CN111433621B - 磁传感器及电流传感器 - Google Patents

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Abstract

磁传感器(1)具备：基板；以及磁阻元件部，其在基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，磁阻元件部包括具有负的磁致伸缩常数的磁性层，在对基板沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性层的应力诱导各向异性。

Description

磁传感器及电流传感器
技术领域
本公开涉及磁传感器及电流传感器。
背景技术
以往，在使用了磁阻效应的磁传感器中，为了提高传感器特性及可靠性而提出了各种控制磁各向异性的方法。例如，在日本特开平7-244142号公报(专利文献1)及日本特开2002-189067号公报(专利文献2)中，公开了利用基于逆磁致伸缩效应的应力诱导各向异性的方法。
在专利文献1所公开的磁传感器中，在具备使用了强磁性金属薄膜的传感器图案的磁传感器中，在强磁性金属薄膜具有正的磁致伸缩常数的情况下，向传感器图案的难磁化方向施加持续的拉伸应力，该强磁性金属薄膜的磁化方向根据磁场的强度而在易磁化方向与难磁化方向之间变化。另一方面，在强磁性金属薄膜具有负的磁致伸缩常数的情况下，向传感器图案的难磁化方向施加持续的压缩应力。由此，能够实现微小磁场中的高灵敏度化。
专利文献2所公开的磁传感器配置在压电基板上，通过向压电基板施加电压而向磁传感器施加应变。由此，构成磁传感器的磁性材料的内部的各向异性变化，传感器特性变化。其结果是，能够在磁传感器成为高灵敏度的点决定动作点。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-244142号公报
专利文献2：日本特开2002-189067号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在专利文献1所公开的磁传感器中，在即便施加持续的应力时也通过来自外部的输入等而使应力变动的情况下，在与磁敏方向平行的方向上表现出应力诱导磁各向异性。由此，零磁场中的磁传感器的电阻值发生变动。
专利文献2所公开的磁传感器是使用压电元件的结构，因此，其结构变得较大，制造成本增加。
本公开是鉴于上述的问题而完成的，本公开的目的在于，提供一种能够提高针对应力变动的可靠性的磁传感器及电流传感器。
用于解决课题的手段
本公开的第一方面的磁传感器具备：基板；以及磁阻元件部，其在上述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与上述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，上述磁阻元件部包括具有负的磁致伸缩常数的磁性层，在对上述基板沿与上述磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与上述偏置磁场的方向平行的方向上表现出上述磁性层的应力诱导各向异性。
本公开的第二方面的磁传感器具备：基板；以及磁阻元件部，其在上述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与上述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，上述磁阻元件包括具有正的磁致伸缩常数的磁性层，在对上述基板沿与上述磁敏方向平行的方向作用了压缩应力的情况下，在与上述偏置磁场的方向平行的方向上表现出上述磁性层的应力诱导各向异性。
在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述基板优选具有长条形状，该长条形状具有长边方向。在该情况下，上述磁敏方向优选与上述长边方向平行。
在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述磁阻元件部也可以包括串联地电连接的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件，该第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件沿着与上述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列。在该情况下，优选的是，从连接上述第一磁阻元件及上述第二磁阻元件之间的连接部检测上述第一磁阻元件与上述第二磁阻元件的中点电位，从连接上述第三磁阻元件及上述第四磁阻元件之间的连接部检测上述第三磁阻元件与上述第四磁阻元件的中点电位。
在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述磁阻元件部也可以包括配置为矩阵状的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件。在该情况下，优选的是，由上述第一磁阻元件、上述第二磁阻元件、上述第三磁阻元件及上述第四磁阻元件构成全桥电路。
在上述本公开的第一方面及第二方面的磁传感器中，上述第一磁阻元件及上述第二磁阻元件也可以沿着与上述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第一半桥电路。另外，上述第三磁阻元件及上述第四磁阻元件也可以沿着与上述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第二半桥电路。在该情况下，优选的是，由上述第一半桥电路及上述第二半桥电路构成上述全桥电路。另外，优选的是，从连接上述第一磁阻元件及上述第二磁阻元件之间的连接部检测上述第一磁阻元件与上述第二磁阻元件的中点电位，从连接上述第三磁阻元件及上述第四磁阻元件之间的连接部检测上述第三磁阻元件与上述第四磁阻元件的中点电位。
本公开的电流传感器具备流过测定对象的电流的汇流条、以及上述的磁传感器。
发明效果
根据本公开，可提供能够提高针对应力变动的可靠性的磁传感器及电流传感器。
附图说明
图1是示出实施方式1的磁传感器的概要剖视图。
图2是示出实施方式1的磁传感器元件的概要剖视图。
图3是示出在实施方式1的磁传感器中向磁传感器元件施加的偏置磁场的方向与磁敏方向的关系的图。
图4是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下作用的力的图。
