KR20160061409A - 태양 전지를 생성하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 결정질 반도체 재료로부터 태양 전지(1)를 생성하기 위한 방법에 관한 것이다. 반도체 기판(3)의 제 1 표면(3a)에, 제 1 도펀트를 열적으로 확산시킴으로써 제 1 도핑 영역(5)이 형성되며, 상기 반도체 기판의 제 2 표면(3b)에, 제 2 도펀트를 이온 주입 또는 열적 내부확산하여 제 2 도핑 영역(7)이 형성된다.
Description
본 발명은 결정질 반도체 재료로부터 태양 전지를 생성하기 위한 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판의 제 1 표면에 제 1 도펀트의 열적 내부확산(thermal indiffusion)에 의해서 제 1 도핑 영역이 형성되며, 반도체 기판의 제 2 표면에 제 2 도펀트에 의해 제 2 도핑 영역이 형성된다.
단결정 또는 다결정 반도체 재료, 특히 실리콘에 기초한 태양 전지들은 새로운 세대의 태양 전지들, 예를 들어서, 박막 및 유기 태양 전지들의 개발 및 런칭에도 불구하고, 지금까지는 에너지의 광전 변환에 의해서 회수되는 전기 에너지의 대부분을 점유하고 있다. 결정질 실리콘 태양 전지들은 또한 최근에 중요한 새로운 개발제품들이 있는데, 이들 중에는 전술한 타입의 태양 전지들(특히, 이른바 n-PERT 태양 전지들)이 있다.
산업용 태양 전지들의 효율을 증가시키기 위해서, 태양 전지 개발은 인(phosphorus) 및 붕소(boron) 도핑된 영역들을 사용하여서 활발하게 될 것이다. 두드러진 실례는 태양 전지의 전면 측 상의 붕소 도핑된 이미터(emitter) 및 전지의 후면 측의 인 도핑된 BSF(Back Surface Field: 후면 표면 필드부)를 포함하는 양면형 n-타입 태양 전지들로 구성된다.
특히, 도핑된 영역들이 스크린 인쇄 금속배선(screen print metallisation)과 컨택트되는 경우에, 시장 표준 금속배선 페이스트들의 다양한 접촉 거동에 기여하는 도핑 프로파일들을 양 도펀트들에 대해서 조절하는 것이 바람직하다. 통상적인 확산 공정들이 사용되는 경우에, 적어도 2 개의 고온 단계들 및 확산을 차단하기 위한 추가 단계들이 이러한 상황들 하에서 필요하다.
상기 상이한 요건들은 공정 시퀀스(process sequence)와 관련하여서는 어느 정도 엄격한데, 그 이유는 인 및 붕소의 확산 상수들은 실질적으로 동일하기 때문이다. 2 개의 확산 공정들을 갖는 예시적인 실시형태에서, 이 공정들은 순차적으로 수행되어야 하기 때문에 서로 영향을 준다.
인 확산은 붕소 확산보다 먼저 수행되는 경우에, 붕소 확산의 열처리량(thermal budget)은 인 확산의 깊이를 증가시킨다. 이러한 경우에, 인 확산은 붕소 확산보다 깊어지며 이는 목표 설계와 정확하게 반대된다. 인 확산이 붕소 확산 이후에 수행되는 경우에, 목표된 프로파일 구성은 역시 조절될 수 있다. 실제로, 인의 내부확산으로부터 붕소 이미터를 보호해야 하는 요건은 언제나 존재한다. 이는 특히 텍스처링된 태양 전지 전방 측들 상에서, 양호한 산업적 수율로 거의 수행될 수 없다. 2 개의 확산 공정들의 실행이 갖는 다른 단점은 높은 공정 복잡도에 있는데 그 이유는 몇몇 고온 단계들 및 캡들(caps)이 요구되기 때문이다.
저감된 공정 복잡도를 갖는 특정 응용들은 고온 단계에서 붕소 및 인 확산을 동시에 수행하고자 하는 것이며, 이는 동시확산(codiffusion)으로 지칭된다. 이는 붕소 및 인의 도핑 글래스들(doping glasses)로부터의 확산 또는 붕소 및 인의 이온 주입을 통한 확산 및 후속하는 내부로 밀어넣는 단계(drive-in step)로 구성된다. 명백하게는, 양쪽의 확산 프로파일들은 이러한 구성을 사용하면 동일한 깊이를 갖는다.
