JP2009049443A5 - - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 9
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 8
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (10)
- ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が裏面側に形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の裏面側に形成された裏面側パッシベーション膜と、
前記シリコン基板の受光面上に形成された受光面側パッシベーション膜と、
前記受光面側パッシベーション膜上に形成された反射防止膜とを含み、
前記受光面側パッシベーション膜の屈折率が前記反射防止膜の屈折率よりも高く、
前記受光面側パッシベーション膜および前記反射防止膜が共に窒化シリコン膜からなり、
前記裏面側パッシベーション膜が酸化シリコン膜からなることを特徴とする、太陽電池。 - 前記裏面側パッシベーション膜が熱酸化シリコン膜からなることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記受光面側パッシベーション膜の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池。
- 前記受光面側パッシベーション膜の屈折率が２．６以上であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池。
- ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板を酸素雰囲気中で加熱して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面の反対側の他方の面側に形成された前記酸化シリコン膜を除去する工程と、
前記酸化シリコン膜が除去された前記シリコン基板の前記他方の面側に、第１のガスを用いたＣＶＤ法により第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の窒化シリコン膜上に、前記第１のガスとは組成が異なる第２のガスを用いたＣＶＤ法により第２の窒化シリコン膜を形成する工程とを含む、太陽電池の製造方法。 - 前記第１のガスおよび前記第２のガスが、シランガスと、アンモニアガスと、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
- ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板を酸素雰囲気中で加熱して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面の反対側の他方の面側に形成された前記酸化シリコン膜を除去する工程と、
前記酸化シリコン膜が除去された前記シリコン基板の前記他方の面側に、第１のＲＦパワー密度でプラズマＣＶＤ法により第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の窒化シリコン膜上に、第１のＲＦパワー密度よりも大きい第２のＲＦパワー密度でプラズマＣＶＤ法により第２の窒化シリコン膜を形成する工程とを含む、太陽電池の製造方法。 - 前記第１の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバと前記第２の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバとが異なることを特徴とする、請求項５から７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板の前記一方の面側に保護膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面側を前記保護膜で保護した状態で前記シリコン基板の前記一方の面と反対側の他方の面側をテクスチャ加工する工程と、
前記シリコン基板の前記テクスチャ加工された前記他方の面側にパッシベーション膜を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法。 - 前記保護膜が酸化シリコン膜からなることを特徴とする、請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008309986A JP5004932B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008309986A JP5004932B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004312140A Division JP4540447B2 (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009049443A JP2009049443A (ja) | 2009-03-05 |
| JP2009049443A5 true JP2009049443A5 (ja) | 2009-04-16 |
| JP5004932B2 JP5004932B2 (ja) | 2012-08-22 |
Family
ID=40501302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008309986A Expired - Fee Related JP5004932B2 (ja) | 2008-12-04 | 2008-12-04 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5004932B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010108151A1 (en) * | 2009-03-20 | 2010-09-23 | Solar Implant Technologies, Inc. | Advanced high efficiency crystalline solar cell fabrication method |
| DE102009025977A1 (de) | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Q-Cells Se | Solarzelle und Herstellungsverfahren einer Solarzelle |
| CN102804392A (zh) * | 2009-06-22 | 2012-11-28 | 国际商业机器公司 | 半导体光学检测器结构 |
| US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
| SG10201508582WA (en) | 2011-11-08 | 2015-11-27 | Intevac Inc | Substrate processing system and method |
| MY178951A (en) | 2012-12-19 | 2020-10-23 | Intevac Inc | Grid for plasma ion implant |
| CN116314356A (zh) | 2021-02-23 | 2023-06-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、太阳能组件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2989923B2 (ja) * | 1991-03-25 | 1999-12-13 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子 |
| JP2002057352A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-22 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| JP2002164556A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Kyocera Corp | 裏面電極型太陽電池素子 |
| JP2002270879A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2004039751A (ja) * | 2002-07-01 | 2004-02-05 | Toyota Motor Corp | 光起電力素子 |
| JP2004047776A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
| JP2004128438A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-04-22 | Sharp Corp | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP4540447B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-04 JP JP2008309986A patent/JP5004932B2/ja not_active Expired - Fee Related
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