JP2012069762A - ナノインプリント方法およびそれを利用した基板の加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、インクジェット法における主走査方向Ｓｍとライン状凹凸パターンＰ２のライン方向Ｌｄとの交差角度であって、モールド２を押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように、レジスト材料の粘度が８〜２０ｃＰであり、レジスト材料の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、複数の液滴Ｄそれぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、複数の液滴Ｄの配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、上記液滴Ｄを塗布し、雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、上記モールド２を押し付ける。
【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、微細な凹凸パターンを有するモールドを用いたナノインプリント方法、特にインクジェット法を用いてレジスト材料を塗布しナノインプリントを行う方法、およびそれを利用した基板の加工方法に関する。

ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）等の磁気記録媒体、及び半導体デバイスの製造において、被加工物上に塗布されたレジスト材料へのナノインプリント法を用いたパターン転写技術の利用が期待されている。

ナノインプリント法は、光ディスク製作では良く知られているエンボス技術を発展させ、凹凸パターンを形成した金型原器(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジスト材料に押し付け、レジスト材料を力学的に変形または流動させて微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野へも応用が期待されている。

従来、上記のようなナノインプリント法は、被加工物上にスピンコート等によって均一にレジスト材料を塗布してレジスト膜を成膜し、その後モールドの凹凸パターン面を押し付けてパターン転写が行われる。しかしながら、このような場合、パターン転写されたレジスト膜の残膜（インプリント成型時に押し付けきれずに、モールドの凹凸パターンの凸部に対応する位置に残るレジストの膜である。残渣とも言われる。）の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥（モールドを押し付けた際にレジスト材料が供給されないことにより生じるレジスト膜の欠陥）が生じることがある。

そこで、特許文献１〜６には、インクジェット法を用いて、モールドを被加工物に押し付けたときの凹凸パターンの凹凸パターン密度（凹凸パターンを正面から眺めたときの単位面積あたりの凸部または凹部の割合）に応じて、被加工物上に塗布するレジスト材料の量を被加工物の領域ごとに制御する方法が開示されている。

具体的には、特許文献１〜３には、液滴配置パターン（インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を配置する被加工物上の位置分布）の作成において、レジスト材料を塗布する領域の縦横の長さを基準にして、複数の液滴の配置間隔を決定する方法が開示されている。また、特許文献４および５には、液滴１つ当たりの大きさの設計、液滴配置パターンの設計、液滴表面と液滴を塗布する基板表面との界面状態の設計等により、残膜を均一化する方法が開示されている。また、特許文献６には、基板を回転させながらインクジェット法により液滴を塗布する際、回転する基板上の内周側と外周側とで液滴の噴射間隔を変えて、基板上の複数の液滴の配置間隔を均等にする方法が開示されている。

つまり、特許文献１〜６では、液滴配置パターンを、モールドの凹凸パターン密度に応じて最適化することにより、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥を低減している。

特表２００８−５０２１５７号公報 米国特許出願公開第２００９／００１４９１７号明細書 米国特許出願公開第２００９／０１１５１１０号明細書 米国特許出願公開第２００７／０２２８５９３号明細書 米国特許出願公開第２００９／０１４８６１９号明細書 特開２００７−３１３４３９号公報

しかしながら、特許文献１〜６の方法のように、単に液滴配置パターンをモールドの凹凸パターン密度に応じて最適化するのみでは、液滴配置パターンに従って液滴が配置されず液滴配置欠陥が生じた場合に、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制することができないという問題がある。この液滴配置欠陥は、特に、インクジェットヘッドの副走査方向への走査等に起因する複数の液滴の配置間隔の変動、およびインクジェットノズルの詰まり等に起因する液滴の不吐が原因で生じやすい。

図８Ａ〜８Ｃは、インクジェットノズルの詰まり等に起因する液滴の不吐が原因で液滴配置欠陥が生じる様子を示す図である。例えば、インクジェットヘッド１０のノズルに詰まっている部分２０が存在すると（図８Ａ）、インクジェットヘッド１０の主走査方向Ｓｍに沿って基板３上に、液滴配置パターンＰ５に従って液滴Ｄが塗布されない液滴配置欠陥２１が生じる（図８Ｂ）。このような液滴配置欠陥２１が存在する状態で、直線状凹凸パターンＰ２を有するモールドを塗布された液滴Ｄに押し付けても、液滴配置欠陥２１が存在する基板３上の領域には充分にレジスト材料が供給されない。したがって、パターン転写されたレジスト膜にインプリント欠陥が生じてしまう（図８Ｃ）。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、液滴配置欠陥が生じた場合にも、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制することを可能とするナノインプリント方法を提供することを目的とするものである。

さらに、本発明は、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生が抑制されたことにより、高精度で歩留まりよく基板を加工することを可能とする基板の加工方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係るナノインプリント方法は、
インクジェット法により基板上にレジスト材料からなる複数の液滴を塗布し、モールドのライン状凹凸パターンを基板の液滴が塗布された面に押し付けて基板上に液滴を拡張して、拡張した複数の液滴の結合からなるレジスト膜を形成するとともにレジスト膜にライン状凹凸パターンを転写するナノインプリント方法において、
液滴を塗布する際のインクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との交差角度であって、モールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように、
レジスト材料の粘度が８〜２０ｃＰであり、レジスト材料の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、複数の液滴それぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、複数の液滴の配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、上記液滴を塗布し、
雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、上記モールドを押し付けることを特徴とするものである。

本明細書において、「ライン状凹凸パターン」とは、パターンを液滴に押し付けた際にそのパターン形状に起因して、液滴の拡張方向に異方性が生じて液滴の形状を楕円に近似することができるような凹凸パターンを意味する。例えば、ライン＆スペース型の凹凸パターンが最も典型的なライン状凹凸パターンである。ライン状凹凸パターンは、モールドが表面に有する凹凸パターンの少なくとも一部に含まれていればよい。

