JP2012026026A - 成膜速度が速いアーク式蒸発源、このアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るアーク式蒸発源1は、ターゲット2の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット2表面と直交する方向に沿うように配置された1又は複数の外周磁石3と、ターゲット2の背面側に配置された背面磁石4とを備え、背面磁石4は、極性が外周磁石3と同方向で且つ磁化方向がターゲット2表面と直交する方向に沿うように配置されている非リング状の第1の永久磁石4Aを有し、第1の永久磁石4Aとターゲット2との間、又は、第1の永久磁石4Aの背面側に、第1の永久磁石4Aと間隔をあけて配置された非リング状の第2の永久磁石4Bを有し、第2の永久磁石4Bは、極性が外周磁石3と同方向で且つ磁化方向がターゲット2表面と直交する方向に沿うように配置されており、第1の永久磁石4Aと第2の永久磁石4Bとの間に磁性体5が配置されている。
【選択図】図2
Description
カソード放電型アーク式蒸発源は、カソードであるターゲットの表面にアーク放電を発生させ、ターゲットを構成する物質を瞬時に溶解し、イオン化したその物質を処理物である基材の表面に引き込むことで薄膜を形成している。このアーク式蒸発源は、蒸発速度が速く、蒸発したターゲットを構成する物質のイオン化率が高いことから、成膜時に基材にバイアスを印加することで緻密な皮膜を形成できるため切削工具などの耐摩耗性皮膜を形成するために産業的に用いられている。
アークスポットから放出される溶融ターゲット物質(マクロパーティクル)の量は、アークスポットが高速で移動する場合に抑制される傾向があり、その移動速度はターゲットに印加された磁界に影響されることが知られている。
さらには、カソード放電型アーク式蒸発源による成膜のようなPVD成膜により得られる皮膜には、原理的に圧縮応力が残留し、その応力は皮膜が厚くなるほど大きくなる傾向にある。また、圧縮応力が−2GPaより大きくなる(圧縮応力<−2GPa)と、皮膜の工具への密着性が低下して剥離し易くなる。切削工具に被覆する皮膜を厚くすることが可能になれば、切削工具の寿命を延ばすことができるが、前述した理由により、皮膜を厚くすることが出来ない。
さらに、特許文献3に開示された配置では、アーク放電は磁場の垂直成分(ターゲット表面に対する磁場の垂直方向の成分)が0になる点で優先的に放電する傾向があることから、永久磁石とリング磁石のほぼ中間部分にトラップされ、電磁コイルを使用しても、それより内周の部分にアーク放電を制御するのは困難であり、ターゲットの利用効率は高くならない。また、このような配置ではターゲットから前方に向かって伸びる磁力線の成分が無いことから、ターゲットから放出されたイオンは基材に向かって効率的に収束されない。
本発明に係るアーク式蒸発源は、ターゲットの外周を取り囲んでいて磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置された1又は複数の外周磁石と、前記ターゲットの背面側に配置された背面磁石とを備え、前記背面磁石は、極性が前記外周磁石と同方向で且つ磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置されている非リング状の第1の永久磁石を有すると共に、前記第1の永久磁石と前記ターゲットとの間、もしくは、前記第1の永久磁石の背面側に、前記第1の永久磁石と間隔をあけて配置された非リング状の第2の永久磁石をさらに有し、前記第2の永久磁石は、極性が前記外周磁石と同方向で且つ磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置されており、前記第1の永久磁石と前記第2の永久磁石との間に磁性体が配置されていることを特徴とする。
また、各磁石の磁極向きを同方向とした場合でも、背面磁石の形状が中実状でない(リング状である)場合、磁石の中心部から磁力線が発生しないため、ターゲット表面の中心部分から基材方向に伸びる磁力線を発生させることが出来ない。さらに、前記本発明の構成範囲外とした場合、ターゲット表面の中心部分から基材方向に伸びる磁力線を発生することができないため、成膜速度を向上する効果は得られない。
このように第1と第2の永久磁石を間隔を置いて配置しているのは、ターゲット表面の中心部分から基材方向に伸びる磁力線の直進性を向上するためである。磁力線の直進性を向上することにより、ターゲットから蒸発して、イオン化した粒子をコーティング基材に効率的に輸送することが出来るため、成膜速度が向上する。
本発明における最も大きな特徴は、ターゲット表面の中心部分から発生する直進性の高い磁力線の数を増大するために、第1の永久磁石と第2の永久磁石の間に磁性体を配置していることである。第1の永久磁石と第2の永久磁石の間に磁性体を配置しているのは、各永久磁石の互いに対向する面(端面)からのびる磁力線を漏れなく繋げ、ターゲット表面の中心部分から発生する直進性の高い磁力線の数をさらに増大させるためである。
好ましくは、前記磁性体の端面が、前記第1の永久磁石及び前記第2の永久磁石の端面とにそれぞれ密着してもよい。
