JP2008509560A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 処理領域で基板に化学気相堆積を行うためのチャンバにおいて、
   内部に画定された処理領域を有するチャンバ本体と、
   チャンバ本体に配置されたチャンバ蓋と、
   チャンバ蓋に連結されたガス分配アセンブリであって、当該ガスアセンブリはフェースプレート及びベースプレートを備え、当該フェースプレートは、中央ガス通路領域、当該中央ガス通路領域の外側部から上方に延びる円筒壁、及び当該円筒壁から外側に延びる環状フランジを有し、当該ベースプレートはフェースプレートのフランジと同心円状に積み重ねられたフランジを有し、当該フランジはチャンバ蓋の上に支持されている、ガス分配アセンブリと、
   ガス分配アセンブリ内でフェースプレートとベースプレートとの間に画定されたガスボックスであって、ここで当該ガスボックスはフェースプレートの中央ガス通路領域を通って処理領域へとガスを導入する、ガスボックスと、
   フェースプレートのフランジ上に垂直にガス分配アセンブリのベースプレートのフランジに連結された加熱環状インサートであって、当該インサートはガスボックス及びフェースプレートを加熱するように配され、ここで当該加熱環状インサートはフェースプレートと同心円状であり且つ蓋から垂直方向に離間されている、加熱環状インサートと
   を備えたチャンバ。
2. 上記インサートに加熱素子が埋設されている、請求項１に記載のチャンバ。
3. 上記ガス分配アセンブリの上面に沿って置かれた上記インサートに加熱素子が埋設されている、請求項１に記載のチャンバ。
4. 上記インサートはシリコンゴムインサートである、請求項１に記載のチャンバ。
5. 上記シリコンゴムインサートはワイヤ巻きされている、請求項４に記載のチャンバ。
6. 上記インサートは金属ヒータリングである、請求項１に記載のチャンバ。
7. 上記ベースプレートがさらに上記ガスボックスに流体連結されたガス入口通路を備え、ここで上記インサートはベースプレートと接触する、請求項１に記載のチャンバ。
8. 上記インサートがそこに埋設された加熱素子を有する、請求項７に記載のチャンバ。
9. 処理領域で基板に化学気相堆積を行うためのチャンバにおいて、
   内部に画定された処理領域を有するチャンバ本体と、
   チャンバ本体に配置されたチャンバ蓋と、
   チャンバ蓋に連結されたガス分配アセンブリであって、当該ガスアセンブリはさらに、
   処理領域に晒された中央ガス通路領域の第一側面及びチャンバ蓋の上部に配置されたフランジを有するフェースプレートであって、当該中央ガス通路領域は環状壁により当該フランジに連結されており、ここで当該中央ガス領域は当該環状壁の半径方向内側を向き、そして当該フランジは環状壁の半径方向外側を向く、フェースプレートと、
   フェースプレートの第二側面上に画定されたガスボックスであって、当該第二側面は処理領域から離れる方向を向くガスボックスと、
   フェースプレートのフランジの上部に配置された加熱素子であって、ここで当該フェースプレートのフランジは当該加熱素子とチャンバ蓋の間に配置され、当該加熱素子はフェースプレートを加熱するように配されている、加熱素子と
   を備えたガスアセンブリと
   を備えたチャンバ。
10. 上記加熱素子がフェースプレートと同心円状の環状リングである、請求項９に記載のチャンバ。