DE102013219603A1 - Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) aus kristallinem Halbleitermaterial, wobei in einer ersten Oberfläche (3a) eines Halbleitersubstrats (3) ein erster Dotierungsbereich (5) durch thermisches Eindiffundieren eines ersten Dotanden und in der zweiten Oberfläche (3b) des Halbleitersubstrats ein zweiter Dotierungsbereich (7) durch Ionenimplantation und thermisches Eintreiben eines zweiten Dotanden gebildet wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus kristallinem Halbleitermaterial, wobei in einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats ein erster Dotierungsbereich durch thermisches Eindiffundieren eines ersten Dotanden und in der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats ein zweiter Dotierungsbereich mit einem zweiten Dotanden gebildet wird.
  • Stand der Technik
  • Solarzellen auf der Basis von mono- oder polykristallinem Halbleitermaterial, insbesondere Silizium, erbringen trotz der Entwicklung und Markteinführung neuartiger Solarzellentypen, wie Dünnschicht- und organischen Solarzellen, den weitaus größten Teil der durch photovoltaische Energieumwandlung gewonnenen elektrischen Energie. Auch bei den kristallinen Silizium-Solarzellen gab es in jüngerer Zeit wesentliche neue Entwicklungen, zu denen die Solarzellen des o. g. Typs (speziell die sog. n-PERT-Solarzellen) zählen.
  • Zur Erhöhung der Effizienz von industriellen Solarzellen wird momentan vermehrt die Entwicklung von Solarzellen mit phosphor- und bor-dotierten Bereichen vorangetrieben. Ein prominentes Beispiel sind bifaciale n-Typ Solarzellen, bei denen sich ein bor-dotierter Emitter auf der Vorderseite und ein phosphor-dotiertes Back Surface Field (BSF) auf der Rückseite der Zelle befindet.
  • Insbesondere wenn die dotierten Bereiche mit einer Siebdruck-Metallisierung kontaktiert werden, ist es wünschenswert, für beide Dotanden Dotierprofile einzustellen, die unterschiedlichem Kontaktierverhalten der marktüblichen Metallisierungspasten Rechnung tragen. Wenn mit herkömmlichen Diffusionsprozessen gearbeitet wird, sind demnach mindestens zwei Hochtemperaturschritte sowie zusätzliche Schritte zur Maskierung der Diffusionen notwendig.
  • Diese unterschiedlichen Anforderungen stellen große Herausforderungen an die Prozessführung dar, da die Diffusionskonstanten von Phosphor und Bor nahezu gleich sind. Bei einer beispielhaften Ausführung mit zwei Diffusionsprozessen beeinflussen sich die Prozesse gegenseitig, da sie sequentiell durchgeführt werden müssen.
  • Wenn die Phosphordiffusion vor der Bordiffusion durchgeführt wird, vergrößert das thermische Budget der Bordiffusion die Tiefe der Phosphordiffusion. In diesem Fall ist die Phosphordiffusion tiefer als die Bordiffusion – genau das Gegenteil des Designziels. Wenn die Phosphordiffusion nach der Bordiffusion durchgeführt wird, lässt sich zwar die gewünschte Profilkonfiguration einstellen. Allerdings besteht jetzt die Herausforderung, den Boremitter vor der Eindiffusion von Phosphor zu schützen. Dies ist insbesondere auf texturierten Solarzellenvorderseiten industriell kaum mit guter Ausbeute zu realisieren. Ein weiterer Nachteil der Ausführung mit zwei Diffusionsprozessen besteht in einer hohen Prozesskomplexität, da mehrere Hochtemperaturschritte und Abdeckschichten notwendig sind.