また、前記ターゲットは円盤状であり、前記外周磁石はリング状の永久磁石であることとしてもよい。
このようにすることで、ターゲット表面より前方の磁力線の向きを基材方向に向けることができ、ターゲットから蒸発してイオン化した粒子をコーティング基材に効率的に輸送することが出来るため、成膜速度が向上する。
本発明に係る皮膜の製造方法は、上述したアーク式蒸発源を用いて、皮膜を形成することを特徴とする。
さらには、前記アーク式蒸発源を含む複数種の蒸発源を、隣接する蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備しておき、皮膜を形成することも好適である。
さらに好ましくは、前記アーク式蒸発源を含む複数種の蒸発源を、隣接する蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備してもよい。
[第1実施形態]
図1には、本発明の一実施形態に係るアーク式蒸発源1(以下、蒸発源1)が備えられた第1実施形態の成膜装置6が示されている。
成膜装置6は、真空チャンバ11を備え、真空チャンバ11内には処理物である基材7を支持する回転台12と、基材7に向けて取り付けられた蒸発源1が配備されている。真空チャンバ11には、当該真空チャンバ11内へ反応ガスを導入するガス導入口13と、真空チャンバ11内から反応ガスを排出するガス排気口14とが設けられている。
図1に示すように、蒸発源1は、円盤状(以下、「円盤状」とは所定の高さを有した円柱状のものも含む)のターゲット2と、ターゲット2の近傍に配備された磁界形成手段8と、ターゲット2の外周部に配置されたアノード17とを有している。なお、アノード17はグランド18に接続されており、同電位にある真空チャンバ11もアノード17として作用することができる。すなわち、蒸発源1は、カソード放電型のアーク式蒸発源である。
磁界形成手段8は、ターゲット2の外周に配置された外周磁石3と、ターゲット2の背面側に配置された背面磁石4とを有している。また、磁界形成手段8は、外周磁石3の極性の向きと背面磁石4の極性の向きとが同方向となるように外周磁石3及び背面磁石4が配置されている。
これら外周磁石3及び背面磁石4は、保持力の高いネオジム磁石により形成された永久磁石によって構成されている。
外周磁石3は、リング状であって、ターゲット2と同心軸状となるように配置されている。外周磁石3の磁化方向は、ターゲット2の軸心に沿うように(ターゲット2を構成する物質の蒸発面に対して垂直になるように)、且つ外周磁石3の径方向における投影面がターゲット2の径方向における投影面と重なるように配置されている。すなわち、外周磁石3は、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影することにより形成される影が互いに重なるように配置されている。
背面磁石4は、その磁化方向がターゲット2の軸心に沿うように(ターゲット2を構成する物質の蒸発面に対して垂直になるように)、且つターゲット2の背面側に配置されている。
磁界形成手段8が前述した構成であるため、ターゲット2の外周部の外周磁石3によって形成される磁界と、ターゲット2の背面側の背面磁石4によって形成される磁界の組合せにより、磁力線を基材7方向に誘導することが可能となる。
すなわち、「非リング状」とは、表面から外方へ向くいずれの法線も互いに交わらない形状をいう。
なお、図3は、第1の永久磁石4Aと第2の永久磁石4Bとを入れ替えた実施例2における磁界形成手段8を示している。
まず真空チャンバ11を真空引きにより真空にした後、アルゴンガス(Ar)等をガス導入口13より導入する。そして、ターゲット2及び基材7上の酸化物等の不純物をスパッタすることにより除去し、真空チャンバ11内を再び真空にした後、反応ガスをガス導入口13より真空チャンバ11内に導入する。この状態で真空チャンバ11に設置されたターゲット2上でアーク放電を発生させることによりターゲット2を構成する物質をプラズマ化し反応ガスと反応させることで、回転台12に置かれた基材7上に窒化膜、酸化膜、炭化膜、炭窒化膜、或いは非晶質炭素膜等を成膜する。
[実施例1、実施例2]
本発明に係る蒸発源1を用いた実施例1について説明する。
各円盤背面磁石4A、4Bは、保持力の高いネオジム磁石により形成されているため、磁界形成手段8全体をコンパクトにすることができる。
なお、磁性体5は、比透磁率が250以上の材料で形成されることで、磁気ガイドとしての機能が向上する。具体的には、コバルト(比透磁率は250、以下括弧内の数字は各材料の比透磁率を示す)、ニッケル(600)、炭素鋼(1000)、鉄(5000)、珪素鉄(7000)、純鉄(200000)等を用いるとよい。
なお、実施例2は、実施例1における第1の永久磁石4Aと第2の永久磁石4Bとを入れ替えただけであり、各永久磁石4A、4Bは、同一形状であるため、実施例2の説明も以下併せて行う。
外周磁石3は、外径が170mm、内径が150mm、厚さが10mmである。
実施例1において、反応ガスとして窒素(N2)を選択し、その圧力は4Pa、成膜時間は30分とした。ターゲット2にはアーク電源15を使用して150Aで放電させ、基材7にはバイアス電源16を用いて30Vの負電圧を印加している。