「拡張した複数の液滴の結合からなるレジスト膜」とは、レジスト材料からなる液滴が押し拡げられた際に、隣接する他の液滴と拡張スペースが重複して液滴が結合することにより形成されるレジスト材料の膜を意味する。

「液滴を塗布する際のインクジェット法における主走査方向」とは、液滴が塗布される基板を基準にしたインクジェット法における主走査方向を意味する。

ライン状凹凸パターンの「ライン方向」とは、モールドの凹凸パターン形成面に沿った方向のうち液滴が拡張しやすい方向を意味するものとする。

上記主走査方向と上記ライン方向との「交差角度」とは、上記主走査方向と上記ライン方向とが成す角のうち鋭角を意味する。

「モールドを押し付ける際の交差角度」とは、モールドを押し付けるために、モールドがライン状凹凸パターンのある面を基板に向け、基板とモールドが対向するような位置関係にあるときの上記交差角度を意味する。

そして、本発明に係るナノインプリント方法において、レジスト材料は光硬化性樹脂であることが好ましい。

さらに、本発明に係る基板の加工方法は、
請求項１に記載のナノインプリント方法により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を基板上に形成し、
該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行って、該レジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを前記基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得ることを特徴とするものである。

本発明に係るナノインプリント方法は、インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、液滴を塗布する際のインクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との交差角度であって、モールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように、レジスト材料の粘度が８〜２０ｃＰであり、レジスト材料の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、複数の液滴それぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、複数の液滴の配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、上記液滴を塗布し、雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、上記モールドを押し付けるから、液滴配置欠陥を補修するように液滴を拡張させることができる。これは、ライン状凹凸パターンのパターン形状に起因して液滴の拡張方向に異方性が生じるためである。これにより、インクジェット法を用いてレジスト材料からなる液滴を塗布しナノインプリントを行う方法において、液滴配置欠陥が生じた場合にも、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制することが可能となる。

さらに、本発明の基板の加工方法は、マスクとして、上記に記載のナノインプリント方法により形成された、残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥のないレジスト膜を用いてドライエッチングを行っているから、高精度で歩留まりよく基板を加工することが可能となる。

インクジェットプリンターを用いて、石英基板上に液滴配置パターンに従って液滴を配置する様子を示す概略図である。 石英基板上に液滴を配置し、直線状凹凸パターンを有するモールドによって当該液滴を押し付ける際の様子を示す概略図である。 石英基板上に液滴を配置し、直線状凹凸パターンを有するモールドによって当該液滴を押し付けた場合に、石英基板の底面側から観察したその液滴の拡張する様子を示す概略図である。 ライン状凹凸パターンおよびライン状凹凸パターンではないパターンの例を示す概略図である。 （ａ）はライン状凹凸パターンが形成されたモールドを示す概略図であり、（ｂ）はそのモールドに押し付けられる被加工対象の基板を示す概略図である。 （ａ）は図３ａのＩ−Ｉ線、（ｂ）は図３ｂのＩＩ−ＩＩ線における断面図を示す概略図である。 周期性のある液滴配置パターンの一例を示す概略図である。 交差角度が０°の場合における、インクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との関係を説明する概略図である。 交差角度が３０°の場合における、インクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との関係を説明する概略図である。 交差角度が９０°の場合における、インクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との関係を説明する概略図である。 図６Ａ〜６Ｃのように配置された複数の液滴をモールドで押し付けレジスト膜を形成した後、液滴配置欠陥があった領域を主走査方向に垂直に横断するように当該レジスト膜の厚さを測定し、液滴配置欠陥が生じた領域の厚さを液滴配置欠陥が生じなかった領域の厚さで規格化した、残膜の断面プロファイルを示す図である。 インクジェットノズルの詰まりに起因する液滴の不吐が原因で液滴配置欠陥が生じる様子を示す図である。 インクジェットノズルの詰まりに起因する液滴の不吐が原因で液滴配置欠陥が生じる様子を示す図である。 インクジェットノズルの詰まりに起因する液滴の不吐が原因で液滴配置欠陥が生じる様子を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。

「ナノインプリント方法」
本発明のナノインプリント方法の実施形態について説明する。なお、本実施形態では、レジスト材料として光硬化性樹脂を用いてレジスト膜を光硬化させる光硬化方式のナノインプリントを例として説明する。

図１Ａは、インクジェットプリンターを用いて、石英基板３上に液滴配置パターンＰ５に従って液滴Ｄを配置する様子を示す概念図である。図１Ｂおよび図１Ｃは、石英基板３上に液滴Ｄを配置し、直線状凹凸パターンを有するモールドによって当該液滴Ｄを押し付けた場合に、当該石英基板３の底面側から観察したその液滴Ｄの拡張する様子を示す概略図である。本実施形態のナノインプリント方法は、Ｓｉモールドの直線状凹凸パターンＰ２に対向する石英基板３上の直線転写領域に、液滴Ｄを塗布する際のインクジェット法における主走査方向Ｓｍと直線状凹凸パターンＰ２の直線方向Ｌｄとの交差角度であって、Ｓｉモールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように（図１Ａおよび図１Ｂ）、光硬化性樹脂の粘度が８〜２０ｃＰであり、光硬化性樹脂の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、複数の液滴それぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、複数の液滴の配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、上記光硬化性樹脂からなる複数の液滴Ｄをインクジェット法により塗布し、雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、Ｓｉモールドの直線状凹凸パターンを石英基板３の液滴Ｄが塗布された面に押し付けて石英基板３上に液滴Ｄを拡張して、拡張した複数の液滴の結合からなる光硬化性樹脂膜を形成し、その後石英基板３側から光硬化性樹脂膜に対し紫外光による露光を行って光硬化性樹脂膜を硬化し、硬化後にＳｉモールドを光硬化性樹脂膜から剥離することによって、光硬化性樹脂膜に直線状凹凸パターンＰ２を転写するものである。この光硬化性樹脂膜が後工程のエッチング工程におけるマスクとして機能する。

