JP4483639B2 - 電気泳動表示装置とその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は電気泳動表示装置の改良に関する。

電気泳動表示装置は、複数の画素電極が形成された素子基板と、この素子基板に対向して配置され、対向する面に１つの共通電極が形成された対向基板と、両基板間に配置された電気泳動層によって構成されている。電気泳動層は分散媒に１つ以上の種類の帯電した電気泳動粒子を分散させたものである。

このような構成で、共通電極と画素電極間に電位差を与えると、電界の方向によって帯電した電気泳動粒子がどちらか一方の電極に引き寄せられる。電気泳動粒子を着色粒子で構成し、電極として透過性を有する材料を用いると、共通電極又は画素電極に引き寄せられた電気泳動粒子の色が見える。各画素電極に印加する電圧を制御することによって画像を表示することができる。例えば、このような電気泳動表示装置の例が、特開２００４−９４１６８号公報や特開２００４−１５７４５０号公報に記載されている。
特開２００４−９４１６８号公報 特開２００４−１５７４５０号公報

しかしながら、電気泳動表示装置では、画像をリセットして新たな画像を形成する際に、リセット前の画像の状態によってはリセットが不十分となり、いわゆる前の画像の一部が残る残像が生じることがある。また、例えば負に帯電している白粒子で画像をリセットした後に共通電極と画像電極間の電位差を０［Ｖ］として画像の保持状態にすると、白粒子の拡散が始まって白レベルが灰色に変わり、いわゆるコントラストが低下する傾向がある。

よって、本発明は電気泳動表示装置における残像やコントラスト低下を改善した電気泳動表示装置及び電気泳動表示装置における表示方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため本発明の電気泳動粒子泳動表示装置は、第１基板に複数の画素が行列状に配置され、第２基板に共通電極が設けられ、該第１基板と該第２基板との間に電気泳動材料を挟持する電気泳動表示装置において、該電気泳動材料は正に帯電した正帯電粒子と負に帯電した負帯電粒子とを含み、上記画素は信号線と走査線との交点に設けられ、該画素は容量線とＴＦＴと保持容量と画素電極とを含み、上記ＴＦＴのソース電極は保持容量の第１電極及び画素電極に接続され、ドレイン電極は信号線に接続され、ゲートは走査線に接続され、上記保持容量の第２電極は保持容量線に接続され、該保持容量線には容量線低選択信号ＶSLあるいは容量線低選択信号ＶSLよりも高電位な容量線非選択信号ＶSCが供給される。

かかる構成とすることによって、保持容量線の電位を高低に制御（レベル制御）して、外部から画素電極と共通電極間の電界を設定し、画像データ書込み後の画素の輝度レベルシフトやコントラストの低下を防止することが可能となる。

また、本発明の電気泳動粒子泳動表示装置は、第１基板に複数の画素が行列状に配置され、第２基板に共通電極が設けられ、該第一基板と該第２基板との間に電気泳動材料を挟持する電気泳動表示装置において、該電気泳動材料は正に帯電した正帯電粒子と負に帯電した負帯電粒子とを含み、上画素は信号線と走査線との交点に設けられ、該画素は容量線とＴＦＴと保持容量と画素電極とを含み、上記ＴＦＴのソース電極は保持容量の第１電極及び画素電極に接続され、ドレイン電極は信号線に接続され、ゲートは走査線に接続され、前記保持容量の第２電極は保持容量線に接続され、該保持容量線には容量線高選択信号ＶSHあるいは容量線非選択信号ＶSC、容量線低選択信号ＶSLが供給され、該容量線高選択信号ＶSHは該容量線非選択信号ＶSCよりも高電位にあり、且つ該容量線非選択信号ＶSCは容量線低選択信号ＶSLよりも高電位にある。

かかる構成とすることによって、保持容量線の電位を高中低に制御（レベル制御）して、外部から画素電極と共通電極間の電界を設定し、十分なリセット状態の確保、画像データ書込み後の画素の輝度レベルシフトやコントラストの低下を防止することが可能となる。

上記共通電極には、負帯電粒子を上記第２基板側に引き寄せる負帯電粒子リセット時に共通電極高レベル信号Ｖcom-Hが、その他の状態では該共通電極高レベル信号よりも電位が低い共通電極中間レベル信号Ｖcom-Cが供給されることが好ましい。又、上記保持容量線には負帯電粒子リセット時に容量線高選択信号ＶSHが、各画素への画像信号導入期間に容量線低選択信号ＶSLが供給されることが好ましい。これにより負帯電粒子によるリセットが確実に行われ、且つリセット後に画像表示させる際に、色調が鮮やかな画像を表示できるようになる。

上記共通電極には、正帯電粒子を上記第２基板側に引き寄せる正帯電粒子リセット時に共通電極低レベル信号Ｖcom-Lが、その他の状態では該共通電極低レベル信号よりも電位が高い共通電極中間レベル信号Ｖcom-Cが供給されることが好ましい。又、上記保持容量線には正帯電粒子リセット時に容量線低選択信号ＶSLが、各画素への画像信号導入期間に容量線高選択信号ＶSHが供給されることが好ましい。これにより正帯電粒子によるリセットが確実に行われ、且つリセット後に画像表示させる際に、色調が鮮やかな画像を表示できるようになる。

本発明の電気泳動表示装置の駆動方法は、共通電極及び画素電極と、両電極間に挟持された電気泳動材料とを含む電気泳動素子と、一端が上記画素電極に接続された保持容量と、を含む電気泳動表示装置の駆動方法において、上記共通電極にリセット電圧を付与して第１の色調を表示させる第１過程と、上記共通電極からリセット電圧を取り除き、上記画素電極に画像信号を導入して第２の色調を表示させる第２過程と、上記第２過程にて表示された第２の色調を維持する第３過程とを備え、上記保持容量の他端には、上記第１過程中に第１電位を付与し、上記第２過程中に第２電位を付与し、上記第３過程中に第３電位を付与し、該第３電位は該第１電位と該第２電位との間の値であることを特徴とする。

かかる構成とすることによって、電気泳動素子を所定色調に設定するリセット電圧による電気泳動材料の移動が不十分であるとき、電気泳動材料の移動を促進することが可能となる。また、電気泳動材料の移動後の拡散を抑制することが可能となる。

