CN108352413A - 双面电池制造方法 - Google Patents

双面电池制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108352413A
CN108352413A CN201680062244.XA CN201680062244A CN108352413A CN 108352413 A CN108352413 A CN 108352413A CN 201680062244 A CN201680062244 A CN 201680062244A CN 108352413 A CN108352413 A CN 108352413A
Authority
CN
China
Prior art keywords
boron
layer
photovoltaic cell
type dopant
cap layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680062244.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108352413B (zh
Inventor
纳夫塔利·保罗·艾森伯格
列弗·科瑞尼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sola Ang De Co Ltd
Original Assignee
Sola Ang De Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sola Ang De Co Ltd filed Critical Sola Ang De Co Ltd
Publication of CN108352413A publication Critical patent/CN108352413A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108352413B publication Critical patent/CN108352413B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
    • H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0288—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Primary Cells (AREA)
  • External Artificial Organs (AREA)

Abstract

本文公开一种生产双面光伏电池的方法，该方法包括：a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；b)通过溅射硼和/或通过硼离子注入在衬底的第二表面上形成含硼层；和c)实现将n型掺杂剂和硼扩散到衬底中，从而用n型掺杂剂掺杂第一表面并用硼掺杂第二表面。本文还公开双面光伏电池，以及包括所述光伏电池的光伏模块、发电厂和电力设备，该双面光伏电池包括半导体衬底、在半导体衬底的第一表面上的n+层和在半导体衬底的第二表面上的含硼p+层，其中p+层中的硼浓度的可变性不超过5％。

Description

双面电池制造方法
技术领域
本发明在其一些实施例中涉及双面电池制造，并且更具体地但非排他地涉及在具有精细可控的硼掺杂和受抑制的边缘分流的硅衬底上形成电池结构的方法。
背景技术
很多人希望光伏电池(PV)将阳光转化为电力将在未来提供可再生能源的重要来源，从而减少不可再生能源诸如化石燃料的使用。然而，为了满足全球对环境友好可再生能源的需求，应当改善PV发电的经济性。单位太阳能电池面积的发电能力有限，使光伏电池用作商业电力来源的速度减慢。用双面电池替代常规单面电池使得每单位面积的PV发电显著增加(增加15％至40％)。
然而，对于进一步提高PV发电的密度存在强烈需求。这可以通过提高正面双面电池和背面双面电池将阳光转换为电力的效率来实现。当然，光伏电池在生产中应当成本低廉。
光伏电池通常包括p型或n型硅衬底，在该衬底的一侧上用n型掺杂剂(例如磷)掺杂以便形成n+层，并在该衬底的另一侧上用p型掺杂剂(例如铝或硼)掺杂以便形成p+层，从而形成n+-p-p+结构(当使用p型衬底时)或n+-n-p+结构(当使用n型衬底时)。
然后将电触点施加到每侧。电触点必须只覆盖表面区域的小部分以避免妨碍光通过。通常以网格图案施加电触点以最小化表面区域的覆盖。单面光伏电池通常仅在电池的一侧上具有这样的网格图案，而双面光伏电池在两侧上都具有这样的图案，并且因此可收集来自任何方向的光。
不同的掺杂剂源应用方法是已知的。通常使用气相工艺，该气相工艺使用POCl3进行磷沉积，并使用BCl3或BBr3进行硼沉积。气体扩散可能容易导致不适当区域的掺杂，诸如在单个区域中交叉掺杂两种掺杂剂类型。可以引入涉及沉积保护层和/或蚀刻以从一些区域去除掺杂剂的额外步骤[Buck等人，“具有前部硼发射体且效率超过17％的工业丝网印刷n型硅太阳能电池(Industrial Screen Printed n-Type Silicon Solar Cell withFront Boron Emitter and Efficiencies Exceeding 17％)”，《第21届欧洲光伏太阳能会议论文集》(Proceedings of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference)，2006年，第1264-1267页]，这使电池制造变得复杂化。
已经使用化学气相沉积(CVD)来沉积含掺杂剂膜而制备了Geminus TM双面电池线(施密德集团)。
迄今为止，p型硅基双面电池的工业生产中的最佳结果是使用旋涂技术来沉积掺杂剂源[美国专利第8,586,862号和第8,796,060号]实现的。
Kreinin等人[“工业制造的具有n+-p-p+结构的双面Si太阳能电池(IndustriallyFabricated Bifacial Si Solar Cells with n+-p-p+Structure)”，《第28届欧洲光伏太阳能会议论文集》(Proceedings of 28th European Photovoltaic Solar EnergyConference)，2013年，第1835-1838页]提到，为了获得高效双面太阳能电池，期望实现低的有效背表面复合(其可以通过背面p+层在n+-p-p+结构中促进)和高的少数载流子体寿命，并且描述了使用硼作为p型掺杂剂的p型硅基双面电池，该电池具有55厘米/秒至95厘米/秒的有效背表面复合和0.75的平均背面与正面短路电流比。
硼是众所周知的p型掺杂剂，并且具有充分溶于硅，从而允许更高的p+-p势垒(在n+-p-p+结构中)的优点，这有效地降低了背面复合[Kreinin等人《第28届欧洲光伏太阳能会议论文集》(Proceedings of 28th European Photovoltaic Solar Energy Conference)，2013年，第1835-1838页]。然而，硼扩散与体寿命的显著恶化相关联，这降低了光伏电池的效率。这一障碍促使铝作为p型掺杂剂的广泛使用，但铝在减小背表面复合方面不如硼有效。
n型硅(在n+-n-p+结构中)也用于减小硼扩散相关联的降解[Buck等人，《第21届欧洲光伏太阳能会议论文集》(Proceedings of 21st European Photovoltaic SolarEnergy Conference)，2006年，第1264-1267页]。虽然n型硅一般比p型硅更耐受因工业加工引入的缺陷，但它也更加昂贵。
双面电池制造中的另一个问题是使用不同类型的掺杂剂(例如，硼受体和磷供体)可能导致晶片的一些区域的交叉掺杂，特别是在边缘处，这可能导致分流。用于避免边缘分流的技术包括激光边缘隔离和边缘蚀刻，这两种方法都是为了避免n+层和p+层之间的接触。
美国专利第8,586,862号和第8,796,060号描述了从正面(即，将要进行n型掺杂的一侧)和衬底的边缘去除包含p型掺杂剂的膜，以便例如通过使用旋涂法用清洗液(例如，酒精和水)清洗正面来减小分流的中间步骤。该步骤还可以从与衬底的边缘邻接的0.1mm至1mm宽的区域移除薄膜，使得光伏电池的所获得的p+层不覆盖与衬底的边缘邻接的区域。
额外的背景技术包括Eisenberg等人[Energy Procedia，2016年，92：16-23]，国际专利申请公开WO2011/061693和WO2011/061694，俄罗斯专利第2139601号，美国专利申请公开第20110114152号，美国专利申请公开第20080026550号，美国专利第6,825,104号，美国专利第6,552,414号，美国专利第6,277,667号，美国专利第6,180,869号，美国专利第5,871,591号，美国专利第4,989,059号，德国专利第102007036921号，和欧洲专利第1738402号。
发明内容
根据本发明一些实施例的一个方面，提供了一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：
a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；
b)通过溅射硼和/或通过硼离子注入在半导体衬底的第二表面上形成含硼层；以及
c)实现将n型掺杂剂和硼扩散到半导体衬底中，从而用n型掺杂剂掺杂第一表面并用硼掺杂第二表面。
根据本发明的一些实施例的一个方面，提供了一种根据本文所述的方法制备的双面光伏电池。
根据本发明的一些实施例的一个方面，提供了一种包括半导体衬底的双面光伏电池，所述衬底包括在其第一表面上的n+层和在其第二表面上的p+层，n+层包含n型掺杂剂并且p+层包含硼，其中如通过测量p+层的薄层电阻所确定，p+层中的硼浓度的可变性不超过5％。
根据本发明一些实施例的一个方面，提供了一种包括多个本文所述的光伏电池的光伏模块，所述多个光伏电池彼此互连。
根据本发明的一些实施例的一个方面，提供了一种包括本文所述的光伏模块的发电站。
根据本发明的一些实施例的一个方面，提供了一种包括本文所述的光伏电池的电力设备。
根据本发明的一些实施例，含硼层的厚度在1nm至35nm的范围内。
根据本发明的一些实施例，溅射硼使用氮化硼靶实现。
根据本发明的一些实施例，硼离子注入的特征在于在1014个注入离子/平方厘米至1016个注入离子/平方厘米的范围内的剂量。
根据本发明的一些实施例，含硼层中的硼量的可变性不超过±5％。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在实现扩散之前在含硼层上方形成帽盖层。
根据本发明的一些实施例，通过沉积选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组的物质来实现形成帽盖层。
根据本发明的一些实施例，通过射频溅射实现形成帽盖层。