  • Einige Ansätze mit reduzierter Prozesskomplexität versuchen die Diffusion von Bor und Phosphor gleichzeitig in einem Hochtemperaturschritt durchzuführen, als eine sog. Codiffusion. Diese kann zum Beispiel durch Diffusion aus Dotiergläsern oder durch Ionenimplantation von beiden Spezies mit nachfolgendem Eintreibschritt erfolgen. Offensichtlich sind auch mit diesem Ansatz beide Diffusionsprofile gleich tief.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Mit der Erfindung wird ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 bereitgestellt. Zweckmäßige Fortbildungen des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Die Erfindung verfolgt einen hybriden Ansatz, bei dem nur die phosphordotierten Gebiete (oder allgemeiner: zweiten Dotierungsbereiche) durch Ionenimplantation hergestellt werden und bei der Bordotierung (oder allgemeiner: Dotierung mit dem ersten Dotanden) auf etablierte Ansätze wie Diffusion aus der Gasphase oder aus Dotiergläsern gesetzt wird. Im Rahmen dieses Konzepts wird eine primär als Diffusionsbarriereschicht wirkende Abdeckschicht auf derjenigen Oberfläche gebildet, in der die zweiten Dotierungsbereiche gebildet wurden, um dort eine Eindiffusion des ersten Dotanden zu unterbinden und zumindest stark zu behindern.
  • Die effiziente Umsetzung birgt allerdings eine Reihe von Problemen, deren Lösung auf der Grundlage des genannten Konzeptes letztlich zur aus diesseitiger Sicht optimalen Ausführung der Erfindung führt. Zum einen besteht das weiter oben bereits erwähnte Anliegen, für beide Dotanden unterschiedliche Dotierprofile einzustellen. Des Weiteren besteht das Problem, dass die Diffusion des ersten Dotanden aus der Gasphase oder aus Dotiergläsern auf beiden Seiten des Halbleitersubstrats ein dotiertes Gebiet erzeugt, weshalb bei Solarzellenaufbauten, die nur auf einer der Oberflächen einen Dotierungsbereich mit dem ersten Dotanden haben dürfen, zusätzliche Schritte zur Vermeidung oder Beseitigung der unerwünschten Dotiergebiete erforderlich werden.
  • Die bevorzugte Prozesssequenz der vorliegenden Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass das thermische Budget der Bordiffusion (bzw. Eindiffusion des ersten Dotanden) gleichzeitig zur Aktivierung des implantierten Phosphorbereiches (oder allgemeiner: der Dotandendepotschicht des zweiten Dotanden) genutzt wird.
  • Ein entscheidendes Merkmal ist dabei, dass nach Phosphor-Ionenimplantation und vor Bordiffusion eine multifunktionale Deckschicht auf den Phosphorbereich abgeschieden wird. Die Deckschicht weist dabei mindestens die Eigenschaft auf, als (Ein-)Diffusionsbarriere für den ersten Dotanden (z. B. Bor) zu dienen und damit zu verhindern, dass dieser in die Dotandendepotschicht des zweiten Dotanden (speziell Phosphor) eindringt.
  • In bevorzugten Ausführungen hat die Deckschicht noch weitere Eigenschaften/Funktionen:
    • 1. Sie wirkt als Diffusionsbarriere für Sauerstoff.
    • 2. Sie kann als (Aus-)Diffusionsbarriere für Phosphor (bzw. allgemeiner den zweiten Dotanden) wirken.
    • 3. Sie wirkt als elektrische Passivierschicht auf der zweiten Oberfläche, speziell also dem phosphordotierten Gebiet.
    • 4. Sie wirkt als Antireflexschicht auf der Rückseite der Solarzelle, speziell einer bifazialen Solarzelle.
  • In aus heutiger Sicht zweckmäßigen Ausgestaltungen des Verfahrens werden als Halbleitermaterial Silizium und als erster Dotand ein Element aus der Bor, Indium, Gallium, Aluminium umfassenden Gruppe, insbesondere Bor, und als zweiter Dotand ein Element aus der Phosphor, Arsen, Antimon umfassenden Gruppe, insbesondere Phosphor, eingesetzt. Speziell die Dotandenkombination Bor/Phosphor, die vorstehend mehrfach konkret angesprochen wurde, ist mit Blick auf jüngere, effektivitäts-steigernde Solarzellenentwicklungen von großer praktischer Bedeutung.
