JP2012003251A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極とコモン電極とに挟持された表示素子と、第1の端子がソース信号線と電気的に接続され、第2の端子が画素電極と電気的に接続され、ゲートがゲート信号線と電気的に接続されるトランジスタと、を有する画素を有する表示装置の駆動方法であって、各画素に映像信号を入力し、各画素の表示素子の階調を映像信号に応じて制御し、画像を形成する画像形成期間と、各画素に保持信号を入力し、各画素の表示素子の階調を保持し、画像形成期間において形成した画像を保持する画像保持期間と、を有する表示装置の駆動方法である。そして、画像形成期間よりも画像保持期間において、トランジスタのゲートと第2の端子との間の電位差の絶対値を小さくすることによって、トランジスタの劣化を抑制することができる。
【選択図】図3
Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置及びその駆動方法について説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置が有する走査線駆動回路について説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置を構成するトランジスタについて例示する。ただし、開示する発明の一態様である表示装置を構成するトランジスタの構造は特に限定されず、例えばゲート電極がゲート絶縁層を介して半導体層の下側に配置されるボトムゲート構造、又はゲート電極がゲート絶縁層を介して半導体層の上側に配置されるトップゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。図9(A)乃至(D)にトランジスタの断面構造の一例を以下に示す。
本実施の形態では、開示する発明の一態様である表示装置にタッチパネル機能を付加した構成について、図10(A)、(B)を用いて説明する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
11 走査線駆動回路
12 信号線駆動回路
100 画素
101 トランジスタ
102 表示素子
103 容量素子
111 ゲート信号線
112 ソース信号線
113 容量線
121 コモン電極
122 画素電極
123 マイクロカプセル
124 樹脂
125 膜
126 白色粒子
127 黒色粒子
128 分散液
201 シフトレジスタ回路
202 レベルシフト部
203 バッファ部
204 セレクタ回路
205 レベルシフタ回路
206 バッファ回路
211 配線
212 配線
221 トランジスタ
222 トランジスタ
223 トランジスタ
224 トランジスタ
225 インバータ回路
231 トランジスタ
232 トランジスタ
233 インバータ回路
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
407 絶縁膜
409 保護絶縁層
410 トランジスタ
420 トランジスタ
427 絶縁層
430 トランジスタ
437 絶縁層
440 トランジスタ
1501 表示パネル
1502 タッチパネルユニット
1503 筐体
1504 表示装置
1505 画素
1506 光センサ
1507 表示素子
1508 ゲート線側駆動回路
1509 信号線側駆動回路
1510 光センサ用駆動回路
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
436a 配線層
436b 配線層
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 スピーカ
9635 操作キー
9636 接続端子
9638 マイクロフォン
9651 太陽電池
9652 バッテリー
9653 ウインドウ型表示部
9672 記録媒体読込部
9676 シャッターボタン
9677 受像部
9680 外部接続ポート
9681 ポインティングデバイス
Claims (10)
- 画素電極とコモン電極とに挟持された表示素子と、
第1の端子がソース信号線と電気的に接続され、第2の端子が前記画素電極と電気的に接続され、ゲートがゲート信号線と電気的に接続されるトランジスタと、を有する表示装置の駆動方法であって、
前記ゲート信号線に第1の電位を与え、前記トランジスタをオンにし、第1の信号を前記画素電極に前記ソース信号線を介して入力する期間と、前記ゲート信号線に第2の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間と、を有する第1の期間と、
前記ゲート信号線に前記第1の電位を与え前記トランジスタをオンにし、第2の信号を前記画素電極に前記ソース信号線を介して入力する期間と、前記ゲート信号線に前記第2の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間と、を有する第2の期間と、