以下、本発明の実施例について図１乃至図９を参照して説明する。

（電気泳動表示装置の全体構成）
まず、全体の装置構成について説明する。図１は、電気泳動表示装置の電気的な構成を示すブロック図である。素子基板１００の表面には、電気泳動表示パネルＡとその周辺領域とが設けられている。電気泳動表示パネルＡの周囲には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０、対向電極変調回路１５０及び容量線駆動回路１６０が配置されている。電気泳動表示パネルＡは複数の画素から構成されている。

図２に示したように、この画素は、スイッチング素子としてのＴＦＴ１０３や、このＴＦＴ１０３に接続された画素電極１０４を含んで構成されている。一方、素子基板１００の周辺領域には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０、対向電極変調回路１５０及び容量線駆動回路１６０が形成されている。

電気泳動表示装置の周辺回路には、コントローラ３００が設けられている。このコントローラ３００は図示しない画像信号処理回路およびタイミングジェネレータを含んでいる。ここで、画像信号処理回路は、リセットや画像書込み等に対応して画像データ、及び対向電極制御信号、容量線駆動回路制御信号を生成し、それぞれ及びデータ線駆動回路１４０、対向電極変調回路１５０、容量線駆動回路１６０に入力する。また、タイミングジェネレータは、リセット設定や画像データが画像信号処理回路から出力されるときに、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０を制御するための各種タイミング信号を生成する。

前述したように、リセットは、分散媒中を泳動している電気泳動粒子を画素電極１０４又は共通電極２０１に引き寄せ、空間的な状態を初期化するために用いられる。リセットは画素に画像データを書き込む前の所定期間に行われる。

対向電極変調回路１５０は共通電極Ｃomにバイアス電圧を印加する共通電極バイアス信号Ｖcomを供給する。

容量線駆動回路１６０は保持容量Ｃscに保持容量バイアス信号Ｖsを供給する。後に詳述するように、共通電極バイアス信号Ｖcom及び保持容量バイアス信号Ｖsの各バイアス電圧によって画像のリセット後や書込みの後の保持条件が設定される。

素子基板１００の電気泳動表示パネルＡには、図示のＸ方向に沿って平行に複数本の走査線１０１が形成されている。また、これと直交するＹ方向に沿って平行に複数本のデータ線１０２が形成されている。そして、各画素は走査線１０１とデータ線１０２との交差に対応してマトリクス状に配列されている。

（画素の構成）
図２は、上記画素の構造を示しており、同図（Ａ）は電気泳動表示パネルの画素部分の断面図を示している。また、同図（Ｂ）は画素の電気回路を示している。

図２（Ａ）に示すように、電気泳動表示パネルは第１の基板１０上にマトリクス状に形成された複数の画素電極１０４と、第２の基板２０上に形成された透明な共通電極Ｃomとの間に電気泳動層３０を挟持して構成されている。電気泳動層３０は複数種類の帯電（微）粒子と、これら帯電粒子を移動可能とする分散媒を含んでいる。各画素の画素容量Ｃepdは、画素電極１０４の面積（画素電極１０４と共通電極Ｃomとが重複する部分の面積）、電極間の距離、及び電気泳動層３０の誘電率によって構成される。また、同図には図示されていないが、画像の情報（電荷）を所定期間保持する保持容量Ｃscが画素容量Ｃepdと並列に配置されている。

図２（Ｂ）に示すように、ｉ行、ｊ列目の画素（ｉ，ｊ）は、ＴＦＴ１０３、画素電極１０４及び保持容量Ｃscを含んで構成されている。ＴＦＴ１０３のゲート端子が走査線１０１に接続され、そのソース端子がデータ線１０２に接続されている。さらに、ＴＦＴ１０３のドレイン端子が画素電極１０４及び保持容量Ｃscに接続されている。

各画素は、画素電極１０４と共通電極Ｃomとの間に電気泳動層３０を挟持して構成されているので、電極面積、電極間の距離、および電気泳動層３０の誘電率に応じた画素容量Ｃepdを形成している。共通電極Ｃomは配線２０１を介して対向電極変調回路１５０に接続されている。また、保持容量Ｃscの他方は保持容量線１０６に接続されている。保持容量線１０６は容量線駆動回路１６０に接続されている。

このような電気泳動表示パネルＡにおいて、ｊ行目の走査線選択信号Ｙ（ｊ）がアクティブになると、ｊ番目の走査線１０１に接続されたｊ行の複数のＴＦＴ１０３がオン状態になる。このとき、データ信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｉ、…、Ｘｎがデータ線駆動回路から供給されると、ｊ番目の走査線１０１にＴＦＴ１０３を介して接続されたｊ行の各画素電極１０４に、それぞれデータ信号Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｉ、…、Ｘｎの輝度レベルが供給される。

一方、対向基板２００の共通電極Ｃomには、対向電極変調回路１５０から、対向電圧としての共通電極バイアス信号Ｖcomが印加される。また、保持容量Ｃscにも容量線駆動回路１６０から保持容量バイアス信号Ｖsが印加される。後に詳述するように、保持容量Ｃscへのバイアス電圧Ｖsの印加によって画素電極電圧（あるいは電位）Ｖijをプッシュアップあるいはプッシュダウンすることができる。これにより、画素電極１０４と共通電極Ｃomとの間の電位差あるいは画素電極電圧Ｖijが制御可能となっている。電気泳動層３０中の電気泳動粒子は電極間の電界に応じて泳動してリセットや画像データ信号Ｘに応じた階調あるいは２値レベルに対応した画素（画像）を形成する。

（動作原理）
次に、本発明における動作原理について図２及び図３を参照して説明する。本発明は保持容量へのバイアス電圧を画像表示の動作モードに応じて制御することによって画素電極と共通電極との電圧差（電界強度）を適宜に設定し、帯電粒子の拡散移動を抑制したり、積極的に帯電粒子の移動を促したりすることによって、コントラストの低下や残像の発生を防止している。

