JP2012043846A - 半導体発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】マザー基板に実装したとき発光方向がマザー基板と略平行となる側面発光型のLED装置において、LED素子を回路基板にフリップチップ実装しただけでは放熱効率は改善しないので、回路基板の熱抵抗を下げることを目的とする。
【解決手段】回路基板13はマザー基板32と接続する接続面の中心線(A−A線)近傍に凹部14を有する。この凹部14に形成された電極34の端部がLED素子12の発光層と積層する電極45に近接し接続している。この凹部14は、回路基板13が配列した集合基板32にあけたスルーホール52が回路基板13の個片化時に切断されたものである。この結果、LED素子12の発熱源である発光層からマザー基板32までの間の熱抵抗が小さくなり放熱効率が改善する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体発光素子をフリップチップ実装した半導体発光装置に関し、詳しくはその半導体発光装置をマザー基板に実装したとき発光方向がマザー基板と略平行となる側面発光型の半導体発光装置に関する。
半導体発光素子(以後とくに断らない限りLED素子と呼ぶ)を回路基板に実装しパッケージ化した半導体発光装置(以後とくに断らない限りLED装置と呼ぶ)のなかで、マザー基板に実装したとき発光方向がマザー基板と略平行となる側面発光型のLED装置が知られている。例えば、特許文献1の図1には側面発光型LEDランプ(LED装置)が示されている。
特許文献1の図1を図8に示す。図8において、(a)はLED装置の正面図、(b)は裏面図である。LED搭載基板21(回路基板)には反射枠23が取り付けられている。反射枠23の前面にはハンダ付けパターン31a,31bが縦方向に設けられており、このハンダ付けパターン31a,31bと端子パターン24a、24bでLED装置22を実装基板(マザー基板)側に固定する。反射枠23の内部空間にはLED素子22を覆うように透明又は半透明の光透過性樹脂が充填されている。LED素子22はLED搭載基板21にダイボンディングされ、ワイアー22aにより給電される。端子パターン24a,24bは実装基板の電源電極ラインに接続される。
最近ではLED素子の性能が向上したため、LED素子に大きな電流を印加して強く発光させることが可能となった。このためLED素子の発熱が課題となってきたので、放熱効率が良いことで知られるフリップチップ実装が有望視されている。例えば特許文献2の図2,3にはLED素子をフリップチップ実装した側面発光型のLED装置が示されている。
特許文献2の図2,3を図9に示す。図9(a)は立体構造を示す概念図で、(b)はその断面図である。発光ダイオードパッケージ構造10(LED装置)において、金属導線架12には内導線部122と外導線部124とがある。金属導線架12の中央部には開口14が形成されている。導線架12の外導線部124は、外部への導電ピンとしてプラスチックハウジング16の両側で湾曲している。開口14は、金属導線架12によって第1の収納空間18と第2の収納空間20とに隔離されている。基板22(回路基板)上には発光ダイオードチップ24(LED素子)がフリップチップ実装され、発光ダイオードチップ24と基板22は共晶材26により電気的に接続される。基板22は、導電接着剤28により内導線部122上に実装されている。発光ダイオードチップ24の発光は開口14を介してプラスチックハウジング16から出射する。
特開2003−234507号公報 (図1) 特開2005−317820号公報 (図2,図3)
放熱効率は、主にLED素子の発熱部から回路基板を経てマザー基板に至るまでの熱伝導路で決まる。特許文献2の図2,3で示されるLED装置(発光ダイオードパッケージ
構造10)は、LED素子(発光ダイオードチップ24)からマザー基板までの間に回路基板(基板22)と金属導線架12がある。しかしながら、たとえ金属導線架12の熱伝導率が高く且つフリップチップ実装を採用しているといっても、意図的に基板22に熱抵抗を下げる工夫を施さない限り放熱効率は向上しない。なお特許文献2は、LED装置の小型化を目的としており、放熱に係わる課題について何も言及していない。
そこで本発明は、この課題に鑑みてなされたものであり、半導体発光装置をマザー基板に実装したとき発光方向がマザー基板と略平行となる側面発光型の半導体発光装置において、回路基板の熱抵抗を下げ放熱効率を改善することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明は、回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装した側面発光型の半導体発光装置において、