前記ゲート信号線に第3の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間を有する第3の期間と、を有し、
前記第3の電位と前記第2の信号の電位との電位差の絶対値は、前記第2の電位と前記第2の信号の電位との電位差の絶対値よりも、小さいものである表示装置の駆動方法。 - 画素電極とコモン電極とに挟持された表示素子と、
第1の端子がソース信号線と電気的に接続され、第2の端子が前記画素電極と電気的に接続され、ゲートがゲート信号線と電気的に接続されるトランジスタと、
を有する表示装置の駆動方法であって、
前記ゲート信号線に第1の電位を与え前記トランジスタをオンにし、第1の信号を前記画素電極に前記ソース信号線を介して入力する期間と、前記ゲート信号線に第2の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間と、を有する第1の期間と、
前記ゲート信号線に前記第1の電位を与え前記トランジスタをオンにし、第2の信号を前記画素電極に前記ソース信号線を介して入力する期間と、前記ゲート信号線に前記第2の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間と、を有する第2の期間と、
前記ゲート信号線に第3の電位を与え前記トランジスタをオフにする期間を有する第3の期間と、を有し、
前記第3の電位は、前記第2の電位よりも高く、且つ前記第1の電位よりも低い電位である表示装置の駆動方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1の信号は、前記コモン電極の電位よりも高い第4の電位と、前記コモン電極の電位よりも低い第5の電位と、前記第4の電位よりも低く、前記第5の電位よりも高い第6の電位との3値である表示装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第2の信号は、前記表示素子の階調を保持するための信号である表示装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記トランジスタは、酸化物半導体を用いたトランジスタである表示装置の駆動方法。 - 画素電極とコモン電極とに挟持された表示素子と、第1の端子がソース信号線と電気的に接続され、第2の端子が前記画素電極と電気的に接続され、ゲートがゲート信号線と電気的に接続されるトランジスタと、を有する画素と、
第1の期間及び第2の期間において、前記ゲート信号線に第1の電位と第2の電位とを選択的に与え、且つ第3の期間において、前記ゲート信号線に第3の電位を与える機能を有するゲートドライバ回路と、
前記第1の期間において、ソース信号線に第1の信号を出力し、且つ前記第2の期間において、ソース信号線に第2の信号を出力する機能を有するソースドライバ回路と、を有し、
前記第1の電位は、前記トランジスタをオフにするための電位であり、
前記第2の電位は、前記トランジスタをオンにするための電位であり、
前記第3の電位は、前記トランジスタをオフにするための電位であり、
前記第3の電位と前記第2の信号の電位との電位差の絶対値は、前記第2の電位と前記第2の信号の電位との電位差の絶対値よりも、小さいものである表示装置。 - 画素電極とコモン電極とに挟持された表示素子と、第1の端子がソース信号線と電気的に接続され、第2の端子が前記画素電極と電気的に接続され、ゲートがゲート信号線と電気的に接続されるトランジスタと、を有する画素と、
第1の期間及び第2の期間において、前記ゲート信号線に第1の電位と第2の電位とを選択的に与え、且つ第3の期間において、前記ゲート信号線に第3の電位を与える機能を有するゲートドライバ回路と、
前記第1の期間において、ソース信号線に第1の信号を出力し、且つ前記第2の期間において、ソース信号線に第2の信号を出力する機能を有するソースドライバ回路と、を有し、
前記第1の電位は、前記トランジスタをオフにするための電位であり、
前記第2の電位は、前記トランジスタをオンにするための電位であり、
前記第3の電位は、前記トランジスタをオフにするための電位であり、且つ前記第2の電位よりも高く、前記第1の電位よりも低い電位であるものである表示装置。 - 請求項6又は請求項7において、
前記第1の信号は、前記コモン電極の電位よりも高い第4の電位と、前記コモン電極の電位よりも低い第5の電位と、前記第4の電位よりも低く、前記第5の電位よりも高い第6の電位との3値である表示装置。 - 請求項6乃至請求項8のいずれか一項において、
前記第2の信号は、前記表示素子の階調を保持するための信号である表示装置。 - 請求項6乃至請求項9いずれか一項において、
前記トランジスタは、酸化物半導体を用いたトランジスタである表示装置。
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