前述したように、ｉ行、ｊ列目の画素（ｉ，ｊ）はＴＦＴ１０３、画素電極１０４及び保持容量Ｃscを含んで構成されている。ＴＦＴ１０３のゲート端子が後述の走査線駆動回路の走査線選択信号Ｙ（ｊ）を伝送する走査線１０１に接続され、そのソース端子が後述のデータ線駆動回路のデータ信号Ｘ（ｊ）を伝送するデータ線１０２に接続されている。さらに、ＴＦＴ１０３のドレイン端子が画素電極１０４及び保持容量Ｃscに接続されている。共通電極Ｃomは後述の対向電極変調回路の共通電極バイアス信号Ｖcomを伝送する配線２０１に接続されている。また、保持容量Ｃscの他方は後述の容量線駆動回路の保持容量線バイアス信号Ｖs（ｊ）を伝送する保持容量線１０６に接続されている（図２（Ｂ）参照）。

図３は、上述した画素回路の保持容量Ｃscへのバイアス電圧信号印加による画素電極電圧Ｖij（＝ＶD）のプッシュアップ動作を説明する画素回路の等価回路図である。

同図（Ａ）は、データ各画素への画像信号導入期間の等価回路を示しており、保持容量線１０６への印加電圧がＶs１、画素電極の電圧がＶD1、共通電極に電圧ＶGが印加された場合の等価回路を示している。また、同図（Ｂ）は、データ保持時の等価回路を示しており、保持容量線１０６への印加電圧がＶs２、画素電極の電圧がＶD2、共通電極に電圧ＶGが印加された場合を示している。これらの関係より、保持容量Ｃscのバイアス電圧Ｖsの増加による画素電極電圧は以下のように求められる。

まず、電荷保存則より、
（ＶD1−ＶG）Ｃepd＝（Ｖs１−ＶD1） … 式(1)
（ＶD2−ＶG）Ｃepd＝（Ｖs２−ＶD2） … 式(2)
両式より、ＶD2＝ＶD1＋（Ｃsc/（Ｃepd＋Ｃsc））・（Ｖs２−Ｖs１）
ＶD2＝ＶD1＋α・（Ｖs２−Ｖs１） … 式(3)
ここで、α＝Ｃsc/（Ｃepd＋Ｃsc）であり、０＜α＜１である。
通常は、Ｃsc＞＞Ｃepdであり、Ｃsc＞１０Ｃepd程度である。Ｃsc＝１０Ｃepdとすると、α＝０．９１となり、上記ＶD2は、
ＶD2＝ＶD1＋０．９１・（Ｖs２−Ｖs１） となる。

このように、保持容量バイアス電圧の変化分ΔＶs（＝Ｖs２−Ｖs１）によって画素電極の電圧ＶDを設定することが可能となる。

また、画素電極電位Ｖijと共通電極電位Ｖcomとの電位差が帯電粒子を電極に保持する電界を形成するので、式(3)より、帯電粒子の電極への保持条件を導くことができる。帯電粒子の負帯電粒子のリセット時の負帯電粒子の保持条件は、例えば、画像データの白レベル（白リセット時）をＶL、容量線バイアス信号の中間レベルをＶSC、レベルＶSCよりも低い容量線バイアス信号の低レベルをＶSLとすると、
Ｖcom-C＞ＶL＋α・（ＶSC−ＶSL） となる。

また、負帯電粒子のリセット時の負帯電粒子の保持条件は、画像データの黒レベル（黒リセット時）をＶH、容量線バイアス信号の中間レベルＶSCよりも高レベルの容量線バイアス信号の高レベルをＶSHとすると、
Ｖcom-C＜ＶH＋α・（ＶSC−ＶSH） となる。
このような保持容量バイアス電圧の設定による画素表示の制御例について、以下に説明する。

（基本制御動作例）
任意の画素（ｉ，ｊ）（図２参照）における書込み動作について図４及び図６を参照して説明する。

図４は、実施例の電気泳動表示装置における保持容量バイアス電圧を可変とした制御動作例を説明するタイミングチャートである。また、図６は各動作モードにおける電気泳動粒子の状態を説明する説明図である。

実施例では、「負帯電粒子」のリセット後に画像（画素）データを書き込んでいる。画像データの書込み（画像表示）は時間軸上において一連の複数の動作モードによって構成されている。

まず、図４に示すように、初期状態では、上述した共通電極バイアス信号Ｖcomは中間レベルＶcom-C（共通電極中間レベル信号）、走査線選択信号Ｙ（ｊ）は低レベルＶYL、保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）は中間レベルＶSC（容量線非選択信号）に、データ信号Ｘ（ｉ）は白レベル（ＶL）になっている。

時刻ｔ１において、保持容量バイアス信号は中間電位ＶSCから高レベルのＶSH（容量線高選択信号）に立ち上がり、時刻ｔ４まで継続する。これによって、保持容量Ｃscが充電される。

時刻ｔ２において、共通電極バイアス信号Ｖcomが高レベルのＶcom-H（共通電極高レベル信号）に立ち上がり、時刻ｔ３まで高レベルＶcom-Hを保持する。また、時刻ｔ２において、走査線選択信号Ｙ（ｊ）も高レベルＶYHに立ち上がり、時刻ｔ３までこれを保持する。走査線選択信号Ｙ（ｊ）の高レベルＶYHによって、ＴＦＴ１０３が導通し、ｊ行の画素電極の電位Ｖijをデータ信号の低レベルＶL（白レベル）に設定する。共通電極の電位Ｖcomは高レベルＶcom-Hに設定される。

この結果、画素電極と共通電極電極間にＶcom-H−ＶLの電位差が生じ、負帯電粒子が共通電極に引き付けられる。また、正帯電粒子は画素電極に引き付けられる。これを全画素について行うことによって、負帯電粒子によるリセット状態となる。

リセット状態では、図６（ｂ）に示すように、負帯電粒子が「白色」、正帯電粒子が「黒色」である場合には、共通電極側に負帯電粒子が集まり、画面全体が白になる。もっとも、図６（ａ）に示すように、前画面が「黒」である場合には、正及び負の帯電粒子は電極側への戻り（移動）が十分ではなく、灰色気味の白となる。

時刻ｔ３において、共通電極バイアス信号Ｖcomが中間レベルＶcom-Cに、走査線選択信号Ｙ（ｊ）が低レベルＶYLに立ち下がる。それにより、ＴＦＴ１０３が非導通となる。画素電極と共通電極間の電位差はＶcom-C−ＶLに減少するが、この値は正に保たれるので負帯電粒子によるリセット状態は更に強化される。

