定の領域毎に分けて形成しても良い。なお、発光体は基本的に
抵抗が大きいことから隣接する画素におけるクロストークの心配は無い。

図１１（Ａ）は画素毎に分離して導電層２５０を設けた状態である。また、導電層２５
０の端部は発光領域４０４の端部より各々外側に設けられているため、多少マスクアライ
ンメントがずれても発光領域４０４を導電層２５０が覆うことができるため表示品質の低
下を招かず、当該マスクズレが原因で起こる不良も低減させることができる。

図１１（Ｂ）は画素部４０３を覆って第２の発光体２０８を形成した状態である。これ
により導電層２５０の端部を第１の発光体２０７と第２の発光体２０８によって覆うこと
ができ、導電層２５０が画素毎に分離していることから隣接する画素同士でクロストーク
を充分に低減させることができる。このことから、第１の発光体２０７と第２の発光体２
０８からの発光により発光効率の高い発光装置でありながら隣接する画素同士のクロスト
ークを充分に低下した表示品質の高い発光装置を得ることができる。

図１２は第２の電極２０９まで形成した状態である。第２の電極２０９は全画素にまた
がって形成すればよい。なお実施の形態１乃至実施の形態４に記載したアクティブマトリ
クス型発光装置の断面図は図１２におけるＡ−Ｂの断面に相当する。

本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態８と適宜組み合わせて用いることができる
。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の発光装置であるパネルの外観について図１３を用いて説明
する。図１３は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板４００６との
間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（
Ａ）の断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光素子の有する構造は、
実施の形態４に示したような構成である。

基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線駆動回
路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４０
０２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４の上に対向基板４００６が設
けられている。よって画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４０
０４とは基板４００１とシール材４００５と対向基板４００６とによって充填材４００７
と共に密封されている。

また、基板４００１上に設けられた画素部４００２と信号線駆動回路４００３と走査線
駆動回路４００４とは薄膜トランジスタを複数有しており、図１３（Ｂ）では信号線駆動
回路４００３に含まれる薄膜トランジスタ４００８と、画素部４００２に含まれる薄膜ト
ランジスタ４０１０とを示す。

また、発光素子４０１１は、薄膜トランジスタ４０１０と電気的に接続されている。

また、引き回し配線４０１４は画素部４００２と信号線駆動回路４００３と、走査線駆
動回路４００４とに、信号、または電源電圧を供給する為の配線に相当する。引き回し配
線４０１４は、引き回し配線４０１５ａと引き回し配線４０１５ｂを介して接続端子４０
１６と接続されている。接続端子４０１６はフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）
４０１８が有する端子と異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。

なお、充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテ
ートを用いる事ができる。

なお、本発明の発光装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルに
ＩＣが実装されたモジュールとをその範疇に含む。

本実施の形態は実施の形態１乃至実施の形態９と適宜組み合わせて用いることができる
。

（実施の形態１０）
本実施の形態では、実施の形態９で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護
回路及びそれらの動作について説明する。なお、図７、図８に示してきた断面図は駆動用
ＴＦＴ１４０３と発光素子１４０５の断面図となっている。

図１４（Ａ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０及び電源線１４１１、１４１２、
行方向に走査線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用Ｔ
ＦＴ１４０３、電流制御用ＴＦＴ１４０４、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有
する。

図１４（Ｃ）に示す画素は、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が、行方向に配置され
た電源線１４１２に接続される点が異なっており、それ以外は図１４（Ａ）に示す画素と
同じ構成である。つまり、図１４（Ａ）（Ｃ）に示す両画素は、同じ等価回路図を示す。
しかしながら、列方向に電源線１４１２が配置される場合（図１４（Ａ））と、行方向に
電源線１４１２が配置される場合（図１４（Ｃ））とでは、各電源線は異なるレイヤーの
導電膜で形成される。ここでは、駆動用ＴＦＴ１４０３のゲート電極が接続される配線に
注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図１４（Ａ）（Ｃ）とし
て分けて記載する。

図１４（Ａ）（Ｃ）に示す画素の特徴として、画素内に駆動用ＴＦＴ１４０３と電流制
御用ＴＦＴ１４０４が直列に接続されており、駆動用ＴＦＴ１４０３のチャネル長Ｌ（１
４０３）、チャネル幅Ｗ（１４０３）、電流制御用ＴＦＴ１４０４のチャネル長Ｌ（１４
０４）、チャネル幅Ｗ（１４０４）は、Ｌ（１４０３）／Ｗ（１４０３）：Ｌ（１４０４
）／Ｗ（１４０４）＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。