본 발명은 청구항 제 1 항의 특징들을 갖는 방법을 제공한다. 창의적인 개념들의 적합한 실시예들은 종속항들의 청구대상이다.
본 발명은 혼성 구성(hybrid configuration)을 사용하며, 이 혼성 구성에서는 오직 인-도핑된 영역들(또는 보다 일반적으로: 제 2 도핑 영역들)만이 이온 주입을 통해서 생성되며, 붕소 도핑(또는 보다 일반적으로: 제 1 도펀트로 도핑)은 가스상으로부터의 확산 또는 도핑 글래스들로부터의 확산과 같은 확정된 방법들을 사용하여서 발생한다. 이러한 개념의 맥락에서, 주로 확산 장벽 층 역할을 하는 캡(cap)이 표면 상에 형성되어서 이 표면에서 상기 제 2 도핑 영역들이 감소하여서 제 1 도펀트의 임의의 내부확산을 억제하거나 적어도 강하게 저감시킨다.
효율적인 방식은 일련의 문제들을 수반하는데, 이러한 문제들에 대한 해법은 전술한 개념에 기초하여서, 이러한 관점으로부터의 본 발명의 최적 실행으로 결국 이어진다. 한편, 상이한 도핑 프로파일들은 이미 언급한 방식에 있어서, 양 도펀트들에 대해서 조절되어야 한다. 또한, 문제는 제 1 도펀트의 확산이 가스상으로부터의 또는 도핑 글래스들로부터의 도핑된 영역을 반도체 기판의 양 측면들 상에 생성하는 것이며, 이는 표면들 중 하나의 표면 상에서 제 1 도펀트를 갖는 오직 하나의 도핑 영역만을 가져야 하는 태양 전지 구성들에 있어서는, 바람직하지 않은 도핑 영역들을 억제 또는 제거하기 위한 추가 단계들이 필요하다는 것을 설명한다.
본 발명의 바람직한 공정 시퀀스는, 붕소 확산(또는 제 1 도펀트의 내부확산)의 열처리량(thermal budget)이 주입된 인 영역(또는 보다 일반적으로: 제 2 도펀트의 도펀트 증착 층)을 활성화시는데 있어서 동시에 사용되는 것을 특징으로 한다.
결정적인 특징은 다기능성 캡이 인 이온 주입 이후에 그리고 붕소 확산 이전에 인 영역 상에 증착된다는 것이다. 이로써, 이 캡은 제 1 도펀트(예를 들어서 붕소)에 대한 (내부)확산 장벽으로서 역할을 하여서 상기 층 물질이 제 2 도펀트(특별한 인)의 도펀트 증착 층 내로 침투하는 것을 방지하는 역할을 하는 특성을 보인다.
바람직한 실시형태들에서, 캡은 다음과 같은 추가 특성들/기능들을 갖는다:
1. 상기 캡은 산소에 대한 확산 장벽 역할을 한다.
2. 상기 캡은 인(또는 보다 일반적으로 제 2 도펀트)에 대한 (외부)확산 장벽 역할을 할 수 있다.
3. 상기 캡은 제 2 표면, 특히 인-도핑된 영역 상에 전기적 패시베이션 층 역할을 한다.
4. 상기 캡은 태양 전지, 특히 이중면 태양 전지(bifacial solar cell)의 후방 측 상에 반사방지 층 역할을 한다.
최신의 관점으로부터 적합한 방법의 실시형태들에서, 반도체 재료는 실리콘일 수 있으며, 제 1 도펀트는 붕소, 인듐, 갈륨, 알루미늄을 포함하는 그룹으로부터 선택된 원소, 특히 붕소일 수 있으며, 제 2 도펀트는 인, 비소, 안티몬을 포함하는 그룹으로부터 선택된 원소, 특히 인일 수 있다. 특히, 위에서 여러 회 구체적으로 언급한 바와 같이, 붕소와 인의 도펀트 조합은 오래 동안의 효율-개선형 태양 전지 개발을 고려할 때에, 실제적 측면에서 매우 중요하다.