また、図4〜図7に示した比較例1〜比較例4においても、ターゲット2、外周磁石3、アーク電流値、反応ガス、成膜時間、印加した負電圧及び基材7に関する条件は同様である。
比較例2は、ターゲット2の背面側に配置された永久磁石がリング状である比較用の測定例である。この比較例2において、ターゲット2の背面側に配置したリング状の磁石は、外径が100mm、内径が80mm、厚さが10mmであって、ターゲット2表面から60mmと100mmの位置に配置している。
比較例4は、ターゲット2の背面側に配置された2つの永久磁石の形状が円盤状の磁石であるが、これらの永久磁石の間に磁性体を配置していない比較用の測定例である。
なお、表1では、比較例における各磁石も、便宜上、第1の永久磁石、第2の永久磁石としている。
成膜速度は、アーク放電により基材7に流れるイオン電流に比例することから、基材7に流れる電流値が大きいほど成膜速度が速いことがわかる。生産性、作業効率などを鑑みたとき、成膜速度に比例する電流値は1.5A以上であることが望ましいため、1.5A以上で合格とした。
比較例1の磁力線分布図は図4であるが、この図に示されたように、比較例1は、ターゲット2から前方に向かって伸びる磁力線がターゲット2の正面方向(すなわち、基材7方向)から大きくそれている。
詳しくは、比較例1では、ターゲット2の軸心に最も近い側の磁力線が、ターゲット2表面から基材7方向に約200mm進んだ地点で、すでにターゲット2の軸心から約28mmも離れてしまう(図4中の矢印A参照)。
同様に、比較例3、比較例4におけるターゲット2の軸心から最も近い側の磁力線は、ターゲット2表面から約200mmの地点で、ターゲット2の軸心から約20mm離れる(図6中の矢印C、及び図7中の矢印D参照)。
比較例1においては、ターゲット2の軸心から最も離れた側の磁力線が、ターゲット2表面から基材7方向に約50mmしか進んでいない地点で、すでにターゲット2の軸心から200mmも離れている、つまり大きくそれていることがわかる(図4中の矢印A’参照)。
このように比較例1〜比較例4では、ターゲット2から前方に向かって伸びる磁力線が基材7方向から大きくそれており、これに伴って、イオンの軌跡も基材7方向からそれる傾向にある。
また、イオンの軌跡が基材7から大きくそれ、成膜速度が遅いため、表1に示したように、比較例1〜比較例4での皮膜残留応力値は、それぞれ−2.40GPa、−2.30GPa、−2.25GPa、−2.09GPaを示し、皮膜残留応力の評価も不合格となっており、皮膜残留応力の低い皮膜が形成できない。
つまり、実施例1及び実施例2においては、ターゲット2の軸心に最も近い側の磁力線が、ターゲット2表面から基材7方向に200mm進んだ地点であっても、ターゲット2の軸心から20mmも離れていない(図8中の矢印E参照)ことから、基材7にはより多くの磁力線が直接伸びていることがわかる。
加えて、実施例1、実施例2では、磁性体5の端面が各円盤背面磁石4A、4Bの端面とそれぞれ密着しているが、これにより、各円盤背面磁石4A、4Bの端面からのびる磁力線を、漏れなく繋げることができる。
また、皮膜残留応力の絶対値は、2.0GPa以下を示し、皮膜残留応力の評価が合格となっており、残留応力の低い皮膜の形成が可能となる。
また、円盤背面磁石4A、4B及び磁性体5の直径は、80mmであってもよく、各磁石4A、4B及び磁性体5の表面の面積は1600πmm2、つまりターゲット2表面の面積2500πmm2の0.64倍(100分の64)となる。
なお、円盤背面磁石4A、4B及び磁性体5の表面の面積は、好ましくはターゲット2表面の面積の0.64倍(100分の64)以上であり、さらに好ましくはターゲット2表面の面積(つまり、ターゲット2表面の面積の1.0倍)以上である。また、好ましい上限としては、円盤背面磁石4A、4Bの直径は、ターゲット2の直径の1.5倍、つまりターゲット2表面の面積が2.25倍(4分の9)以下となる。
磁力線の平行成分は、ターゲット2表面に垂直な磁力線の成分(以下、「垂直成分」という)が0(0近傍の値を含む。以下同じ)となる点で強くなる。また、アーク放電は磁力線の垂直成分が0となる点で優先的におこる傾向がある。この垂直成分が0となる点はターゲット2表面に近い側の円盤背面磁石の表面までの距離で決まるが、距離が近い場合にはアーク放電が外周部で生じる傾向があり、イオンが外側で発生するが、距離を離すと磁力線の垂直成分が0となる点が中央部に寄り、イオンを効率的に基材7へと到達させることができる。
なお、垂直成分が0で、且つ、平行成分のみを有する磁力線の位置を変化させるために、各円盤背面磁石4A、4B及び磁性体5をターゲット2に対して近接離反するように前後に移動させる機構を組み込むことも可能である。このように、各磁石4A、4B及び磁性体5のターゲット2表面からの距離を変化させることで、磁力線の平行成分の強さを調節できると共に、磁力線の垂直成分が0となる点をコントロールすることができる。
[第2実施形態]
図9、図10には、上述したアーク式蒸発源1を複数備えた第2実施形態の成膜装置6が示されている。
この第2実施形態に係る成膜装置6の最も大きな特徴は、複数(4台)の蒸発源1を、真空チャンバ11内で上下に並べ、且つ隣接するアーク式蒸発源1の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的(図10(a)、(b)参照)に配置している点である。
