RU2012129993A - Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом - Google Patents

Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом Download PDF

Info

Publication number
RU2012129993A
RU2012129993A RU2012129993/28A RU2012129993A RU2012129993A RU 2012129993 A RU2012129993 A RU 2012129993A RU 2012129993/28 A RU2012129993/28 A RU 2012129993/28A RU 2012129993 A RU2012129993 A RU 2012129993A RU 2012129993 A RU2012129993 A RU 2012129993A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
layer
metallized zone
semiconductor device
hydrogenated amorphous
Prior art date
Application number
RU2012129993/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2555212C2 (ru
Inventor
И КАБАРРОКАС Пер РОКА
Мартен ЛЯБРЮН
Original Assignee
Тоталь С.А.
Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик
Эколь Политекник
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тоталь С.А., Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик, Эколь Политекник filed Critical Тоталь С.А.
Publication of RU2012129993A publication Critical patent/RU2012129993A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2555212C2 publication Critical patent/RU2555212C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковое устройство, содержащее:кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1);задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1);первую металлизированную зону (10), выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов;вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую:поверхностную часть (11), расположенную на заднем пассивирующем слое (2); ивнутреннюю часть (12), проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1).2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.3. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.4. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором передний пассивирующий слой (3) содержит:слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); ирасположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием p-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью p-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/илизадний пассивирующий слой (2) содержит:слой (4) беспримесного гидрированного аморфно�

Claims (16)

1. Полупроводниковое устройство, содержащее:
кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1);
задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1);
первую металлизированную зону (10), выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов;
вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую:
поверхностную часть (11), расположенную на заднем пассивирующем слое (2); и
внутреннюю часть (12), проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1).
2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
3. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
4. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором передний пассивирующий слой (3) содержит:
слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием p-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью p-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
задний пассивирующий слой (2) содержит:
слой (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием n-типа.
5. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) образуют взаимопроникающую структуру.
6. Полупроводниковое устройство по п.1, дополнительно содержащее антибликовый слой (8), нанесенный на передний пассивирующий слой (3) и предпочтительно содержащий гидрированный аморфный нитрид кремния.
7. Полупроводниковое устройство по п.1, характеризующееся тем, что является фотогальваническим элементом.
8. Модуль фотогальванических элементов, содержащий множество фотогальванических элементов по п.7, соединенных последовательно и/или параллельно.
9. Способ изготовления полупроводникового устройства, содержащий этапы, на которых:
изготавливают кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
на передней стороне (1а) подложки (1) формируют передний пассивирующий слой (3);
на задней стороне (1b) подложки (1) формируют задний пассивирующий слой (2);
на заднем пассивирующем слое (2) формируют первую металлизированную зону (10), предназначенную для сбора электронов;
формируют вторую металлизированную зону, при этом:
формируют поверхностную часть (11) второй металлизированной зоны (10) на заднем пассивирующем слое (2), предназначенную для сбора дырок;
формируют внутреннюю часть (12) второй металлизированной зоны, которая проходит через задний пассивирующий слой (2) и образует в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1), посредством лазерного отжига поверхностной части (11) второй металлизированной зоны.
10. Способ по п.9, в котором кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
11. Способ по п.9, в котором:
формирование переднего пассивирующего слоя (3) на передней стороне (1а) подложки (1) включает в себя формирование слоя (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием p-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью p-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
формирование заднего пассивирующего слоя (2) на задней стороне (1b) подложки (1) включает в себя формирование слоя (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием n-типа.
12. Способ по п.9, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
13. Способ по п.9, в котором формирование первой металлизированной зоны (10) и формирование поверхностной части (11) второй металлизированной зоны осуществляют посредством литографии, или испарения через трафарет, или напыления через трафарет, или трафаретной печати, причем предпочтительно одновременно; при этом первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) предпочтительно образуют взаимопроникающую структуру.
14. Способ по п.9, в котором формируют антибликовый слой (8) на переднем пассивирующем слое (3), при этом указанный антибликовый слой (8) предпочтительно содержит гидрированный аморфный нитрид кремния.
15. Способ по п.9, в котором полупроводниковое устройство является фотогальваническим элементом.
16. Способ изготовления модуля фотогальванических элементов, характеризующийся тем, что выполняет последовательное или параллельное соединение нескольких фотогальванических элементов по п.7.
RU2012129993/28A 2009-12-14 2010-12-10 Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом RU2555212C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0958922A FR2953999B1 (fr) 2009-12-14 2009-12-14 Cellule photovoltaique heterojonction a contact arriere
FR09/58922 2009-12-14
PCT/IB2010/055725 WO2011073868A2 (fr) 2009-12-14 2010-12-10 Cellule photovoltaïque heterojonction a contact arriere