特に、本発明のナノインプリント方法は、液滴Ｄを塗布する際のインクジェット法における主走査方向Ｓｍと直線状凹凸パターンＰ２の直線方向Ｌｄとの交差角度であって、Ｓｉモールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように設定される（図１Ａおよび図１Ｂ）。ここで、「交差角度が３０〜９０°となるように」とは、当該要件を満たすように液滴Ｄを塗布する工程を直接制御する場合と、当該要件を満たすようにＳｉモールドを押し付ける工程を直接制御する場合とを含む意味である。つまり、Ｓｉモールドを押し付ける際の基板とＳｉモールドとの位置関係が予め決定されている場合には、Ｓｉモールドのライン状凹凸パターンのライン方向Ｌｄも基板との関係で必然的に決定されている。したがってこのような場合には、基板との関係で決定されているライン方向Ｌｄを考慮して、インクジェット法における主走査方向Ｓｍが適宜制御される。一方、Ｓｉモールドを押し付ける際の基板とＳｉモールドとの位置関係が予め決定されていない場合には、Ｓｉモールドのライン状凹凸パターンのライン方向Ｌｄも基板との関係で決定されていない。したがってこのような場合には、インクジェット法により任意に液滴が塗布された後、インクジェット法における主走査方向Ｓｍを考慮して、Ｓｉモールドを押し付ける際の基板とＳｉモールドとの位置関係が適宜制御される。

（Ｓｉモールド）
本実施形態で使用するＳｉモールドは、例えば以下の手順により製造することができる。まず、Ｓｉ基材上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のアクリル樹脂などを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成する。その後、Ｓｉ基材にレーザ光（又は電子ビーム）を所望の凹凸パターンに対応して変調しながら照射し、フォトレジスト層表面に凹凸パターンを露光する。その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、所定のパターンを有するＳｉモールドを得る。

本発明のインプリント方法で用いられるモールドは、光硬化性樹脂とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコーン系やフッ素系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸや、住友スリーエム（株）製のＮｏｖｅｃ ＥＧＣ-１７２０等、市販の離型剤も好適に用いることができる。一方、本実施形態ではＳｉモールドを用いた場合について説明するが、モールドはこれに限られず、石英モールドを用いることも可能である。この場合、石英モールドは後述するモールドの加工方法等により製造することができる。

（光硬化性樹脂）
光硬化性樹脂は、特に制限されるものではないが、本実施形態では例えば重合性化合物に、光重合開始剤（２質量％程度）、フッ素モノマー（０．１〜１質量％）を加えて調製された光硬化性樹脂を用いることができる。また、必要に応じて酸化防止剤（１質量％程度）を添加することもできる。上記の手順により作成した光硬化性樹脂は波長３６０ｎｍの紫外光により硬化することができる。溶解性の悪いものについては少量のアセトンまたは酢酸エチルを加えて溶解させた後、溶媒を留去することが好ましい。

上記重合性化合物としては、ベンジルアクリレート（ビスコート＃１６０：大阪有機化学株式会社製）、エチルカルビトールアクリレート（ビスコート＃１９０：大阪有機化学株式会社製）、ポリプロピレングリコールジアクリレート（アロニックスＭ−２２０：東亞合成株式会社製）、トリメチロールプロパンＰＯ変性トリアクリレート（アロニックスＭ−３１０：東亞合成株式会社製）等の他、下記構造式（１）で表される化合物Ａ等を挙げることができる。

また、上記重合開始剤としては、２-(ジメチルアミノ)-２-[(４-メチルフェニル)メチル]-１-[４-(４-モルホリニル)フェニル]-１-ブタノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９：豊通ケミプラス株式会社製）等のアルキルフェノン系光重合開始剤を挙げることができる。

また、上記フッ素モノマーとしては、下記構造式（２）で表される化合物Ｂ等を挙げることができる。

本発明において、レジスト材料の粘度は８〜２０ｃＰであり、レジスト材料の表面エネルギーは２５〜３５ｍＮ／ｍである。ここで、レジスト材料の粘度は、ＲＥ−８０Ｌ型回転粘度計（東機産業株式会社製）を用い、２５±０．２℃で測定した値である。測定時の回転速度は、０．５ｃＰ以上５ｃＰ未満の場合は１００ｒｐｍとし、５ｃＰ以上１０ｃＰ未満の場合は５０ｒｐｍとし、１０ｃＰ以上３０ｃＰ未満の場合は２０ｒｐｍとし、３０ｃＰ以上６０ｃＰ未満の場合は１０ｒｐｍとした。また、レジスト材料の表面エネルギーは、“UV nanoimprint materials: Surface energies, residual layers, and imprint quality”, H. Schmitt, L. Frey, H. Ryssel, M. Rommel, C. Lehrer, J. Vac. Sci. Technol. B, Volume 25, Issue 3, 2007, Pages 785-790.に記載の方法を用いた。具体的には、ＵＶオゾン処理をしたＳｉ基板と、オプツールＤＳＸ（ダイキン株式会社製）により表面処理をしたＳｉ基板の表面エネルギーをそれぞれ求め、両基板に対するレジスト材料の接触角からレジスト材料の表面エネルギーを算出した。

（基板）
Ｓｉモールドに対しては、光硬化性樹脂の露光を可能とするために石英基板が好ましい。石英基板は、光透過性を有し、厚みが０．３ｍｍ以上であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択される。例えば、石英基板表面をシランカップリング剤で被覆したものや、石英基板上にＣｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどからなる金属層を積層したものや、石英基板上にＣｒＯ_２、ＷＯ_２、ＴｉＯ_２などからなる金属酸化膜層を積層したものや、前記積層体の表面をシランカップリング剤で被覆したもの、などが挙げられる。金属層または金属酸化膜層の厚みは、通常３０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下、にする。３０ｎｍを超えるとＵＶ透過性が低下し、光硬化性樹脂の硬化不良が起こりやすいためである。