본 제안된 방법은 양 측면들이 컨택트되고, 전방 측 이미터를 갖는 태양 전지, 또는 후방 측 이미터를 갖는 태양 전지, 또는 MWT(Metal-Wrap-Through) 태양 전지 또는 IBC(Interdigital-Back-Contact) 태양 전지를 생성하기 위한 방법으로서 수행될 수 있다. 특히, 제 1 도핑 영역은 n-실리콘 기판의 전방 측 표면에서 이미터 영역으로서 형성될 수 있으며, 제 2 도핑 영역은 n-실리콘 기판의 후방 측 표면에서의 BSF(Back-Surface-Field)로서 형성될 수 있다.
다른 실시형태에서, 제 2 도핑 영역의 도핑 프로파일은 제 1 도핑 영역의 도핑 프로파일보다 더 편평하고/하거나, 제 2 도펀트의 표면 농도가 제 1 도펀트의 표면 농도보다 더 높은 것을 특징으로 한다. 보다 구체적으로, 본 방법은 제 1 도핑 영역의 형성이 제 1 표면 및 선택사양적으로 제 2 표면 상에, 제 1 도펀트를 함유하는 글래스를 부가하고 제 1 도펀트를 공정 분위기 내에서 가스 상태로 준비하는 것을 포함하도록 설계된다.
본 발명의 큰 이점은 종래 기술에 비해서 오직 하나의 고온 단계만을 갖는 크게 비용-최적화된 공정 시퀀스에 있다. 이러한 시퀀스는 활성화될 제 1 도펀트 및 이온 주입에 의해서 이전에 부가된 제 2 도펀트를 위한 열적 내부확산 단계의 동시적 사용을, 목표된 도핑 프로파일에 부정적인 영향을 주지 않으면서, 가능하게 하는 확산 장벽 층을 사용함으로써 달성되며, 이는 적합한 실행 시에 많은 추가 이점들, 예를 들어서, 산소-함유 공정 분위기를 사용하여서 증가된 공정 속도, 및 감소된 생산 비용을 제공한다.
본 발명이 첨부된 도식적 도면을 참조하여서 예시적인 실시예를 사용하여서 보다 상세하게 기술될 것이다. 도 1은 본 발명에 따른 태양 전지의 도식적 단면도를 도시한다.
도 1은 n-타입의 결정질 실리콘 기판(3)과 각각의 피라미드 구조의 제 1(전방 측) 표면(3a) 및 제 2(후방 측) 표면(3b)을 갖는 태양 전지(1)의 단면을 도시적으로 도시한다. 제 1 표면(3a)에 제 1 도핑 영역(이미터 영역)(5)이 붕소 확산에 의해서 형성되고, 제 2 표면(3b)에 편평한 후면 표면 필드부(7)가 인 주입 및 이후의 경화/활성화에 의해서 제 2 도핑 영역으로서 형성된다.
두꺼운 실리콘 질화물 층 또는 SiN-함유 이중 층(9a 또는 9b)이 반사방지 층으로서 제 1 표면 및 제 2 표면(3a, 3b) 상에 체계적으로 증착된다. 이로써, 후방 측 실리콘 질화물 층(9b)은 후방 측 표면(3b) 내로의 인 주입 이후이지만, 반도체 기판 내로의 붕소 확산 단계 이전 그리고 열적 확산 단계 이후에 남겨진 층이다. 반사 방지 층이 산화물(예를 들어서 실리콘 산화물)로 이루어진 추가 부분 층에 의해서 완성되어서 상기 층의 패시베이션 특성을 향상시키며, 이는 도면에서는 도시되지 않는다. 태양 전지들의 전방 측(제 1 표면)(3a)은 전방 측 금속배선(11a)을 가지며, 태양 전지들의 후방 측(제 2 표면)(3b)은 후방 측 금속배선(11b)을 갖는다.
전방 측 이미터를 가지며 양 측면들 상에서 컨택트된 n-타입 전지의 생성을 위한 시퀀스가 기술된다. 변형예는 변형된 태양 전지 타입들을 생성하는데 있어서 본 기술 분야의 당업자에게 자명하다. 이러한 태양 전지의 생성의 시퀀스는 이러한 순서로 이하에서 열거되는 공정 모듈들을 포함하며, 여기서 각 공정 모듈은 하나의 또는 몇 개의 공정 단계들로 구성된다.
공정 모듈 1: 웨이퍼 텍스처링
이 공정 단계는 후속하는 세정 단계와 함께 표준 텍스처링을 수반할 수 있다. 선택사양적으로, 웨이퍼는 후면 측 상에서 계획될 수 있다. 이렇게 하기 위해서, 몇몇 방법들이 본 기술 분야에 의해서 제공되며 본 발명에 있어서는 중요하지 않다.