なお、駆動用ＴＦＴ１４０３は、飽和領域で動作し発光素子１４０５に流れる電流値を
制御する役目を有し、電流制御用ＴＦＴ１４０４は線形領域で動作し発光素子１４０５に
対する電流の供給を制御する役目を有する。両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工
程上好ましく、本実施の形態ではｎチャネル型ＴＦＴとして形成する。また駆動用ＴＦＴ
１４０３には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いても
よい。上記構成を有する本発明の発光装置は、電流制御用ＴＦＴ１４０４が線形領域で動
作するために、電流制御用ＴＦＴ１４０４のゲート電極−ソース電極間電圧Ｖｇｓの僅か
な変動は、発光素子１４０５の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子１４０５の
電流値は、飽和領域で動作する駆動用ＴＦＴ１４０３により決定することができる。上記
構成により、ＴＦＴの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向
上させた発光装置を提供することができる。

図１４（Ａ）〜（Ｄ）に示す画素において、スイッチング用ＴＦＴ１４０１は、画素に
対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用ＴＦＴ１４０１がオンと
なると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子１４０２にそのビデオ信号
の電圧が保持される。なお図１４（Ａ）（Ｃ）には、容量素子１４０２を設けた構成を示
したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまか
なうことが可能な場合には、容量素子１４０２を設けなくてもよい。

図１４（Ｂ）に示す画素は、ＴＦＴ１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、
図１４（Ａ）に示す画素構成と同じである。同様に、図１４（Ｄ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１４（Ｃ）に示す画素構成と同じで
ある。

ＴＦＴ１４０６は、新たに配置された走査線１４１５によりオン又はオフが制御される
。ＴＦＴ１４０６がオンとなると、容量素子１４０２に保持された電荷は放電し、電流制
御用ＴＦＴ１４０４がオフとなる。つまり、ＴＦＴ１４０６の配置により、強制的に発光
素子１４０５に電流が流れない状態を作ることができる。そのためＴＦＴ１４０６を消去
用ＴＦＴと呼ぶことができる。従って、図１４（Ｂ）（Ｄ）の構成は、全ての画素に対す
る信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始
することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。

図１４（Ｅ）に示す画素は、列方向に信号線１４１０、電源線１４１１、行方向に走査
線１４１４が配置される。また、スイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３
、容量素子１４０２及び発光素子１４０５を有する。図１４（Ｆ）に示す画素は、ＴＦＴ
１４０６と走査線１４１５を追加している以外は、図１４（Ｅ）に示す画素構成と同じで
ある。なお、図１４（Ｆ）の構成も、ＴＦＴ１４０６の配置により、デューティ比を向上
することが可能となる。

駆動用ＴＦＴ１４０３を強制的にオフにする場合の画素構成の例を図２１に示す。選択
ＴＦＴ１４５１、駆動用ＴＦＴ１４５３、消去ダイオード１４６１、発光素子１４５４が
配置されている。選択ＴＦＴ１４５１のソースとドレインは各々、信号線１４５５と駆動
用ＴＦＴ１４５３のゲートに接続されている。選択ＴＦＴ１４５１のゲートは、第１ゲー
ト線１４５７に接続されている。駆動用ＴＦＴ１４５３のソースとドレインは各々、第１
電源線１４５６と発光素子１４５４に接続されている。消去ダイオード１４６１は、駆動
用ＴＦＴ１４５３のゲートと第２ゲート線１４６７に接続されている。

容量素子１４５２は、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位を保持する役目をしている。
よって、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲートと電源線１４５６の間に接続されているが、これ
に限定されない。駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート電位を保持できるように配置されていれ
ばよい。また、駆動用ＴＦＴ１４５３のゲート容量などを用いて、駆動用ＴＦＴ１４５３
のゲート電位を保持できる場合は、容量素子１４５２を省いても良い。

動作方法としては、第１ゲート線１４５７を選択して、選択ＴＦＴ１４５１をオン状態
にして、信号線１４５５から信号を容量素子１４５２に入力する。すると、その信号に応
じて、駆動用ＴＦＴ１４５３の電流が制御され、第１電源線１４５６から、発光素子１４
５４を通って、第２電源線１４５８に電流が流れる。

信号を消去したい場合は、第２ゲート線１４６７を選択（ここでは、高い電位にする）し
て、消去ダイオード１４６１がオンして、第２ゲート線１４６７から駆動用ＴＦＴ１４５
３のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、駆動用ＴＦＴ１４５３がオフ状態にな
る。すると、第１電源線１４５６から、発光素子１４５４を通って、第２電源線１４５８
には、電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の
長さを自由に制御できるようになる。

