JP2011518422A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 裏面コンタクト太陽電池を製造する方法であって、
   前記裏面コンタクト太陽電池の正面側のシリコン基板の表面にテクスチャ加工を施してテクスチャ加工された正面側の表面を生成する工程と、
   前記テクスチャ加工された正面側の表面の上に、二酸化シリコンを含むパッシベーションレベルを形成する工程と、
   前記パッシベーションレベルの上に高ｋシリコン窒化物層を形成する工程と、
   前記高ｋシリコン窒化物層の上に低ｋシリコン窒化物層を形成する工程とを備え、
   前記裏面コンタクト太陽電池は前記正面とは反対の裏面上に、複数の拡散領域と、前記複数の拡散領域に電気的に連結された複数の金属コンタクトとを含み、前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
   前記高ｋシリコン窒化物層は、前記正面から前記シリコン基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する方法。
2. 前記高ｋシリコン窒化物層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有し、前記低ｋシリコン窒化物層は、４００ｎｍ以上の波長の光に対して多くとも０．０３の消衰係数を有する請求項１に記載の方法。
3. 前記シリコン基板は、Ｎ型シリコン基板を含む請求項１または２に記載の方法。
4. 前記パッシベーションレベルは、熱成長した二酸化シリコンを含む請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
5. 前記高ｋシリコン窒化物は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みを有する請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
6. 裏面コンタクト太陽電池であって、
   前記裏面コンタクト太陽電池の正面側のシリコン基板上のテクスチャ加工された表面と、
   前記テクスチャ加工された表面上に形成されたパッシベーションレベルと、
   前記パッシベーションレベル上に形成された高光吸収層と、
   前記高光吸収層上に形成された低光吸収層とを備え、
   前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
   前記高光吸収層は、前記正面から前記シリコン基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する裏面コンタクト太陽電池。
7. 前記高光吸収層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有し、前記低光吸収層は、４００ｎｍ以上の波長の光に対して多くとも０．０３の消衰係数を有する請求項６に記載の裏面コンタクト太陽電池。
8. 前記高光吸収層は、４００ｎｍ以下の波長の光に対して少なくとも０．０３の消衰係数を有する高ｋシリコン窒化物を有する請求項６または７に記載の裏面コンタクト太陽電池。
9. 前記高光吸収層は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みに形成された高ｋシリコン窒化物を有する請求項６から８の何れか１項に記載の裏面コンタクト太陽電池。
10. 裏面コンタクト太陽電池を製造する方法であって、
    前記裏面コンタクト太陽電池の太陽電池基板の正面側の表面にテクスチャ加工を施してテクスチャ加工された正面側の表面を生成する工程と、
    前記テクスチャ加工された正面側の表面の上に、パッシベーションレベルを形成する工程と、
    前記パッシベーションレベルの上に高光吸収層を形成する工程と、
    前記高光吸収層の上に低光吸収層を形成する工程とを備え、
    前記正面は通常動作において太陽側を向き、太陽放射を収集し、
    前記高光吸収層は、前記正面から前記基板へ入射するＵＶ放射の少なくとも１０％を遮光する方法。
11. 前記基板はＮ型シリコンを含む請求項１０に記載の方法。
12. 前記高光吸収層は、１ｎｍから１００ｎｍの範囲の厚みに形成された高ｋシリコン窒化物を有する請求項１０または１１に記載の方法。