前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する前記回路基板の実装面と直交しマザー基板と接続する接続面を備え、
該接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に凹部を有し、
該凹部には電極が形成され、
該電極の前記実装面側の端部が前記半導体発光素子の発光層と積層する電極に近接し接続することを特徴とする。
前記回路基板が集合基板から個片化されたものであり、前記凹部が前記集合基板に対して形成したスルーホールを前記個片化時に切断したものであっても良い。
前記半導体発光素子が封止材により封止され、該封止材と前記凹部との間に隔離層を備えることが好ましい。
前記隔離層が銅箔であっても良い。
前記隔離層が樹脂シートであっても良い。
本発明の半導体発光装置において、マザー基板と接続する回路基板の接続面に存在する接続用の電極は、接続面に設けられた凹部に形成され、接続面の中心線近傍にある。回路基板の実装面では半導体発光素子の発光層と積層する電極が、この接続用電極の実装面側の端部に近接し接続している。この結果、半導体発光素子の発熱源である発光層から接続用電極までの熱抵抗を小さくできる。さらに半導体発光装置をマザー基板に実装するときには接続用電極が形成された凹部に半田等の金属が充填されるので、接続用電極とマザー基板の間の熱抵抗は小さい。以上のように、本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子の発熱源からマザー基板までの間の熱抵抗が小さくなり放熱効率が改善する。
本発明の第1実施形態におけるLED装置の斜視図。 図1のLED装置の斜視図。 図1のLED装置をマザー基板に実装した状態の断面図。 図1のLED装置における実装面側の平面図。 図1のLED装置の回路基板が配列した集合基板の平面図。 図1のLED装置の製造工程の説明図。 本発明の第2実施形態におけるLED装置の実装面側の平面図。 従来の側面発光型LED装置の斜視図。 従来の側面発光型LED装置の説明図。
以下、添付図1〜7を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。
(第1実施形態)
添付図1〜6により第1実施形態について説明する。図1及び図2は本実施形態のLED装置(半導体発光装置)の外観を説明するために描いた斜視図である。LED装置10の回路基板13にはLED素子12(半導体発光素子)がフリップチップ実装されている。LED素子12及びLED素子12の実装面は蛍光体を含有した樹脂層11(封止材)で覆われている。なお樹脂層11は不透明であるが、説明のため透視できるよう描いている。
LED装置10において、LED素子12を実装する回路基板13の実装面と、マザー基板と接続するための回路基板13の接続面とは直交している。接続面には実装面と直交する中心線(A−A線)近傍に凹部14があり、凹部14には電極34(図3で示す)が形成されている。この電極34の実装面側の端部がLED素子12の発光層と積層するP電極45(図4で示す)に近接しているため、発熱源である発光層からの熱が短い経路で凹部14の電極34に直接的に伝わってくる。
図3はLED装置10をマザー基板32に実装した状態の断面図であり、(a)が全体を示し、(b)が要部の拡大図である。(a)は図2のB−B線が含まれる断面を示している。マザー基板32上に配置されたLED装置10の凹部14(数字は図示せず)にはハンダ31が充填され、ハンダ31によりLED装置10とマザー基板32が接続している。LED装置10の発光は矢印33の示す方向(マザー基板と平行な方向)に出射する。
(b)は(a)においてCで囲んだ領域の拡大図である。樹脂層11は、蛍光体を含有する蛍光体樹脂37と白色の樹脂からなる反射枠38とからなっている。樹脂層11と回路基板13との間にはセラミックインク層36と電極35が存在する。回路基板13の凹部14(数字は図示せず)の表面には電極34が形成され、電極34は電極35と接続している。電極35は、樹脂層11の下端まで延出し樹脂層11やセラミックインク層36と凹部14とを隔てる隔離層としても機能している。マザー基板32の上面にも電極33が形成され、電極33はハンダ31により回路基板13の電極34と接続する。LED素子12(図示せず)が発する熱は、電極35に伝わり、電極34及びハンダ31を経由して電極33に達する。