根据本发明的一些实施例，帽盖层的厚度在5nm至30nm的范围内。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：
d)通过纹理化去除第一表面上的n型掺杂层；
e)在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；以及
f)随后用n型掺杂剂掺杂第一表面。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括：
d)通过纹理化去除第一表面上的n型掺杂层，并且随后去除帽盖层；
e)在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；以及
f)随后用n型掺杂剂掺杂第一表面。
根据本发明的一些实施例，随后用n型掺杂剂掺杂第一表面形成n+层，该n+层的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在第一表面和第二表面中的每个上形成电触点。
根据本发明的一些实施例，含硼层在第二表面的一些区域中具有更大的厚度，所述方法包括在第二表面的上述区域上选择性地形成电触点。
根据本发明的一些实施例，半导体衬底是p型半导体。
根据本发明的一些实施例，半导体衬底包含硅。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在第二表面上形成SiB层。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在步骤(a)之后且在步骤(b)之前蚀刻第二表面。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在第二表面的边缘上形成区域，该区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度，通过在步骤(b)期间遮蔽该区域，该区域基本上不含硼。
根据本发明的一些实施例，所述方法还包括在第二表面的边缘上形成区域，该区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度，通过在步骤(b)之后、任选地在步骤(c)之前蚀刻该区域，该区域基本上不含硼。
根据本发明的一些实施例，上述区域的蚀刻通过反应离子蚀刻实现。
根据本发明的一些实施例，n型掺杂剂的扩散和硼的扩散同时实现。
根据本发明的一些实施例，n型掺杂剂和硼的同时扩散通过暴露于在950℃至1050℃的范围内的温度实现。
根据本发明的一些实施例，选择含硼层和扩散的条件，使得第二表面中的硼的表面浓度小于3×1020个原子/立方厘米。
根据本发明的一些实施例，选择含硼层和扩散的条件，使得用硼掺杂第二表面形成p+层，该p+层的特征在于在0.3μm至1.5μm的范围内的厚度。
根据本发明的一些实施例，选择含硼层和扩散的条件，使得用硼掺杂第二表面形成p+层，该p+层的特征在于30欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
根据本发明的一些实施例，n型掺杂剂包含磷。
根据本发明的一些实施例，第一表面被纹理化。
根据本发明的一些实施例，本文描述的光伏电池还包括在第二表面上的钝化和/或抗反射涂层。
根据本发明的一些实施例，本文所述的电池中的n+层的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
根据本发明的一些实施例，本文描述的光伏电池还包括第一表面和第二表面中的每个上的电触点，其中在第二表面上的电触点下面的区域中，p+层中的硼的浓度更大。
根据本发明的一些实施例，光伏电池还包括在第二表面上的SiB层。
根据本发明的一些实施例，电池的第二表面中的硼的表面浓度小于1020个原子/立方厘米。
根据本发明的一些实施例，电池的第二表面每平方厘米包括1014到1016个硼原子。
根据本发明的一些实施例，电池的p+层的特征在于在30欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
根据本发明的一些实施例，电池的p+层不覆盖与衬底的边缘邻接的区域，该区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度。
根据本发明的一些实施例，光伏电池的有效背表面复合小于50厘米/秒。
根据本发明的一些实施例，光伏电池的特征在于至少19％的正面效率。
根据本发明的一些实施例，光伏电池的背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.8。
除非另外定义，否则本文使用的所有技术和/或科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。下面描述示例性的方法和/或材料，但在本发明的实施例的实践或测试中，可以使用与本文所述的方法和材料类似或等同的方法和材料。如果发生冲突，将以包括定义在内的专利说明书为准。另外，该材料、方法和示例仅是说明性的，并非意在限制。
本发明的实施例的方法的实现方式可以涉及手动地、自动地或手动与自动组合地执行或完成选定任务。此外，根据本发明的方法的实施例的实际仪器和装备，可以使用操作系统通过硬件、通过软件或通过固件或通过它们的组合来实现若干个选定任务。
例如，根据本发明实施例的用于执行选定任务的硬件可以被实现为芯片或电路。作为软件，根据本发明实施例的选定任务可以被实现为由计算机使用任何合适的操作系统执行的多个软件指令。在本发明的一些实施例中，根据本文描述的方法的一些实施例的一个或多个任务由数据处理器，诸如用于执行多个指令的计算平台执行。任选地，数据处理器包括用于存储指令和/或数据的易失性存储器和/或用于存储指令和/或数据的非易失性存储设备，例如磁性硬盘和/或可移动介质。任选地，还提供网络连接。还任选地提供显示器和/或用户输入设备，诸如键盘或鼠标。
附图说明
本文仅通过举例的方式参照附图描述本发明的一些实施例。现在具体详细参照附图，应强调的是，所示出的细节作为示例给出并且出于对本发明的实施例进行说明性论述的目的。就此而言，对于本领域技术人员来说，利用附图进行描述使得可如何实施本发明的实施例变得显而易见。
在附图中：
图1是示出根据本发明的一些实施例的通过在1kW、2kW或4kW的放电功率下溅射而在方形硅衬底上沉积的氮化硼层的厚度均匀性(厚度归一化为平均厚度)，该厚度均匀性随着距衬底表面中心的距离而变化。
图2是示出根据本发明的一些实施例的硼掺杂p+层的薄层电阻的图表，该薄层电阻随着含硼层(BOxNy)的厚度而变化，该含硼层通过以10立方厘米/分钟或20立方厘米/分钟的氧流速(放电功率4kW)溅射而沉积，并用于在用10nm的SiN层进行封盖和随后的热扩散之后制备p+层。
图3是示出硼浓度(以原子/立方厘米计)(如通过二次离子质谱法确定)的图表，该硼浓度随着距代表性硅衬底的表面的距离而变化，该代表性硅衬底通过旋涂硼源且随后进行热扩散而被掺杂。
图4是示出根据本发明的一些实施例的硼浓度(以原子/立方厘米计)(如通过二次离子质谱法确定)的图表，该硼浓度随着距示例性硅衬底的表面的距离而变化，该示例性硅衬底使用硼的射频溅射且随后进行热扩散而被掺杂。
图5是示出根据本发明的一些实施例的硼掺杂p+层中的硼浓度(以原子/每立方厘米计)(如通过电化学电容-电压分布(ECV)或通过二次离子质谱法(SIMS)确定)的图表，该硼掺杂p+层具有34、74或390欧姆每平方(Q/sq.)的薄片电阻，该硼浓度随着距示例性硅衬底的表面的距离而变化，该示例性硅衬底使用硼的射频溅射且随后进行热扩散而被掺杂。
具体实施方式
本发明在其一些实施例中涉及双面电池制造，并且更具体但非排他地涉及在具有精细可控的硼掺杂和受抑制的边缘分流的硅衬底上形成电池结构的方法。
在详细解释本发明的至少一个实施例之前，应当理解的是，本发明在其应用中不一定限于在以下描述中阐述的和/或在示例中示出的部件和/或方法的构造和布置的细节。本发明能够具有其他实施例或者能够以各种方式实践或实施。
本发明人已经认识到，工艺诸如用于沉积掺杂源的旋涂技术的有限可控性倾向于导致掺杂层，特别是硼掺杂p+层的过度掺杂，并且因此导致增加的复合损失。本发明人还认识到，由于过度掺杂而导致的此种增加的复合损失对将双面电池中的背面短路电流与正面短路电流之比限制为约平均值0.75以及将正面效率限制为约20％-20.5％起显著作用，其中所述平均值0.75由Kreinin等人[《第28届欧洲光伏太阳能会议论文集》(Proceedings of28th European PhotovoltaicSolar Energy Conference)，2013年，第1835-1838页]报道。与过量掺杂相关的体复合损失可以支配总复合损失，由此使得用于减小表面复合损失的技术(诸如表面钝化)相对无效。
在寻找用于沉积硼p+层的另选方法中，本发明人已经揭示了通过使用溅射的含硼层和/或通过硼离子注入以及随后的热处理对光伏电池进行p型掺杂，有利地允许以相对较低、可控和均匀的浓度形成硼掺杂，并且由此减小与较高硼浓度相关联的有害影响以及与可变掺杂剂浓度相关联的低效率(例如，产生寄生电流)，同时还保留了使用硼作为p型掺杂剂的优点(例如，与广泛使用的合金铝相比，硼在硅中的诸如高溶解度)。通过减小体复合损失(过度掺杂致使体复合损失增强)，所述方法导致表面在总复合损失中发挥更大的作用，这继而允许技术诸如表面钝化在减小总复合损失和增强光伏电池效率方面具有更大功效。另外，由发明人揭示的掺杂方法可以使交叉掺杂和边缘分流最小化，不需要复杂的程序或高成本，并且还允许精细调节硼深度分布和减小由表面钝化导致的复合损失(表面钝化抑制表面复合，这在低掺杂剂浓度下是更为重要的因素)。
本发明人还揭示了沉积在含硼层上方的帽盖层(例如，由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或其他惰性物质形成)进一步增强了掺杂的可控性。
不受任何特定理论的束缚，据信帽盖层通过防止与氧气、水和/或其他气氛组成进行反应而增强含硼层(其可能是化学不稳定的)的稳定性。另外，据信帽盖层减小了硼的向外扩散和磷在表面上方及在晶片边缘附近的不希望的交叉扩散，和/或在相对侧的蚀刻/纹理化期间保护p+层免受蚀刻。
因此，本发明的实施例涉及一种生产双面光伏电池的新方法，所述方法利用溅射和/或离子注入在形成电池的半导体衬底的表面上形成含硼层。本发明的一些实施例还涉及在含硼层上方形成帽盖层。
本发明的实施例还涉及通过如本文所述的方法生产的双面光伏电池。双面光伏电池的特征在于在其第一表面上的n+层、在其第二表面上的含硼p+层，其中p+层中的硼浓度具有低程度的可变性(例如，如本文所例示不超过5％)。
方法：
根据本发明一些实施例的一个方面，提供了一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：
a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；
b)通过溅射含硼物质和/或通过硼离子注入在半导体衬底的第二表面上形成含硼层；以及
c)实现将所述n型掺杂剂和所述硼扩散到半导体衬底中，从而用所述n型掺杂剂掺杂所述第一表面(例如，以形成n+层)并用所述硼掺杂所述第二表面(例如，以形成p+层)。