图5是示出实施方式1的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁传感器元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
图6是示出实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。
图7是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图8是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图9是示出实施方式2的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁传感器元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
图10是示出实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。
图11是示出在实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图12是示出在实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图13是示出实施方式3的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁阻元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
图14是示出实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。
图15是示出在实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图16是示出在实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图17是示出比较例的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁阻元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
图18是示出比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。
图19是示出在比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图20是示出在比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后向第一磁阻元件至第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
图21是示出在变形例的磁传感器元件被沿磁敏方向压缩的情况下作用的力的图。
图22是实施方式4的电流传感器的立体图。
图23是实施方式4的电流传感器的俯视图。
图24是实施方式4的电流传感器的主视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式详细进行说明。需要说明的是，在以下所示的实施方式中，针对相同或共同的部分在图中标注相同的标记，不再重复其说明。
(实施方式1)
图1是示出实施方式1的磁传感器的概要剖视图。参照图1对实施方式1的磁传感器100进行说明。
如图1所示，实施方式1的磁传感器100具备磁传感器元件1、引线框2、接合构件3、键合线4及模制构件5。磁传感器元件1在通过接合构件3而与引线框2接合的状态下被模制构件5模制。磁传感器元件1通过键合线4而与引线框2电连接。
在将与引线框2、接合构件3及磁传感器元件1排列的方向平行的方向设为厚度方向的情况下，相对于通过该厚度方向上的引线框2的中心的引线框2的中心线CL，接合构件3及磁传感器元件1所处的一侧的模制构件5的厚度T1比接合构件3及磁传感器元件1所处的一侧的相反侧的模制构件5的厚度厚。
图2是示出实施方式1的磁传感器元件的概要剖视图。参照图2对实施方式1的磁传感器元件1进行说明。
如图2所示，实施方式1的磁传感器元件1例如是AMR元件。磁传感器元件1包括基板10、作为磁阻元件部的层叠体11、一对电极部15、以及保护层16。
基板10例如由带热氧化膜的Si基板构成。需要说明的是，基板10也可以由玻璃基板等绝缘性基板构成，还可以由形成有绝缘膜的板状构件构成。
层叠体11设置在基板10的主面上。如后所述，层叠体11被形成为所希望的图案。层叠体11具有基底膜12、磁性膜13、保护膜14。这些基底膜12、磁性膜13及保护膜14从基板10侧依次被层叠。
基底膜12形成在绝缘性高的热氧化膜上。作为基底膜12，使用由Ta、W、Mo、Ti、Ru等金属构成的金属膜、或者层叠这些金属膜而成的层叠膜。基底膜12是为了使磁性膜13适当地成长而设置的。需要说明的是，在能够不使用基底膜12而使磁性膜13适当地成长的情况下，也可以省略基底膜12。
磁性膜13形成在基底膜12上。磁性膜13具有负的磁致伸缩常数λ。磁性膜13形成为磁致伸缩常数λ成为-1ppm＜λ＜0ppm。磁性膜13例如由包括Ni和Fe的合金构成。在该情况下，能够通过调整Ni的组成来适当设定磁性膜13的磁致伸缩常数λ。
保护膜14形成在磁性膜13上。作为保护膜14，使用由Ta、W、Mo、Ti、Ru等金属构成的金属膜、或者层叠这些金属膜而成的层叠膜。保护膜14是为了保护磁性膜13而设置的。需要说明的是，在对器件特性没有影响的情况下，也可以省略保护膜14。
一对电极部15设置在层叠体11的两端。电极部15由Al、Cu、Au等导电性良好的金属材料构成。为了提高层叠体11与电极部15的紧贴性，也可以在层叠体11与电极部15之间设置由Ti、Cr等构成的紧贴层。
保护层16设置为覆盖层叠体11及一对电极部15。在保护层16设置有接触孔16a，使得一对电极部15的一部分露出。键合线4的一端侧被插入到该接触孔16a，键合线4的一端与电极部15连接。键合线4的另一端侧与引线框2连接。
作为保护层16，能够采用SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3、HfO2等绝缘性高的材料。保护层16是为了防止层叠体11等氧化及腐蚀而设置的。需要说明的是，也可以省略保护层16。
图3是示出在实施方式1的磁传感器中向磁传感器元件施加的偏置磁场的方向与磁敏方向的关系的图。
如图3所示，磁传感器100在俯视的情况下具有长条形状，该长条形状具有长边方向(DR1方向)及短边方向(DR2方向)。同样，磁传感器元件1也在俯视的情况下具有长条形状，该长条形状具有长边方向(DR1方向)及短边方向(DR2方向)。磁传感器元件1在与上述长边方向平行的方向上具有磁敏方向。