  • Das vorgeschlagene Verfahren ist ausführbar als Verfahren zur Herstellung einer beidseitig kontaktierten Solarzelle mit Vorderseitenemitter oder einer Solarzelle mit Rückseitenemitter oder einer MWT(Metal-Wrap-Through)-Solarzelle oder einer IBC(Interdigitad-Back-Contact)-Solarzelle. Speziell kann der erste Dotierungsbereich als Emitterbereich in der vorderseitigen Oberfläche eines n-Siliziumsubstrats und der zweite Dotierungsbereich als Back Surface Field in der rückseitigen Oberfläche des n-Siliziumsubstrats gebildet werden.
  • In einer weiteren Ausführung ist das Dotierungsprofil des zweiten Dotierungsbereichs relativ zu dem des ersten Dotierungsbereichs flacher und/oder durch eine höhere Oberflächenkonzentration des zweiten Dotanden gegenüber dem ersten Dotanden charakterisiert. Spezieller ist das Verfahren so ausgestaltet, dass die Bildung des ersten Dotierungsbereiches ein Belegen der ersten und optional zweiten Oberfläche mit einem den ersten Dotanden enthaltenden Glas oder eine Bereitstellung des ersten Dotanden im gasförmigen Zustand in einer Prozessatmosphäre umfasst.
  • Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung liegt in einer gegenüber dem Stand der Technik deutlich kostenoptimierten Prozesssequenz mit nur einem Hochtemperaturschritt. Dies wird durch den Einsatz einer Diffusionsbarriereschicht erreicht, welche die gleichzeitige Nutzung eines thermischen Eindiffusionsschrittes für den ersten Dotanden zur Aktivierung des vorab mittels Ionenimplantation eingebrachten zweiten Dotanden ohne nachteilige Auswirkungen auf die gewünschte Dotierprofile ermöglicht und in zweckmäßigen Ausgestaltungen noch weitere Vorteile bietet, z. B. den die Prozessgeschwindigkeit steigernden und somit die Prozesskosten verringernden Einsatz einer sauerstoffhaltigen Prozessatmosphäre ermöglicht.
  • Zeichnung
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beigefügte, schematische Zeichnung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt eine schematische Querschnittsdarstellung in erfindungsgemäßer Solarzelle.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Die einzige Figur zeigt schematisch in einer Querschnittsdarstellung eine Solarzelle 1 mit einem kristallinen Siliziumsubstrat 3 vom n-Typ und einer jeweils pyramidenartig strukturierten ersten (vorderseitigen) Oberfläche 3a und zweiten (rückseitigen) Oberfläche 3b. In der ersten Oberfläche 3a ist durch Bordiffusion ein erster Dotierungsbereich (Emitterbereich) 5 gebildet, und in der zweiten Oberfläche ist durch Phosphor-Implantation und anschließender Ausheilung/Aktivierung als zweiter Dotierungsbereich ein flaches Back Surface Field 7 gebildet.
  • Auf der ersten und zweiten Oberfläche 3a, 3b ist jeweils als Antireflexschicht eine dichte Siliziumnitridschicht oder SiN-haltige Doppelschicht 9a bzw. 9b abgeschieden. Hiervon ist die rückseitige Siliziumnitridschicht 9b eine nach einer Phosphorimplantation in die rückseitige Oberfläche 3b, aber vor einem Schritt der Bordiffusion in das Halbleitersubstrat gebildete und nach einem thermischen Diffusionsschritt dort belassene Schicht. Die Antireflexschicht kann um eine zusätzliche Teilschicht aus einem Oxid (etwa Siliziumoxid) ergänzt sein, die die Passivierungseigenschaften der Schicht verbessert, in der Figur aber nicht gezeigt ist. Auf der Solarzellen-Vorderseite (ersten Oberfläche) 3a ist eine Vorderseiten-Metallisierung 11a und auf der Solarzellen-Rückseite (zweiten Oberfläche) 3b eine Rückseiten-Metallisierung 11b angebracht.