また、上記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板に光硬化性樹脂膜が形成される一方の面から出射するように、基板の他方の面から光を入射した場合に、光硬化性樹脂膜が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、上記他方の面から上記一方の面へ波長２００ｎｍ以上の光の透過率が５％以上であることを意味する。

石英基板の厚みは、通常０．３ｍｍ以上が好ましい。０．３ｍｍ以下では、ハンドリングやインプリント中の押圧で破損しやすい。

一方、石英モールドに対する基板は、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。形状としては、例えば、情報記録媒体である場合には、円板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラス、樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。前記基板は、適宜合成したものであってもよいし、市販品を使用してもよい。基板の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．０５ｍｍ以上が好ましく、０．１ｍｍ以上がより好ましい。基板の厚みが０．０５ｍｍ未満であると、被パターン形成体とモールドとの密着時に基板側に撓みが発生し、均一な密着状態を確保できない可能性がある。

（ライン状凹凸パターン）
Ｓｉモールドには転写するパターンとして直線状凹凸パターンが形成されている。「直線状凹凸パターン」とは、前述したライン状凹凸パターンであって、特にパターンを液滴に押し付けた際に、複数の液滴の楕円形状の長軸方向が一定の方向を向くような凹凸パターンを意味する。

また、直線状凹凸パターンＰ２の「直線方向」とは、前述したライン方向であって、特に複数の楕円の長軸方向に沿った一定の方向である。ライン状凹凸パターンの「ライン方向」とは、前述したように、モールドの凹凸パターン形成面に沿った方向のうち液滴が拡張しやすい方向であり、言い換えれば、モールドの凹凸パターン形成面に沿った方向であって、ライン状凹凸パターンを液滴に押し付けた際に形成される液滴の形状を楕円に近似した場合の楕円の長軸に沿った方向に対応する方向ということもできる。ライン状凹凸パターンが、曲線状および／または蛇行するような形状の凹凸パターンを含むような場合には、そのライン方向もそのような形状を反映して曲線状および／または蛇行するような形状となる。

例えば、図２ａ〜ｄは、ライン状凹凸パターンの例である。図２ａ、図２ｂおよび図２ｃは、細長い凸部１が平行に配列したライン＆スペース型の凹凸パターンを示す概略図である。図２ｄは、ドット状の凸部１が一方向に密に配置された列が平行に配列されたパターンを示す概略図である。これらのようなパターンでは、塗布された液滴が凸部１と他の凸部１との間を伝って拡張する方が容易であるため、その拡張に異方性が生じ、拡張した液滴の形状が楕円のようになる。したがって、ライン方向とは細長い凸部の長さ方向に沿った方向、またはドット状の凸部が密に配置された列の長さ方向に沿った方向ということもできる。図２ａ〜ｄでは、凸部１が直線状に形成された場合の例について示しているが、このような直線状のパターンに限らず、これらは曲線状および／または蛇行するような形状に形成されてもよい。なお、図２ｅは、ドット状の凸部１が縦横に均等に配置されたパターンを示す概略図であるが、液滴の拡張方向について異方性が明確に現れないため、当該パターンは本明細書におけるライン状凹凸パターンには含まれない。

ライン状凹凸パターンが、曲線状および／または蛇行するような形状の凹凸パターンを含むことにより、そのライン状凹凸パターンについて曲線状のライン方向や複数の直線方向が認められるような場合もありうる。このような場合には、そのライン状凹凸パターンについてのライン方向を１つの直線状の方向として規定することは容易ではない。そこで、このような場合には必要に応じて、ライン状凹凸パターンの形状を個別具体的に勘案し、ライン状凹凸パターンの「ライン方向」として、当該ライン状凹凸パターンを反映する直線状の方向を１つ選択するものとする。このような方向の選択は、例えば、押し付けられた液滴がどの方向に拡張しやすいのかを総合的に考慮して行われる。より具体的には、基板上に塗布された複数の液滴をライン状凹凸パターンで押し付ける作業を予め試験的に実施し、このとき拡張された複数の液滴のそれぞれの形状を観察し、それぞれの液滴が拡張した方向として最も多い方向を上記の「ライン状凹凸パターンを反映する直線状の方向」として選択することが好ましい。なお、上記のような方向の選択は必ずしも必要ではない。例えば、ディスク状の基板を回転させながら液滴を塗布するような場合には、インクジェットヘッドが固定されていても主走査方向と円周に沿ったライン方向とを一致させることができるためである。

「直線転写領域」とは、ライン転写領域であって、特に直線状凹凸パターンに対向することとなるような基板上の領域である。ここで、「ライン転写領域」とは、ライン状凹凸パターンを基板に押し付けた際にライン状凹凸パターンに対向することとなるような基板上の領域である。つまり、「ライン転写領域」または「直線転写領域」とは、図３および図４に示すように、ライン状凹凸パターンＰ１または直線状凹凸パターンＰ２を基板３に押し付けた際にライン状凹凸パターンＰ１または直線状凹凸パターンＰ２に対向することとなる基板上の領域（Ｒ１またはＲ２）を意味する。図３ａはライン状凹凸パターンＰ１が形成されたモールド２を示す概略図であり、図３ｂはそのモールド２に押し付けられる被加工対象の基板３を示す図である。図４ａおよび図４ｂは、それぞれ図３ａのＩ−Ｉ線および図３ｂのＩＩ−ＩＩ線における断面図を示す概略図である。図４ｂの基板３上の凹凸パターンに対向する領域Ｒ１がライン転写領域となり、この場合特に直線転写領域Ｒ２となる。