図4により回路基板13の実装面を説明する。図4はLED装置10を実装面側から眺めた平面図であり、(a)は樹脂層11、(b)は樹脂層11を剥がした状態、(c)は回路基板13上に形成した電極、を示している。
(a):樹脂層11は蛍光体樹脂37と反射枠38からなっており、反射枠38が蛍光体樹脂37を取り囲んでいる。
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12とセラミックインク層36が現れる。
(c):LED素子12及びセラミックインク層36を取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35,46,47が現れる。
セラミックインク層36はオルガノポリシロキサン等のバインダ中に二酸化チタン等の反射性粒子を混練し焼結したものである。セラミックインク層36の開口部36aにはLED素子12が回路基板13にフリップチップ実装されている。ここでLED素子12の
下面に形成されたP電極45は図の右上隅以外の三隅を占め、N電極44は右上隅を占めている。特殊な平面形状をしたP及びN電極45,44は、ホトリソグラフィ法を併用した電解メッキ法で形成した。
LED素子12の発光層がLED素子12のp型半導体層と積層しているのに呼応し、P電極45は発光層と積層する。また実装面においてはP電極45が凹部14側に配置されるようLED素子12の向きが設定されており、P電極45と凹部14の電極34(図示せず)は電極35により太く短い経路で接続している。この結果、発光層が発する熱は小さな熱抵抗でP電極45及び電極35を経て電極34に伝わる。なお電極35は凹部14を覆う隔離層となっており、同様にN電極44と接続する電極46、フローティングの電極47もそれぞれ凹部15,16を覆う隔離層となっている。
図5により回路基板13を製造するための集合基板50を説明する。図5はLED装置10の回路基板13(図中では13a,13bと表示)が配列した集合基板の平面図である。集合基板50には切断線51によって区切られた領域に複数の回路基板13a,13b等が配列している。回路基板13aには電極35a,46a,47aが形成されており、同様に回路基板13bにも電極35b,46b,47bが形成されている。回路基板13aと回路基板13bは回転対称である。集合基板50の切断線51上にはスルーホール52が形成されている。スルーホール52のうち電極35a,35bと重なるスルーホール52aは切断線51で2分割される位置にあり、集合基板50を切断して回路基板13を個片化すると凹部14になる。同様にスルーホール52のうち電極46a,47bと重なるスルーホール52bは切断線51で4分割される位置にあり、集合基板50を切断して回路基板13を個片化すると凹部15,16になる。
図6によりLED装置10の製造工程を説明する。図6はLED装置10の製造工程の説明図である。(a)は加工前の集合基板50を準備する工程である。(b)は集合基板50にスルーホール52をあける工程である。(c)は集合基板に銅箔61を貼る工程である。(d)はスルーホール52と集合基板50の裏面に金属層62を形成する工程である。なお金属層62はスルーホール52の内面全体に亘って形成されるが、本図では断面のみ図示している。(e)は電極34,35,46,47を形成する工程である。電極35,46,47の表面はNi及びAuをメッキする。電極34側もハンダ付けし易いようにSnやハンダ等をメッキしておく。
(f)はセラミックインク層36を形成する工程である。セラミックインク層36は、先ず硬化前のセラミックインクをスクリーン印刷法で集合基板上に塗布し、これを約150℃程度で硬化させたものである。(g)はLED素子12を実装する工程である。LED素子12のP及びN電極45,44(図示せず)と回路基板の電極35,46とを対向させ、加圧しながら加熱し接合する。接合は、マザー基板へのリフロー接合温度よりも融点が高い金錫共晶接合を採用した。(h)は樹脂層を形成する工程である。この工程では、先ず図4で示した蛍光体樹脂37を形成する。次に蛍光体樹脂37に溝を掘る。最後にこの溝に白色の樹脂を流し込み硬化させて反射枠38(図4参照)を形成する。(i)はLED素子10を個片化する工程を示している。個片化に際しスルーホール52を切断したので、LED素子10の回路基板13には電極34等を備えた凹部14,15,16が形成される。