  • Nachfolgend wird beispielhaft eine Abfolge für die Herstellung einer beidseitig kontaktierten n-Typ Zelle mit Vorderseitenemitter beschrieben. Für den Fachmann ist eine Abwandlung zur Herstellung von abweichenden Solarzellentypen offensichtlich. Die Sequenz der Herstellung dieser Solarzelle umfasst die unten genannten Prozessmodule in dieser Reihenfolge, wobei jedes Prozessmodul aus einem oder mehreren Prozessschritten besteht.
  • Prozessmodul 1: Texturierung des Wafers
  • In diesem Prozessschritt kann eine industrieübliche Texturierung mit anschließender Reinigung erfolgen. Optional kann der Wafer rückseitig planarisiert sein. Hierzu sind mehrere Verfahren Stand der Technik und für die Erläuterung der Erfindung nicht relevant.
  • Prozessmodul 2: Bildung der Dotandendepotschicht
  • (Phosphor-Implantation)
  • Hier wird in die Zellrückseite Phosphor implantiert (z. B. eine Dosis zwischen 0.5 und 7e15 1/cm2 mit einer Energie von 1–40 keV, bevorzugt 1.5–4e15 1/cm2, 10 keV). Der Schichtwiderstand der Phosphorschicht beträgt nach dem Ausheilen (Schritt 4) 10–300 Ohm/square, bevorzugt 30–120 Ohm/square. In einer erweiterten Ausführungsform kann die Implantation selektiv erfolgen, so dass die Dosis unter dem Metallisierungsbereich höher ist. Zusätzlich kann die Implantation so maskiert sein, dass zwischen Waferrand und Phosphordotierung ein undotiertes Gebiet von 50–1000 μm Breite entsteht, um eine elektrische Isolation zwischen BSF und Emitter zu gewährleisten.
  • Nach dem Phosphor-Implant erfolgt optional eine Reinigung des Wafers, um unerwünschte Phosphorreste und Kontamination zu entfernen. Dieses kann in einer Ausführungsform durch einen nasschemischen Prozess mit einem oder mehreren Schritten in Wasser, verdünnter HF, HNO3 oder H2O2/HCl erfolgen. In einer anderen Ausführungsform kann die Reinigung durch einen Plasmaprozess mit wasserstoff-, sauerstoff- und/oder fluorhaltiger Atmosphäre erfolgen.
  • Nach diesem Prozessschritt befindet sich der Phosphor in elektrische inaktiver Form im Bulk des Wafers, nicht auf der Waferoberfläche.
  • Prozessmodul 3: Erzeugung der Diffusionsbarriereschicht
  • Die Deckschicht (Diffusionsbarriereschicht) auf der zweiten Substratoberfläche verhindert die Eindiffusion von Bor in diese und ist sauerstoffundurchlässig. Des Weiteren soll sie eine gute Passivierung gewährleisten, sowie im Gebrauch der bifazialen Solarzelle als Antireflexschicht wirken.
  • In der einfachsten Ausführung wird als Deckschicht eine reine SiN Schicht (Brechungsindex n = 1,8–2,2, bevorzugt 1,9–2) eingesetzt. Die Dicke der Schicht beträgt zwischen 1 nm und 250 nm, bevorzugt 30–80 nm. Üblicherweise wird die Capschicht durch einen PECVD-Prozess mit einer Prozesschemie aus einem oder mehreren Gasen der Gruppe SiH4, N2, NH3, H2, Ar abgeschieden. Alternativ kann die Deckschicht mit anderen Verfahren, wie z. B. LPCVD, APCVD oder PVD aufgebracht werden.
  • Zur Optimierung aller Anforderungen kann auch ein Schichtstapel eingesetzt werden, in dem zwischen Silizium und SiN eine SiO2, Al2O3, TiO oder SiON-Schicht eingeführt wird, welche die elektrischen Passiviereigenschaften verbessern kann. (0,5–50 nm, bevorzugt 5 nm)
  • Zur Verbesserung der Barriereneigenschaften kann in den Schichtstapel zusätzlich eine Schicht aus amorphem bzw. polykristallinem Silizium eingebracht werden. (0,5–30 nm, bevorzugt 20 nm).