時刻ｔ４において、保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）が、高レベルＶSHから中間レベルＶSCに低下し、時刻ｔ５まで継続する。これにより、画素電位Ｖijは、ＶL＋α（ＶSC−ＶSH）となり、時刻ｔ４からｔ５の間中、電極間にリセット時と略同様のバイアス電界が形成される。

この待機状態（時刻ｔ４〜ｔ５）では、図６（ｃ）に示すように、負帯電粒子が共通電極Ｃom側に引き付けられ、正帯電粒子が画素電極１０４側に引き付けられる。従って、負帯電粒子が白である場合には、より白が白くなるように作用する。リセット状態で灰色気味の白であったとしても白くなる。なお、負帯電粒子が黒である場合には、より黒が黒くなるように作用する。

時刻ｔ５において、保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）が、中間レベルＶSCから低レベルＶSL（容量線低選択信号）に低下し、保持容量の保持電荷を変化させる。

時刻ｔ６〜ｔ７において、走査線選択信号Ｙ（ｊ）が高レベルＶYHに立上がり、ＴＦＴ１０３が導通する。また、データ信号Ｘ（ｊ）が黒レベル（ＶH）となる。それにより、画素電位Ｖijは高レベルＶHとなる。従って、画素電極１０４と共通電極電位Ｖcomとの電位差ＶH−Ｖcom-Cによって黒の書込みが行われる。

書込み状態（時刻ｔ６〜ｔ７）では、図６（ｄ’）に示されるように、負電荷リセット後の状態（図６（ｃ）参照）から黒の書込みを行うと、十分な黒の色調が得られにくく、灰色となる。

時刻ｔ８において、保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）は中間レベルＶSCに立ち上がる。この状態では、画素電位ＶijはＶH＋α（ＶSC−ＶSL）となる。画素電極１０４と共通電極電位Ｖcomと画素電位ＶH＋α（ＶSC−ＶSL）の電位差Ｖcom-C−（ＶH＋α（ＶSC−ＶSL））によって、図６（ｅ’）に示されるように、黒化が促進される。これにより、コントラストが向上する。この動作モードは次のリセット動作まで継続され、データ保持状態（画像表示状態）となる。

なお、上述した書込みの動作（時刻ｔ６〜ｔ７）において、画素データが白（ＶL）である場合（図４のデータ信号Ｘ（ｉ＋１）参照）には、図６（ｄ）に示すように、白の書込みが行われる。また、上記データ保持状態においては、画素電位ＶijはＶL＋α（ＶSC−ＶSL）となる。画素電極１０４と共通電極電位Ｖcomと画素電位ＶL＋α（ＶSC−ＶSL）の電位差Ｖcom-C−（ＶL＋α（ＶSC−ＶSL））によって電極間は弱いバイアス電界となって帯電粒子の拡散が抑制される。図示の場合には、負帯電粒子（白）の拡散が抑制されて画像のコントラストの低下が防止される。

なお、期間τp（時刻ｔ１〜ｔ２）は保持容量バイアス信号の立上がり（容量充電時間）、期間τa（時刻ｔ３〜ｔ４）立下がり（容量放電時間）などを考慮した余裕時間である。

上述したように、リセット後の時刻ｔ４〜ｔ５の待機期間ｔWでは保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）を高レベルＶSHから中間レベルＶSCに変えてリセットを促進するバイアス電界を電極間に発生している。また、時刻ｔ８以降のデータ書込み後のデータ保持期間では保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）を低レベルＶSLから中間レベルＶSCに変えて電極間に帯電粒子の拡散を防止し、あるいは帯電粒子の電極への移動を促す。

（パラメータ設定等）
なお、実施例の説明図では、電気泳動の負帯電粒子が白で、正帯電粒子が黒である場合を例にしているが、負帯電粒子が黒で、正帯電粒子が白であってもよい。

上述したように、画素の輝度情報を担うデータ信号Ｘ（ｉ）は、高（黒）レベルＶH、中間（灰色）レベルＶC及び低（白）レベルＶLを含んでいる。中間レベルＶCは、例えば、ＶC＝（ＶH＋ＶL）/２（中間電位）に設定することが可能であるが、これに限定されない。

上記共通電極バイアス信号Ｖcomは、実施例では、電圧レベルが高レベルＶcom-H、中レベルＶcom-C、低レベルＶcom-Lの３つの電圧レベルを有する（Ｖcom-H＞Ｖcom-C＞Ｖcom-L）。例えば、Ｖcom-C＝（Ｖcom-H＋Ｖcom-L）/２に設定される（この値に限定されない）。

上記データ信号の電圧レベル設定のために用意されている回路電源の電圧レベルＶH、ＶC及びＶLをそれぞれレベルＶcom-H、Ｖcom-C及びＶcom-Lの形成に利用して電源を簡素化してもよい。

上記走査線選択信号Ｙ（ｊ）は、高レベルＶYH及び低レベルＶYLを含む（ＶYH＞ＶYL）。レベルＶYHはＴＦＴ１０３を作動させる電圧レベルであり、ＶYH≧ＶHである。また、レベルＶYLはＴＦＴ１０３を非作動にする電圧レベルであり、ＶL≧ＶYHである。

回路電源の電圧レベルＶH及びＶLをそれぞれレベルＶYH及びＶYLの形成に利用して電源を簡素化してもよい。

上記保持容量バイアス信号Ｖs（ｊ）は、高レベルＶSH、中間レベルＶSC及び低レベルＶSLを含む（ＶSH＞ＶSC＞ＶSL）。例えば、ＶSC＝（ＶSH＋ＶSL）/２に設定することができる（これに限定されない）。

上記高レベルＶSH及び低レベルＶSLとして、走査線選択信号のレベルＶYH及びＶYLの電源をそれぞれ利用することが可能である。また、高レベルＶSH、中間レベルＶSC及び低レベルＶSLとして、データ信号のレベルＶH、ＶC及びＶLを利用して電源を簡素化してもよい。

また、上述した画像表示においては以下のような信号設定が行われる。

負帯電粒子リセット条件においては、共通電極バイアス信号の高レベルＶcom-Hはデータ信号の低レベル（白）ＶLよりも大きくなるように設定される（Ｖcom-H＞ＶL）。

正帯電粒子リセット条件においては、共通電極バイアス信号の低レベルＶcom-Lがデータ信号のＶH（黒）よりも小さくなるように設定される（Ｖcom-L＜ＶH）。

負帯電粒子リセット時の白状態の保持条件は、式(3)より、Ｖcom-C＞ＶL＋α・（ＶSC−ＶSL）に設定される。

正帯電粒子リセット時の黒保持条件は、Ｖcom-C＜ＶH＋α・（ＶSC−ＶSH）に設定される。

白表示条件では、Ｖcom-C＞ＶL、黒表示条件ではＶcom-C＜ＶHに設定される。

（具体的制御動作例）
上述した画像表示を構成する一連の動作モードについて種々の書込みパターンを参照してより具体的に説明する。

（１）負帯電粒子リセット後の画像データの書込みの場合
図４及び図６を参照して更に説明する。この例では、負帯電粒子が白着色粒子、正帯電粒子が黒着色粒子の場合である。

(1) 負帯電粒子リセット動作（期間ｔR、）
期間ｔRにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔR）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔR）＝Ｖcom-Hに設定される。

また、期間ｔRにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧をＶij（ｔR）で表すと、走査線選択信号の高レベルＶYHによってＴＦＴ１０３が導通してデータ信号のレベルＶLが画素電極に導出されるのでＶij（ｔR）＝ＶL である。このとき、電気泳動素子の電界は、
Ｖcom−Ｖij（ｔR）＝Ｖcom-H−ＶL＞０ であり、負帯電粒子が共通電極Ｃom側に、正帯電粒子が画素電極側に集まるので、図６（ｂ）に示すように、白表示となる。

例えば、Ｖcom-H＝ＶH＝１０［Ｖ］、ＶL＝０［Ｖ］とした場合、Ｖcom−Ｖij（ｔR）＝１０［Ｖ］−０［Ｖ］＝１０［Ｖ］となって、共通電極Ｖcom側に白粒子が集まる。

(2) 待機動作（期間ｔW）
期間ｔWにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔW）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔW）＝Ｖcom-Cに設定される。

期間ｔWにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔW）は、ＴＦＴ１０３が非導通であるから、
Ｖij（ｔW）＝Ｖij（ｔR）＋α・（Ｖs（ｔW）−Ｖs（ｔR））
＝ＶL＋α・（ＶSC−ＶSH） に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔW）−Ｖij（ｔW）＝Ｖcom-C−（ＶL−α（ＶSC−ＶSH））＞Ｖcom-C−ＶL であり、白表示となる。

例えば、Ｖcom-C＝ＶSC＝ＶC＝５［Ｖ］、ＶSH＝ＶH＝１０［Ｖ］とした場合、Ｖcom（ｔW）−Ｖij（ｔW）＝９．５［Ｖ］となる。

待機期間中にも、９．５［Ｖ］の電位差があるので、図６（ｂ）に示すように、確実に白表示になる。これは、また、リセット期間を短くすることを可能とする。

(3) 白書込み動作（期間ｔI）
書込み期間ｔIにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔI）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔI）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔIにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔI）は、ＴＦＴ１０３の導通によってＶij（ｔI）＝ＶL に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝Ｖcom-C−ＶL＞０ であり、白表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔI）＝５［Ｖ］、Ｖij（ｔI）＝０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝５−０＝５［Ｖ］＞０
この期間は、白粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、図６（ｄ）に示すように、白表示の白レベルが向上する。白コントラストが向上し、残像が解消する。

(4) 白書込み後のデータ保持動作（期間ｔK）
データ保持期間ｔKにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔK）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔK）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔKにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔK）は、ＴＦＴ１０３の非導通により、
Ｖij（ｔK）＝Ｖij（ｔI）＋α・（Ｖs（ｔK）−Ｖs（ｔI））
＝ＶL＋α・（ＶSC−ＶSL） に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝Ｖcom-C−（ＶL＋α（ＶSC−ＶSL））＞０
従って、白表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔK）＝５［Ｖ］、ＶL＝０［Ｖ］、ＶSC＝５［Ｖ］、ＶSL＝０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝５−４．５［Ｖ］＝０．５［Ｖ］＞０となる。

これは、データ保持期間中も小さな電位差が残り、図６（ｅ）に示すように、白粒子の拡散を抑制するように作用する。

この期間は、白粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、白表示の白レベルが向上する。白コントラストが向上し、残像が解消する。

(5) 黒書込み動作（期間ｔI）
上述した（１）−１）負帯電粒子リセット、同２）待機期間に続いて、図６（ｄ’）に示されるように黒書込みが行われる場合、
書込み期間ｔIにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔI）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔI）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔIにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔI）は、ＴＦＴ１０３の導通によってＶij（ｔI）＝ＶH に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝Ｖcom-C−ＶH＜０ であり、黒表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔI）＝５［Ｖ］、Ｖij（ｔI）＝１０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝５−１０＝−５［Ｖ］＞０
この期間は、白粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、白表示の白レベルが向上する。白コントラストが向上し、残像が解消する。

(6) 黒書込み後のデータ保持（期間ｔK）
データ保持期間ｔKの共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔK）は、Ｖcom（ｔK）＝Ｖcom-Cに設定される。画素電圧Ｖij（ｔK）は、ＴＦＴ１０３の非導通により、
Ｖij（ｔK）＝Ｖij（ｔI）＋α・（Ｖs（ｔK）−Ｖs（ｔI））
＝ＶH＋α・（ＶSC−ＶSL） に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝Ｖcom-C−ＶH−α（ＶSC−ＶSL））＜０
従って、図６（ｅ’）に示すように、黒表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔK）＝５［Ｖ］、ＶH＝１０［Ｖ］、ＶSC＝５［Ｖ］、ＶSL＝０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝５−１０−４．５［Ｖ］＝−９．５［Ｖ］＜０となる。

これは、データ保持期間中も小さな電位差が残り、白粒子の拡散を抑制するように作用する。

この期間は、黒粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、黒表示の黒レベルがより向上する。

（２）正帯電粒子リセット後の画像データの書込みの場合
図５は、正帯電粒子リセット後の書込みを説明する信号タイミング図である。同図において、図４と対応する部分には同じ符号を付している。前述したように、正帯電粒子は黒着色、負帯電粒子は白着色である。

(1) 正帯電粒子リセット（期間ｔR）
期間ｔRにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔR）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔR）＝Ｖcom-Hに設定される。