この逆向き配置とは、例えば、基材7方向(ターゲット2から基材7に近づく方向)に磁力線が向くように蒸発源1を配置し、この蒸発源1に隣接する蒸発源1を、磁力線が基材7方向とは逆向き(基材7からターゲット2に向かって遠ざかる方向)となるように配置することを意味する。
例えば、1番上の蒸発源1Aの磁界形成手段8においてターゲット2表面側(基材7に近い側)がN極であり、上から2番目の蒸発源1Bではターゲット2表面側がS極であるため、隣接する1番上の蒸発源1Aと、2番目の蒸発源1Bとの間では、1番上の蒸発源1Aから2番目の蒸発源1Bに向かう磁力線が発生する(図9参照)。
なお、このような閉磁場領域Hは、蒸発源1A、1B以外の隣接する蒸発源1同士の間でそれぞれ形成されることとなる。
この結果、放出電子の濃度が各閉磁場領域H内で高まり、基材7の周辺で真空チャンバ11中の反応ガスと放出電子との衝突が増加し、高効率で反応ガスのイオン化が図れる。
したがって、隣接するアーク式蒸発源1の磁力線が互いにつながるように、複数のアーク式蒸発源1を配備することによって、成膜速度が上がり、さらに効率的な成膜が可能となる。
直線的に配備した場合には、上述の閉磁場領域Hの左右幅が狭くなって、放出電子濃度がさらに上がり、閉磁場領域H内の基材7をより高い効率で成膜できる。
なお、本発明において、「直線的に」配備するとは、上述のように上下1列に並べるだけでなく、真空チャンバ11の内面に左右1列に並べたり、斜め1列に並べることも含む。
基材7が閉磁場領域H内を通過するのであれば、回転台12や基材7のほうを回転させずともよく、蒸発源1が基材7の周りを回るように構成する等、成膜装置6は、閉磁場領域Hに対して基材7が順次相対的に移動する手段を有していればよい。
[第3実施形態]
図11は、上述の蒸発源1を複数備えた第3実施形態の成膜装置6を示している。
第3実施形態の違いは、複数(4台)の蒸発源1を、円周状に(基材7の周りを取り囲むように)配備している点である。
この配置によって、外周磁石3及び背面磁石4によって形成される磁力線が、隣り合うアーク式蒸発源1同士で互いに繋がることとなる。
図11に示すように、蒸発源1C、1D以外の隣接する蒸発源1同士の間でも磁力線がつながり、且つ各蒸発源1が基材7を囲んで円周状に配置されているため、それぞれの磁力線も基材7の周りを取り囲むようにつながる。
このように、蒸発源1からの放出電子が、基材7を含む大きな閉磁場領域H内にトラップされ、基材7周辺の放出電子の濃度が高まり、成膜速度の向上と同時に、基材7の大型化や数量の増加に対応した効率的な成膜が実現する。
したがって、回転台12で基材7を回転させることによって、基材7が各蒸発源1の前方側を順次通過することとなり、各アーク式蒸発源1のターゲット2を、同一の、あるいは異なる物質で構成して、基材7上に、同一の、あるいは異なる組成や厚みの皮膜を順次多層に成膜することが可能となる。
[第4実施形態]
図12には、上述のアーク式蒸発源1と、スパッタ式蒸発源21をそれぞれ複数備えた第4実施形態の成膜装置6が示されている。
ここで用いるスパッタ式蒸発源21は、真空チャンバ11中に導入した不活性ガス(アルゴン(Ar)、ネオン(Ne)、キセノン(Xe)等)を放電によってプラズマイオン化させ、このプラズマイオンをターゲット2にぶつけて(スパッタして)ターゲット物質を基材7側に弾き飛ばす一般的なスパッタリング方式の蒸発源である。
図12に示す如く、磁界形成手段8は、リング磁石4Cの極性の向きと円柱磁石4Dの極性の向き(磁極の向き)とが、互いに逆向きとなるようにリング磁石4C及び円柱磁石4Dが配置されている。
したがって、スパッタ式蒸発源21からの放出電子がこのプラズマ閉磁場領域H’内に閉じこめられて、プラズマ閉磁場領域H’内での不活性ガスのプラズマの濃度が高まり、より多くのプラズマイオンがターゲット2にぶつかることから、成膜効率を向上できる。
よって、スパッタ式蒸発源21のリング磁石4Cと、アーク式蒸発源1の磁界形成手段8によって形成される磁力線が、隣り合う蒸発源1、21同士で互いに繋がることとなる。
つまり、スパッタ式蒸発源21の近傍で高いプラズマ濃度を保ったまま、閉磁場領域H内で基材7周辺の放出電子濃度を高め、大型または大量の基材7を一度に、且つ成膜速度を速く皮膜を形成することが可能となる。
アーク式蒸発源1のみを用いて皮膜を形成する場合は、窒素(N2)、メタン(CH4)、アセチレン(C2H2)等の反応ガスを真空チャンバ11内に導入して、数Pa(1〜7Pa程度)の圧力下で成膜を実施する。
一方、スパッタ式蒸発源21のみを用いて皮膜を形成する場合は、アルゴン(Ar)等の不活性ガスを真空チャンバ11内に導入して、0.数Pa程度の圧力下で成膜を実施する。
このように、2種類の蒸発源1、21を同時用いたとしても、閉磁場領域Hと、プラズマ閉磁場領域H’は、磁力線によってそれぞれ分けられており、プラズマの濃度、及び放出電子の濃度をそれぞれ独自に高めることができ、アーク式蒸発源1による成膜効率と、スパッタ式蒸発源21による成膜効率とを同時に向上できる。