磁传感器100具有用于向磁传感器元件1施加偏置磁场的磁场施加部(未图示)。磁场施加部例如由永磁铁(未图示)构成。该永磁铁与磁传感器元件1一起被模制构件5模制。上述磁场施加部在与磁敏方向正交的方向(DR2方向)上施加偏置磁场。
在制造上述磁传感器100的情况下，首先准备基板10。接着，使用光刻法及干蚀刻等，在基板10上形成具有所希望的图案的层叠体11。
接下来，使用光刻法、蒸镀或溅射法等，形成一对电极部15。接着，使用溅射或CVD法等，形成保护层16，使得覆盖层叠体11及一对电极部15。
接着，使用光刻法及干蚀刻等，形成接触孔16a。接下来，使用切割装置将基板10按照所希望的尺寸进行单片化，形成磁传感器元件1。
接着，使用接合构件3，向引线框2固定磁传感器元件1。接下来，通过键合线4将一对电极部15与引线框2电连接。在该状态下，利用模制构件5对引线框2及磁传感器元件1与用于施加偏置磁场的永磁铁一起进行模制。由此，制造磁传感器100。
需要说明的是，利用模制构件5与磁传感器元件1的热膨胀系数之差，对磁传感器元件1在与长边方向(DR1方向)平行的长边方向上作用拉伸应力(初始应力)，从而对磁传感器元件1进行模制。通过像这样模制，对于初始应力的方向、以及暴露于环境温度的状态下的使用状况所引起的应力的变动方向，上述长边方向、即与磁敏方向平行的方向成为主导。
图4是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下作用的力的图。参照图4，来说明在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下作用的力。
如图4所示，在磁传感器元件1被沿与磁敏方向平行的方向拉伸的情况下，即，在对磁传感器元件1沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，与该磁敏方向平行的方向上的磁传感器元件1的两端侧被朝向外侧拉伸，与该磁敏方向平行的磁传感器元件1的中央部在与磁敏方向正交的方向上被压缩。因此，在将磁阻元件部配置于磁传感器元件1的中央部的情况下，通过逆磁致伸缩效应而表现出的磁性膜13的应力诱导各向异性的方向与偏置磁场的方向平行。
图5是示出实施方式1的构成磁阻元件的多个磁阻元件的图案、以及磁传感器元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
如图5所示，磁传感器元件1包括配置为矩阵状的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4。第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4由被图案化为所希望的形状的层叠体11构成。第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4配置为两行两列，构成全桥电路。
第一磁阻元件E1及第三磁阻元件E3沿着与偏置磁场的方向正交的方向呈行状排列配置。第二磁阻元件E2及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向正交的方向呈行状排列配置。
第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置。第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置。
第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2构成第一半桥电路。第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4构成第二半桥电路。由上述第一半桥电路及上述第二半桥电路构成全桥电路。
第一磁阻元件E1的一端侧通过布线图案而与用于施加电压的电极焊盘Vdd电连接。第一磁阻元件E1的另一端侧通过布线图案而与第二磁阻元件E2的一端侧连接，并且，与用于检测第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2的中点电位Vout1的电极焊盘S1电连接。
第二磁阻元件E2的一端侧通过布线图案而与第一磁阻元件E1的另一端侧连接，并且，与上述电极焊盘S1电连接。第二磁阻元件E2的另一端侧通过布线图案而与连接到地线的电极焊盘G电连接。
第三磁阻元件E3的一端侧通过配电图案而与上述电极焊盘Vdd电连接。第三磁阻元件E3的另一端侧通过布线图案而与第四磁阻元件E4的一端侧连接，并且，与用于检测第三磁阻元件E3与第四磁阻元件E4的中点电位Vout2的电极焊盘S2电连接。
第四磁阻元件E4的一端侧通过布线图案而与第三磁阻元件E3的另一端侧连接，并且，与上述电极焊盘S2电连接。第四磁阻元件E4的另一端侧通过布线图案而与上述电极焊盘G电连接。
当向电极焊盘Vdd与电极焊盘G之间施加电压时，根据磁场强度而从电极焊盘S1及电极焊盘S2取出中点电位Vout1及中点电位Vout2。
这里，在将第一磁阻元件E1的电阻设为R1、将第二磁阻元件E2的电阻设为R2、将第三磁阻元件E3的电阻设为R3、将第四磁阻元件E4的电阻设为R4的情况下，中点电位Vout1及中点电位Vout2由以下的式(1)及(2)表示。需要说明的是，上述R1、R2、R3及R4的值根据向磁传感器元件1施加的拉伸应力而变动。
中点电位Vout1＝Vdd×R2/(R1+R2)···(式1)
中点电位Vout2＝Vdd×R4/(R3+R4)···(式2)
在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸的情况下，如图5所示，在第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的各磁阻元件上沿与偏置磁场的方向平行的方向作用有应力Bstress。由此，磁性体的磁化M的方向从与偏置磁场Bbias平行的方向朝向将偏置磁场Bbias及应力Bstress合成后的方向移动。其结果是，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的各磁阻元件的电阻也变化。
图6是示出实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。需要说明的是，在图6中，以虚线表示向拉伸前的磁传感器元件作用的力，以实线表示向拉伸后的磁传感器元件作用的力，并且，以数值(相对比率)表示拉伸前后的各磁阻元件的电阻。