  • Prozessmodul 4: Bordiffusion und zugleich Phosphor-Aktivierung
  • Die Bordiffusion wird durch einen Ofenprozess durchgeführt in dem der Wafer zunächst in einer borhaltigen Atmosphäre mit Borglas belegt wird. Übliche Procursoren sind hierbei BBr3 und BCl3, weitere Prozessgase N2 und O2. Nach dem Belegeschritt erfolgt in-situ ein Eintreibeschritt in inerter oder sauerstoffhaltiger Atmosphäre. In der bevorzugten Variante werden Beleg- und Eintreibschritte zumindest teilweise in sauerstoffhaltiger Atmosphäre durchgeführt, um eine beschleunigte Bordiffusion zu erreichen.
  • Eine weitere Möglichkeit besteht in der Abscheidung eines Borglases auf die Vorderseite der Zelle (z. B. durch APCVD oder PECVD) und anschließendem Eintreiben in einem getrennten Prozessschritt.
  • Der Bordiffusionsbereich ist vor allem durch den Schichtwiderstand charakterisiert, welcher insbesondere zwischen 30 und 200 Ohm/Sq, bevorzugt bei 45–100 Ohm/Sq liegt.
  • Wie vorgehend dargestellt, bewirkt die Bordiffusion gleichzeitig das Ausheilen und Aktvieren des phosphordotierten Bereichs. Dabei diffundiert auch der Phosphor tiefer in das Substrat hinein, durch die Prozessführung mit der multifunktionalen Schicht jedoch langsamer als das Bor.
  • Die Tiefen der Diffusionsbereiche betragen zwischen 30 nm und 2500 nm, bevorzugt 400–1000 nm, wobei die Tiefe des Bors bevorzugterweise größer als die des Phosphors ist.
  • Prozessmodul 5: Vorderseitenpassivierung
  • Im Stand der Technik sind unterschiedliche Ausführungen zur Passivierung von Boremittern bekannt. Hierbei ist vor allem die Passivierung mit einem Schichtstapel aus SiO2/SiN oder Al2O3/SiN relevant. Diese Schichtstapel können durch eine Kombination von PECVD und thermischen Oxidationsprozessen erzeugt werden. Die genaue Ausführung ist für die Erfindung nicht relevant.
  • Vor der Passivierung muss das im Prozessmodul 4 ggfs. gebildete Borglas unter Umständen von der Vorderseite entfernt werden, was dem Stand der Technik gemäß mit einer verdünnten HF Lösung erfolgen kann.
  • Prozessmodul 6: Optionale zusätzliche Rückseitenpassivierung
  • Wenn die im Prozessmodul 3 gebildete Diffusionsbarriereschicht nicht gleichzeitig als elektrische Passivierung der Zellrückseite wirkt, muss sie entfernt und durch eine zusätzliche Passivierschicht ersetzt werden. Das Entfernen der Deckschicht kann durch einen verlängerten HF-Schritt zusammen mit der Borglasentfernung in Schritt 5 erfolgen.
  • Als Passivierung kann gemäß dem Stand der Technik eine SiO/SiN- oder SiN-Schicht zum Einsatz kommen.
  • Prozessmodul 7: Metallisierung
  • Die Metallisierung kann mit industrieüblichen Verfahren erfolgen und ist nicht erfindungsrelevant. Die Vorderseitenmetallisierung erfolgt üblicherweise mit einem Silber-Grid. Die Rückseitenmetallisierung erfolgt ebenfalls mit einem Silbergrid oder einer vollflächigen Aluminium-Metallisierung mit lokalen Kontakten, welche z. B. per Laserablation und PVD hergestellt wird.
  • In einer möglichen Abwandlung dieser Prozesssequenz für eine Rückseitenemitterzelle (Bor auf RS, Phosphor auf VS) kann auch die Reihenfolge der Dotierung umgeändert werden. In diesem Fall wird statt Phosphor Bor implantiert und statt der Bordiffusion eine Phosphordiffusion ausgeführt.
