JP2012047608A - 力学量測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 拡散抵抗をマトリックス状に配置し、ブリッジ抵抗Rv1,Rv2は奇数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続し、ブリッジ抵抗Rh1,Rh2は偶数列に配置される拡散抵抗を選択的に直列接続する。
【選択図】 図6
Description
Δr=α×S×R
と表せる。
Sv1 ≠ Sv2 ≠ Sh1 ≠ Sh2
となる。したがって、各拡散抵抗に生じる抵抗変化Δrv1,Δrv2,Δrh1,Δrh2は、
Δrv1=α×Sv1×rv1、Δrv2=α×Sv2×rv2、
Δrh1=α×Sh1×rh1、Δrh2=α×Sh2×rh2
(rv1,rv2,rh1,rh2はそれぞれ基準状態での拡散抵抗の抵抗値とする)
と表される結果、
Δrv1 ≠ Δrv2 ≠ Δrh1 ≠ Δrh2
となる。先に試算したように拡散抵抗の面積が2000μm2程度になってしまうと、各拡散抵抗が半導体チップ上で互いに離れた位置に配置されざるを得ず、温度変化による拡散抵抗の変化量の相違は無視できない大きさになる。この結果、出力Vp,Vnの間に有意な電位差が発生し、いわゆる出力オフセット電圧が発生する。
一方、アンプAMP前段の増幅回路はソースホロア接続となっているため、
I1=(Vp_out−Vp)/R2
I3=(Vn−Vn_out)/R2
と表される。また、I2=(Vp-Vn)/R1の関係がある。よって、
(Vp_out−Vp)/R2=(Vp−Vn)/R1=(Vn−Vnout)/R2
となる。
Vout=(1+2×R2/R1)×(R4/R3)×(Vp−Vn)
に増幅して出力させることができる。
Claims (20)
- ブリッジ回路を用いた力学量測定装置であって、
半導体基板と、
上記半導体基板に形成され、第1の方向に延在する複数の第1導電型の第1不純物層と、
上記半導体基板に形成され、上記第1の方向と直交する第2の方向に延在する複数の第1導電型の第2不純物層とを有し、
上記ブリッジ回路は、第1の基準電位点と第1の出力点との間の第1抵抗と第2の基準電位点と上記第1の出力点との間の第2抵抗と上記第1の基準電位点と第2の出力点との間の第3抵抗と上記第2の基準電位点と上記第2の出力点との間の第4抵抗を有し、
上記第1抵抗及び上記第4抵抗は、それぞれ複数の上記第1不純物層を配線層を介して直列接続して構成され、
上記第2抵抗及び上記第3抵抗は、それぞれ複数の上記第2不純物層を配線層を介して直列接続して構成され、
上記第1抵抗を構成し互いに配線層を介して接続される2つの上記第1不純物層の間に、上記第4抵抗を構成する上記第1不純物層が配置され、
上記第4抵抗を構成し互いに配線層を介して接続される2つの上記第1不純物層の間に、上記第1抵抗を構成する上記第1不純物層が配置され、
上記第2抵抗を構成し互いに配線層を介して接続される2つの上記第2不純物層の間に、上記第3抵抗を構成する上記第2不純物層が配置され、
上記第3抵抗を構成し互いに配線層を介して接続される2つの上記第2不純物層の間に、上記第2抵抗を構成する上記第2不純物層が配置される力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記第1及び第2不純物層はP型不純物層であり、
上記第1の方向は半導体基板の<110>である力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記力学量測定装置は、被測定物に貼り付けまたは埋め込まれて、上記被測定物のひずみの計測を行う力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記複数の第1導電型の第1不純物層は、互いに平行かつ等間隔に形成され、
上記複数の第1導電型の第2不純物層は、互いに平行かつ等間隔に形成される力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記複数の第1導電型の第1不純物層には、第1抵抗または第4抵抗のいずれをも構成しない第1不純物層を含み、該第1不純物層は他の回路と電気的に接続されないダミー抵抗とされ、
上記複数の第1導電型の第2不純物層には、第2抵抗または第3抵抗のいずれをも構成しない第2不純物層を含み、該第2不純物層は他の回路と電気的に接続されないダミー抵抗とされる力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記ブリッジ回路の上記第1及び第2の出力点の電位差を増幅する増幅回路を含む周辺回路を有し、
上記複数の第1導電型の第1不純物層には、第1抵抗または第4抵抗のいずれをも構成しない第1不純物層を含み、上記複数の第1導電型の第2不純物層には、第2抵抗または第3抵抗のいずれをも構成しない第2不純物層を含み、該第1不純物層または該第2不純物層は上記周辺回路の抵抗として用いられる力学量測定装置。 - 請求項1において、
上記ブリッジ回路の上記第1及び第2の出力点の電位差を増幅する増幅回路を含む周辺回路を有し、
上記第1不純物層及び第2不純物層が半導体チップの中央部に形成され、
上記周辺回路は上記中央部の周囲に形成される力学量測定装置。 - ブリッジ回路を用いた力学量測定装置であって、
半導体基板と、
上記半導体基板に形成される複数の不純物層群を有し、
上記複数の不純物層群のそれぞれは、第1の方向に延在する複数の第1導電型の第1不純物層と上記第1の方向と直交する第2の方向に延在する複数の第1導電型の第2不純物層とを有し、
上記ブリッジ回路は、第1の基準電位点と第1の出力点との間の第1抵抗と第2の基準電位点と上記第1の出力点との間の第2抵抗と上記第1の基準電位点と第2の出力点との間の第3抵抗と上記第2の基準電位点と上記第2の出力点との間の第4抵抗を有し、
上記第1抵抗は、上記複数の不純物層群のいずれか一つの第1不純物層を互いに配線層を介して直列接続することにより構成し、
上記第2抵抗は、上記複数の不純物層群のいずれか一つの第2不純物層を互いに配線層を介して直列接続することにより構成し、
上記第3抵抗は、上記複数の不純物層群のいずれか一つの第2不純物層を互いに配線層を介して直列接続することにより構成し、
上記第4抵抗は、上記複数の不純物層群のいずれか一つの第1不純物層を互いに配線層を介して直列接続することにより構成する力学量測定装置。 - 請求項8において、
上記複数の不純物層群のそれぞれにおいて、
上記第1抵抗を構成する上記第1不純物層は他の上記第1不純物層に配線層を介して直列接続されておらず、
上記第2抵抗を構成する上記第2不純物層は他の上記第2不純物層に配線層を介して直列接続されておらず、
上記第3抵抗を構成する上記第2不純物層は他の上記第2不純物層に配線層を介して直列接続されておらず、
上記第4抵抗を構成する上記第1不純物層は他の上記第1不純物層に配線層を介して直列接続されていない力学量測定装置。 - 請求項8において、