如图6所示，在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之前，通过上述初始应力，与磁敏方向平行的方向(短边方向)上的应力分布成为短边方向的中央部变大这样的凸形状。在该情况下，第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2、以及第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4从短边方向的中央部沿着短边方向等距离地配置。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻成为大致相等的状态。在该情况下，将第一磁阻元件E1的电阻R1、第二磁阻元件E2的电阻R2、第三磁阻元件E3的电阻R3、以及第四磁阻元件E4的电阻R4设为3。
另一方面，在磁传感器元件1从初始状态被沿磁敏方向拉伸之后，即，在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在各磁阻元件中作用有应力Bstress。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻从磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之前发生变化。
具体而言，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2从3变化到2。第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4从3变化到4。
另一方面，在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸的情况下，与该磁敏方向平行的磁传感器元件1的中央部在与磁敏方向正交的方向上被压缩。因此，在将磁阻元件部配置于磁传感器元件1的中央部的情况下，如上所述，通过逆磁致伸缩效应而表现出的磁性膜13的应力诱导各向异性的方向与偏置磁场的方向平行。由此，能够抑制因应力诱导各向异性而引起的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻的变动。
图7是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图7所示，在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之前，如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2为相同的值，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.5。其结果是，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。
图8是示出在实施方式1的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图8所示，在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之后，也如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2为相同的值，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.5。其结果是，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。
其结果是，在实施方式1的磁传感器中，能够抑制中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff在拉伸前后发生变化。
如以上那样，在实施方式1的磁传感器100中具备磁阻元件，该磁阻元件在基板上被设置为具有规定的磁敏方向，且在与磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，磁阻元件包括具有负的磁致伸缩常数的磁性膜，在对基板沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性膜的应力诱导各向异性。
其结果是，如上所述，能够抑制因应力诱导各向异性而引起的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻的变动。由此，该磁传感器100能够提高针对应力变动的可靠性。
尤其是如上所述，作为磁阻元件部的层叠体11包括配置为矩阵状的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4，由第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4构成全桥电路，在该情况下，能够更好地抑制Voff在拉伸前后发生变化。
此外，在磁传感器100中，第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第一半桥电路，第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第二半桥电路，由上述第一半桥电路及上述第二半桥电路构成上述全桥电路，从连接第一磁阻元件E1及第二磁阻元件之间的连接部检测第一磁阻元件E1与第二磁阻元件E2的中点电位，从连接第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4之间的连接部检测第三磁阻元件E3与第四磁阻元件E4的中点电位。
由此，如上所述，在拉伸前后，能够抑制中点电位Vout1的变动，并且也能够抑制中点电位Vout2的变动。
(实施方式2)
图9是示出实施方式2的构成磁阻元件的多个磁阻元件的图案、以及磁传感器元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。参照图9对实施方式2的磁传感器进行说明。
如图9所示，实施方式2的磁传感器在与实施方式1的磁传感器100相比的情况下，主要是构成磁阻元件部的多个磁阻元件的配置图案不同。其他结构大致相同。
磁传感器元件1A包括配置成矩阵状的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4。第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4配置为两行两列，构成全桥电路。