  • Im Rahmen fachmännischen Handelns ergeben sich weitere Ausgestaltungen und Ausführungsformen des hier nur beispielhaft beschriebenen Verfahrens und der Vorrichtung.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) aus kristallinem Halbleitermaterial, wobei in einer ersten Oberfläche (3a) eines Halbleitersubstrats (3) ein erster Dotierungsbereich (5) durch thermisches Eindiffundieren eines ersten Dotanden und in der zweiten Oberfläche (3b) des Halbleitersubstrats ein zweiter Dotierungsbereich (7) durch Ionenimplantation und thermisches Eintreiben eines zweiten Dotanden gebildet wird, wobei durch die Ionenimplantation des zweiten Dotanden eine Dotandendepotschicht an und nahe der zweiten Oberfläche gebildet und auf der zweiten Oberfläche eine Diffusionsbarriereschicht (9b) zur Behinderung einer Ausdiffusion des zweiten Dotanden aus der zweiten Oberfläche erzeugt wird und danach mindestens ein thermischer Prozessschritt zur Bildung des ersten und zweiten Dotierungsbereichs ausgeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei als Halbleitermaterial Silizium und als erster Dotand ein Element aus der Bor, Indium, Gallium, Aluminium umfassenden Gruppe, insbesondere Bor, und als zweiter Dotand ein Element aus der Phosphor, Arsen, Antimon umfassenden Gruppe, insbesondere Phosphor, eingesetzt werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Dotierungsbereich (5) als Emitterbereich in der vorderseitigen Oberfläche (3a) eines n-Siliziumsubstrats (3) und der zweite Dotierungsbereich als Back Surface Field (7) in der rückseitigen Oberfläche (3b) des n-Siliziumsubstrats gebildet werden.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Dotierungsprofil des zweiten Dotierungsbereichs (7) relativ zu dem des ersten Dotierungsbereichs (5) flacher und/oder durch eine höhere Oberflächenkonzentration des zweiten Dotanden gegenüber dem ersten Dotanden charakterisiert ist.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei zur Bildung des ersten und zweiten Dotierungsbereichs (5; 7) nur ein thermischer Prozessschritt ausgeführt wird, bei dem das thermische Budget, das zur Eindiffusion des ersten Dotanden genutzt wird, zugleich die Aktivierung des zweiten Dotanden aus der vorab gebildeten Dotandendepotschicht bewirkt, wozu die Eindiffusion des ersten Dotanden nach der Bildung der Diffusionsbarriereschicht (9b) auf der zweiten Oberfläche (3b) ausgeführt wird und wobei die Diffusionsbarriereschicht als Eindiffusionsbarriere zur Behinderung einer Eindiffusion des ersten Dotanden in die zweite Oberfläche ausgebildet ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Diffusionsbarriereschicht (9b) zugleich als Sauerstoff-Diffusionsbarriere ausgebildet ist und die Eindiffusion des ersten Dotanden mindestens abschnittsweise in sauerstoffhaltiger Atmosphäre ausgeführt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Bildung des ersten Dotierungsbereiches (5) ein Belegen der ersten und optional zweiten Oberfläche (3a; 3b) mit einem den ersten Dotanden enthaltenden Glas oder eine Bereitstellung des ersten Dotanden im gasförmigen Zustand in einer Prozessatmosphäre umfasst.
  8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Diffusionsbarriereschicht (9b) auf der zweiten Oberfläche (3b) bei einem Solarzellenaufbau, bei dem die zweite Oberfläche die Rückseite der Solarzelle (1) bildet, als Rückseitenpassivierung und/oder rückseitige Antireflexschicht auf der zweiten Oberfläche belassen wird.
  9. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, ausgebildet als Verfahren zur Herstellung einer beidseitig kontaktierten Solarzelle (1) mit Vorderseitenemitter oder einer Solarzelle mit Rückseitenemitter oder einer MWT(Metal-Wrap-Through)-Solarzelle oder einer IBC(Interdigitad-Back-Contact)-Solarzelle ausgebildet ist.