形成含n型掺杂剂层(步骤(a))可以任选地在形成含硼层(步骤(b))之前、同时和/或之后进行。
在本文中，短语“含n型掺杂剂层”和“含硼层”包括不是衬底一部分的层(例如，沉积到衬底表面上的物质的层)以及包含硼或n型掺杂剂的衬底的层(例如，通过在衬底中离子注入硼或n型掺杂剂形成的层)两者。
相对地，短语“n型掺杂层”在本文中是指已经用n型掺杂剂掺杂的半导体衬底的一部分(例如，当n型掺杂剂从含n型掺杂剂层扩散到衬底中时)，并且短语“硼掺杂层”在本文中是指掺杂有硼的半导体衬底的一部分。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，含n型掺杂剂层是含磷层。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，含n型掺杂剂层通过本领域已知用于形成这样的层的任何合适技术来形成，所述技术包括但不限于溅射(例如，离子束溅射、射频(RF)溅射、气相沉积、化学气相沉积(CVD)、施涂含n型掺杂剂溶液(例如，磷硅酸盐溶液)、或丝网印刷(例如，丝网印刷含n型掺杂剂糊剂)。在一些实施例中，含n型掺杂剂层是固体层。
SiP和P2O7Si是适用于通过离子束溅射来沉积含磷层的溅射靶的非限制性示例。
POCl3是适用于通过气相沉积，任选地以在约850℃至约950℃范围内的温度来沉积含磷层的化合物的非限制性示例。
旋涂和喷涂是用于施涂磷硅酸盐溶液的合适技术的非限制性示例。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括任选地通过蚀刻(例如，通过纹理化第一表面)去除第一表面上的n型掺杂层(例如，n+层)(在本文中也称为“第一n型掺杂层”或“第一n+层”)，并且随后用n型掺杂剂掺杂第一表面，从而形成第二n型掺杂层(例如，第二n+层)。在一些实施例中，还通过一种工艺(例如，蚀刻)从第二表面去除n型掺杂剂(如果存在)，所述工艺相对于衬底的硼掺杂部分(例如，硼掺杂硅)更有效地去除(例如，蚀刻)衬底的n型掺杂部分(例如，n型掺杂硅)，例如，在本文所述的在第二表面上的n型掺杂剂的沉积未被帽盖层阻止的任何实施例中。
在一些实施例中，实现去除第一表面上的n型掺杂层(例如，n+层)，以便伴随地去除其他地方存在的任何n型掺杂层(例如，n型掺杂岛)(例如，在硼掺杂区域中)。
在一些实施例中，蚀刻(例如，n型掺杂层的蚀刻)通过碱性溶液(例如，包含氢氧化钠的溶液)实现。
第二n型掺杂层可以任选地通过本领域已知用于n型掺杂的任何合适技术(例如，本文所述的任何n型掺杂技术)形成，所述技术包括但不限于气相扩散、离子注入和/或使用含n型掺杂剂层(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
在本文中，在形成第一n型掺杂层和第二n型掺杂层的实施例中，短语“n型掺杂层”和“n+层”是指第一n型掺杂层，除非另有说明。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，根据本文所述的相应实施例中的任一个制备的第二n+层或根据本文所述的相应实施例中的任一个制备的第一n+层(所述实施例不包括制备第二n+层)的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
如本文和本领域中所使用的，在薄层电阻情况下的术语“欧姆”与术语“欧姆每平方”和“欧姆/□”可互换，薄层电阻的可接受单位在本领域中用于将薄层电阻的单位与体电阻的单位区分开来(尽管欧姆单位和欧姆每平方单位在大小上相等)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，根据本文所述的相应实施例中的任一个制备的第二n+层相比于第一n+层具有更大的薄层电阻。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，根据本文所述的相应实施例中的任一个去除的第一n+层的特征在于小于70欧姆、任选地小于40欧姆(例如，在8欧姆到25欧姆的范围内)的薄层电阻。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层。在一些这样的实施例中，例如，在根据本文所述的相应实施例中的任一个实现去除第一n型掺杂层之前、同时和/或之后实现在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层，使得所述方法还包括：
d)通过纹理化去除第一表面上的n型掺杂层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)；
e)在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)；以及
f)在步骤(d)之后，用n型掺杂剂掺杂第一表面(根据本文所述的相应实施例中的任一个)，
其中形成钝化和/或抗反射涂层(步骤(e))可以在步骤(d)之前、在步骤(d)和步骤(f)之间以及在步骤(f)之后实现。
在一些实施例中，在第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层(例如，步骤(e))之后，实现根据本文所述的相应实施例中的任一个用n型掺杂剂掺杂第一表面以形成第二n+层(例如，步骤(f))。在一些这样的实施例中，在根据本文所述的相应实施例中的任一个实现去除第一n型掺杂层(例如，步骤(d))之后，实现形成钝化和/或抗反射涂层(例如，步骤e)，例如，以便不干扰第一n型掺杂层的去除。
在本文中，“钝化和/或抗反射涂层”是指一个或多个电介质涂层，其中每个电介质涂层具有钝化效果和/或抗反射效果。
根据本文所述的相应实施例中的任一个形成钝化涂层可以任选地包括(并且任选地由其组成)根据本文所述的相应实施例中的任一个形成SiB层。
根据本文所述的相应实施例中的任一个的钝化涂层的其他示例包括但不限于氧化铝(例如，Al2O3)和/或氧化硅的层。
钝化和/或抗反射涂层(例如氧化铝、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅涂层)可以任选地被沉积(例如，使用溅射和/或化学气相沉积)在和/或通过反应形成在衬底表面上，例如，通过化学和/或热氧化衬底中的硅以形成氧化硅和/或使硼扩散到硅中以形成SiB(例如，如本文所述)。钝化和/或抗反射涂层可以具有任何合适的厚度(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
本文可互换使用的术语“氮化硅”和“SiN”在本文中是指基本上由硅和氮组成，具有各种化学计量的Si和N(例如，Si3N4)的物质族，但一些量的额外的原子(例如，氢)可以作为杂质存在。
短语“氮氧化硅”是指SiNxOy，其中x和y中的每个是至多为2的正数(例如，在0.1和2之间)，并且x和y根据Si、N和O的化合价要求。一些量的额外的原子(例如氢)可作为杂质存在。
在根据本文所述的相应实施例中的任一个的一些实施例中，钝化和/或抗反射涂层被形成为使得钝化和/或抗反射涂层的边界对应于随后形成的第二n型掺杂层的期望边界(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。钝化和/或抗反射涂层可以任选地通过防止越过边界(即，在由钝化和/或抗反射涂层覆盖的区域中)的n型掺杂来确定第二n型掺杂层的边界，例如，从而便于n型掺杂层和硼掺杂层分离(即，减少重叠)，这可以增强分流电阻。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，实现形成钝化和/或抗反射涂层，使得钝化和/或抗反射涂层覆盖衬底的边缘(即，第一表面和第二表面之间的表面，该表面任选地垂直于第一表面和第二表面中的每个)，并且任选地覆盖衬底的所有边缘。在一些这样的实施例中，钝化和/或抗反射涂层防止在衬底的边缘上形成第二n型掺杂层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，n型掺杂剂的扩散和硼的扩散同时实现。在一些实施例中，通过加热、任选地通过暴露于在950℃至1050℃的范围内的温度来实现n型掺杂剂和硼的同时扩散。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，含硼层(例如，该层的厚度、硼浓度和组成)和扩散的条件(例如，扩散的温度和/或时间)被选择为使得所述第二表面中的硼浓度小于1021个原子/立方厘米，任选地小于3×1020个原子/立方厘米，任选地小于1020个原子/立方厘米，任选小于3×1019个原子/立方厘米以及任选小于1019个原子/立方厘米。
在本文中，以每体积(例如，以立方厘米为单位)的量(例如，原子)计的在衬底表面处的浓度是指衬底的掺杂层中的最大浓度(例如，在最多为约1μm的任何深度处的最大浓度)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，含硼层(例如，该层的厚度、硼浓度和组成)和扩散的条件(例如，扩散的温度和/或时间)被选择为使得用硼掺杂第二表面形成p+层，该p+层的特征在于根据本文所述的相应实施例中的任一个的薄层电阻，例如在15欧姆至300欧姆、30欧姆至300欧姆、30欧姆至200欧姆和/或30欧姆至150欧姆的范围内。
本领域技术人员将能够容易地调节条件(例如，热处理的温度和/或持续时间，和/或含掺杂剂层中的掺杂剂的量)，以根据本文所述的相应实施例中的任一个，达到衬底表面中的期望的掺杂剂(例如，硼)的量(例如，浓度)和/或薄层电阻(薄层电阻受掺杂剂的量影响)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括根据本文所述的相应实施例中的任一个，例如通过将硼扩散到含硅衬底中，而在第二表面上形成SiB层。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，其中含n型掺杂剂层在含硼层之前形成，所述方法还包括在形成含n型掺杂剂层(例如，本文所述的步骤(a))之后并在形成含硼层(例如，本文所述的步骤(b))之前蚀刻第二表面。在一些实施例中，执行此蚀刻以去除存在于第二表面上的任何含n型掺杂剂层。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，其中含硼层在含n型掺杂剂层之前形成，所述方法还包括在形成含硼层(例如，本文所述的步骤(b))之后并在形成n型掺杂剂层(例如，本文所述的步骤(a))之前蚀刻第一表面。在一些实施例中，执行此蚀刻以去除存在于第一表面上的任何含硼层。在一些这样的实施例中，所述方法还包括在第二表面上的含硼层上方形成帽盖层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)，例如，帽盖层被选择以在蚀刻第一表面期间保护第二表面上的含硼层。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括在第二表面的边缘(即，邻接边缘)上形成区域，该区域基本上不含硼，该区域具有在0.1mm至0.5mm范围内的宽度。