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012129993A true RU2012129993A (ru) 2014-01-27
RU2555212C2 RU2555212C2 (ru) 2015-07-10

Family

ID=42713403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012129993/28A RU2555212C2 (ru) 2009-12-14 2010-12-10 Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20120247539A1 (ru)
EP (1) EP2513978B1 (ru)
JP (1) JP2013513964A (ru)
KR (2) KR20170029652A (ru)
CN (1) CN102792455A (ru)
AU (1) AU2010331900B2 (ru)
BR (1) BR112012014143A8 (ru)
CA (1) CA2784491C (ru)
FR (1) FR2953999B1 (ru)
RU (1) RU2555212C2 (ru)
WO (1) WO2011073868A2 (ru)
ZA (1) ZA201204008B (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5820989B2 (ja) * 2011-03-25 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換素子の製造方法
EP2690666A4 (en) * 2011-03-25 2014-09-03 Sanyo Electric Co METHOD FOR PRODUCING A PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT
FI20116217A (fi) * 2011-12-02 2013-06-03 Beneq Oy Piitä sisältävä n-tyypin aurinkokennopari
US9202959B2 (en) 2012-09-25 2015-12-01 International Business Machines Corporation Embedded junction in hetero-structured back-surface field for photovoltaic devices
CN103050553B (zh) * 2012-12-29 2015-06-24 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法
US9640699B2 (en) 2013-02-08 2017-05-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device
US9859455B2 (en) 2013-02-08 2018-01-02 International Business Machines Corporation Interdigitated back contact heterojunction photovoltaic device with a floating junction front surface field
CN103178135B (zh) * 2013-02-26 2015-10-14 友达光电股份有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN103746005B (zh) * 2014-01-17 2016-08-17 宁波富星太阳能有限公司 双层氮化硅减反射膜
FR3040822B1 (fr) * 2015-09-07 2018-02-23 Ecole Polytechnique Procede de fabrication d'un dispositif a jonction electronique et dispositif associe
ES2901323T3 (es) * 2019-07-26 2022-03-22 Meyer Burger Germany Gmbh Dispositivo fotovoltaico y método para fabricar el mismo
KR102480841B1 (ko) 2021-01-21 2022-12-23 경북대학교 산학협력단 광전기화학 셀 및 그의 제조방법
CN113963836A (zh) * 2021-08-29 2022-01-21 东华理工大学 一种基于碳化硅PN结型β辐射伏特效应核电池