また、期間ｔRにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧をＶij（ｔR）で表すと、走査線選択信号のＶYHによってＴＦＴ１０３が導通してデータ信号Ｘ（ｉ）のレベルＶHが画素電極に導出されるのでＶij（ｔR）＝ＶH である。このとき、電気泳動素子の電界は、
Ｖcom−Ｖij（ｔR）＝Ｖcom-L−ＶH＜０ であり、黒表示となる。

例えば、Ｖcom-L＝ＶL＝０［Ｖ］、ＶH＝1０［Ｖ］とした場合、Ｖcom−Ｖij（ｔR）＝０−１０［Ｖ］＝−１０［Ｖ］となって、共通電極Ｖcom側に黒粒子が集まる。

(2) 待機動作（期間ｔW）
期間ｔWにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔW）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔW）＝Ｖcom-Cに設定される。

期間ｔWにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔW）は、ＴＦＴ１０３が非導通であるから、
Ｖij（ｔW）＝Ｖij（ｔR）＋α・（Ｖs（ｔW）−Ｖs（ｔR））
＝ＶH＋α・（ＶSC−ＶSL） に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔW）−Ｖij（ｔW）＝Ｖcom-C−（ＶH−α（ＶSC−ＶSL））＜Ｖcom-C−ＶH であり、黒表示となる。

例えば、Ｖcom-C＝ＶSC＝ＶC＝５［Ｖ］、ＶSH＝ＶH＝１０［Ｖ］とした場合、Ｖcom（ｔW）−Ｖij（ｔW）＝−９．５［Ｖ］となる。

待機期間中にも、−９．５［Ｖ］の電位差があるので、確実に黒表示になる。これは、また、リセット期間を短くすることを可能とする。

(3) 白書込み動作（期間ｔI）
書込み期間ｔIにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔI）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔI）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔIにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔI）は、ＴＦＴ１０３の導通によってＶij（ｔI）＝ＶH に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝Ｖcom-C−ＶH＜０ であり、黒表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔI）＝５［Ｖ］、Ｖij（ｔI）＝１０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝５−１０＝−５［Ｖ］＞０
この期間は、黒粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、黒表示の黒レベルが向上する。黒コントラストが向上し、残像が解消する。

(4) 黒書込み後のデータ保持ｔK
データ保持期間ｔKにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔK）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔK）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔKにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔK）は、ＴＦＴ１０３の非導通により、
Ｖij（ｔK）＝Ｖij（ｔI）＋α・（Ｖs（ｔK）−Ｖs（ｔI））
＝ＶH＋α・（ＶSC−ＶSH） に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝Ｖcom-C−（ＶH＋α（ＶSC−ＶSH））＜０
従って、黒表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔK）＝５［Ｖ］、ＶH＝１０［Ｖ］、ＶSC＝５［Ｖ］、ＶSH＝１０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝５−５．５［Ｖ］＝−０．５［Ｖ］＜０となる。

これは、データ保持期間中も小さな電位差が残り、黒粒子の拡散を抑制するように作用する。

この期間は、黒粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、黒表示の黒レベルが向上する。黒コントラストが向上し、残像が解消する。

(5) 正帯電粒子リセット後の白書込み（期間ｔI）
上述した（２）−１）正帯電粒子リセット、同２）待機期間に続いて、白書込みが行われる場合、
書込み期間ｔIにおける共通電極バイアス信号をＶcom（ｔI）と表すと、共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔI）＝Ｖcom-Cに設定される。期間ｔIにおける画素（ｉ，ｊ）の画素電圧Ｖij（ｔI）は、ＴＦＴ１０３の導通によってＶij（ｔI）＝ＶL に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝Ｖcom-C−ＶL＞０ であり、白表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔI）＝５［Ｖ］、Ｖij（ｔI）＝０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔI）−Ｖij（ｔI）＝５−０＝５［Ｖ］＞０
この期間は、白粒子を上側共通電極Ｃomに引き続けるので、白表示の白レベルが向上する。白コントラストが向上し、残像が解消する。

(6) 白書込み後のデータ保持（期間ｔK）
データ保持期間ｔKの共通電極バイアス信号Ｖcom（ｔK）は、Ｖcom（ｔK）＝Ｖcom-Cに設定される。画素電圧Ｖij（ｔK）は、ＴＦＴ１０３の非導通により、
Ｖij（ｔK）＝Ｖij（ｔI）＋α・（Ｖs（ｔK）−Ｖs（ｔI））
＝ＶL＋α・（ＶSC−ＶSH）＜ＶL に設定される。

電気泳動素子の電界は
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝Ｖcom-C−ＶL−α（ＶSC−ＶSH））＞Ｖcom-C−ＶL＞０
従って、白表示となる。

例えば、Ｖcom（ｔK）＝５［Ｖ］、ＶL＝０［Ｖ］、ＶSC＝５［Ｖ］、ＶSL＝０［Ｖ］とすると、
Ｖcom（ｔK）−Ｖij（ｔK）＝５−０＋４．５［Ｖ］＝＋９．５［Ｖ］＞０となる。

この期間は、白粒子を上側共通電極Ｃomに引き込むので、強い白表示となる。

（実施例）
図６乃至図９は、上述した実施例における共通電極と画素電極間の電場と電気泳動粒子の状態を複数の表示条件に対応して模式的に示している。各図において、（ａ）図は前画面の状態、（ｂ）図は負帯電白粒子のリセットの状態、（ｃ）図は待機状態、（ｄ）図は書込み状態、（ｅ）図はデータ保持の状態を示している。また、図中の上側の電極が共通電極Ｃomを、下側の電極が画素電極を示しており、各電極の電圧と、例示の電圧値が示されている。画素（ｉ，ｊ）の画素電極の電圧はＶijで示されている。

前述した図６は、前画面の画素が黒であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に白書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、前画面が黒であるとき、負帯電粒子リセットを行うと灰色気味の白となるが、待機期間ｔWでバイアス電圧が印加されているため、より、白い白となる（同図（ｃ））。更に、白の書込み後（同図（ｄ））、データ保持期間ｔKの間、弱いバイアス電圧が印加されるので白粒子の拡散が防止（抑制）される（同図（ｅ））。この例は、図４の画素（ｉ＋１，１）の場合に対応している。