信号を保持しておきたい場合は、第２ゲート線１４６７を非選択（ここでは、低い電位に
する）しておく。すると、消去ダイオード１４６１がオフするので、駆動用ＴＦＴ１４５
３のゲート電位は保持される。

なお、消去ダイオード１４６１は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型
ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでも
よいし、ツェナー型ダイオードでもよい。

以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体膜から薄
膜トランジスタを形成する場合、駆動用ＴＦＴ１４０３、１４５３の半導体膜を大きくす
ると好ましい。そのため、上記画素回路において、発光体からの光が封止基板側から射出
する上面発光型とすると好ましい。

このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にＴ
ＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。

本実施の形態では、一画素に各ＴＦＴが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置
について説明したが、一列毎にＴＦＴが設けられるパッシブマトリクス型の発光装置を形
成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられて
いないため、高開口率となる。発光が発光体の両側へ射出する発光装置の場合、パッシブ
マトリクス型の発光装置を用いる透過率が高まる。

続いて、図１４（Ｅ）に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイ
オードを設ける場合について説明する。

図１５には、画素部１５００にスイッチング用ＴＦＴ１４０１、駆動用ＴＦＴ１４０３
、容量素子１４０２、発光素子１４０５が設けられている。信号線１４１０には、ダイオ
ード１５６１と１５６２が設けられている。ダイオード１５６１と１５６２は、スイッチ
ング用ＴＦＴ１４０１又は駆動用ＴＦＴ１４０３と同様に、上記実施の形態に基づき作製
され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード１５
６１と１５６２は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することにより
ダイオードとして動作させている。

ダイオードと接続する共通電位線１５５４、１５５５はゲート電極と同じレイヤーで形
成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート
絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。

走査線１４１４に設けられるダイオードも同様な構成である。

このように、本発明によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成するこ
とができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、図１５に限定されず、駆動回路と
画素との間に設けることもできる。

このような保護回路を有する本発明の発光装置は、当該発光装置は発光効率が高く且つ表
示品質も高い発光装置でありまた、上記構成を有することで、発光装置としての信頼性を
さらに高めることが可能となる。

（実施の形態１１）
本実施の形態では図１６乃至図１８を用い、上面図を参照しながら本発明のパッシブマ
トリクス型発光装置の作製方法を説明する。なお、各構成の材料等については実施の形態
１乃至実施の形態４に準ずることとし、説明を省略する部分もある。

まず、基板３００の主表面上に、一方向に延びる第１の電極３０１及び入力端子部を形
成するための端子５００を同じ材料で形成する。第１の電極３０１の組成及び作製方法に
ついては、上述したとおりである。基板３００は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、
アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等を用いることができる。なお図
１６（Ａ）では、第１の電極３０１から光を取り出す発光素子を用いているので、基板３
００は透光性を有する材料で形成するが、第２の電極３０５から光を取り出す場合、上記
基板に加えて、例えばステンレス基板を含む金属基板またはシリコン基板の表面に絶縁膜
を形成したものや、セラミック基板なども用いても良い。プラスチック等の可撓性を有す
る合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、
作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。

次に、図１６（Ｂ）に示すように、第１の電極３０１の入力端子部形成領域と、第２の
電極の接続部兼入力端子部形成領域に、補助電極５０１ａ、５０１ｂを形成する。補助電
極は、外部回路と接続する際に、ヒートシール性の良い導電性材料で形成することが好ま
しく、クロム、ニッケルなどを含む金属材料で形成すれば良い。次に、隔壁３０２を形成
する。隔壁３０２は、第１の電極３０１と直交するように設け、隔壁３０２は、酸化ケイ
素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アミニ
ウム、その他の絶縁性を有する無機材料、又はアクリル酸、メタクリル酸及びこれらの誘
導体、ポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾールなどの耐熱性を有する高
分子材料、シロキサンで形成することができる。

その後、図１７（Ａ）に示すように、隔壁３０２から露出している第１の電極３０１上
に第１の発光体３０３形成する。本実施の形態において第１の発光体３０３はことなる発
光色を示す発光材料を有する３種類を列毎に塗り分けして形成する。もちろん、全ての画
素に同じ発光体を形成しても良い。なお、本実施の形態における発光領域は隔壁３０２か
ら第１の電極３０１が露出している部分となる。

続いて図１７（Ｂ）に示すように画素毎に分離して導電層３５０を設ける。また、導電
層３５０の端部は発光領域端部より各々外側に設ける。これより、マスクのアラインメン
トが多少ずれてしまっても発光領域を導電層３５０が覆うことができるため表示品質の低
下を招かず、当該マスクのアラインメントのズレが原因で起こる不良も低減させることが
できる。