ところで、本発明は、前述した各実施形態及び実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した本発明の範囲内で適宜変更可能である。
ターゲット2は、円盤状以外の任意の形状であってもよい。
外周磁石3は、ターゲット2の外周を取り囲むものであればよく、ターゲット2の投影面形状に沿う形で且つリング状の永久磁石(例えば、ターゲット2が楕円であれば、これを取り囲むように形成された楕円形状の永久磁石)でもよい。
背面磁石4は、円盤状以外の任意の形状でもよく、投影面形状が点対称な図形(正方形、六角形等)や長手方向を有した図形(楕円、長方形等)であってもよい。
なお、背面磁石4及び磁性体5の投影面形状は、ターゲット2の投影面形状と相似であることが好ましい。
成膜装置6に用いる蒸発源は、アーク式蒸発源1やスパッタ式蒸発源21に限らず、プラズマビーム式蒸発源や、抵抗加熱式蒸発源等であってもよい。
2 ターゲット
3 外周磁石
4 背面磁石
4A 第1の永久磁石(円盤背面磁石)
4B 第2の永久磁石(円盤背面磁石)
5 磁性体
6 成膜装置
7 基材
8 磁界形成手段
11 真空チャンバ
12 回転台
13 ガス導入口
14 ガス排気口
15 アーク電源
16 バイアス電源
17 アノード
18 グランド
A 比較例1にてターゲットの軸心から最も近い側の磁力線を示す矢印
B 比較例2にてターゲットの軸心から最も近い側の磁力線を示す矢印
C 比較例3にてターゲットの軸心から最も近い側の磁力線を示す矢印
D 比較例4にてターゲットの軸心から最も近い側の磁力線を示す矢印
E 実施例1、実施例2にてターゲットの軸心から最も近い側の磁力線を示す矢印
A’ 比較例1にてターゲットの軸心から最も離れた側の磁力線を示す矢印
B’ 比較例2にてターゲットの軸心から最も離れた側の磁力線を示す矢印
C’ 比較例3にてターゲットの軸心から最も離れた側の磁力線を示す矢印
D’ 比較例4にてターゲットの軸心から最も離れた側の磁力線を示す矢印
E’ 実施例1、実施例2にてターゲットの軸心から最も離れた側の磁力線を示す矢印
Claims (10)
- ターゲットの外周を取り囲んでいて磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置された1又は複数の外周磁石と、前記ターゲットの背面側に配置された背面磁石とを備え、
前記背面磁石は、極性が前記外周磁石と同方向で且つ磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置されている非リング状の第1の永久磁石を有すると共に、
前記第1の永久磁石と前記ターゲットとの間、もしくは、前記第1の永久磁石の背面側に、前記第1の永久磁石と間隔をあけて配置された非リング状の第2の永久磁石をさらに有し、
前記第2の永久磁石は、極性が前記外周磁石と同方向で且つ磁化方向が前記ターゲット表面と直交する方向に沿うように配置されており、前記第1の永久磁石と前記第2の永久磁石との間に磁性体が配置されていることを特徴とするアーク式蒸発源。 - 前記磁性体の端面が、前記第1の永久磁石及び前記第2の永久磁石の端面とにそれぞれ密着していることを特徴とする請求項1に記載のアーク式蒸発源。
- 前記ターゲットは円盤状であり、前記外周磁石はリング状の永久磁石であることを特徴とする請求項1に記載のアーク式蒸発源。
- 前記第1の永久磁石及び前記第2の永久磁石をその表面と直交する方向に沿って投影した面の形状は、前記ターゲットをその表面と直交する方向に沿って投影した面の形状と相似であることを特徴とする請求項1に記載のアーク式蒸発源。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のアーク式蒸発源を用いて、皮膜を形成することを特徴とする皮膜の製造方法。
- 前記アーク式蒸発源を、隣接するアーク式蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備しておき、皮膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の皮膜の製造方法。
- 前記アーク式蒸発源を含む複数種の蒸発源を、隣接する蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備しておき、皮膜を形成することを特徴とする請求項5に記載の皮膜の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のアーク式蒸発源を用いることを特徴とする成膜装置。
- 前記アーク式蒸発源を、隣接するアーク式蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備することを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 前記アーク式蒸発源を含む複数種の蒸発源を、隣接する蒸発源の磁力線が互いにつながるように、直線的又は非直線的に複数配備することを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010201946A JP5318052B2 (ja) | 2010-06-23 | 2010-09-09 | 成膜速度が速いアーク式蒸発源、このアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法及び成膜装置 |