在一些实施例中，含硼层不到达第二表面的任何边缘。
在表面的边缘上的上述区域可以任选地在形成含硼层时遮蔽该区域(通过在溅射或离子注入期间对硼遮蔽该区域)和/或通过在形成含硼层之后蚀刻该区域(例如，以从该区域除去含硼区域)获得。
在一些实施例中，蚀刻该边缘上的区域通过反应离子蚀刻实现。蚀刻可以任选地使用被配置为仅蚀刻第二表面的狭窄(例如，0.1mm至0.5mm宽)区域的掩模来实现。
在一些实施例中，在实现硼的扩散(例如，如本文所述的步骤(c))之前蚀刻边缘上的区域，以便例如避免在蚀刻之前含硼层甚至暂时存在于表面的边缘处的任何长期效果。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括实现表面钝化处理(例如，本领域已知的合适表面钝化处理)。在一些实施例中，表面钝化处理通过与合适的试剂(例如，在溶液中)接触来实现。醌氢醌(例如在3％溶液中)是适用于实现钝化的示例性试剂。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括在第一表面和第二表面中的每个上形成电触点。电触点可以根据本领域公知的方法形成。
为了允许光到达双面光伏电池的衬底，两个表面上的触点优选地被配置为允许大部分光通过到达衬底，从而允许光伏电池从电池的任一侧上的照明产生电力。例如，触点可以任选地被配置成网格图案。
在一些实施例中，在第二表面的区域上选择性地形成触点(任选地使用掩模)，所述区域相比于第二表面的其余部分具有更高的硼浓度。在一些实施例中，使用含硼层形成这样的区域，所述含硼层在这样的区域中具有更大的厚度和/或浓度(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
含硼层的形成：
根据本实施例，形成含硼层通过溅射硼和/或通过硼离子注入实现，如以下进一步详细描述的。
在本文全文(关于本文所述的实施例中的任一个)和本领域中，术语“溅射”是指由于藉以通过高能粒子(例如，离子)轰击靶而从靶材料(例如，固体材料)喷射粒子的工艺。如本领域中已知的那样，所喷射材料的至少一部分可以沉积在表面(例如，靶附近的衬底表面)上以形成层。
在本文全文(关于本文所述的实施例中的任一个)和本领域中，“射频溅射”是指一种溅射，通过该溅射，溅射靶可以任选地经受带电等离子体粒子，诸如离子化气体(任选地使用强电场和/或磁场以在靶的大致位置处引导等离子体粒子)，具有加速等离子体粒子的交变电压偏置(例如，以射频诸如13.56MHz进行交变)。
在本文全文(关于本文所述的实施例中的任一个)和本领域中，“离子束溅射”是指一种溅射，通过该溅射，将离子束引向溅射靶(从而轰击靶)，并且离子束中的加速的离子被中和(被电子源中和)，使得靶被中性带电粒子轰击。
在本文全文中，短语“溅射硼”、“硼溅射”等术语是指溅射中喷射的粒子包含硼的溅射。
在本文全文(关于本文所述的实施例中的任一个)和本领域中，术语“离子注入”是指离子(例如，硼离子)被电场加速并撞击到固体材料(例如，根据相应实施例中的任一个的本文所述的衬底)中的工艺。当离子速度足够高时，通过例如改变被撞击的固体材料的晶体结构，离子可以嵌入到被撞击的材料中。
在本文所述的涉及溅射硼的实施例中的任一个的一些实施例中，通过溅射在第二表面上沉积含硼固体层。
可以任选地使用本领域已知的用于将硼溅射(例如，通过溅射含硼材料)到表面上的任何合适技术。
氮化硼是用于溅射硼的合适(含硼)靶的非限制性示例。
用于溅射(例如，溅射硼)的离子可以任选地为惰性的(例如，N、Ar)和/或活性的(例如，O)。在一些实施例中，将活性离子(例如，O)结合到含硼层中(例如，以从氮化硼靶形成氮氧化硼)。
本文所述的涉及溅射硼的实施例中的任一个的一些实施例中，含硼层的厚度在1nm至35nm(任选地为2nm至35nm)的范围内。在一些这样的实施例中，沉积层的厚度在1nm至20nm(任选地为2nm至20nm)的范围内。在一些这样的实施例中，沉积层的厚度在1nm至10nm(任选地为2nm至10nm)的范围内。
根据本文所述的相应实施例中的任一个的含硼层的厚度可以任选地被控制，例如，通过使衬底经受硼溅射适当的时间和/或通过用合适的高能粒子通量轰击溅射靶来控制。
在本文所述的涉及溅射硼的实施例中的任一个的一些实施例中，选择含硼层的厚度使得含硼层包含一个硼量(每表面积)，该硼量适用于在实现硼扩散(根据本文所述的相应实施例中的任一个)之后提供p+层中的期望硼浓度(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
对于含硼层的任何给定组成(组成可以被控制，例如，通过选择用于溅射的合适靶)，可以容易地选择提供期望硼浓度的(含硼层的)厚度。
在本文所述的涉及溅射硼的实施例中的任一个的一些实施例中，选择含硼层的厚度使得含硼层包含一个硼量(每表面积)，该硼量适用于在实现硼扩散(根据本文所述的相应实施例中的任一个)之后，除了提供p+层中的期望硼浓度(根据本文所述的相应实施例中的任一个)之外，还提供SiB层(例如，钝化层)。用于提供SiB层(除了p+层中的硼之外)的在含硼层中提供额外量的硼可以任选地通过沉积含硼层实现，所述含硼层具有额外厚度(任选地不超过15nm，并且任选地不超过5nm)。在一些这样的实施例中，沉积层的厚度在1.5nm至15nm的范围内。
在本文中，术语“SiB”是指硅原子和硼原子的组合，其中硼原子的浓度在扩散温度(高达约1100℃)下超过硼原子的溶解度，例如，高于约5×1020个原子/立方厘米。术语“SiB”不意味着将Si与B的化学计量比暗示为1：1。
SiB可以任选地被鉴定为其中硼原子的绝对浓度(例如，如通过次级离子质谱法(SIMS)确定)明显大于电活性(即，溶解的)硼原子的浓度(例如，如通过电化学电容-电压分布(ECV)确定)。
在本文所述的涉及硼离子注入的实施例中的任一个的一些实施例中，含硼固体层是注入有硼的半导体衬底(例如，硅)的一部分(例如，经由在衬底的一部分中注入硼离子而由该部分形成含硼层)。
可以任选地使用本领域已知的用于将硼注入到表面中的任何合适技术。
例如，硼离子可以任选地具有在3keV至50keV(任选地为5keV至50keV)的范围内的能量。
在本文所述的涉及硼离子注入的实施例中的任一个的一些实施例中，注入剂量在1014个原子/平方厘米到1016个原子/平方厘米的范围内。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，实现形成含硼层，使得在第二表面的选定区域中，含硼层的厚度和/或该层中的硼的浓度更大，该选定区域旨在处于电触点之下(电触点任选地如本文所述施加)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，实现形成含硼层，使得含硼层中的硼量(任选地以每单位面积的原子计)的可变性不超过±5％。在一些实施例中，含硼层中的硼量的可变性不超过±4％。在一些实施例中，含硼层中的硼量的可变性不超过±3％。在一些实施例中，含硼层中的硼量的可变性不超过±2％。在一些实施例中，含硼层中的硼量的可变性不超过±1％。
可以通过任何合适的技术(例如，在0.1mm至1mm的范围内的分辨率下)，任选地通过确定含硼层的厚度并且假定厚度的可变性等于硼量的可变性，来确定硼量的可变性。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，实现形成含硼层，使得含硼层的厚度的可变性不超过±5％。在一些实施例中，含硼层的厚度的可变性不超过±4％。在一些实施例中，含硼层的厚度的可变性不超过±3％。在一些实施例中，含硼层的厚度的可变性不超过±2％。在一些实施例中，含硼层的厚度的可变性不超过±1％。
在本文全文中，根据本文所述的实施例中的任一个，硼量(例如，硼浓度或每单位面积的硼量)和/或含硼层厚度的“可变性”是指在意图具有相同硼量和/或厚度的所有区域中的可变性(即，故意具有不同硼量的区域(例如，不含硼的间隙和/或电触点下方的具有较高硼浓度的区域)的存在)本身不提高硼量的可变性。
含硼层中具有较大硼量的选定区域可以任选地通过仅在这样的区域中选择性地形成含硼层(例如，通过使用合适的掩模进行硼溅射和/或硼离子注入)而形成，除了(在其之前和/或之后)遍及第二表面的大部分形成含硼层之外。
应当理解，当确定含硼层中的硼量的可变性时，不应将具有较高硼量的选定区域(例如，仅通过在这样的区域中选择性形成含硼层而形成)视为含硼层的一部分。
帽盖层：
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括任选地在形成含硼层之后立即在含硼层上方形成帽盖层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。在一些实施例中，帽盖层的厚度在5nm至30nm(任选地为5nm至20nm)的范围内。
在本文中，术语“帽盖”和“封盖”是指层在含硼层上方的层(“封盖”)(即，比含硼层更远离衬底)，并且不意图进一步限制。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，形成含n型掺杂剂层(步骤(a))在形成含硼层(步骤(b))和形成帽盖层两者之后实现。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，形成含n型掺杂剂层(步骤(a))在形成含硼层(步骤(b))之后且在形成帽盖层之前实现。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，形成含n型掺杂剂层(步骤(a))在形成含硼层(步骤(b))和形成帽盖层两者之前实现。
可以根据本领域已知用于形成根据本文所述的相应实施例中的任一个的帽盖层的任何合适技术形成帽盖层。合适技术的示例包括但不限于溅射(例如，离子溅射和/或射频溅射)、物理气相沉积和化学气相沉积。
在根据实施例中的任一个的一些实施例中，帽盖层包含惰性物质。在一些实施例中，形成帽盖层通过沉积一层惰性物质、任选地通过溅射(例如，离子束溅射和/或射频溅射)来实现。