図７は、前画面の画素が白であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に黒書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、前画面が白であるとき、負帯電粒子リセットを行うと白となる。待機期間中ｔWでもバイアス電圧が印加されているため、白が維持される（同図（ｃ））。この後、黒の書込みを行うと灰色となるが（同図（ｄ））、データ保持期間ｔKの間、負のバイアス電圧が印加されるので黒粒子が共通電極に引き付けられ、時間経過と共に黒くなる（同図（ｅ））。黒表示の灰色状態が解消される。この例は、図４の画素（ｉ，ｊ）の場合に対応している。

図８は、前画面の画素が白であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に白書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、前画面が白であるとき、負帯電粒子リセットを行うと白となる。待機期間中ｔWでもバイアス電圧が印加されているため、白が維持される（同図（ｃ））。この後、白の書込みを行うと白となるが（同図（ｄ））、データ保持期間ｔKの間、弱いバイアス電圧が印加されるので白粒子の拡散が抑制される（同図（ｅ））。図４の画素（ｉ，ｊ＋１）の場合に対応している。

図９は、前画面の画素が黒であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に黒書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、前画面が黒であるとき、負帯電粒子リセットを行うと灰色気味の白となる。待機期間中ｔWでもバイアス電圧が印加されているため、白がより白くなる（同図（ｃ））。この後、黒の書込みを行うと灰色となるが（同図（ｄ））、データ保持期間ｔKの間、負のバイアス電圧が印加されるので黒粒子が共通電極に引き付けられ、時間経過と共により黒くなる（同図（ｅ））。黒表示の灰色状態が解消される。この例は、図４の画素（ｉ＋１，ｊ＋１）の場合に対応している。

（比較例）
図１０乃至図１３は、保持容量の第２電極を接地した構成の電気泳動表示装置の画素回路の比較例を示している。実施例と同様に、２粒子系で、白粒子が負に帯電し、黒粒子が正に帯電している。

図１０の画素回路に示すように、比較例では、画素（ｉ，ｊ）の保持容量Ｃscが固定電位Ｖssに、例えば、接地電位に接続されている。他の構成は図２と同様であり、同図において図２と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。

図１１は、比較例の制御信号のタイミング図を示している。画素の負帯電粒子リセットは共通電極Ｃomの電圧ＶcomをＶdd（例えば、１０［Ｖ］）に設定し、ＴＦＴ１０３を動作させて画素電極電圧ＶijをＶss（例えば、０［Ｖ］）に設定することによって行われる。その後、データ書込み、データ保持が行われる。

図１２は、比較例の動作を模式的に示しており、前画面の画素が黒であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に白書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、黒画面から負帯電粒子リセットを行うと、灰色気味の白となる（同図（ｂ））。次に、白データを印加して白書込みを行うと、黒気味の白となる（同図（ｃ））。データ保持期間中、共通電極Ｃom及び画素電極には電位差がないので電気泳動粒子が拡散し、白色が灰色となる。この例は、図１１の画素（ｉ＋１，ｊ）の場合に対応している。

図１３は、比較例の他の動作を模式的に示しており、前画面の画素が白であるときに、負帯電粒子リセットを行い、その後に白書込みを行う場合を示している。同図（ａ）に示すように、拡散によって黒気味の白となっている状態から負帯電粒子リセットを行うと、白となる（同図（ｂ））。次に、白データを印加して白書込みを行うと、共通電極Ｃom及び画素電極には電位差がないため、電気泳動粒子が拡散して黒気味の白となる（同図（ｃ））。データ保持期間中も、共通電極Ｃom及び画素電極には電位差がないので電気泳動粒子が拡散し、白色が灰色となる。この例は、図１１の画素（ｉ，ｊ＋１）の場合に対応している。

このように比較例では、黒画素を負帯電粒子リセットしても灰色気味となり、残像が残る。また、負帯電粒子リセット終了後に電気泳動粒子の拡散が始まり、白レベルが灰色となってコントラストが低下する。

このような比較例に対し、本実施例では、負帯電粒子リセット後の待機期間においてバイアス電圧が印加されて、灰色気味の白がより白くなる。また、伝泳動粒子の拡散が抑制される。

更に、書込みのデータ保持期間おいてバイアス電圧を印加することによって白書込み後の伝泳動粒子の拡散が抑制される。また、黒書込みにおける灰色状態から黒に変わる。

このように本実施例によれば、残像やコントラスト低下が改善される。

なお、上述した実施例においては、電気泳動材料に白と黒の２つの粒子を用い、白粒子が負帯電、黒粒子が正帯電として説明したが、白粒子が正帯電、黒粒子が負帯電であってもよい。この場合には電場の印加電圧方向が逆極性となるようにすることによって本発明を同様に適用することができる。

本発明の電気泳動表示装置の全体構成例を説明するブロック図である。 実施例の電気泳動表示装置における画素回路の構成例を説明する回路図である。 保持容量を利用したバイアス印加を説明する説明図である。 負帯電粒子リセットの場合の動作を説明する信号タイミング図である。 正帯電粒子リセットの場合の動作を説明する信号タイミング図である。 負帯電粒子リセット後の白書込み（前画面黒）を説明する説明図である。 負帯電粒子リセット後の黒書込み（前画面白）を説明する説明図である。 負帯電粒子リセット後の白書込み（前画面白）を説明する説明図である。 負帯電粒子リセット後の白書込み（前画面黒）を説明する説明図である。 比較例の画素回路を説明する回路図である。 比較例の動作例を説明する信号タイミング図である。 比較例の負帯電粒子リセット後の白書込み（前画面黒）を説明する説明図である。 負帯電粒子リセット後の白書込み（前画面白）を説明する説明図である。

符号の説明

１００ 素子基板、１０１ 走査線、１０２ データ線、１０４ 画素電極、１０６ 対向電極、１０６ 保持容量線、１３０ 走査線駆動回路、１４０ データ駆動回路、１４０ データ線駆動回路、１５０ 対向電極電圧変調回路、１５０ 対向電極変調回路、Ｃepd 画素容量、Ｃom 共通電極、Ｃsc 保持容量

Claims (8)

1. 複数の走査線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の保持容量線と、
   複数の信号線と、
   前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差に対応して設けられた複数の画素と、
   前記画素毎に設けられた、ＴＦＴ、保持容量、画素電極と、
   複数の前記画素電極に対向する共通電極と、
   複数の前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、帯電した粒子を含む電気泳動材料と、を備え、
   前記ＴＦＴのソース電極は前記保持容量の第１電極及び前記画素電極に接続され、ドレイン電極は前記信号線に接続され、ゲートは前記走査線に接続され、前記保持容量の第２電極は前記保持容量線に接続され、
   前記複数の保持容量線には保持容量線毎に独立に保持容量バイアス信号が供給され、前記保持容量バイアス信号は、第１信号と、前記第１信号より電位の高い第２信号と、前記第２信号より電位の高い第３信号とを含み、
   前記共通電極には、リセット期間においてリセット電圧に対応する電位が供給され、前記リセット期間後の画像信号導入期間において前記リセット電圧に対応する電位より低い電位が供給され、
   前記保持容量線には、前記リセット期間には前記第３信号が供給され、前記画像信号導入期間には前記第１信号が供給され、前記データ保持期間には前記第２信号が供給される、
   ことを特徴とする電気泳動表示装置。
2. 前記帯電粒子は、負帯電粒子と正帯電粒子とを含み、
   前記リセット期間には、前記負帯電粒子が前記共通電極側に引き寄せられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気泳動表示装置。
3. 複数の走査線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の保持容量線と、
   複数の信号線と、
   前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差に対応して設けられた複数の画素と、
   前記画素毎に設けられた、ＴＦＴ、保持容量、画素電極と、
   複数の前記画素電極に対向する共通電極と、
   複数の前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、帯電した粒子を含む電気泳動材料と、を備え、
   前記ＴＦＴのソース電極は前記保持容量の第１電極及び前記画素電極に接続され、ドレイン電極は前記信号線に接続され、ゲートは前記走査線に接続され、前記保持容量の第２電極は前記保持容量線に接続され、
   前記複数の保持容量線には保持容量線毎に独立に保持容量バイアス信号が供給され、前記保持容量バイアス信号は、第１信号と、前記第１信号より電位の高い第２信号と、前記第２信号より電位の高い第３信号とを含み、
   前記共通電極には、リセット期間においてリセット電圧に対応する電位が供給され、前記リセット期間後の前記画像信号導入期間において前記リセット電圧に対応する電位より高い電位が供給され、
   前記保持容量線には、前記リセット期間には第１信号が供給され、前記画像信号導入期間には前記第３信号が供給され、前記データ保持期間には前記第２信号が供給される、
   ことを特徴とする電気泳動表示装置。
4. 前記帯電粒子は、負帯電粒子と正帯電粒子とを含み、
   前記リセット期間には、前記正帯電粒子が前記共通電極側に引き寄せられる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の電気泳動表示装置。
5. 複数の走査線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の保持容量線と、
   複数の信号線と、
   前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差に対応して設けられた複数の画素と、
   前記画素毎に設けられた、ＴＦＴ、保持容量、画素電極と、
   複数の前記画素電極に対向する共通電極と、
   複数の前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、帯電した粒子を含む電気泳動材料と、を備え、
   前記ＴＦＴのソース電極は前記保持容量の第１電極及び前記画素電極に接続され、ドレイン電極は前記信号線に接続され、ゲートは前記走査線に接続され、前記保持容量の第２電極は前記保持容量線に接続され、前記複数の保持容量線には保持容量線毎に独立に保持容量バイアス信号が供給される電気泳動表示装置の駆動方法であって、
   前記保持容量バイアス信号は時間軸上に、前記画素電極に画像信号を導入する画像信号導入期間と、前記画像信号導入期間にて表示された色調を維持するデータ保持期間と、前記画像信号導入期間の前にリセット期間と、を有し、
   前記画像信号導入期間における前記保持容量バイアス信号の電位は、前記データ保持期間における前記保持容量バイアス信号の電位より低く、
   前記画像信号導入期間における前記保持容量バイアス信号の電位は、前記データ保持期間における前記保持容量バイアス信号の電位より低く、前記リセット期間における前記保持容量バイアス信号の電位は、前記画像信号導入期間における前記保持容量バイアス信号の電位及び前記データ保持期間における前記保持容量バイアス信号の電位より高い、ことを特徴とする電気泳動表示装置の駆動方法。
6. 前記帯電粒子は、負帯電粒子と正帯電粒子とを含み、
   前記リセット期間においては、前記負帯電粒子が前記共通電極側に引き寄せられる、
   ことを特徴とする請求項５に記載の電気泳動表示装置の駆動方法。
7. 複数の走査線と、
   前記複数の走査線に対応して設けられた複数の保持容量線と、
   複数の信号線と、
   前記複数の走査線と前記複数の信号線との交差に対応して設けられた複数の画素と、
   前記画素毎に設けられた、ＴＦＴ、保持容量、画素電極と、
   複数の前記画素電極に対向する共通電極と、
   複数の前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、帯電した粒子を含む電気泳動材料と、を備え、
   前記ＴＦＴのソース電極は前記保持容量の第１電極及び前記画素電極に接続され、ドレイン電極は前記信号線に接続され、ゲートは前記走査線に接続され、前記保持容量の第２電極は前記保持容量線に接続され、前記複数の保持容量線には保持容量線毎に独立に保持容量バイアス信号が供給される電気泳動表示装置の駆動方法であって、
   前記保持容量バイアス信号は時間軸上に、前記画素電極に画像信号を導入する画像信号導入期間と、前記画像信号導入期間にて表示された色調を維持するデータ保持期間と、前記画像信号導入期間の前にリセット期間と、を有し、
   前記画像信号導入期間における前記保持容量バイアス信号の電位は、前記データ保持期間における前記保持容量バイアス信号の電位より高く、
   前記画像信号導入期間における前記共通電極の電位は、前記リセット期間における前記共通電極の電位より高く、前記リセット期間における前記保持容量バイアス信号の電位は、前記画像信号導入期間における前記保持容量バイアス信号の電位及び前記データ保持期間における前記保持容量バイアス信号の電位より低い、
   ことを特徴とする電気泳動表示装置の駆動方法。
8. 前記帯電粒子は、負帯電粒子と正帯電粒子とを含み、
   前記リセット期間においては、前記正帯電粒子が前記共通電極側に引き寄せられる、
   ことを特徴とする請求項７に記載の電気泳動表示装置の駆動方法。

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