JP2012043846A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板13はマザー基板32と接続する接続面の中心線(A−A線)近傍に凹部14を有する。この凹部14に形成された電極34の端部がLED素子12の発光層と積層する電極45に近接し接続している。この凹部14は、回路基板13が配列した集合基板32にあけたスルーホール52が回路基板13の個片化時に切断されたものである。この結果、LED素子12の発熱源である発光層からマザー基板32までの間の熱抵抗が小さくなり放熱効率が改善する。
【選択図】図1
Description
構造10)は、LED素子(発光ダイオードチップ24)からマザー基板までの間に回路基板(基板22)と金属導線架12がある。しかしながら、たとえ金属導線架12の熱伝導率が高く且つフリップチップ実装を採用しているといっても、意図的に基板22に熱抵抗を下げる工夫を施さない限り放熱効率は向上しない。なお特許文献2は、LED装置の小型化を目的としており、放熱に係わる課題について何も言及していない。
前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する前記回路基板の実装面と直交しマザー基板と接続する接続面を備え、
該接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に凹部を有し、
該凹部には電極が形成され、
該電極の前記実装面側の端部が前記半導体発光素子の発光層と積層する電極に近接し接続することを特徴とする。
(第1実施形態)
(a):樹脂層11は蛍光体樹脂37と反射枠38からなっており、反射枠38が蛍光体樹脂37を取り囲んでいる。
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12とセラミックインク層36が現れる。
(c):LED素子12及びセラミックインク層36を取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35,46,47が現れる。
下面に形成されたP電極45は図の右上隅以外の三隅を占め、N電極44は右上隅を占めている。特殊な平面形状をしたP及びN電極45,44は、ホトリソグラフィ法を併用した電解メッキ法で形成した。
(第2実施形態)
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12と樹脂シート36cが現れる。LED素子12は樹脂シート36cの開口部36に配置されている。
(c):LED素子12及び樹脂シート36cを取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35c,46c,47cが現れる。さらに本実施形態では凹部14,15,16も見える。
なおLED素子12からマザー基板に至る熱抵抗は第1実施形態と同等である。
11…樹脂層(封止材)、
12…LED素子(半導体発光素子)、
13,13a,13b…回路基板、
14,15,16…凹部、
31…ハンダ、
32…マザー基板、
33,34,35,35a,35b,35c,46,46a,46b,46c,
47,47a,47b,47c…電極、
36…セラミックインク層、
36a,36d…開口部、
36c…樹脂シート、
37…蛍光体樹脂、
38…反射枠、
44…N電極、
45…P電極、
50…集合基板、
51…切断線、
52,52a,52b…スルーホール、
61…銅箔、
62…金属層。
Claims (5)
- 回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装した側面発光型の半導体発光装置において、
前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する前記回路基板の実装面と直交しマザー基板と接続する接続面を備え、
該接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に凹部を有し、
該凹部には電極が形成され、
該電極の前記実装面側の端部が前記半導体発光素子の発光層と積層する電極に近接し接続することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記回路基板が集合基板から個片化されたものであり、前記凹部が前記集合基板に対して形成したスルーホールを前記個片化時に切断したことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記半導体発光素子が封止材により封止され、該封止材と前記凹部との間に隔離層を備えることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
- 前記隔離層が銅箔であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
- 前記隔離層が樹脂シートであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
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