  10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei als Diffusionsbarriereschicht (9b) eine SiN-Schicht, insbesondere mit einem Brechungsindex von n = 1,8 ... 2,2, noch spezieller n = 1,9 ... 2,0, und insbesondere mit einer Dicke zwischen 1 und 250 nm, noch spezieller zwischen 30 und 80 nm, eingesetzt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei als Diffusionsbarriereschicht ein Schichtstapel eingesetzt wird, der zusätzlich zu einer SiN-Schicht eine SiO2-, Al2O3-, TiO- und/oder SiON-Schicht umfasst und bei dem die zusätzliche Schicht oder zusätzlichen Schichten insbesondere eine Dicke im Bereich zwischen 0,5 und 50 nm hat/haben.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Diffusionsbarriereschicht (9b) mittels eines PECVD-, LPCVD-, APCVD- oder PVD-Prozesses erzeugt wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108352413A (zh) * 2015-10-25 2018-07-31 索拉昂德有限公司 双面电池制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017218452A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-21 Corning Incorporated Scratch-resistant and optically transparent materials and articles
CN107256898B (zh) * 2017-05-18 2018-08-03 广东爱旭科技股份有限公司 管式perc双面太阳能电池及其制备方法和专用设备
CN109301031B (zh) * 2018-09-12 2021-08-31 江苏林洋光伏科技有限公司 N型双面电池的制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4306565C2 (de) * 1993-03-03 1995-09-28 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung eines blauempfindlichen Photodetektors
DE10045249A1 (de) * 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Photovoltaisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen des Bauelements
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
KR20100032900A (ko) * 2007-07-18 2010-03-26 아이엠이씨 에미터 구조체를 제조하는 방법 및 그로부터 생성되는 에미터 구조체들
KR101155343B1 (ko) * 2008-02-25 2012-06-11 엘지전자 주식회사 백 콘택 태양전지의 제조 방법
US20110132444A1 (en) * 2010-01-08 2011-06-09 Meier Daniel L Solar cell including sputtered reflective layer and method of manufacture thereof
KR101027829B1 (ko) * 2010-01-18 2011-04-07 현대중공업 주식회사 후면전극형 태양전지의 제조방법
DE102010016122A1 (de) * 2010-03-24 2011-09-29 Q-Cells Se Herstellungsverfahren einer Halbleitersolarzelle
TWI559372B (zh) * 2010-04-06 2016-11-21 薄膜電子Ａｓａ公司 磊晶結構、其形成方法及含此結構之元件
DE102010003784A1 (de) * 2010-04-09 2011-10-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
TW201316538A (zh) * 2011-10-06 2013-04-16 Univ Nat Taiwan 太陽能電池的製作方法
KR20130062775A (ko) * 2011-12-05 2013-06-13 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR101860919B1 (ko) * 2011-12-16 2018-06-29 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
DE102012200559A1 (de) * 2012-01-16 2013-07-18 Deutsche Cell Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Emitters einer Solarzelle und Solarzelle
US9312420B2 (en) * 2012-04-17 2016-04-12 Lg Electronics Inc. Solar cell and method for manufacturing the same
KR101872786B1 (ko) * 2012-06-22 2018-06-29 엘지전자 주식회사 태양 전지의 불순물층 형성 방법 및 태양 전지의 제조 방법
DE102013210092A1 (de) * 2013-05-29 2014-12-04 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108352413A (zh) * 2015-10-25 2018-07-31 索拉昂德有限公司 双面电池制造方法
EP3365920A4 (de) * 2015-10-25 2019-04-03 Solaround Ltd. Verfahren zur herstellung von bifazialen zellen
US11075316B2 (en) 2015-10-25 2021-07-27 Solaround Ltd. Method of bifacial cell fabrication
CN108352413B (zh) * 2015-10-25 2021-11-02 索拉昂德有限公司 双面电池制造方法
US11387382B2 (en) 2015-10-25 2022-07-12 Solaround Ltd. Bifacial photovoltaic cell

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