JP2012044062A - 回路基板およびその製造方法、銅箔の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、前記OH基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
図1は、電着樹脂を使った第1の実施形態による回路基板の製造方法の全体を概略的に示すフローチャートである。ただし本実施形態は、回路基板以外にも、装飾用途の樹脂成型体の形成にも有用である。
次に、通常の熱可塑性あるいは熱硬化性樹脂(以下、通常の樹脂という)を使用する第2の実施形態について説明する。
ゼオライト粉末(和光純薬株式会社製ゼオライトA−3)を目開き10μmの精密ふるいにより篩い分け、篩い目の通過物を試料とした。この試料を底面が平らな石英容器に移し、低圧水銀灯(岩崎電気製アイーUV−オゾン洗浄装置)により、120秒間UVオゾン処理を行った。容器中のゼオライトを軽く攪拌して、再び、120秒間UVオゾン処理を行った。合計5回UVオゾン処理を行った。次に、ビニルトリメチルシランの1.0重量%水溶液を1kg調製し、この水溶液中に、上記UVオゾン処理を行ったゼオライト50gを入れて、容器全体を5分間攪拌した。次いで前記水溶液からゼオライトを分離し、十分に水洗し、100℃で1時間、乾燥および熱処理を行った。これらの操作により、ゼオライトの表面および細孔内は、ビニルシランカップリング剤と結合する。
カチオン電着樹脂として、アミノアクリル樹脂系カチオン電着塗料(株式会社シミズ 商品名:エレコートCM)を使用した。この塗料溶液中に、前記実施例1で表面処理を施したゼオライトを、樹脂固形分に対して25重量%になるように添加した。均一混合後に、銅板を負極として50Vで120秒間電着した。形成できた膜厚は約25μmであった。さらに120℃で60分間熱処理し、加熱硬化した電着塗膜を得た。
次にこの試験片を使用して無電解銅めっきを行い、シード層を形成した。前記シード層の形成にはPd/Snコロイド溶液を使用し、また、ホルムアルデヒドを還元剤とする硫酸銅溶液中に室温で30分間浸漬することにより、無電解銅めっきを行った。次にこのようにして形成された無電解銅めっきシード層を陰極として電気銅めっきを行い、前記電着塗膜上に厚さ約35μmの銅めっき薄膜を形成した。JIS−C6481に準じて前記銅めっき薄膜の密着強度を測定したところ、10N/cmの密着力が得られるのが確認された。
液状エポキシ樹脂(ナガセケムテックス株式会社製CY230)100重量部、および硬化剤(ナガセケムテクス株式会社製
ハードナーHY951)10重量部、および、前記実施例1で調製したゼオライトを30重量部添加して十分に攪拌し、底面が平らな容器に混合樹脂を流し込み、その後50℃で24時間熱処理を行い、100mm×100mm×5mmのエポキシ樹脂の平板を成形した。
上記平板を使用して無電解銅めっきを行いシード層を形成した。この場合もシード層の形成にはPd/Snコロイド溶液を使用し、また、ホルムアルデヒドを還元剤とする硫酸銅溶液中に室温で30分間浸漬することにより、無電解銅めっきを行った。次にこのエポキシ樹脂の平板上に形成された無電解メッキシード層を陰極として電気銅めっきを行い、厚さ約35μmの銅めっき薄膜を形成した。JIS−C6481に準じて銅めっきの密着強度を測定し、12N/cmの密着力を得た。
電着塗料の場合
実施例1と同じアミノアクリル樹脂系カチオン電着塗料を使用し、無機充填材を含有させずに、実施例1と同様の条件で電着操作を行い、銅板上に樹脂被膜を形成した。無電解銅めっきおよび電気銅めっきも実施例1と同様に行い、めっき密着力を測定したところ2N/cmであった。
液状エポキシ樹脂組成物の場合
実施例2と同じエポキシ樹脂を使用し、無機充填材を添加しないエポキシ樹脂の平板成形物を作成した。この樹脂の板に対して、実施例と同じく、無電解銅めっきに続いて電気銅めっきを行い、めっき密着力を測定した。めっき密着力は2N/cmであり、実施例にくらべるとはるかに小さい値であった。
(付記1)
樹脂基板と、少なくとも前記樹脂基板表面に埋設され、前記樹脂基板表面に部分的に露出された無機フィラー粒子と、前記無機フィラー粒子の表面に形成されたトリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を含む層と、前記樹脂層表面に形成され、前記無機フィラー粒子と前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を含む層で接する銅パタ―ンと、を含むことを特徴とする回路基板。
(付記2)
前記トリアジンチオールはトリアジントリチオールを含み、トリアジンチオール系化合物はトリアジントリチオール系化合物を含むことを特徴とする付記1記載の回路基板。
(付記3)
前記無機フィラー粒子は、0.1μm以上で10μm以下の平均粒径を有することを特徴とする付記1または2記載の回路基板。
(付記4)
前記無機フィラー粒子は、前記樹脂基板中に、前記樹脂基板を構成する樹脂1フィラー量部に対して10重量部以上で40重量部以下の割合で含まれることを特徴とする付記1〜3のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記5)
前記無機フィラー粒子は、アルミナ、シリカ、ゼオライト、窒化ホウ素、窒フィラー、炭化珪素、活性炭よりなる群から選ばれることを特徴とする付記1〜4のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記6)
前記無機フィラー粒子は前記樹脂基板の表面の電着樹脂層中に埋設されていることを特徴とする付記1〜5のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記7)
前記樹脂基板は熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂よりなることを特徴とする付記1〜5のうち、いずれか一項記載の回路基板。
(付記8)
前記樹脂基板はポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ブタジエン樹脂、ABS樹脂、PMMA樹フィラーコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂よりなる群から選ばれ、前記無機フィラー粒子は前記樹脂基板中に一様に分布していることを特徴とする付記7記載の回路基板。
(付記9)
無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、
前記OH基が結合した無機フィラーをビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、