（光硬化性樹脂の塗布方法）
基板上に光硬化性樹脂の液滴を配置する際は、インクジェットプリンターを用いる。光硬化性樹脂をノズルから吐出するインクジェットヘッドには、ピエゾ方式、サーマル方式、静電方式などが挙げられる。これらの中でも、液適量（配置された液滴１つ当たりの量）や吐出速度の調整が可能なピエゾ方式が好ましい。基板上に光硬化性樹脂の液滴を配置する前には、あらかじめ液滴量や吐出速度を設定及び調整する。例えば、液適量は、凹凸パターンの凹部の空間体積が大きい領域では多くしたり、凹部の空間体積が小さい領域や凹部がない領域では少なくしたりして調整することが好ましい。このような調整は、液滴吐出量（吐出された液滴１つ当たりの量）に応じて適宜制御される。具体的には、液滴量を５ｐｌと設定する場合には、液滴吐出量が１ｐｌであるインクジェットヘッドを用いて同じ場所に５回吐出するように、液滴量を制御する。本発明において、複数の液滴それぞれの液滴量は１〜１０ｐｌである。液滴量は、例えば事前に同条件で基板上に吐出した液滴の３次元形状を共焦点顕微鏡等により測定し、その形状から体積を計算することで求められる。

上記のようにして液滴量を調整した後、所定の液滴配置パターンに従って、基板上に液滴を配置する。液滴配置パターンは、基板上のどの領域がライン転写領域または直線転写領域になるのかという情報も含めた、基板上の液滴配置に対応する格子点群からなる２次元座標情報により構成される。

本発明において、複数の液滴の配置間隔は１０〜１０００μｍの範囲で適宜設定される。液滴の配置間隔は、例えばインクジェット装置により基板上に配置された液滴の中心間距離を、測長可能な光学顕微鏡等により測定することで求められる。そして、例えばインクジェット条件を変えながらこのような測定を複数回実施して、液滴間隔とインクジェット条件との対応関係を把握することができる。

図５に示すように、液滴配置パターンが周期性のある基本単位格子を有しているとして取り扱うことが可能な場合には、上記の複数の液滴それぞれの液滴量および複数の液滴の配置間隔は、以下のように取り扱うこともできる。ここで、「基本単位格子」とは、周期性を有する液滴配置パターンの最小の繰返し単位を意味する。具体的には、上記のような場合には、上記の複数の液滴それぞれの液滴量は、基本単位格子Ｕを代表する格子点に対応する液滴の液滴量であって、基本単位格子間の平均の液滴量とみなして取り扱うことができる。ここで、基本単位格子Ｕを代表する格子点とは、基本単位格子Ｕ内の格子点のうち、その格子点に対応する液滴の総体積が、基本単位格子Ｕ内のすべての格子点それぞれに対応する液滴の総体積の所定値（例えば９０％）以上となるように設定される格子点であり、１つの格子点である必要はない。一方、上記のような場合には、上記の複数の液滴の配置間隔は、当該基本単位格子の周期とみなして取り扱うことができる。ここで、液滴配置パターンの２次元平面内の２つの軸についての周期が異なる場合には、これらの周期の平均をとればよい。

基本単位格子Ｕの取り方は、特に制限されず、例えば図５では、図中の縦方向の周期Ｔａの一周期分の長さを持つベクトルａおよび図中の横方向の周期Ｔｂの一周期分の長さを持つベクトルｂによって作られる平行四辺形を基本単位格子Ｕとしている。基本単位格子Ｕを構成する単位構造は、凹凸パターン転写されたレジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制する目的および充填率を考慮し、Ｌ１＝０×ａ＋０×ｂの格子点１点を含むもの、またはこのＬ１およびＬ２＝１／２×ａ＋１／２×ｂの格子点２点を含むものが好ましい。ここで、ａおよびｂは、それぞれ上記ベクトルａおよびｂを表す。ここで、「単位構造」とは、基本単位格子を構成する具体的な格子点の配列を意味する。つまり、上記液滴配置パターンを構成する格子点群は、単位構造をもった基本単位格子がその周期性に従い繰り返されることにより表現される。

（モールドの押付け工程）
モールドと基板間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にした後に、モールドを押し付けることで残留気体を低減する。ただし、高真空雰囲気下では硬化前の光硬化性樹脂が揮発し、均一な膜厚を維持することが困難となる可能性がある。そこで、好ましくはモールドと基板間の雰囲気を、Ｈｅ雰囲気または減圧Ｈｅ雰囲気にすることで残留気体を低減する。Ｈｅは石英基板を透過するため、取り込まれた残留気体（Ｈｅ）は徐々に減少する。Ｈｅの透過には時間を要すため減圧Ｈｅ雰囲気とすることがより好ましい。減圧雰囲気は、１〜９０ｋＰａであることが好ましく、１〜１０ｋＰａが特に好ましい。

モールドの押し付け圧は、１００ｋＰａ以上、１０ＭＰａ以下の範囲で行う。圧力が大きい方が、樹脂の流動が促進され、また残留気体の圧縮、残留気体の光硬化性樹脂への溶解、石英基板中のＨｅの透過も促進し、タクトアップに繋がる。しかし、加圧力が強すぎるとモールド接触時に異物を噛みこんだ際にモールド及び基板を破損する可能性がある。よって、モールドの押し付け圧は、１００ｋＰａ以上、１０ＭＰａ以下が好ましく、より好ましくは１００ｋＰａ以上、５ＭＰａ、更に好ましくは１００ｋＰａ以上、１ＭＰａ以下となる。１００ｋＰａ以上としたのは、大気中でインプリントを行う際、モールドと基板間が液体で満たされている場合、モールドと基板間が大気圧（約１０１ｋＰａ）で加圧されているためである。