上記第1及び第2不純物層はP型不純物層であり、
上記第1の方向は半導体基板の<110>である力学量測定装置。 - 請求項8において、
上記力学量測定装置は、被測定物に貼り付けまたは埋め込まれて、上記被測定物のひずみの計測を行う力学量測定装置。 - 請求項8において、
上記複数の不純物層群に第1の不純物層群と第2の不純物層群を含み、
上記第1の不純物層群の上記第1不純物層と上記第2の不純物層群の上記第1不純物層との間に複数の第1導電型の第3不純物層が形成されており、かつ該第1不純物層及び上記第3不純物層とは互いに平行かつ等間隔に形成されており、
上記第1の不純物層群の上記第2不純物層と上記第2の不純物層群の上記第2不純物層との間に複数の第1導電型の第4不純物層が形成されており、かつ該第2不純物層及び上記第4不純物層とは互いに平行かつ等間隔に形成されている力学量測定装置。 - 請求項12において、
上記第3不純物層または上記第4不純物層は他の回路と電気的に接続されないダミー抵抗とされる力学量測定装置。 - 請求項12において、
上記ブリッジ回路の上記第1及び第2の出力点の電位差を増幅する増幅回路を含む周辺回路を有し、
上記第3不純物層または上記第4不純物層は上記周辺回路の抵抗として用いられる力学量測定装置。 - 請求項8において、
上記ブリッジ回路の上記第1及び第2の出力点の電位差を増幅する増幅回路を含む周辺回路を有し、
上記第1不純物層及び第2不純物層が半導体チップの中央部に形成され、
上記周辺回路は上記中央部の周囲に形成される力学量測定装置。 - ブリッジ回路を用いた力学量測定装置であって、
半導体基板と、
上記半導体基板に形成され、マトリックス状に配置された複数の第1導電型の不純物層とを有し、
上記複数の第1導電型の不純物層は、奇数列に配置されて第1の方向に延在する複数の第1不純物層と、偶数列に配置されて上記第1の方向と直交する第2の方向に延在する複数の第2不純物層とを含み、
上記ブリッジ回路は、第1の基準電位点と第1の出力点との間の第1抵抗と第2の基準電位点と上記第1の出力点との間の第2抵抗と上記第1の基準電位点と第2の出力点との間の第3抵抗と上記第2の基準電位点と上記第2の出力点との間の第4抵抗を有し、
上記第1抵抗及び第4抵抗は、上記奇数列に配置される複数の第1不純物層を選択的に直列接続して構成され、
上記第2抵抗及び第3抵抗は、上記偶数列に配置される複数の第2不純物層を選択的に直列接続して構成される力学量測定装置。 - 請求項16において、
上記奇数列に配置される複数の第1不純物層のうち隣接する第1不純物層をそれぞれ第1抵抗を構成する第1不純物層及び上記第4抵抗を構成する第1不純物層として選択し、
上記偶数列に配置される複数の第2不純物層のうち隣接する第2不純物層をそれぞれ第2抵抗を構成する第2不純物層及び上記第3抵抗を構成する第2不純物層として選択する力学量測定装置。 - 請求項17において、
上記隣接する第1不純物層は上記隣接する第2不純物層とは隣接して配置される力学量測定装置。 - 請求項16において、
上記不純物層はP型不純物層であり、
上記第1の方向は半導体基板の<110>である力学量測定装置。 - 請求項16において、
上記ブリッジ回路の上記第1及び第2の出力点の電位差を増幅する増幅回路を含む周辺回路を有し、
上記不純物層及び不純物層が半導体チップの中央部に形成され、
上記周辺回路は上記中央部の周囲に形成される力学量測定装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015033669A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置およびそれを用いた圧力センサ |
JP2015225052A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-14 | ユニパルス株式会社 | 歪みゲージ |
JP2018021939A (ja) * | 2017-11-13 | 2018-02-08 | ユニパルス株式会社 | 歪みゲージ |
US10408692B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-09-10 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Mechanical quantity measurement device and pressure sensor using same |
JP2020160039A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | ヴィシェイ アドヴァンスド テクノロジーズ、リミテッド | 三次元ひずみゲージ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5427733B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-02-26 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
US10488279B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-11-26 | General Electric Company | Components configured to autonomously detect and accommodate structural changes |
WO2019152562A1 (en) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | Electric Power Research Institute, Inc. | Apparatus for measuring strain and methods for making and using same |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188103A (ja) * | 1984-05-30 | 1986-05-06 | テイ−ア−ルダブリユ− トランスポ−テ−シヨン エレクトロニクス リミテツド | ストレインゲ−ジ・ブリツジ装置 |
JPH05107262A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-27 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
JPH06137906A (ja) * | 1990-12-19 | 1994-05-20 | Honeywell Inc | 集積化センサ・アレイ |
JPH0972805A (ja) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体センサ |