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839312A (en) * 1978-03-16 1989-06-13 Energy Conversion Devices, Inc. Fluorinated precursors from which to fabricate amorphous semiconductor material
US4703553A (en) * 1986-06-16 1987-11-03 Spectrolab, Inc. Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells
US5538564A (en) * 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
US5571339A (en) * 1995-04-17 1996-11-05 The Ohio State Univ. Research Found Hydrogen passivated heteroepitaxial III-V photovoltaic devices grown on lattice-mismatched substrates, and process
US5641362A (en) * 1995-11-22 1997-06-24 Ebara Solar, Inc. Structure and fabrication process for an aluminum alloy junction self-aligned back contact silicon solar cell
US6262359B1 (en) * 1999-03-17 2001-07-17 Ebara Solar, Inc. Aluminum alloy back junction solar cell and a process for fabrication thereof
JP2001291881A (ja) 2000-01-31 2001-10-19 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
JP2003298078A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Ebara Corp 光起電力素子
US7335835B2 (en) * 2002-11-08 2008-02-26 The Boeing Company Solar cell structure with by-pass diode and wrapped front-side diode interconnection
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
FR2880989B1 (fr) 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
US20070169808A1 (en) 2006-01-26 2007-07-26 Kherani Nazir P Solar cell
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US20080000522A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 General Electric Company Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes
FR2906403B1 (fr) * 2006-09-21 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Procede de recuit de cellules photovoltaiques
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
JP2009152222A (ja) * 2006-10-27 2009-07-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
RU2331139C1 (ru) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления (варианты)
ES2354400T3 (es) * 2007-05-07 2011-03-14 Georgia Tech Research Corporation Formación de un contacto posterior de alta calidad con un campo en la superficie posterior local serigrafiada.
US20090101202A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Industrial Technology Research Institute Method of fast hydrogen passivation to solar cells made of crystalline silicon
US20100218821A1 (en) * 2009-03-02 2010-09-02 Sunyoung Kim Solar cell and method for manufacturing the same
WO2011071937A2 (en) * 2009-12-07 2011-06-16 Applied Materials, Inc. Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120094131A (ko) 2012-08-23
WO2011073868A2 (fr) 2011-06-23
US20120247539A1 (en) 2012-10-04
BR112012014143A2 (pt) 2016-08-16
RU2555212C2 (ru) 2015-07-10
WO2011073868A3 (fr) 2011-09-01
FR2953999A1 (fr) 2011-06-17
EP2513978A2 (fr) 2012-10-24
CA2784491A1 (en) 2011-06-23
CA2784491C (en) 2018-02-20
AU2010331900B2 (en) 2015-09-10
AU2010331900A1 (en) 2012-07-19
FR2953999B1 (fr) 2012-01-20
KR20170029652A (ko) 2017-03-15
ZA201204008B (en) 2020-11-25
EP2513978B1 (fr) 2015-03-25
BR112012014143A8 (pt) 2017-12-26
JP2013513964A (ja) 2013-04-22
CN102792455A (zh) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012129993A (ru) Гетеропереходный фотогальванический элемент с задним контактом
JP6145144B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
KR101466530B1 (ko) 도핑된 반도체 이종접합 접촉부를 갖는 태양 전지
KR101539047B1 (ko) 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법
US8569614B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
WO2005076959A3 (en) Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
US20080156370A1 (en) Heterocontact Solar Cell with Inverted Geometry of its Layer Structure
US20100132792A1 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
JP2016501452A (ja) ハイブリッドエミッタ全バックコンタクト型太陽電池
JP2020129666A (ja) 太陽電池内の相対的ドーパント濃度レベル
US20110284060A1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
KR20160061369A (ko) 수분 장벽을 가진 에피택셜 규소 태양 전지
KR102657230B1 (ko) 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101159277B1 (ko) 강유전체를 이용한 태양전지의 제조방법
JP3201880U (ja) 局部不活性化ヘテロ接合を有する太陽電池構造
KR102550395B1 (ko) 차별화된 p형 및 n형 영역 아키텍처를 갖는 태양 전지
KR20140014066A (ko) 결정질 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20120009682A (ko) 태양 전지 제조 방법
US8222129B2 (en) Method for manufacturing solar cell
FR3037721B1 (fr) Procede de realisation d’une cellule photovoltaique a heterojonction et cellule photovoltaique ainsi obtenue.
TW201431102A (zh) 太陽能電池、其製造方法及其模組
US20160190382A1 (en) Amorphous silicon based laser doped solar cells
JP5029921B2 (ja) 太陽電池セルの製造方法
JP2016039246A (ja) 光電変換素子
Lee et al. Single-crystalline silicon-based heterojunction photodiode arrays on flexible plastic substrates

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant