JP2011522130A5 - - Google Patents

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JP2011522130A5
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ガス注入部３の下方の壁は好ましくは２つのプレートから成り、ガス注入部３の下向きの面はガス放出面３’を形成する。内側プレート２７の一部が図６に反転して示される。内側プレート２７は非常に多数の穴（ガス放出ポート６）を持ち、それらの穴は張り出した放出ポート６’の中に開く。張り出した放出ポート６’は、正方形のベースエリアを持った突出部２８の中に配置される。これらの突出部２８は、下方プレート３０の正方形の凹部２９の中に下向きに突き出す。下方プレート３０の上側の壁は溝を持ち、それらの溝の中に加熱コイル１９が配置される。それらの溝は開口（正方形の凹部２９）の間の領域にある。その結果として、組み立てられた状態において加熱コイル１９は突出部
２８の間の領域にある。

Claims (1)

  1. 特にパイプの直径によって定義されるガスライン（１３、１５および９）の流れ抵抗と、実質的に前記ガス放出ポート（６）の直径と数によって定義される前記平面ガス分配器（３）の流れ抵抗とは、前記熱分解チャンバー（２）の中の１ミリバールより低い全圧と前記プロセスチャンバー（８）の中のおよそ０．１ミリバールの全圧で少なくとも２０００ｓｃｃｍの全体のガスの流れを達成することができるような範囲とされることを特徴とする請求項１に記載の堆積装置。
JP2011512105A 2008-06-03 2009-06-03 重合パラキシリレンまたは置換パラキシリレンの薄い層を堆積させるための堆積方法および堆積装置 Pending JP2011522130A (ja)

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DE102008026974A DE102008026974A1 (de) 2008-06-03 2008-06-03 Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden dünner Schichten aus polymeren Para-Xylylene oder substituiertem Para-Xylylene
PCT/EP2009/056768 WO2009147156A1 (de) 2008-06-03 2009-06-03 Verfahren und vorrichtung zum abscheiden dünner schichten aus polymeren para-xylylene oder substituiertem para-xylylene

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010000447A1 (de) 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
DE102010000479A1 (de) 2010-02-19 2011-08-25 Aixtron Ag, 52134 Vorrichtung zur Homogenisierung eines verdampften Aerosols sowie Vorrichtung zum Abscheiden einer organischen Schicht auf einem Substrat mit einer derartigen Homogenisierungseinrichtung
DE102010000480A1 (de) 2010-02-19 2011-08-25 Aixtron Ag, 52134 Vorrichtung zum Abscheiden einer organischen Schicht, insbesondere einer Polymerschicht mit einem Aerosolerzeuger sowie ein hierzu geeigneter Aerosolerzeuger
DE102010010819A1 (de) * 2010-03-10 2011-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Parylen-Beschichtung
RU2461429C2 (ru) * 2010-09-03 2012-09-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ) Способ получения пленок полипараксилилена и его производных
TWI427839B (zh) * 2010-12-03 2014-02-21 Ind Tech Res Inst 薄膜圖案的沉積裝置與方法
KR101638765B1 (ko) * 2011-04-29 2016-07-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반응성 증착 프로세스를 위한 가스 시스템
DE102011051261A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
TWI458843B (zh) 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
US9238865B2 (en) 2012-02-06 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Multiple vapor sources for vapor deposition
WO2013142858A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Hzo, Inc. Apparatuses, systems and methods for applying protective coatings to electronic device assemblies
JP5953906B2 (ja) * 2012-04-26 2016-07-20 旭硝子株式会社 光学素子の成形装置及び成形方法
DE102013101534A1 (de) * 2013-02-15 2014-08-21 Aixtron Se Gasverteiler für einen CVD-Reaktor
KR102150625B1 (ko) * 2013-03-15 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 코팅장치
TW201540772A (zh) * 2014-04-24 2015-11-01 美樺興業股份有限公司 高分子粒子及其製備方法
DE102014115497A1 (de) * 2014-10-24 2016-05-12 Aixtron Se Temperierte Gaszuleitung mit an mehreren Stellen eingespeisten Verdünnungsgasströmen
KR101709344B1 (ko) * 2014-12-11 2017-03-08 한국과학기술원 종이기판 및 그 제조방법과 종이기판을 이용하는 센서 및 그 제조방법
US10743421B2 (en) * 2016-06-17 2020-08-11 Hzo, Inc. Mixing dimers for moisture resistant materials
CN108355855B (zh) * 2018-03-23 2020-05-29 德淮半导体有限公司 增粘剂涂布装置
GB201814231D0 (en) * 2018-08-31 2018-10-17 Univ Surrey Apparatus for forming a poly(p-xylylene) film on a component
WO2020251696A1 (en) 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers
US11788190B2 (en) 2019-07-05 2023-10-17 Asm Ip Holding B.V. Liquid vaporizer
GB201913140D0 (en) * 2019-09-12 2019-10-30 Ucl Business Plc Methods and apparatuses for fabricating polymeric conformal coatings, parts coated with polymeric conformal coatings, and optical apparatus
US11946136B2 (en) 2019-09-20 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing device
KR102433553B1 (ko) * 2020-07-30 2022-08-18 연세대학교 산학협력단 폴리머 증착기 및 폴리머 증착 방법
CN114277359B (zh) * 2021-12-28 2023-11-28 新美光(苏州)半导体科技有限公司 进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法
DE102022122315A1 (de) * 2022-09-02 2024-03-07 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer tragstruktur, tragstruktur und optisches gerät mit einer tragstruktur
CN115572946A (zh) * 2022-09-16 2023-01-06 华为数字能源技术有限公司 一种钙钛矿的制备方法、制备设备及光电转换器