JP2002050771A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 集積化センサ |
JP2005114441A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Hitachi Ltd | ひずみ量測定機能付きボルト |
JP2006267051A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 物品の損傷検知デバイス及び損傷検知システム |
JP2007263781A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 力学量測定装置 |
JP2008039126A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 弁装置の監視システム |
JP2008082907A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | 力学量計測装置 |
JP2009036686A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 荷重センサ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4417477A (en) * | 1981-05-11 | 1983-11-29 | Eaton Corporation | Train gage measurement circuit for high temperature applications using high value completion resistors |
JPS62160772A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-16 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力センサ及び圧力測定装置 |
JP2000088891A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Shimadzu Corp | ブリッジ回路及びこれを用いた検出器 |
JP4329478B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
US7430920B2 (en) * | 2005-12-16 | 2008-10-07 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for measuring a mechanical quantity |
JP4617943B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-01-26 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
KR101228383B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2013-02-07 | 에스티마이크로일렉트로닉스 에스.알.엘. | 두 배의 측정 스케일 및 높은 정밀도의 풀 스케일의 통합된압력 센서 |
JP5427733B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-02-26 | 株式会社日立製作所 | 力学量測定装置 |
-
2010
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-
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- 2011-07-12 US US13/180,603 patent/US8528414B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188103A (ja) * | 1984-05-30 | 1986-05-06 | テイ−ア−ルダブリユ− トランスポ−テ−シヨン エレクトロニクス リミテツド | ストレインゲ−ジ・ブリツジ装置 |
JPH06137906A (ja) * | 1990-12-19 | 1994-05-20 | Honeywell Inc | 集積化センサ・アレイ |
JPH05107262A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-27 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
JPH0972805A (ja) * | 1995-09-06 | 1997-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体センサ |
JP2002050771A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 集積化センサ |
JP2005114441A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Hitachi Ltd | ひずみ量測定機能付きボルト |
JP2006267051A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | 物品の損傷検知デバイス及び損傷検知システム |
JP2007263781A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Ltd | 力学量測定装置 |
JP2008039126A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hitachi Ltd | 弁装置の監視システム |
JP2008082907A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Hitachi Ltd | 力学量計測装置 |
JP2009036686A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 荷重センサ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015033669A1 (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-12 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 力学量測定装置およびそれを用いた圧力センサ |
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