第一磁阻元件E1及第三磁阻元件E3沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置。第二磁阻元件E2及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置。
第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2沿着与偏置磁场的方向正交的方向呈行状排列配置。第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向正交的方向呈行状排列配置。
第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2构成第一半桥电路。第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4构成第二半桥电路。由上述第一半桥电路及上述第二半桥电路构成全桥电路。
当向电极焊盘Vdd与电极焊盘G之间施加电压时，根据磁场强度而从电极焊盘S1及电极焊盘S2取出中点电位Vout1及中点电位Vout2。
在该情况下，中点电位Vout1及中点电位Vout2也与实施方式1同样地由上述的式(1)及式(2)表示。
图10是示出实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。需要说明的是，在图10中，以虚线表示向拉伸前的磁传感器元件作用的力，以实线表示向拉伸后的磁传感器元件作用的力，并且，以数值(相对比率)表示拉伸前后的各磁阻元件的电阻。
如图10所示，在磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸之前，通过初始应力，与磁敏方向平行的方向(短边方向)上的应力分布成为短边方向的中央部变大这样的凸形状。在该情况下，第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2、以及第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4从短边方向的中央部沿短边方向等距离地配置。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻成为大致相等的状态。在该情况下，将第一磁阻元件E1的电阻R1、第二磁阻元件E2的电阻R2、第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4设为3。
另一方面，在磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸之后，即，在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在各磁阻元件中作用有应力Bstress。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻从磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸之前发生变化。
具体而言，第一磁阻元件E1的电阻R1从3变化到2。第二磁阻元件E2的电阻R2从3变化到4。第三磁阻元件E3的电阻R3从3变化到4。第四磁阻元件E4的电阻R4从3变化到2。
另一方面，在磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸的情况下，与该磁敏方向平行的磁传感器元件1的中央部在与磁敏方向正交的方向上被压缩。因此，在将磁阻元件部配置于磁传感器元件1A的中央部的情况下，如上所述，通过逆磁致伸缩效应而表现出的磁性膜13的应力诱导各向异性的方向与偏置磁场的方向平行。由此，能够抑制因应力诱导各向异性而引起的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻的变动。
图11是示出在实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图11所示，在磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸之前，如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2为相同的值，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.5。中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。
图12是示出在实施方式2的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及两个中点电位之差的图。
如图12所示，在实施方式2的磁传感器元件1A被沿磁敏方向拉伸之后，如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2成为不同的值。另外，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4成为不同的值。因此，根据上述的式(1)算出的中点电位Vout1在拉伸前后成为不同的值。同样，根据上述的式(2)算出的中点电位Vout2在拉伸前后成为不同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.667。
另一方面，拉伸前后的第一磁阻元件E1的电阻R1的变化与第三磁阻元件E3的电阻R3的变化大致相同，拉伸前后的第二磁阻元件E2的电阻R2的变化与第四磁阻元件E4的电阻R4的变化大致相同。因此，拉伸后的中点电位Vout1的值与中点电位Vout2的值大致相同。由此，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。其结果是，在实施方式2的磁传感器中，能够抑制中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff在拉伸前后发生变化。
在实施方式2的磁传感器中，也在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性膜13的应力诱导各向异性，由此，能够提高针对应力变动的可靠性。
(实施方式3)
图13是示出实施方式3的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁阻元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。参照图13对实施方式3的磁阻元件进行说明。
如图13所示，实施方式3的磁传感器在与实施方式1的磁传感器100相比的情况下，主要是构成磁阻元件部的多个磁阻元件的配置图案不同。其他结构大致相同。