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3325628A (en) * 1966-02-16 1967-06-13 Union Carbide Corp Vapor generator
US3288728A (en) 1966-02-18 1966-11-29 Union Carbide Corp Para-xylylene copolymers
US3908046A (en) * 1974-02-25 1975-09-23 Xerox Corp P-xylene vapor phase polymerization coating of electrostatographic particles
SU1840423A1 (ru) * 1982-04-15 2007-03-20 НПО "Астрофизика", Институт неорганической химии СО АН СССР Способ получения покрытий из металлов
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US4945856A (en) 1988-06-23 1990-08-07 Jeffrey Stewart Parylene deposition chamber
US4933129A (en) * 1988-07-25 1990-06-12 Ultrafibre, Inc. Process for producing nonwoven insulating webs
US5268033A (en) * 1991-07-01 1993-12-07 Jeffrey Stewart Table top parylene deposition chamber
US5264039A (en) * 1992-02-24 1993-11-23 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Vapor deposition apparatus
RU2061786C1 (ru) * 1992-11-06 1996-06-10 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им.В.И.Ульянова (Ленина) Способ нанесения покрытий в вакууме и испаритель вакуумной установки для его осуществления
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
US5776254A (en) * 1994-12-28 1998-07-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition
US5709753A (en) * 1995-10-27 1998-01-20 Specialty Coating Sysetms, Inc. Parylene deposition apparatus including a heated and cooled dimer crucible
US5536319A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including an atmospheric shroud and inert gas source
DE69625615T2 (de) * 1995-10-27 2003-09-11 Specialty Coating Systems Inc Verfahren und vorrichtung zur ablagerung von parylen af4 auf halbleiterwafern
US5536321A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter
US5958510A (en) * 1996-01-08 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure
US6849295B2 (en) * 1996-08-22 2005-02-01 Vacuumschmelze Gmbh Method for producing a winding protection for tape-wound cores
US5804259A (en) * 1996-11-07 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film
US5986874A (en) * 1997-06-03 1999-11-16 Watkins-Johnson Company Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring
US6362115B1 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Applied Materials, Inc. In-situ generation of p-xylyiene from liquid precursors
JP2000260764A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Nec Corp 半導体装置の製造装置
JP4226136B2 (ja) * 1999-04-02 2009-02-18 株式会社Ｉｎａｘ 水廻り窯業製品における溶性シリカによるケイ酸析出防止方法
US6709715B1 (en) * 1999-06-17 2004-03-23 Applied Materials Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of copolymer of parylene N and comonomers with various double bonds
DE10007059A1 (de) * 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6451692B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-17 Micron Technology, Inc. Preheating of chemical vapor deposition precursors
DE10136858A1 (de) * 2001-02-15 2002-09-05 Aixtron Ag Beschichtungsvorrichtung
US20040255862A1 (en) * 2001-02-26 2004-12-23 Lee Chung J. Reactor for producing reactive intermediates for low dielectric constant polymer thin films
JP4301403B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-22 日本碍子株式会社 半導体製造装置用ライナー
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
US7390535B2 (en) * 2003-07-03 2008-06-24 Aeromet Technologies, Inc. Simple chemical vapor deposition system and methods for depositing multiple-metal aluminide coatings
US7037834B2 (en) * 2004-05-22 2006-05-02 International Business Machines Corporation Constant emissivity deposition member
JP4506953B2 (ja) * 2004-05-28 2010-07-21 日本電気株式会社 共重合高分子膜およびその作製方法
RU2317313C2 (ru) * 2004-10-28 2008-02-20 Самсунг Электроникс Ко., Лтд Способ получения жидкокристаллической полимерной пленки
JP5140957B2 (ja) * 2005-12-27 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20100034970A1 (en) * 2006-07-28 2010-02-11 Daisankasei Co., Ltd. Apparatus and method for chemical vapor deposition
US20090095218A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
US20090260571A1 (en) * 2008-04-16 2009-10-22 Novellus Systems, Inc. Showerhead for chemical vapor deposition

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