适用于形成帽盖层的惰性物质的示例包括但不限于氮化硅、氮氧化硅和氧化硅。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，在实现扩散(例如，通过热处理实现)之前，实现在含硼层上方形成帽盖层。在一些实施例中，在沉积含磷(含n型掺杂剂)层之前，实现在含硼层上方形成帽盖层。在一些这样的实施例中，帽盖层保护含硼层(例如，直到实现扩散)。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化(根据本文所述的相应实施例中的任一个)减少从第二表面去除的硼量，例如，其中第一表面的纹理化与第二表面的小程度的蚀刻相关联。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少10％(即，在相同条件下，与通过纹理化对应的缺少帽盖层的硼掺杂衬底而去除的硼量相比)。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少20％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少30％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少40％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少50％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少60％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少70％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少80％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少90％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少95％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少98％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少99％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少99.5％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少99.8％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其通过纹理化来减少从第二表面去除的硼量至少99.9％。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，帽盖层通过纹理化(根据本文所述的相应实施例中的任一个)基本上阻止从第二表面去除硼。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过10％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过5％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过3％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过2％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过1％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.5％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.3％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.2％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.1％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.05％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.03％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.02％的硼。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得通过纹理化去除第二表面中的不超过0.01％的硼。
不受任何特定理论的束缚，据信重掺杂(例如，过度掺杂)硼的衬底表面不仅对纹理化工艺具有相对耐受性，而且在纹理化时，适度除去硼也对重掺杂硼的表面的相关性质的影响相对较小，而具有相对低的硼浓度(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个，不超过3×1020个原子/立方厘米)的表面将在纹理化时受到硼去除的更不利影响(例如，如果未因帽盖层而减小)。
在本文所述的涉及选择具有特定性质的帽盖层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的实施例中的任一个的一些实施例中，可以任选地通过实现形成厚度(例如，至少5nm的厚度(根据本文所述的相应实施例中的任一个，任选地高达30nm))足以引起指示的性质的帽盖层来实现选择。另选地或除此之外，可以任选地通过比较不同帽盖层组成(例如，氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅)的结果和/或帽盖层形成的不同方法(根据本文所述的相应实施例中的任一个)来实现选择。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述方法还包括在通过纹理化(根据本文所述的相应实施例中的任一个)去除n型掺杂层之后，任选地在根据本文所述的相应实施例中的任一个形成钝化和/或抗反射涂层之前，根据本文所述相应实施例中的任一个去除帽盖层。在一些这样的实施例中，帽盖层保护硼掺杂层不受纹理化工艺的影响。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层使得其降低在帽盖层下方的含硼层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的氧化程度(例如，暴露于空气时)(即，在相同条件下，与不存在帽盖层时对应含硼层的氧化程度相比)。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少10％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少20％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少30％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少40％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少50％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少60％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少70％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少80％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将含硼层的氧化程度降低至少90％。
氧化程度(例如，暴露于空气时)可以任选地作为含硼层中氧原子的浓度(例如，附着于硼原子的氧原子)进行确定。可以任选地在形成含硼层和/或帽盖层之后的预定时间(例如，在帽盖层形成之后1小时或24小时)确定氧化程度。
不受任何特定理论的束缚，据信适用于以相对低的硼浓度(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个，不超过3×1020个原子/立方厘米)来掺杂衬底的含硼层，特别是非常薄的含硼层(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个，1nm至35nm厚)可能对与周围大气的反应(例如，氧化)相对敏感。另外，据信通过帽盖层保护含硼层免受大气影响可增强硼掺杂的再现性。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层，使得其减少在根据本文所述的相应实施例中的任一个实现硼扩散时逸出到周围大气中的硼量(即，在相同条件下，与不存在帽盖层时逸出到周围大气中的硼量相比)。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少10％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少20％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少30％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少40％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少50％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少60％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少70％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少80％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少90％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少95％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少98％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少99％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少99.5％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少99.8％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将逸出到周围大气中的硼量减少至少99.9％。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层，使得在实现所述硼的扩散(根据本文所述的任何相应的实施例)时，含硼层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)中不超过50％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过30％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过20％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过10％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过5％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过3％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过2％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过1％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.5％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.3％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.2％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.1％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.05％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.03％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.02％的硼逸出到周围大气中。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得在实现所述硼的扩散时，含硼层中不超过0.01％的硼逸出到周围大气中。