（モールドの剥離工程）
モールドを押し付けて光硬化性樹脂膜を形成した後、剥離させる方法としては、モールドまたは基板のどちらかの外縁部を保持し、他方の基板またはモールドの裏面を吸引保持した状態で、外縁の保持部もしくは裏面の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで剥離させる工程を少なくとも含んでなる。

以下、本発明の作用を詳細に説明する。

本発明のナノインプリント方法は、特に、液滴Ｄを塗布する際のインクジェット法における主走査方向Ｓｍと直線状凹凸パターンＰ２の直線方向Ｌｄとの交差角度であって、Ｓｉモールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように（図１Ａおよび図１Ｂ）設定されることによって、液滴配置欠陥が生じた場合にも、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制することを可能とする。

これは、ライン状凹凸パターンのライン方向に沿って液滴の拡張の異方性が生じることを利用したものである。例えば、基板上に液滴を配置し、その液滴をインクジェット法における主走査方向と直線状凹凸パターンの直線方向との交差角度が０°の場合（図８Ａおよび図８Ｂ）と３０〜９０°の場合（図１Ａおよび図１Ｂ）を考える。前者のような場合には、基板上に塗布された複数の液滴は、液滴配置欠陥２１が生じた領域に沿って拡張することになる。つまり、このような場合にはレジスト材料は、液滴配置欠陥２１が生じた領域に供給されにくい（８ｃ）。一方、後者のような場合には、基板上に塗布された複数の液滴は、液滴配置欠陥２１が生じた領域を横断するように拡張する、すなわち液滴配置欠陥２１を補修するように拡張することになる（図１Ｃ）。つまり、このような場合にはレジスト材料は、液滴配置欠陥２１が生じた領域に供給されやすい。この結果、液滴配置欠陥が生じた場合にも、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制することが可能となる。

図６Ａ〜６Ｃおよび図７を用いて、交差角度が大きくなるにつれて液滴配置欠陥が補修される様子を説明する。図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃは、それぞれ交差角度が０°、３０°および９０°である場合を示す。なお、図６Ａ〜６Ｃでは、便宜上、液滴配置欠陥２１を有する複数の液滴Ｄとモールドの直線状凹凸パターンＰ２のみを示している。図７は、図６Ａ〜６Ｃのように配置された複数の液滴をモールドで押し付けレジスト膜を形成した後、液滴配置欠陥２１があった領域を主走査方向Ｓｍに垂直に横断するように当該レジスト膜の厚さを測定し、液滴配置欠陥が生じた領域の厚さを液滴配置欠陥が生じなかった領域の厚さで規格化した、残膜の断面プロファイルを示す図である。なお、図中の符号ａは、隣接する液滴同士の間隔を表している。交差角度が０°である図６Ａの場合では、液滴配置欠陥２１が生じた領域にレジスト材料が供給されにくいため、液滴配置欠陥２１が生じた領域の中央付近の残膜が０であり、その領域の基板が完全に露出する結果となる。一方、交差角度が３０°である図６Ｂ、および９０°である図６Ｃの場合では、液滴の拡張の異方性により液滴配置欠陥２１が生じた領域にレジスト材料が供給されて、基板の露出面積が低減する結果となる。

＜設計変更＞
なお、上記ナノインプリント方法の実施形態では、光硬化性樹脂を用いた光硬化方式のナノインプリントについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、熱硬化性樹脂を用いた熱硬化方式でもよい。

「基板の加工方法」
次に、本発明の基板の加工方法の実施形態について説明する。本実施形態では、Ｓｉモールドを原盤として、前述したナノインプリント方法を用いて基板の加工を行う。

まず、ナノインプリント方法を用いてパターン転写されたレジスト膜を基板の一方の面に形成する。次に、パターン転写されたレジスト膜をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得る。

一方、基板が積層構造を有しており表面上に金属層を含む場合には、レジスト膜をマスクにして、ドライエッチングを行い、レジスト膜に形成された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを当該金属層に形成し、その金属薄層をエッチストップ層にして基板にさらにドライエッチングを行い、凹凸パターンを基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得る。

ドライエッチングとしては、基板に凹凸パターンを形成できるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、などが挙げられる。これらの中でも、イオンミリング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が特に好ましい。

イオンミリング法は、イオンビームエッチングとも言われ、イオン源にＡｒなどの不活性ガスを導入し、イオンを生成する。これを、グリッドを通して加速させ、試料基板に衝突させてエッチングするものである。イオン源としては、カウフマン型、高周波型、電子衝撃型、デュオプラズマトロン型、フリーマン型、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）型などが挙げられる。

イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒガス、ＲＩＥのエッチャントとしては、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。

以上のように、本発明の基板の加工方法は、マスクとして、上記に記載のナノインプリント方法により形成された、残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥のないレジスト膜を用いてドライエッチングを行っているから、高精度で歩留まりよく基板を加工することが可能となる。

本発明に係るナノインプリント方法の実施例を以下に示す。

（Ｓｉモールドの作製）
まず、Ｓｉ基材上に、スピンコートによりＰＭＭＡなどを主成分とするフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層を形成した。その後、Ｓｉ基材をＸＹステージ上で走査しながら、線幅１００ｎｍ、ピッチ２００ｎｍの直線状凹凸パターンに対応して変調した電子ビームを照射し、１０ｍｍ角（１０×１０ｍｍ）の範囲のフォトレジスト層全面に上記直線状凹凸パターンを露光した。その後、フォトレジスト層を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層のパターンをマスクにしてＲＩＥにより溝深さが８０ｎｍになるように選択エッチングを行い、直線状凹凸パターンを有するＳｉモールドを得た。