磁传感器元件1B包括配置为列状的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4。第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向平行的方向，按照第三磁阻元件E3、第四磁阻元件E4、第二磁阻元件E2及第一磁阻元件E1的顺序排列配置，并按照该顺序串联地电连接。
第三磁阻元件E3的一端侧通过布线图案而与电极焊盘Vdd电连接。第三磁阻元件E3的另一端侧通过布线图案而与第四磁阻元件E4的一端侧电连接，并且与电极焊盘S2电连接。
第四磁阻元件E4的一端侧通过布线图案而与第三磁阻元件E3的另一端侧连接，并且与电极焊盘S2电连接。第四磁阻元件E4的另一端侧通过布线图案而与第二磁阻元件E2的一端侧电连接。
第二磁阻元件E2的一端侧通过布线图案而与第四磁阻元件E4的另一端侧电连接。第二磁阻元件E2的另一端侧通过布线图案而与第一磁阻元件E1的一端侧电连接，并且与电极焊盘S1电连接。
第一磁阻元件E1的一端侧通过布线图案而与第二磁阻元件E2的另一端侧电连接，并且与电极焊盘S1电连接。第一磁阻元件E1的另一端侧与电极焊盘G电连接。
当向电极焊盘Vdd与电极焊盘G之间施加电压时，根据磁场强度而从电极焊盘S1及电极焊盘S2取出中点电位Vout1及中点电位Vout2。
在该情况下，中点电位Vout1及中点电位Vout2也与实施方式1同样地由上述的式(1)及式(2)表示。
图14是示出实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。需要说明的是，在图14中，以虚线表示向拉伸前的磁阻元件作用的力，以实线表示向拉伸后的磁阻元件作用的力，并且，以数值(相对比率)表示拉伸前后的各磁阻元件的电阻。
如图14所示，在磁传感器元件1B被沿磁敏方向拉伸之前，通过初始应力，与磁敏方向平行的方向(短边方向)上的应力分布成为短边方向的中央部变大这样的凸形状。在该情况下，第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2、以及第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4位于短边方向的中央部。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻成为大致相等的状态。在该情况下，将第一磁阻元件E1的电阻R1、第二磁阻元件E2的电阻R2、第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4设为5。
另一方面，在磁传感器元件1B被沿磁敏方向拉伸之后，即，在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在各磁阻元件中作用有应力Bstress。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻从磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之前发生变化。
具体而言，第一磁阻元件E1的电阻R1、第二磁阻元件E2的电阻R2、第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4从5变化到4。
另一方面，在磁传感器元件1B被沿磁敏方向拉伸的情况下，与该磁敏方向平行的磁传感器元件1B的中央部在与磁敏方向正交的方向上被压缩。因此，在将磁阻元件部配置于磁传感器元件1B的中央部的情况下，如上所述，通过逆磁致伸缩效应而表现出的磁性膜13的应力诱导各向异性的方向与偏置磁场的方向平行。由此，能够抑制因应力诱导各向异性而引起的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻的变动。
图15是示出在实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图15所示，在磁传感器元件1B被沿磁敏方向拉伸之前，如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2为相同的值，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.5。其结果是，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。
图16是示出在实施方式3的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及两个中点电位之差的图。
如图16所示，在磁传感器元件1B被沿磁敏方向拉伸之后，也如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第二磁阻元件E2的电阻R2为相同的值，第三磁阻元件E3的电阻R3及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.5。由此，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。其结果是，在实施方式3的磁传感器中，能够抑制中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff在拉伸前后发生变化。
在实施方式3的磁传感器中，也在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性膜13的应力诱导各向异性，由此能够提高针对应力变动的可靠性。
此外，在实施方式3的磁传感器中，作为磁阻元件部的层叠体11包括第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向平行的方向，按照第三磁阻元件E3、第四磁阻元件E4、第二磁阻元件E2及第一磁阻元件E1的顺序呈列状排列配置，并且串联地电连接，从连接第一磁阻元件E1及第二磁阻元件E2之间的连接部检测第一磁阻元件E1与第二磁阻元件E2的中点电位，从连接第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4间的连接部检测第三磁阻元件E3与第四磁阻元件E4的中点电位。
由此，如上所述，在拉伸前后，能够抑制中点电位Vout1的变动，并且也能够抑制中点电位Vout2的变动。
(比较例)
图17是示出比较例的构成磁阻元件部的多个磁阻元件的图案、以及磁传感器元件被拉伸的情况下的向各磁阻元件作用的力及各磁阻元件的磁化方向等的概要图。