不受任何特定理论的束缚，据信在扩散(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个，通过加热实现的扩散)期间硼从含硼层逸出可能有害地导致非均匀硼掺杂，例如由于从衬底边缘较大程度的硼逸出(特别是如果多个衬底在叠堆中经受扩散)，导致沿衬底表面的边缘(相对于在衬底表面的中心处的硼掺杂)的硼掺杂减少。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，选择帽盖层，使得当根据本文所述的相应实施例中的任一个实现硼的扩散时，帽盖层减少扩散到衬底的第一表面中的硼量(即，在相同条件下，与不存在帽盖层时扩散到第一表面中的硼量相比)。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少10％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少20％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少30％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少40％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少50％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少60％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少70％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少80％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少90％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少95％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少98％。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第一表面中的硼量减少至少99％。
不受任何特定理论的束缚，据信在扩散期间硼从含硼层逸出(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个的通过加热实现的扩散)可能有害地导致气态硼扩散到第一表面(打算将用n型掺杂剂掺杂第一表面)中，特别是在不包括去除第一n型掺杂层的实施例中。
在根据本文所述的涉及在实现硼扩散期间硼逸出和/或扩散到第一表面中的实施例中的任一个的一些实施例中，硼的扩散通过暴露于升高的温度实现，例如，在950℃至1050℃的范围内(例如，根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，(在衬底的第二表面上)形成含硼层和形成在含硼层上方的帽盖层中的每个均在形成含n型掺杂剂层(在衬底的第一表面上)之前实现。在一些这样的实施例中，选择帽盖层(帽盖层在含n型掺杂剂层之前形成)，使得其减少在根据本文所述的相应实施例中的任一个实现n型掺杂剂和硼的扩散时扩散到衬底的第二表面中的n型掺杂剂(例如，磷)的量(即，在相同条件下，与不存在帽盖层时扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量相比)。在一些这样的实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少10％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少20％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少30％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少40％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少50％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少60％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少70％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少80％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少90％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少95％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少98％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少99％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少99.5％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少99.8％。在一些实施例中，选择帽盖层使得其将扩散到第二表面中的n型掺杂剂的量减少至少99.9％。
不受任何特定理论的束缚，据信在含n型掺杂剂层之前(在第二表面上)形成的帽盖层可以用作n型掺杂剂的屏障，以避免无意中接触和/或扩散到第二表面(打算将用硼掺杂第二表面)中。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，帽盖层被形成为使得帽盖层的边界对应于n型掺杂层的期望边界(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。帽盖层可以任选地通过防止n型掺杂穿过边界(即，在由帽盖层覆盖的区域中)来确定n型掺杂层的边界，从而例如促进n型掺杂层与硼掺杂层的分离(即，减少重叠)，这可以增大分流电阻。
在根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，实现形成帽盖层使得帽盖层覆盖衬底的边缘(即，第一表面和第二表面之间的表面，该表面任选地垂直于第一表面和第二表面中的每个)，并且任选地覆盖衬底的所有边缘。在一些这样的实施例中，帽盖层防止在衬底的边缘上形成n型掺杂层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)。
应该理解的是，除非另外定义，否则本文所述的操作可以以许多组合或执行顺序执行。本文所述的排序不应认为是限制性的。例如，以特定顺序出现在说明书中的两个或更多个操作可以以不同顺序(例如，相反顺序)执行或者基本上同时执行。
光伏电池：
根据本文所述实施例中的任一个的一些实施例的一个方面，提供了一种双面光伏电池，所述双面光伏电池通过本文中在相应实施例中的任一个以及其任何组合中描述的方法来制备。
根据本文所述的实施例中的任一个的一些实施例的一个方面，提供了一种包括半导体衬底(例如，硅)的双面光伏电池，该衬底包括在其第一表面上的n+层和在其第二表面上的p+层，n+层包含n型掺杂剂(例如，磷)并且p+层包含硼。优选地，光伏电池还包括适用于双面电池的在所述第一表面和所述第二表面中的每个上的电触点(例如，触点不覆盖任一表面的大部分)。在一些实施例中，通过如本文所述的方法制备电池。
在本文所述的用于光伏电池的实施例中的任一个的一些实施例中，p+层中硼浓度的可变性不超过±5％。在一些实施例中，p+层中硼浓度的可变性不超过±4％。在一些实施例中，p+层中硼浓度的可变性不超过±3％。在一些实施例中，p+层中硼浓度的可变性不超过±2％。在一些实施例中，p+层中硼浓度的可变性不超过±1％。
硼浓度的可变性可以通过任何合适的技术(例如，在0.1mm至1mm的范围内的分辨率下)来确定，任选地通过确定p+层的给定部分(例如，0.1mm至1mm的正方形)的薄层电阻并假设薄层电阻的可变性(为低值，诸如较小值的±5％)等同于硼浓度的可变性。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，p+层中的硼浓度小于1021个原子/立方厘米，任选地小于3×1020个原子/立方厘米，任选的小于1020个原子/立方厘米，任选地小于3×1019个原子/立方厘米，并且任选地小于1019个原子/立方厘米。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，p+层的特征在于根据本文所述的相应实施例中的任一个的薄层电阻，例如，在15欧姆至300欧姆、30欧姆至300欧姆、30欧姆至200欧姆和/或30欧姆至150欧姆的范围内。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，第一表面被纹理化。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，第二表面被纹理化。任选地，第一表面和第二表面均被纹理化。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池还包括在第二表面的至少一部分上，任选地在整个第二表面上的钝化和/或抗反射涂层(根据本文所述的实施例中的任一个)。在一些实施例中，钝化和/或抗反射涂层覆盖衬底的边缘的至少一部分，并且任选地覆盖衬底的全部边缘；并且任选地覆盖与衬底的边缘邻接的第一表面的一部分(例如，与边缘邻接的第一表面的区域，该区域具有最高为0.5mm、任选地为0.1mm至0.5mm的宽度)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池还包括在第一表面的至少一部分上，任选地在整个第一表面上的钝化和/或抗反射涂层(根据本文所述的实施例中的任一个)。在一些实施例中，钝化和/或抗反射涂层覆盖第一表面和第二表面中的每个的至少一部分，并且任选地覆盖整个第一表面和第二表面。第一表面上的钝化和/或抗反射涂层可以与第二表面上的钝化和/或抗反射涂层相同或不同。
