JP2012059878A5 - - Google Patents

Description

［実験２］
上記の［実験１］により、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀の場合、Ｃｏ量ｘが７０％以下の組成で高い熱安定性を有したまま、反転電流値Ｊｃ０を低減できることがわかった。
そこで、［実験２］において（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）₈₀Ｂ_z、および（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）₈₀Ｂ_z組成の記憶層１７を用いて、Ｂ量ｚがＣｏとＦｅの比とＭeffective／Ｍｓにどのような影響を与えるかを調べた。試料の詳細は［実験１]と同様である。

表２の結果より、（Ｃｏ₇₀Ｆｅ₃₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を７０／３０で固定した場合、Ｂ量ｚ＝４０原子％以外の組成では実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなっていることが確認できる。

表３の結果より、（Ｃｏ₈₀Ｆｅ₂₀）_100-zＢ_zのようにＣｏとＦｅの比を８０／２０で固定した場合、いずれの組成においても実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより大きくなっていることが確認できる。

上述の表１〜３の結果より、Ｂ量ｚが３０原子％以下の範囲であれば、飽和磁化量Ｍｓと実効的な反磁界Ｍeffectiveの大小関係はＣｏとＦｅの比で決定されることが明らかになった。
従って、記憶層１７の実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより小さくなるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の組成は、
０≦Ｃｏ_x≦７０、
３０≦Ｆｅ_y≦１００、
０＜Ｂ_z≦３０において、
(Ｃｏ_x−Ｆｅ_y)_100-z−Ｂ_zである。

図５によると、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金組成の場合にのみ、高い熱安定性が保持されている。
種々の検討を行った結果、Ｆｅが６０原子％以上存在するＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金が極微小な記録素子において高い熱安定性Δを示す理由は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向を向いていることに起因していることが明らかになった。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金の磁化が膜面面直方向になっている理由は、実効的な反磁界Ｍeffectiveが飽和磁化量Ｍｓより著しく小さい組成であることに起因していると思われる。
また、垂直磁化膜になると極微小素子においても熱安定性が保たれる理由は、実効的な異方性磁界に関係しており、垂直磁化膜の実効的な異方性磁界は一般的に面内磁化膜よりも遥かに大きな値になる。つまり、垂直磁化膜では、大きな実効的な異方性磁界の効果により、面内磁化膜では十分な熱安定性（Δ）を確保できない極微小な素子においても高い熱安定性（Δ）を保つことが出来る。
上記の実験結果から、（Ｃｏ_xＦｅ_100-x）₈₀Ｂ₂₀という組成のＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金では、Ｆｅ_100-xが６０以上になる場合、Ｇｂｉｔクラスのスピン注入を利用したメモリ装置に好適となるといえる。