공정 모듈 2: 도펀트 증착 층 형성
(인 주입)
이렇게 하기 위해서, 인이 전지 후방 측 내로 주입된다(예를 들어서, 0.5 내지 7e15 1/cm²도즈량 및 1 내지 40 keV 에너지, 바람직하게는 1.5 내지 4e15 1/cm²도즈량 및 10 keV 에너지). 인 층의 층 저항은 경화 단계(단계 4) 이후에 10 내지 300 Ohm/square이며; 바람직하게는 30 내지 120 Ohm/square이다. 다른 실시예에서, 이러한 주입은 도즈량이 금속배선 영역 아래에서 더 높을 수 있도록 선택적일 수 있다. 추가적으로, 이러한 주입은, 웨이퍼 에지와 인 도핑 영역 간에서, 50 내지 1000 ㎛ 폭이 존재하여서 BSF와 이미터 간에 전기 절연을 제공하도록 마스킹될 수 있다.
이러한 인 주입 이후에는 최적하게는 웨이퍼 세정이 따르며 이로써 바람직하지 않은 잔여물들 및 오염물들을 제거한다. 이는 물, 박화된(thinned) HF, HNO3 또는 H2O2/HCl 내에서 하나 이상의 단계들을 갖는 습식 화학적 공정를 통해서 실시예의 형태로 발생한다. 다른 예시적인 실시예에서, 이러한 세정은 수소, 산소 및/또는 불소-함유 분위기 내에서 플라즈마 공정를 통해서 발생할 수 있다.
이 공정 단계 이후에, 인은 웨이퍼 표면이 아니라, 웨이퍼의 벌크 내에서 전기적 비활성 형태로 존재한다.
공정 모듈 3: 확산 장벽 층 생성
제 2 기판 표면 상의 캡(확산 장벽 층)은 붕소의 확산 층 내로의 내부확산을 방지하며 산소가 침투할 수 없다(impermeable). 또한, 이 캡은 양호한 패시베이션을 제공해야 하며 이중면 태양 전지를 사용할 때에 반사 방지 층 역할을 해야한다.
가장 용이한 실시예에서, 순수한 SiN 층이 캡으로서 사용된다(굴절율 n = l.8 내지 2.2, 바람직하게는 1.9 내지 2). 이 층의 두께는 1 nm 내지 250 nm, 바람직하게는 30 내지 80 nm 범위에 있다. 정상적으로는, 캡 층은 PECVD 공정에 의해서 증착되며, 이 공정에서 화학물질은 SiH4, N2, NH3, H2, Ar을 포함하는 그룹으로부터하나 이상의 가스 중에서 선택된다. 이와 달리, 상기 캡은 예를 들어서, LPCVD, APCVD 또는 PVD과 같은 다른 방법들에 의해서 부가될 수 있다.
모든 요건들을 최적화하기 위해서, SiO2, AI2O3, TiO 또는 SiON 층이 실리콘과 SiN 간에 삽입될 수 있도록 층 스택이 사용될 수 있으며, 이는 전기적 패시베이션 특성들을 개선시킬 수 있다.(0.5 내지 50 nm, 바람직하게는 5 nm)
장벽 특성들을 최적화시키기 위해서, 비정질 또는 다결정질 실리콘의 층이 층 스택 내로 삽입될 수 있다.(0.5 내지 30 nm, 바람직하게는 20 nm).
공정 모듈 4: 붕소 확산 및 이와 동시의 인 활성화
붕소 확산은 오븐 공정를 통해서 수행되며, 이 공정에서 웨이퍼 위에 먼저 붕소-함유 분위기 내에서 붕소 글래스가 배치된다. 여기서, 통상적인 프리커서들(precursors)은 BBr3 및 BCI3이며, 추가 공정 가스들은 N2 및 O2이다. 비활성 또는 산소-함유분위기 내에서 내측으로 밀어넣는 단계(drive-in step)가 제자리에서(in-situ) 배치 단계(overlaying step) 이후 후속된다. 바람직한 변형예에서, 이러한 배치 단계 및 내측으로 밀어넣는 단계들은 붕소 확산을 가속화시키기 위해서 적어도 부분적으로 산소-함유 분위기 내에서 이루어진다.