如图17所示，比较例的磁传感器在与实施方式1的磁传感器100相比的情况下，主要是构成磁阻元件部的多个磁阻元件的配置图案不同，并且在磁性膜13具有正的磁致伸缩常数的这一点不同。其他结构大致相同。
磁传感器元件1X包括沿行方向排列配置的第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4。第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4沿着与偏置磁场的方向正交的磁敏方向，按照第三磁阻元件E3、第四磁阻元件E4、第二磁阻元件E2及第一磁阻元件E1的顺序排列配置。
第三磁阻元件E3的一端侧通过布线图案而与电极焊盘Vdd电连接。第三磁阻元件E3的另一端侧通过布线图案而与第四磁阻元件E4的一端侧电连接，并且与电极焊盘S2电连接。
第四磁阻元件E4的一端侧通过布线图案而与第三磁阻元件E3的另一端侧连接，并且与电极焊盘S2电连接。第四磁阻元件E4的另一端侧通过布线图案而与第二磁阻元件E2的一端侧电连接，并且与电极焊盘G电连接。
第二磁阻元件E2的一端侧通过布线图案而与第四磁阻元件E4的另一端侧电连接，并且与电极焊盘G电连接。第二磁阻元件E2的另一端侧通过布线图案而与第一磁阻元件E1的一端侧电连接，并且与电极焊盘S1电连接。
第一磁阻元件E1的一端侧通过布线图案而与第二磁阻元件E2的另一端侧电连接，并且与电极焊盘S1电连接。第二磁阻元件E2的另一端侧与电极焊盘Vdd电连接。
当向电极焊盘Vdd与电极焊盘G之间施加电压时，根据磁场强度而从电极焊盘S1及电极焊盘S2取出中点电位Vout1及中点电位Vout2。
在该情况下，中点电位Vout1及中点电位Vout2也与实施方式1同样地由上述的式(1)及式(2)表示。
图18是示出比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸的情况下的多个磁阻元件的电阻的变化的图。需要说明的是，在图18中，以虚线表示向拉伸前的磁阻元件作用的力，以实线表示向拉伸后的磁阻元件作用的力，并且，以数值(相对比率)表示拉伸前后的各磁阻元件的电阻。
如图18所示，在磁传感器元件1X被沿磁敏方向拉伸之前，通过初始应力，与磁敏方向平行的方向(短边方向)上的应力分布成为短边方向的中央部变大这样的凸形状。在该情况下，第二磁阻元件E2及第四磁阻元件E4位于短边方向的中央部的附近，接着，第一磁阻元件E1及第三磁阻元件E3从短边方向的中央部分离地配置。
因此，第二磁阻元件E2的电阻R2与第四磁阻元件E4的电阻R4成为大致相等的状态。另外，第一磁阻元件E1的电阻R1与第三磁阻元件E3的电阻R3成为大致相等的状态。在该情况下，将第二磁阻元件E2的电阻R2及第四磁阻元件E4的电阻R4设为4，将第一磁阻元件E1的电阻R1及第三磁阻元件E3的电阻R3设为2。
另一方面，在磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之后，即，在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在各磁阻元件中作用有应力Bstress，并且，在与磁敏方向平行的方向上表现出磁性膜13的应力诱导各向异性。由此，第一磁阻元件E1、第二磁阻元件E2、第三磁阻元件E3及第四磁阻元件E4的电阻从磁传感器元件1被沿磁敏方向拉伸之前较大地发生变化。
具体而言，第一磁阻元件E1的电阻R1从3变化到2。第二磁阻元件E2的电阻R2从4变化到5。第三磁阻元件E3的电阻R3从2变化到1。第四磁阻元件E4的电阻R4从4变化到3。
图19是示出在比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之前从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图19所示，在磁传感器元件1X被拉伸之前，如上所述，第一磁阻元件E1的电阻R1及第三磁阻元件E3的电阻R3为相同的值，第二磁阻元件E2的电阻R2及第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值。因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为相同的值。具体而言，中点电位Vout1及中点电位Vout2成为0.667。其结果是，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为0。
图20是示出在比较例的磁传感器元件被沿磁敏方向拉伸之后从第一磁阻元件向第四磁阻元件的各磁阻元件作用的力、第一磁阻元件与第二磁阻元件的中点电位、第三磁阻元件与第四磁阻元件的中点电位、以及这两个中点电位之差的图。
如图20所示，在磁传感器元件1X被沿磁敏方向拉伸之后，第一磁阻元件E1的电阻R1与第四磁阻元件E4的电阻R4为相同的值，但第二磁阻元件E2的电阻R2的值与第四磁阻元件E4的电阻R4的值不同。
因此，根据上述的式(1)及式(2)算出的中点电位Vout1及中点电位Vout2相互成为不同的值。具体而言，中点电位Vout1成为0.625，中点电位Vout2成为0.75。由此，中点电位Vout1与中点电位Vout2之差即Voff成为-0.125。
这样，在比较例的磁传感器中，通过在与磁敏方向平行的方向上表现出磁性膜13的应力诱导各向异性，从而在拉伸前后，不仅中点电位Vout1及中点电位Vout2变动，Voff也会变动。由此，在比较例的磁传感器中，针对应力变动的可靠性会下降。
(变形例)
图21是示出在变形例的磁传感器元件被沿磁敏方向压缩的情况下作用的力的图。参照图21对变形例的磁传感器进行说明。
如图21所示，变形例的磁传感器在与实施方式1的磁传感器100相比的情况下，磁传感器元件1的磁性膜13不同。其他结构大致相同。
在变形例中，磁性膜13具有正的磁致伸缩常数。磁性膜13形成为磁致伸缩常数λ成为-1ppm＜λ＜0ppm。在变形例中，在对基板10沿与磁敏方向平行的方向作用了压缩应力的情况下，在与偏置磁场的方向平行的方向上表现出磁性膜的应力诱导各向异性。
即便在像这样构成的情况下，变形例的磁传感器也得到与实施方式1的磁传感器大致相同的效果。
需要说明的是，在变形例中，示例出作为磁阻元件部的层叠体中的多个磁阻元件的图案是与实施方式1相同的图案的情况而进行了说明，但不限于此，也可以为与实施方式2或实施方式3相同的图案。
(其他的变形例)
在实施方式1至3及变形例中，示例出第一磁阻元件E1至第四磁阻元件E4具有直线状的形状的情况而进行了说明，但不限于此，也可以具有通过使较长的短条状图案与较短的短条状图案交替地正交而连接从而形成的蜿蜒形状。