US13/805,259 US9266180B2 (en) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | Arc evaporation source having fast film-forming speed, coating film manufacturing method and film formation apparatus using the arc evaporation source |
EP11797792.6A EP2586888B1 (en) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | Arc evaporation source having fast film-forming speed, film formation device and manufacturing method for coating film using the arc evaporation source |
BR112012033035A BR112012033035B1 (pt) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | fonte de evaporação por arco tendo alta velocidade de formação de película, método da fabricação de película de revestimento e aparelho de formação de película usando a fonte de evaporação por arco |
PCT/JP2011/003403 WO2011161903A1 (ja) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | 成膜速度が速いアーク式蒸発源、このアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法及び成膜装置 |
CA2801629A CA2801629C (en) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | Arc evaporation source having fast film-forming speed, coating film manufacturing method and film formation apparatus using the arc evaporation source |
PT117977926T PT2586888T (pt) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | Fonte de evaporação por arco tendo uma velocidade de formação de película elevada, dispositivo de formação de película e processo de fabrico de película de revestimento usando a fonte de evaporação por arco |
KR1020127033106A KR101471269B1 (ko) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | 성막 속도가 빠른 아크식 증발원, 이 아크식 증발원을 사용한 피막의 제조 방법 및 성막 장치 |
CN201180027644.4A CN102933738B (zh) | 2010-06-23 | 2011-06-15 | 成膜速度快的电弧式蒸发源、使用该电弧式蒸发源的皮膜的制造方法及成膜装置 |
IL223408A IL223408A (en) | 2010-06-23 | 2012-12-03 | Irrigation Evolution Device with Height Speed for Layer Creation, Layer Creation Device and Layer Production Method for Coating Using the Irrigation Evaporator |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010142614 | 2010-06-23 | ||
JP2010142614 | 2010-06-23 | ||
JP2010201946A JP5318052B2 (ja) | 2010-06-23 | 2010-09-09 | 成膜速度が速いアーク式蒸発源、このアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法及び成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012026026A true JP2012026026A (ja) | 2012-02-09 |