在一些实施例中，一个或多个钝化涂层(根据本文所述的实施例中的任一个)的总厚度在1nm至15nm的范围内，任选地在2nm至15nm的范围内，并且任选地在5nm至15nm的范围内。
根据本文所述的相应实施例中的任一个的钝化和/或抗反射涂层的示例包括但不限于包含氮化硅、氮氧化硅、TiO2、ZrO2和/或Ta2O5的涂层。当在钝化和/或抗反射涂层中存在多于一个的层时，不同的层可以例如在折射率(例如，上层比下层具有更低的折射率)和/或组成(例如，包含氮氧化硅的一个层和包含氮化硅的另一层)上不同。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池的n+层(任选地，根据本文所述的相应实施例中的任一个制备的第二n+层，或根据不包括制备第二n+层的本文所述相应实施例中的任一个制备的第一n+层)的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，在所述第二表面上的所述电触点以下的区域中，p+层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)中的硼浓度更大。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少20％。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少40％。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少60％。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少80％。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少100％(2倍)。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少200％(3倍)。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少400％(5倍)。在一些实施例中，在所述电触点以下的区域中的硼浓度比p+层的其余部分中的硼浓度大至少900％(10倍)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池还包括在第二表面上的SiB层，任选地为根据本文所述的相应实施例中的任一个制备的SiB层。SiB层可以任选地为根据本文所述的相应实施例中的任一个的钝化涂层。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池的第二表面每平方厘米包含1014至1016个硼原子。在一些实施例中，第二表面每平方厘米包含3×1014至3×1015个硼原子。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，所述第二表面中的最大硼浓度小于3×1020个原子/立方厘米。在一些实施例中，硼浓度小于1020个原子/立方厘米。在一些实施例中，硼浓度小于3×1019个原子/立方厘米。在一些实施例中，硼浓度小于1019个原子/立方厘米。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，p+层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的特征在于至少15欧姆/□的薄层电阻。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在15欧姆/□至300欧姆/□的范围内。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在15欧姆/□至200欧姆/□的范围内。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在15欧姆/□至150欧姆/□的范围内。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，p+层(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的特征在于至少30欧姆/□的薄层电阻。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在30欧姆/□至300欧姆/□的范围内。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在30欧姆/□至200欧姆/□的范围内。在一些实施例中，p+层的薄层电阻在30欧姆/□至150欧姆/□的范围内。
根据一些实施例，光伏电池的p+层不覆盖与其衬底的边缘邻接的区域，该区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度。根据本文所述的相应实施例中的任一个，此区域可以任选地通过掩蔽和/或蚀刻第二表面来制备。
在本文所述的实施例中的任一个中(根据本文所述的方面中的任一个)，半导体衬底包含硅，并且任选地主要由掺杂硅(例如，p型或n型硅)组成。
在本文所述的实施例中的任一个中(根据本文所述的方面中的任一个)，半导体衬底可以任选地为n型半导体(例如，n型掺杂硅)，使得光伏电池具有p+-n-n+结构；或p型半导体(例如，p型掺杂硅)，使得光伏电池具有n+-p-p+结构。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，半导体衬底是p型半导体。在示例性实施例中，衬底是p型掺杂硅。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的有效背表面复合小于150厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于100厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于60厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于30厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于20厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于10厘米/秒。在一些实施例中，有效背表面复合小于5厘米/秒。
可以根据本领域已知的任何合适的技术，例如通过测量(例如，背面的)照明时光谱内部量子效率来确定有效表面复合(例如，背表面的有效表面复合)。任选地，有效表面复合如在Eisenberg等人的[Energy Procedia，2016，92：16-23]中确定，所述文献的内容以引用方式并入本文(特别是与表面复合的测量有关的内容)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的正面效率为至少19％。在一些实施例中，正面效率为至少19.5％。在一些实施例中，正面效率为至少20％。在一些实施例中，正面效率为至少20.5％。在一些实施例中，正面效率为至少21％。在一些实施例中，正面效率为至少21.5％。在一些实施例中，正面效率为至少22％。
在本文中，短语“正面效率”是指在只有电池的一面(正面)暴露于照明的条件下(例如，另一面放置在黑色不透明的表面上)的光伏电池的效率(如本文所述)。暴露于照明的“正面”被定义为以较高效率为特征的任一面。
在标准测试条件下，可以通过确定电池的最大功率输出并除以输入光辐照度来确定电池的效率(例如，针对电池的任何给定面进行的照明)。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，光伏电池(根据本文所述的相应实施例中的任一个)的开路电压为至少620mV。在一些实施例中，开路电压为至少630mV。在一些实施例中，开路电压为至少640mV。在一些实施例中，开路电压为至少650mV。在一些实施例中，开路电压为至少660mV。
本文所述的涉及光伏电池性能的物理参数通过在本领域中用于评估光伏电池的标准测试条件下的测量来确定。标准测试条件包括1000W/m2的太阳辐照度，AM(空气质量)为1.5的太阳参考光谱和25℃的电池温度。
在本文所述的实施例中的任一个的一些实施例中，背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.75。在一些实施例中，背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.8。在一些实施例中，背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.85。在一些实施例中，背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.9。
在本文中，短语“正面短路电流”是指在只有电池的正面暴露于照明的条件下(例如，背面放置在黑色不透明表面上)的光伏电池的短路电流(如本文所述)，并且短语“背面短路电流”是指在只有电池的背面暴露于照明的条件下(例如，正面放置在黑色不透明表面上)的光伏电池的短路电流(如本文所述)。“正面”被定义为以较高效率为特征的任一面，并且“背面”被定义为以较低效率(如本文所述确定)为特征的任一面。
短路电流(ISC)可以例如通过使用本领域的标准技术在短路(即，电压＝0)时测量由光伏电池产生的电流来确定。
由于背面(根据定义)比正面效率低，背面短路电流与正面短路电流之比通常小于1，任选地小于0.95。
不受特定理论的束缚，据信背面短路电流与正面短路电流的高比率(例如，如本文所述)与优越的后面设计(例如，p+-p-n+结构中的p+层)相关联，其特征在于相对均匀的掺杂剂浓度、减少和甚至消除过度掺杂和/或低的有效背表面复合。另外，据信本文所述的其他参数的值，诸如较高的正面效率，也可以通过优越的后面设计来改善。
根据一些实施例，光伏电池的特定分流电阻为至少5000欧姆×平方厘米(即，欧姆乘以平方厘米)，任选地为至少5500欧姆×平方厘米，任选地为至少6000欧姆×平方厘米，任选地为至少6500欧姆×平方厘米，并且任选地为至少7000欧姆×平方厘米。由于具体的分流电阻可以取决于光伏电池的面积和形状，所以可以针对具有约230cm2的面积并且基本上为正方形(即，具有约61cm的周长)的光伏电池来确定前述特定分流电阻。