在实施方式1至3及变形例中，示例出在磁传感器元件1内形成有一个由四个电阻区域构成的惠斯通电桥电路的情况而进行了说明，但不限于此。例如，也可以在磁传感器1内不构成电桥电路，而仅由一个电阻形成磁阻元件部，还可以在一个磁传感器元件1内形成多个电桥电路。
(实施方式4)
(电流传感器)
图22是实施方式4的电流传感器的立体图。图23是实施方式4的电流传感器的俯视图。图24是实施方式4的电流传感器的主视图。
如图22至图24所示，电流传感器200具备支承基板150和两个磁传感器100。电流传感器200基于磁传感器100的磁检测来检测在被检测体流过的电流。
两个磁传感器100具有与实施方式1的磁传感器100大致相同的结构。
支承基板150例如由集成芯片构成。在支承基板150搭载有两个磁传感器100。在支承基板150设置有对从两个磁传感器100分别输出的信号实施规定的信号处理(差动放大等)的电路(省略图示)。
电流传感器200配置为，图24中的左右方向上的一端侧位于汇流条210的上方，图24中的左右方向上的另一端侧位于汇流条220的下方。电流传感器200由图24中所示的双点划线示出，配置在形成于汇流条210与汇流条220之间的阶梯空间S。
在汇流条210、220流过测定对象的电流。汇流条210及汇流条220在从其法线方向观察的情况下排列设置。汇流条210及汇流条220在上下方向上错开配置。汇流条210、220例如通过与车载蓄电池连接的电源供给用的棒状导体分支而构成。
电流传感器200利用两个磁传感器100来检测从汇流条210、220赋予的磁(磁场)。在该情况下，从磁铁(未图示)向磁阻元件施加的偏置磁场的方向成为图24中的前后方向。电流传感器200的磁检测方向(磁敏方向)成为图24中的左右方向。
通过汇流条210位于支承基板150的背面侧，汇流条220位于支承基板150的表面侧，从而当在汇流条210、220沿图23所示的箭头方向流过电流时，向两个磁传感器100赋予与支承基板150的表面平行的方向(图24中左右方向)且互不相同(相反)的方向的磁向量(参照图24中的单点划线箭头)。
利用两个磁传感器100将磁向量分别作为电压值(霍尔电压)来检测，由此，基于这些各检测的磁向量(电压值)的差动放大值，能够检测(差动检测)在汇流条210及汇流条220流过的电流。
通过像这样取磁向量的差分值(相减)，从而抵消(消除)、去除外部干扰(外部干扰磁场)的影响，仅提取、检测与由于在上述被检测体(汇流条)流过电流而引起的磁(磁场)对应的信号成分。
在实施方式4的电流传感器200中，通过具备实施方式1的两个磁传感器100，得到与实施方式1大致相同的效果。
需要说明的是，在实施方式4中，示例出电流传感器200具备实施方式1的磁传感器100的情况进行了说明，但不限于此。电流传感器200具备实施方式2、3、变形例、及其他变形例中的任一种磁传感器即可。
以上，此次公开的实施方式在全部方面为例示，并不是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出，包括与权利要求书同等的含义及范围内的全部变更。
附图标记说明：
1、1A、1X磁传感器元件，2引线框，3接合构件，4键合线，5模制构件，10基板，11层叠体，12基底膜，13磁性膜，14保护膜，15电极部，16保护层，16a接触孔，100磁传感器，150支承基板，200电流传感器，210、220汇流条，E1第一磁阻元件，E2第二磁阻元件，E3第三磁阻元件，Ed第四磁阻元件。

Claims (7)

1.一种磁传感器，具备：
基板；以及
磁阻元件部，其在所述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与所述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，
所述磁阻元件部包括具有负的磁致伸缩常数的磁性膜，
在对所述基板沿与所述磁敏方向平行的方向作用了拉伸应力的情况下，在与所述偏置磁场的方向平行的方向上表现出所述磁性膜的应力诱导各向异性。
2.一种磁传感器，具备：
基板；以及
磁阻元件部，其在所述基板上被设置为具有规定的磁敏方向，在与所述磁敏方向正交的方向上被施加偏置磁场，
所述磁阻元件部包括具有正的磁致伸缩常数的磁性膜，
在对所述基板沿与所述磁敏方向平行的方向作用了压缩应力的情况下，在与所述偏置磁场的方向平行的方向上表现出所述磁性膜的应力诱导各向异性。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其中，
所述基板具有长条形状，该长条形状具有长边方向，
所述磁敏方向与所述长边方向平行。
4.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其中，
所述磁阻元件部包括第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件，
所述第一磁阻元件、所述第二磁阻元件、所述第三磁阻元件及所述第四磁阻元件沿着与所述偏置磁场的方向平行的方向，按照所述第三磁阻元件、所述第四磁阻元件、所述第二磁阻元件及所述第一磁阻元件的顺序呈列状排列配置，并且串联地电连接，
从连接所述第一磁阻元件及所述第二磁阻元件之间的连接部检测所述第一磁阻元件与所述第二磁阻元件的中点电位，
从连接所述第三磁阻元件及所述第四磁阻元件之间的连接部检测所述第三磁阻元件与所述第四磁阻元件的中点电位。
5.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其中，
所述磁阻元件部包括配置为矩阵状的第一磁阻元件、第二磁阻元件、第三磁阻元件及第四磁阻元件，
由所述第一磁阻元件、所述第二磁阻元件、所述第三磁阻元件及所述第四磁阻元件构成全桥电路。
6.根据权利要求5所述的磁传感器，其中，
所述第一磁阻元件及所述第二磁阻元件沿着与所述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第一半桥电路，
所述第三磁阻元件及所述第四磁阻元件沿着与所述偏置磁场的方向平行的方向呈列状排列配置，并且构成第二半桥电路，
由所述第一半桥电路及所述第二半桥电路构成所述全桥电路，
从连接所述第一磁阻元件及所述第二磁阻元件之间的连接部检测所述第一磁阻元件与所述第二磁阻元件的中点电位，
从连接所述第三磁阻元件及所述第四磁阻元件之间的连接部检测所述第三磁阻元件与所述第四磁阻元件的中点电位。
7.一种电流传感器，具备：
汇流条，其流过测定对象的电流；以及
权利要求1至6中任一项所述的磁传感器。
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