（光硬化性樹脂）
重合性化合物に、光重合開始剤およびフッ素モノマーを下記表１のように加えてそれぞれ調製された光硬化性樹脂Ｒ１〜Ｒ９を用いた。

（基板）
石英基板の表面に、光硬化性樹脂との密着性に優れるシランカップリング剤であるＫＢＭ−５１０３（信越化学工業株式会社製）により表面処理をした。ＫＢＭ−５１０３をＰＧＭＥＡ（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ Ａｃｅｔａｔｅ）で１質量％に希釈し、スピンコート法により基板表面に塗布した。続いて、塗布基板をホットプレート上で１２０℃、２０分の条件でアニールし、シランカップリング剤を基板表面に結合させた。

（光硬化性樹脂の塗布工程）
ピエゾ方式のインクジェットプリンターであるＦＵＪＩＦＩＬＭ Ｄｉｍａｔｉｘ社製ＤＭＰ−２８３１を使用した。インクジェットヘッドには専用の、１ｐｌヘッドであるＤＭＣ−１１６０１および１０ｐｌヘッドであるＤＭＣ−１１６１０を使用した。なお、これらのヘッドを用いて、所定の液滴量が得られるように、あらかじめ吐出条件を設定及び調整した。例えば、液滴量が５ｐｌの液滴は、１ｐｌの液滴を同じ場所に５回吐出することにより調整した。所定の領域内における上記直線状凹凸パターンの凹部の空間体積から残膜の厚みが約１０ｎｍとなるように液滴配置の密度を計算し、正方格子からなる液滴配置パターンを作成した。なお、本発明の効果を検証するため、この液滴配置パターンは、液滴配置欠陥として走査方向の液滴の配列のうち液滴が吐出されない列を１列分含むように敢えて作成した。この液滴配置パターンにおける格子間隔は、液滴１つ当たりの液滴量に応じて適宜変更され、液滴量が１ｐｌの場合は１４１μｍ、５ｐｌの場合は３１５μｍ、１０ｐｌの場合は４４６μｍ、そして２０ｐｌの場合は６３１μｍとした。そして、以上のようにあらかじめ吐出条件を設定及び調整し、この液滴配置パターンに従い直線転写領域に液滴を配置した。

（Ｓｉモールド押付け工程）
液滴配置パターンに対してＳｉモールド上の凹凸パターンを位置合わせするため、Ｓｉモールドと石英基板をギャップが０．１ｍｍ以下になる位置まで近接させ、石英基板の背面から顕微鏡で液滴配置パターンとモールド上の凹凸パターンを観察しながら、Ｓｉモールドまたは石英基板のステージを回転および移動させることにより、本発明における上記交差角度が所定の値となるように位置合わせをした。

Ｈｅ雰囲気条件については、Ｓｉモールドと石英基板間の空間を９９体積％以上のＨｅガスで置換することにより設定した。一方、減圧雰囲気条件については、上記と同様にＨｅ置換を行った後、１０ｋＰａ以下まで減圧することにより、減圧Ｈｅ雰囲気を設定した。また、Ａｉｒ雰囲気条件については、大気中の気体成分を調整しなかった。上記のそれぞれの雰囲気条件でＳｉモールドを石英基板上の光硬化性樹脂からなる液滴に接触させた。接触後徐々に押しつけながら、液滴が拡張する様子を石英基板の背面から顕微鏡で観察し、上記接触から液滴間に存在する残留気体が縮小し消滅するまでの時間を計測した。残留気体が消滅もしくは残留気体量が変化しない平衡状態に至った後、３６０ｎｍの波長を含む紫外光により、照射量が３００ｍＪ/ｃｍ^２となるように露光し、光硬化性樹脂膜を硬化させた。

（Ｓｉモールド剥離工程）
石英基板およびＳｉモールドの外縁部を機械的に保持した状態、もしくはこれらの裏面を吸引保持した状態で、石英基板および／またはＳｉモールドを押圧と反対方向に相対移動させることでＳｉモールドを剥離し、凹凸パターン転写された光硬化性樹脂膜を得た。

（石英基板加工工程）
凹凸パターンが転写された光硬化性樹脂膜をマスクにして、下記に示すようにドライエッチングを行い、光硬化性樹脂膜に形成された凹凸パターンに基づく凹凸形状を石英基板上に形成し、所定の凹凸パターンを有する石英モールドを得た。まず、パターン凹部に存在する残膜を酸素プラズマエッチングにより除去し、パターン凹部の石英基板を露出させた。その際、凹凸パターン領域内の最も厚い残膜を除去できる条件にあわせてエッチング量を設定した。次に、フッ素系ガスにより、パターン凸部をマスクにして石英基板のＲＩＥを行った。エッチング深さが８０ｎｍになるようにＲＩＥの条件を設定した。最後に、パターン凸部の残渣を酸素プラズマエッチングにより除去した。

以上のような材料選択および工程の条件を種々組み合わせることにより、下記表２に示す複数の条件で、パターン転写された光硬性樹脂膜を複数作製した。

以下、本実施例のナノインプリント方法の効果を評価する基準を説明する。効果の評価は、以下の３つの項目について、表２に示す種々の条件でパターン転写された光硬性樹脂膜のそれぞれを個別に評価し、その結果に応じて点数を付与し、付与されたすべての点数を積算して総合点を算出することにより行った。そして、本発明の「液滴配置欠陥が生じた場合にも、レジスト膜の残膜の厚みムラおよび残留気体によるインプリント欠陥の発生を抑制する」という課題に対して、当該総合点が０点の場合には効果なし、１点以上の場合には効果ありとして評価した。

（項目１：インプリント欠陥）
得られた光硬化性樹脂膜の直線状凹凸パターンを光学顕微鏡（倍率５０〜１５００倍）の暗視野測定でインプリント欠陥の存否を検査した。まず、倍率５０倍で２ｍｍ角（２×２ｍｍ）の視野を規定した。次に上記測定視野を維持しながら１ｃｍ角（１×１ｃｍ）の範囲を走査し、残留気体によるインプリント欠陥の存否を測定した。インプリント欠陥の存否の測定は、正常なパターンでは確認されない散乱光を検出することにより行った。以上のような手順により、インプリント欠陥の数を求め、上記１ｃｍ角中のインプリント欠陥数が０個の場合を１点、１個以上の場合を０点とした。