다른 실시예는 (예를 들어서, APCVD 또는 PECVD를 통해서) 전지의 전방 측 상에 붕소 글래스를 증착하고 이후에서 별도의 공정 단계에서 내측으로 밀어넣는 단계를 포함한다.
이러한 붕소 확산 영역은 무엇보다도 층 저항이, 특히 30 내지 200 Ohm/square, 바람직하게는 45 내지 100 Ohm/square에 놓이는 것을 특징으로 한다.
위에서 나타난 바와 같이, 붕소 확산은 인-도핑된 영역의 경화 및 활성화를 동시적으로 발생시킨다. 이렇게 하기 위해서, 공정이 다기능 층을 가질 경우에는, 인은 붕소보다는 기판 내로 보다 깊게 확산되지만, 붕소보다는 느리게 확산된다.
확산 영역들의 깊이는 30 nm 내지 2500 nm, 바람직하게는 400 내지 1000 nm에 이르며, 여기서 붕소의 깊이는 이상적으로는 인의 깊이보다 깊다.
공정 모듈 5: 전방 측 패시베이션
붕소 이미터들의 패시베이션을 위한 상이한 동작들은 종래 기술에서 알려져 있다. 그렇게 하기 위해서, SiO2/SiN 또는 AI2O3/SiN으로 이루어진 층 스택으로의 패시베이션이 적합하다. 상기 층 스택은 PECVD 및 열적 산화 공정들의 조합에 의해서 생성될 수 있다. 그 정확한 구성은 본 발명에서 중요하지 않다.
패시베이션 이전에, 공정 모듈 4 에서 형성되었을 수 있는 붕소 글래스는 상황이 허용하는 한 전방 측으로부터 제거되어야 하며, 이는 본 기술 분야에 따라서 희석된 HF 용액을 사용하여서 수행될 수 있다.
공정 모듈 6: 선택사양적 추가 후방 측 패시베이션
공정 모듈 3 에서 형성된 확산 장벽 층이 전지 후방 측의 전기적 패시베이션 역할을 동시적으로 하지 않는 경우에, 이 장벽 층은 제거되고 추가 패시베이션 층으로 교체되어야 한다. 캡은 단계 5에서의 붕소 제거 공정와 함께, 연장된 HF 단계를 통해서 제거될 수 있다.
SiO/SiN 또는 SiN 층은 본 기술 분야의 종래 기술에 따라서 패시베이션 층으로서 사용될 수 있다.
공정 모듈 7: 금속배선형성
금속배선형성은 표준 산업 방법들을 사용하며 본 발명에서 중요하지 않다. 전방 측 금속배선형성은 통상적으로 은 그리드(silver grid)를 사용하여서 이루어진다. 후방 측 금속배선형성은 또한 은 그리드를 사용하여서 이루어지거나, 예를 들어서, 레이저 어블레이션(ablation) 및 PVD에 의해서 생성되는 국부적 컨택트들을 갖는 전체-표면 알루미늄 금속배선을 형성하는 것에 의해서 이루어진다.
도핑 공정의 순서 시퀀스는, 후방 측 이미터 전지(후방 측 상의 붕소, 전방 측 상의 인)의 경우에서는 본 공정에 대한 가능한 변형예로 수정될 수 있다. 이러한 경우에, 붕소는 인 대신에 주입될 수 있으며, 붕소 확산은 인 확산으로 대체될 수 있다.
본 기술 분야의 당업자에 알려진 보다 특정화된 문맥에서, 다른 실시예들 및 변형예들이 오직 예시적으로 본 명세서에서 도시된 방법 및 디바이스에 기초하여서 고려될 수 있다.