前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオール、またはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、
前記トリアジンチオールまたはトリアジンチオール系化合物を結合したフィラー無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、
前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、
前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
(付記10)
前記トリアジンチオールはトリアジントリチオールを含み、トリアジンチオール系化合物はトリアジントリチオール系化合物を含むことを特徴とする付記9記載の回路基板の製造方法。
(付記11)
前記無機フィラーは0.1μm以上10μm以下の平均粒径を有することを特徴とする付記9または10記載の回路基板の製造方法。
(付記12)
前記無機フィラー粒子を前記樹脂前駆体中に混合する工程は、前記無機フィラー粒子を電着塗料溶液中に分散する工程と、前記電着塗料樹脂中に配設された樹脂基体に電圧を印加し、前記樹脂基体上に前記樹脂フィラー粒子が分散した電着樹脂層を形成する工程とを含むことを特徴とする付記9〜11のうち、いずれか一項記載の回路基板の製造方法。
(付記13)
前記無機フィラー粒子を前記樹脂前駆体中に混合する工程は、前記樹脂前駆体中に前記無機フィラー粒子を混合する工程を含み、前記樹脂基板を形成する工程は、前記無機フィラー粒子を混合された前記樹脂前駆体を成形の上、硬化させる工程を含むことを特徴とする付記9〜11記載の回路基板の製造方法。
(付記14)
無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、
前記OH基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、
前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオール、またはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、
前記トリアジンチオールまたはトリアジンチオール系化合物を結合したフィラー無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、
前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂成型体を形成する工程と、
前記樹脂成型体上に銅箔を、メッキにより形成する工程と、を含むことを特徴とする樹脂成形体上への銅箔の形成方法。
41 石英容器
42 UVランプ
43,45,51 容器
44 シランカップリング剤
46 トリアジントリチオール水溶液
52 カチオン電着塗料水溶液
53 樹脂基体
54 電極
60,80,91 樹脂基板
61 電着樹脂
62 銅無電解メッキ層
63 銅メッキ層
81 ガラスクロス
82A,82B ビルドアップ樹脂層
82C スルーホール
83,84,92 銅メッキパタ―ン
Claims (7)
- 樹脂基板と、少なくとも前記樹脂基板表面に埋設され、前記樹脂基板表面に部分的に露出された無機フィラー粒子と、前記無機フィラー粒子の表面に形成されたトリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を含む層と、前記樹脂層表面に形成され、前記無機フィラー粒子と前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を含む層で接する銅パタ―ンと、を含むことを特徴とする回路基板。
- 前記トリアジンチオールはトリアジントリチオールを含み、トリアジンチオール系化合物はトリアジントリチオール系化合物を含むことを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記無機フィラー粒子は、0.1μm以上で10μm以下の平均粒径を有することを特徴とする請求項1または2記載の回路基板。
- 前記無機フィラー粒子は、前記樹脂基板中に、前記樹脂基板を構成する樹脂1フィラー量部に対して10重量部以上で40重量部以下の割合で含まれることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の回路基板。
- 前記無機フィラー粒子は、アルミナ、シリカ、ゼオライト、窒化ホウ素、窒フィラー、炭化珪素、活性炭よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の回路基板。
- 無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、
前記OH基が結合した無機フィラーをビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、
前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオール、またはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、
前記トリアジンチオールまたはトリアジンチオール系化合物を結合したフィラー無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、
前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、
前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 無機フィラー粒子の表面に、UVオゾン処理によりOH基を形成する工程と、
前記OH基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、
前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオール、またはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、
前記トリアジンチオールまたはトリアジンチオール系化合物を結合したフィラー無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、
前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂成型体を形成する工程と、
前記樹脂成型体上に銅箔を、メッキにより形成する工程と、を含むことを特徴とする樹脂成形体上への銅箔の形成方法。
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