次に、図１８（Ａ）に示すように、導電層３５０上に第２の発光体３０４を形成する。
第２の発光体３０４は第１の発光体３０３と同様に異なる発光色を示す発光材料を有する
３種類を列毎に塗り分けして形成する。これにより導電層３５０の端部を第１の発光体３
０３と第２の発光体３０４によって覆うことができ、導電層３５０が画素毎に分離してい
ることから隣接する画素同士でクロストークを充分に低減させることができる。このこと
から、第１の発光体３０３と第２の発光体３０４からの発光により発光効率の高い発光装
置でありながら隣接する画素同士のクロストークを充分に低下した表示品質の高い発光装
置を得ることができる。

続いて、図１８（Ｂ）に示すように、第１の電極３０１上に第１の発光体３０３、導電
層３５０及び第２の発光体３０４が形成された領域に、第１の電極３０１と交差する方向
延びる第２の電極３０５を形成する。

以上の様にして、発光素子が形成された画素部を有するパネルが形成される。なお実施
の形態１乃至実施の形態４に示したパッシブマトリクス型の発光装置の断面図は図１８（
Ｂ）におけるＣ−Ｄの断面図に相当する。

その後、図１９（Ａ）に示すように、水分などの侵入を防ぐ保護膜３０６を形成し、ガ
ラス、石英、アルミナなどのセラミック材料又は合成材料などの封止基板３０８をシール
用の接着剤３０７で固着する。また外部入力端子部には外部回路と接続する際に、異方性
導電膜３０９を介してフレキシブルプリント配線基板３１０を用い接続をとる。保護膜３
０６は、窒化ケイ素で形成するものの他、応力を低減しつつガスバリア性を高める構成と
して、窒化炭素と窒化ケイ素の積層体で形成しても良い。

図１９（Ｂ）に、図１９（Ａ）に示すパネルに外部回路を接続して形成された、モジュ
ールの様子を示す。モジュールは外部入力端子部１８、１９にフレキシブルプリント配線
基板２５を固着して、電源回路や信号処理回路が形成された外部回路基板と電気的に接続
する。また、外部回路の一つであるドライバＩＣ２８の実装方法は、ＣＯＧ法、ＴＡＢ法
のどちらでも良く、図１９（Ｂ）に、外部回路の一つであるドライバＩＣ２８を、ＣＯＧ
法を用いて実装している様子を示す。

なおパネルとモジュールは、本発明の発光装置の一形態に相当し、共に本発明の範疇に
含まれる。

（実施の形態１２）
本発明のモジュールを搭載した本発明の電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメ
ラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーショ
ンシステム、音響再生装置（カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携
帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記
録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓ
ｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）
などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図２０に示す。

図２０（Ａ）は発光装置でありテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターなど
がこれに当たる。筐体２００１、表示部２００３、スピーカー部２００４等を含む。本発
明の発光装置は表示部２００３の表示品質が高い発光装置である。表示部にはコントラス
トを高めるため、偏光板、又は円偏光板を備えるとよい。例えば、封止基板へ１／４λ板
、１／２λ板、偏光板の順にフィルムを設けるとよい。さらに偏光板上に反射防止膜を設
けてもよい。

図２０（Ｂ）は携帯電話であり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、音声
入力部２１０４、音声出力部２１０５、操作キー２１０６、アンテナ２１０８等を含む。
本発明の携帯電話は表示部２１０３の表示品質が高い携帯電話である。

図２０（Ｃ）はコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、
キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む
。本発明のコンピュータは表示部２２０３の表示品質が高いコンピュータである。図２０
（Ｃ）ではノート型のコンピュータを例示したが、デスクトップ型のコンピュータなどに
も適用することが可能である。

図２０（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッ
チ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明のモバイルコン
ピュータは表示部２３０２の表示品質が高いモバイルコンピュータである。

図２０（Ｅ）は携帯型のゲーム機であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー
部２４０３、操作キー２４０４、記録媒体挿入部２４０５等を含む。本発明の携帯型ゲー
ム機は表示部２４０２の表示品質が高い携帯型ゲーム機である。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。

Claims

第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第１の発光体と、
前記第１の発光体の一部の上に設けられた導電層と、
前記第１の発光体及び前記導電層上に設けられた第２の発光体と、
前記第２の発光体上に設けられた第２の電極とを有し、
前記導電層の端部は、前記第１の発光体及び前記第２の発光体で覆われており、
前記導電層が設けられていない領域において、前記第１の発光体と前記第２の発光体とが接することを特徴とする発光装置。