Claims (12)
- 결정질 반도체 재료로부터 태양 전지(1)를 생성하는 방법으로서,
반도체 기판(3)의 제 1 표면(3a)에 제 1 도펀트의 열적 내부확산(thermal indiffusion)에 의하여 제 1 도핑 영역(5)이 형성되고, 상기 반도체 기판의 제 2 표면(3b)에 제 2 도펀트의 이온 주입 또는 열적 내부확산을 통하여 제 2 도핑 영역(7)이 형성되며,
상기 제 2 도펀트의 이온 주입을 통하여, 도펀트 증착 층이 상기 제 2 표면 상에 또는 상기 제 2 표면 근처에 형성되고, 상기 제 2 표면 외부로의 제 2 도펀트의 외부확산을 방지하기 위한 확산 장벽 층(9b)이 상기 제 2 표면 상에 형성되며, 그 후에, 적어도 하나의 열적 공정 단계가 상기 제 1 도핑 영역 및 제 2 도핑 영역을 형성하도록 수행되는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항에 있어서,
상기 반도체 재료는 실리콘이며, 상기 제 1 도펀트는 붕소, 인듐, 갈륨, 알루미늄을 포함하는 그룹으로부터 선택된 원소, 특히 붕소이며, 상기 제 2 도펀트는 인, 비소, 안티몬을 포함하는 그룹으로부터 선택된 원소, 특히 인(phosphorus)인, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제 1 도핑 영역(5)은 n-실리콘 기판(3)의 전방 측 표면(3a)에서의 이미터 영역(emitter region)으로서 형성되며, 상기 제 2 도펀트 영역은 상기 n-실리콘 기판의 후방 측 표면(3b)에서의 후측 표면 필드부(BSF:back surface field)(7)로서 형성되는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 도핑 영역(7)의 도핑 프로파일은 상기 제 1 도핑 영역(5)의 도핑 프로파일보다 편평하고, 및/또는 상기 제 2 도펀트의 표면 농도는 상기 제 1 도펀트의 표면 농도보다 높은 것을 특징으로 하는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
오직 하나의 열적 공정 단계만이 상기 제 1 도핑 영역 및 제 2 도핑 영역(5, 7)을 형성하도록 수행되어, 상기 제 1 도펀트의 내부확산을 위해서 사용되는 열처리량은 이전에 형성된 도펀트 증착 층 외부로의 상기 제 2 도펀트의 활성화를 야기하며, 이를 위해서, 상기 제 1 도펀트의 내부확산은 상기 제 2 표면(3b) 상에 상기 확산 장벽 층(9b)을 형성한 후에 수행되며, 상기 확산 장벽 층은 상기 제 1 도펀트의 제 2 표면 내로의 임의의 내부확산을 방지하는 내부확산 장벽 층으로서 형성되는, 태양 전지 생성 방법. - 제5항에 있어서,
상기 확산 장벽 층(9b)은 산소 확산 장벽과 동시적으로 형성되며, 상기 제 1 도펀트의 내부확산은 산소-함유 분위기 내에서 적어도 단면들에서(at least in sections) 수행되는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 도핑 영역(5)의 형성은 상기 제 1 표면(3a) 및 선택적으로 제 2 표면(3b) 상에 상기 제 1 도펀트를 함유하는 글래스를 부가하며 상기 공정 분위기 내에서 가스 상태의 제 1 도펀트를 준비하는 것을 포함하는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 표면이 상기 태양 전지(1)의 후방 측을 형성하는 태양 전지 구성에 있어서, 상기 제 2 표면(3b) 상의 확산 장벽 층(9b)은 상기 제 2 표면 상에서 후방 측 패시베이션 및/또는 후방 측 반사방지 층으로서 남는, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
전방 측 이미터를 가지며 양 측면에 컨택된 태양 전지(1), 또는 후방 측 이미터를 갖는 태양 전지, 또는 MWT(Metal-Wrap-Through) 태양 전지 또는 IBC(Interdigital-Back-Contact) 태양 전지를 생성하기 위한 방법으로서 설계된, 태양 전지 생성 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
확산 장벽 층(9b)으로서 SiN 층이 사용되며, 상기 SiN 층은 특히 n = 1.8 내지 2.2의 굴절율, 보다 특별히 n = l.9 내지 2.0의 굴절율을 가지며, 특히 1 내지 250 nm의 두께, 보다 특별히 30 내지 80 nm의 두께를 갖는, 태양 전지 생성 방법. - 제10항에 있어서,
층 스택이 확산 장벽 층으로서 사용되며, 상기 층 스택은 SiN 층 이외에, SiO2 층, Al2O3 층, TiO 층 및/또는 SiON 층을 포함하며, 상기 층 스택에서, 상기 추가된 층 또는 추가된 층들은 특히 0.5 내지 50 nm 범위의 두께를 갖는, 태양 전지 생성 방법. - 제10항 또는 제11항에 있어서,
상기 확산 장벽 층(9b)은 PECVD 공정, LPCVD 공정, APCVD 공정 또는 PVD 공정에 의해서 생성되는, 태양 전지 생성 방법.
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