本実施形態では回路基板13と樹脂層11の間にセラミックインク層36を備えていた。このセラミックインク層13は、回路基板13の反射率を改善することと、回路基板13が樹脂である場合にLED素子12の発光による樹脂の劣化を防止すること、とを目的としていた。回路基板13がアルミナのように実装面の反射率が高く劣化防止が不要なときはセラミックインク層36を省くことができる。
(第2実施形態)
図7により第2実施形態を説明する。図7は本実施形態におけるLED装置10aの実装面側の平面図であり、(a)は樹脂層11、(b)は樹脂層11を剥がした状態、(c)は回路基板13上に形成し電極、を示している。なおLED装置10の外観は第1実施形態と等しいので共通の部材等は第1実施形態と同じ番号を用いている。
(a):第1実施形態の図4(a)と同じ構成である。樹脂層11は蛍光体樹脂37と反射枠38からなっており、反射枠38が蛍光体樹脂37を取り囲んでいる。
(b):樹脂層11を剥がすと、LED素子12と樹脂シート36cが現れる。LED素子12は樹脂シート36cの開口部36に配置されている。
(c):LED素子12及び樹脂シート36cを取り去ると、回路基板13及びその表面に形成された電極35c,46c,47cが現れる。さらに本実施形態では凹部14,15,16も見える。
なおLED素子12からマザー基板に至る熱抵抗は第1実施形態と同等である。
第1実施形態では実装面側の電極35,46,47が、スルーホール52へのセラミックインク層36及び樹脂層11(蛍光体樹脂37と反射枠38)の侵入を阻止していた。これに対し本実施形態は、スルーホール52へこれらの部材が侵入することを防ぐためスルーホール52の入口を樹脂シート36cで塞いでいる。つまり本実施形態では、第1実施形態の図6(e)に相当する工程(集合基板50に電極を形成する工程)のあとスルーホール52が開口しているため、LED素子12の実装部に開口部(36d)を備え且つスルーホール52に対応する領域が開口していない大判の樹脂シート36cを隔離層として集合基板50に貼りつける。この後、LED素子12の実装、樹脂層11の形成、LED装置10の個片化と進む。樹脂シート36cとして厚さが0.1mmのBTレジン(三菱瓦斯化学の商標名であり、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂)が使える。BTレジンは反射特性が良好であるのでセラミックインクを塗布する必要はない。なお樹脂シート36cの反射率や耐光性が問題になる場合には、セラミックインク層を備えていた方が良い。
10,10a…LED装置(半導体発光装置)、
11…樹脂層(封止材)、
12…LED素子(半導体発光素子)、
13,13a,13b…回路基板、
14,15,16…凹部、
31…ハンダ、
32…マザー基板、
33,34,35,35a,35b,35c,46,46a,46b,46c,
47,47a,47b,47c…電極、
36…セラミックインク層、
36a,36d…開口部、
36c…樹脂シート、
37…蛍光体樹脂、
38…反射枠、
44…N電極、
45…P電極、
50…集合基板、
51…切断線、
52,52a,52b…スルーホール、
61…銅箔、
62…金属層。

Claims (5)

  1. 回路基板上に半導体発光素子をフリップチップ実装した側面発光型の半導体発光装置において、
    前記回路基板は前記半導体発光素子を実装する前記回路基板の実装面と直交しマザー基板と接続する接続面を備え、
    該接続面は前記実装面と直交する中心線近傍に凹部を有し、
    該凹部には電極が形成され、
    該電極の前記実装面側の端部が前記半導体発光素子の発光層と積層する電極に近接し接続することを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記回路基板が集合基板から個片化されたものであり、前記凹部が前記集合基板に対して形成したスルーホールを前記個片化時に切断したことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
  3. 前記半導体発光素子が封止材により封止され、該封止材と前記凹部との間に隔離層を備えることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  4. 前記隔離層が銅箔であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
  5. 前記隔離層が樹脂シートであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

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