JP5318052B2 JP5318052B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=45371110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010201946A Active JP5318052B2 (ja) | 2010-06-23 | 2010-09-09 | 成膜速度が速いアーク式蒸発源、このアーク式蒸発源を用いた皮膜の製造方法及び成膜装置 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9266180B2 (ja) |
EP (1) | EP2586888B1 (ja) |
JP (1) | JP5318052B2 (ja) |
KR (1) | KR101471269B1 (ja) |
CN (1) | CN102933738B (ja) |
BR (1) | BR112012033035B1 (ja) |
CA (1) | CA2801629C (ja) |
IL (1) | IL223408A (ja) |
PT (1) | PT2586888T (ja) |
WO (1) | WO2011161903A1 (ja) |
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- 2010-09-09 JP JP2010201946A patent/JP5318052B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-15 WO PCT/JP2011/003403 patent/WO2011161903A1/ja active Application Filing
- 2011-06-15 BR BR112012033035A patent/BR112012033035B1/pt active IP Right Grant
- 2011-06-15 PT PT117977926T patent/PT2586888T/pt unknown
- 2011-06-15 US US13/805,259 patent/US9266180B2/en active Active
- 2011-06-15 CN CN201180027644.4A patent/CN102933738B/zh active Active
- 2011-06-15 CA CA2801629A patent/CA2801629C/en active Active
- 2011-06-15 EP EP11797792.6A patent/EP2586888B1/en active Active
- 2011-06-15 KR KR1020127033106A patent/KR101471269B1/ko active IP Right Grant
-
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- 2012-12-03 IL IL223408A patent/IL223408A/en active IP Right Grant
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JP7204196B2 (ja) | 2019-01-25 | 2023-01-16 | ナノテック株式会社 | 成膜装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2586888A1 (en) | 2013-05-01 |
US9266180B2 (en) | 2016-02-23 |
BR112012033035B1 (pt) | 2019-12-03 |
BR112012033035A2 (pt) | 2016-12-20 |
IL223408A (en) | 2016-05-31 |
EP2586888A4 (en) | 2015-12-30 |
CA2801629C (en) | 2014-05-13 |
WO2011161903A1 (ja) | 2011-12-29 |
US20130098881A1 (en) | 2013-04-25 |
JP5318052B2 (ja) | 2013-10-16 |
CN102933738B (zh) | 2014-10-15 |
KR101471269B1 (ko) | 2014-12-09 |
PT2586888T (pt) | 2017-01-03 |
EP2586888B1 (en) | 2016-11-23 |
CN102933738A (zh) | 2013-02-13 |
CA2801629A1 (en) | 2011-12-29 |
KR20130029092A (ko) | 2013-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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