（項目２：残膜の厚み）
それぞれの光硬化樹脂膜について、液滴配置欠陥が生じた領域における凹凸パターン部の残膜の厚みを測定した。当該測定は、光硬性樹脂膜の液滴配置欠陥が生じた領域における光硬性樹脂膜の一部を、スクラッチおよびテープ剥離等により剥離して石英基板を露出させ、光硬性樹脂膜が存在する領域と当該膜を剥離した領域との境界部分を原子間力顕微鏡で測定することにより実施した。残膜の厚みの具体的な値は、液滴配置欠陥が生じた領域を横断するように、任意の１０箇所を測定して得られた、それらの測定値の平均値とした。光硬性樹脂膜の残膜は基板の加工工程の前に結局は除去されるものであるが、液滴配置欠陥が生じた領域における残膜の厚みは、液滴配置欠陥が生じなかった領域における残膜の厚みとの関係から、ある程度の厚みを有することが好ましい。そこで、液滴配置欠陥が生じた領域における残膜の厚みｈが、５≦ｈ＜１５ｎｍの場合を２点、０＜ｈ＜５ｎｍの場合を１点、ｈ＝０ｎｍの場合を０点とした。

（項目３：レジスト材料の充填時間）
上記モールド押付け工程における上記接触から液滴間に存在する残留気体が縮小し消滅するまでの時間を、レジスト材料の充填時間として検討した。充填時間が、１０秒未満の場合を２点、１０秒以上１分未満の場合を１点、１分以上の場合および残留気体が消滅しない場合を０点とした。

（評価結果）
下記表２に示すように、本発明の実施例１〜１２によって得られた光硬化性樹脂膜は、Ｓｉモールドの直線状凹凸パターンを正確に反転し、残膜の厚みムラおよびインプリント欠陥のない膜であった。また、本発明の実施例１〜１２によって得られた光硬化性樹脂膜は、短時間で得ることができた。

ここで、表２において、実施例１〜４並びに比較例１および２の結果から、インクジェット法における主走査方向とライン状凹凸パターンのライン方向との交差角度は３０〜９０°であることが好ましいと言える。

そして、実施例１、５および６並びに比較例３および４の結果から、レジスト材料の粘度は８〜２０ｃＰであることが好ましいと言える。さらにこれと同時に、粘度が低すぎると項目１および２において膜の評価が劣るという結果が得られた。これは、粘度は低い方が液滴の拡張に効果的であるためレジスト膜の形成において有利であるという一般的な予想に反するものであった。

そして、実施例１、７および８並びに比較例５および６の結果から、レジスト材料の表面エネルギーは２５〜３５ｍＮ／ｍであることが好ましいと言える。さらにこれと同時に、表面エネルギーが低すぎると項目１および２において膜の評価が劣るという結果が得られた。これは、表面エネルギーは低い方が液滴の濡れ性向上に効果的であるためレジスト膜の形成において有利であるという一般的な予想に反するものであった。

そして、実施例１、９および１０並びに比較例７の結果から、液滴１つ当たりの液滴量は１〜１０ｐｌであることが好ましいと言える。

そして、実施例１、１１および１２並びに比較例８の結果から、モールドを押し付ける際の雰囲気はＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気であることが好ましいと言える。

そして、本発明の実施例１〜１２によって得られた光硬化性樹脂膜をマスクとして、前述した石英基板の加工を行った結果、Ｓｉモールドの直線状凹凸パターンを正確に反転し、欠陥のない直線状凹凸パターンを石英基板上に形成することができた。

１ 凸部
２ モールド
３ 基板
１０ インクジェットヘッド
２１ 液滴配置欠陥
２２ インプリント欠陥
Ｄ 液滴
Ｌｄ ライン方向
Ｐ１ ライン状凹凸パターン
Ｐ２ 直線状凹凸パターン
Ｐ５ 液滴配置パターン
Ｒ ライン転写領域
Ｒ２ 直線転写領域
Ｓｍ 主走査方向
Ｔａ 周期
Ｔｂ 周期
Ｕ 基本単位格子

Claims (3)

1. インクジェット法により基板上にレジスト材料からなる複数の液滴を塗布し、モールドのライン状凹凸パターンを前記基板の前記液滴が塗布された面に押し付けて該基板上に前記液滴を拡張して、拡張した複数の該液滴の結合からなるレジスト膜を形成するとともに該レジスト膜に前記ライン状凹凸パターンを転写するナノインプリント方法において、
   前記液滴を塗布する際のインクジェット法における主走査方向と前記ライン状凹凸パターンのライン方向との交差角度であって、前記モールドを押し付ける際の交差角度が３０〜９０°となるように、
   前記レジスト材料の粘度が８〜２０ｃＰであり、前記レジスト材料の表面エネルギーが２５〜３５ｍＮ／ｍであり、前記複数の液滴それぞれの液滴量が１〜１０ｐｌであり、前記複数の液滴の配置間隔が１０〜１０００μｍである条件の下で、前記液滴を塗布し、
   雰囲気がＨｅ雰囲気および／または減圧雰囲気である条件の下で、前記モールドを押し付けることを特徴とするナノインプリント方法。
2. 前記レジスト材料が光硬化性樹脂であることを特徴とするナノインプリント方法。
3. 請求項１または２に記載のナノインプリント方法により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を基板上に形成し、
   該レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行って、該レジスト膜に転写された凹凸パターンに対応した凹凸パターンを前記基板上に形成して、所定のパターンを有する基板を得ることを特徴とする基板の加工方法。

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