在一些实施例中，光伏电池表现出根据本文所述的相应实施例中的任一个的特定分流电阻，其与根据本文所述的相应实施例中的任一个的相对低的硼浓度(例如，不超过1020个原子/立方厘米)组合。
不受任何特定理论的束缚，据信用于增强分流电阻的已知技术(例如，激光边缘隔离)在高效电池(诸如具有低受控硼浓度的电池，如本文所述)中不太有效(并甚至是有害的)。
根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种光伏模块，其包括多个本文所述的光伏电池中的任一个，所述光伏电池彼此互连。
如本文所使用的，短语“光伏模块”描述了包括串联和/或并联互连的光伏电池的阵列的模块。电池的串联连接产生较高的电压。电池的并联连接引起较高的电流。因此，本领域技术人员可以以将提供期望的电压和电流的方式连接电池。
该模块可以任选地另外组合额外元件，诸如玻璃片，以保护光伏电池免受环境的影响，不阻挡光到达光伏电池和/或使光伏电池沿光源方向取向的基座(例如，用于跟踪太阳的日常运动)。任选地，存在逆变器以将直流电转换为交流电。任选地存在电池以储存由光伏电池产生的能量。
根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种包括本文所述的光伏模块的发电厂。该发电厂任选地包括多个光伏模块，该多个光伏模块被定位成使得它们最大化地暴露于阳光。
应当理解，包括本文所述的双面光伏电池的光伏模块的最佳位置和取向可以不同于单面光伏电池的阵列的最佳位置。
根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种包括根据本文所述的相应实施例中的任一个的光伏电池的电力设备。所述电力设备可以被配置为使得双面光伏电池的两面都暴露于光(例如，在设备的表面处)。在一些实施例中，光伏电池是用于电力设备的电源。
本文所述的光伏电池和/或光伏模块的示例性应用包括但不限于家用电源、热水加热器、口袋计算机、笔记本计算机、便携式充电底座、蜂窝电话、寻呼机、PDA、数码相机、烟雾探测器、GPS设备、玩具、计算机外围设备、卫星、宇宙飞船、便携式电器(例如，便携式电视、便携式照明设备)以及无绳电器(例如，无绳吸尘器、无绳电钻和无绳锯)。
根据本发明的实施例的另一个方面，提供了一种电磁辐射检测器，该检测器包括本文所述的任何光伏电池，其中电磁辐射选自由紫外线、可见光和红外辐射组成的组。可以使用检测器以便例如检测辐射(例如，作为红外检测器)和/或测量辐射量(例如，在分光光度法中)。
预计在本申请的专利到期寿命期间，将开发许多相关的掺杂技术(例如,溅射和离子注入技术)，并且术语“掺杂”、“溅射”和“离子注入”的范围旨在包括所有这样的经过先验的新技术。
如本文使用的，术语“约”是指±10％。
术语“包括”、“包括了”、“包含”、“包含了”、“具有”以及它们的结合意味着“包括但不限于”。
术语“由......组成”是指“包括并限于”。
术语“基本上由...组成”是指组成、方法或结构可以包括额外成分、步骤和/或部分，但是只有额外成分、步骤和/或部分不实质性地改变所要求保护的组成、方法或结构的基本和新颖特性。
如本文所用，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数指代。例如，术语“一种化合物”或“至少一种化合物”可以包括多种化合物，包括它们的混合物。
在整个本申请中，本发明的各种实施例可以以范围格式呈现。应该理解的是，以范围格式进行的描述仅仅是为了方便和简洁，并且不应该被解释为对本发明范围的不灵活的限制。因此，对范围的描述应被视为具体公开了所有可能的子范围以及该范围内的单个数值。例如，对范围诸如1到6的描述应被认为具体公开了子范围，诸如1到3、1到4、1到5、2到4、2到6、3至6等，以及该范围内的单个数字，例如1、2、3、4、5和6。无论范围的宽度如何，这都适用。
无论本文在何时指出数字范围，其意图包括在所指示范围内的任何引用的数字(分数或整数)。第一指示数字和第二指示数字之间的用语“范围”和从第一指示数字“到”第二指示数字的“范围”在本文中可互换地使用，并且意在包括第一指示数字和第二指示数字以及它们之间的所有分数和整数数字。”
应该认识到，为了清楚起见，在单独实施例的背景下描述的本发明的某些特征也可以在单个实施例中组合提供。相对地，为了简洁起见，在单个实施例的背景下描述的本发明的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合提供，或者合适地在本发明的任何其它描述的实施例中提供。在各种实施例的背景下描述的某些特征不应认为是那些实施例的基本特征，除非该实施例在没有那些要素的情况下不起作用。
如上文所述并且如所附权利要求书部分要求保护的本发明的各个实施例和方面在以下示例中找到实验支持。
示例
现在对以下示例做出参考，所述示例结合以上描述以非限制性方式示出本发明的一些实施例。
示例1使用溅射的含硼固体扩散源以可控形式形成具有不同薄层电阻的p+层
选择电阻率约为5Ω×cm的切克劳斯基法(Chochralski)n型硅晶片作为衬底。通过射频(RF)溅射氮化硼(BN)靶，将含硼表面源沉积在抛光的硅衬底的表面上。使用纯氩气或加入氧气的氩气作为溅射离子。根据溅射气体中的氧浓度，形成厚度在1nm至10nm的范围内的BN或BOxNy层。
对于使用在1kW至4kW的范围内的不同放电功率制备的样品，沿着6”方形晶片的对角线确定沉积在晶片表面上的各层的厚度均匀性，使用椭圆偏振法来确定所沉积层的厚度和折射率。
如图1所示，如通过椭圆偏振法所确定，对于测试的放电功率中的任一个，含硼层厚度的可变性不超过约±4％至±5％。
在扩散处理之前，通过溅射形成厚度为5nm至20nm的SiN和/或SiOx帽盖层，来保护本文中如上所述制备的含硼层。置于叠堆中的晶片在1025℃温度下在石英管炉中进行扩散，以在硅衬底中形成硼掺杂p+层。
如图2所示，在形成10nm的SiN帽盖层之后进行30分钟的扩散引起硅中的硼掺杂p+层，该硼掺杂p+层的特征在于针对溅射(包括在10立方厘米/分钟或20立方厘米/分钟的氧流速下进行的溅射)在硅表面上的含硼层的给定厚度的薄层电阻(Rsh)值的非常低的散射。
该结果指示高度的再现性。Rsh值的散射比在没有帽盖层的样品中更低(数据未示出)，这指示帽盖层在减小散射和增强再现性方面发挥作用。
如图2进一步所示，针对在1nm至5nm的范围内的特定含硼层厚度，获得宽范围的特定Rsh值(约20欧姆至100欧姆)。这种获得的薄层电阻值范围适用于太阳能电池设计。
这些结果指示，取决于太阳能电池的技术要求，可以通过选择合适厚度的含硼层且在晶片表面上具有高度均匀性，来获得含硼层的合适薄层电阻。
示例2
以可控形式形成具有受抑制的有效表面复合(Seff)的p+层
使用表面沉积的固体硼源对n型硅晶片进行对称掺杂以在两面上形成p+层。使用两个系列的硅样品来比较分析掺杂程序对p+层的有效表面复合的影响。
使用旋涂技术对第一系列中的每个晶片的两面涂覆硼硅酸盐溶液。在干燥所沉积的溶液涂层后形成含硼膜。
对第二系列中的每个晶片的两面涂覆厚度为1nm至3nm的氮氧化硼膜，该氮氧化硼膜通过射频溅射进行制备并且被具有10nm厚度的溅射SiN层所覆盖。
在1025℃的温度下在石英管炉中，在氮气氛中，所有晶片在叠堆中扩散30分钟。然后通过二次离子质谱法(SIMS)确定不同深度处的硼浓度。
如图3所示，使用旋涂掺杂源所制备的样品在低深度处表现出超过硅中硼的溶解度极限(约5×1020个原子/立方厘米)的表面硼浓度，这指示典型的硼过度掺杂硅。
相反，如图4所示，使用硼溅射(随后进行热处理)处理的代表性晶片表现出较低的表面硼浓度(不超过1020个原子/立方厘米)和对表面硼浓度的较高控制(例如，通过保持始终低于硼的溶解度水平)。
类似地，如图5所示，使用硼溅射(随后进行热处理和随后的干热氧化)进行处理并且特征在于不同的表面电阻(34、74和390欧姆/平方)的额外晶片表现出不同的硼浓度/深度分布，每个硼浓度/深度分布的特征在于低表面硼浓度(始终低于1020个原子/立方厘米)和对表面硼浓度的较高控制(在晶片表面的次最大硼浓度是由于扩散后的热氧化引起)。
这些结果指示，根据处理和设计要求，例如，为了最小化接触电阻、抑制表面复合等，可以根据需要控制硼浓度分布。
在根据标准程序进行RCA清洁之后，将晶片浸入醌氢醌溶液(3％异丙醇中)以实现表面钝化，并且使用准稳态光电导方法测量有效表面复合(Seff)。不受任何特定理论的束缚，据信通过表面钝化(例如，用醌氢醌)降低Seff可以以便利的方式显著增强具有低硼浓度的晶片(例如，如本文所述)的性能；而过度掺杂的晶片(例如，诸如使用旋涂技术制备的)具有相对较低的Seff(尽管高于本文中例示的Seff值)而没有任何额外的处理(由于存在SiB)，并因此不能容易地通过表面钝化来改进。因此，通过旋涂技术制备的晶片不浸入醌氢醌溶液中。
如表1所示，使用硼溅射的可控掺杂引起表面复合损失的显著减小。
表1：在硼溅射和在醌氢醌中浸渍表面进行钝化之后硅晶片的有效表面复合
示例3
具有p+层的受控形成的p+-p-n+半导体结构
根据示例2中所述的程序，使用溅射的各种厚度的含硼层来掺杂p型硅晶片，除了仅在后面用硼掺杂之外。通过热扩散(与后面的硼掺杂同时进行)用磷掺杂正面以形成n+层，该n+层在通过蚀刻对正面进行纹理化时被去除(例如，如俄罗斯专利第2139601号中所述)。通过磷扩散(经由POCl3扩散)形成p-n结以形成第二n+层。所得(第二)n+层的薄层电阻为约80欧姆/平方。
在形成p+-p-n+半导体结构、钝化两个表面以及沉积抗反射SiN涂层之后，通过使用Sinton设备的准稳态光电导衰减，在一个太阳照射下确定隐含的开路电压(Voci)。表2列出若干代表性样品的Voci值。
表2：使用溅射进行硼掺杂而获得的p+-p-n+结构的隐含开路电压(Voci)
如表2所示，获得的p+-p-n+半导体结构表现出高质量，具有适用于制造至少22％的效率的光伏电池的高Voci值。
示例4
具有p+层的受控形成的光伏电池
根据示例3中所述的程序处理两组p型Si晶片以形成光伏电池。这两组在以下方面有所不同：在第1组晶片中，在硼掺杂面上沉积SiN抗反射层之前进行p-n结形成(通过POCl3气相扩散，以形成第二n+层)，并且在第2组晶片中，在硼掺杂面上沉积SiN抗反射层之后进行p-n结形成。在磷扩散、在n+面上沉积钝化/抗反射涂层、接触印刷和焙烧之后，在标准条件下评估电池性能。第2组和第1组的光伏电池性能参数分别列于表3和表4中。
表3：具有在后抗反射层沉积之后形成的p-n结的光伏电池的参数
表4：具有在后抗反射层沉积之前形成的p-n结的光伏电池的参数
如表3和表4所示，在沉积后抗反射层之后通过气体扩散形成n+层/p-n结(表3)引起与显著增大的分流电阻相关联的显著增强的功效。
相反，在沉积后抗反射层之前进行磷扩散(表4)时，为了减少边缘分流，需要额外的措施。
不受任何特定理论的束缚，据信抗反射层覆盖硼掺杂区减少了与硼掺杂区和随后形成的(第二)n+层之间的接触相关联的分流。
这些结果指示可以根据本文所述的程序制备高效光伏电池。鉴于示例3中描述的高隐含开路电压，在常规优化时期望进一步的改进。
虽然已经结合本发明的具体实施例描述了本发明，但显而易见的是，对于本领域技术人员而言，许多替代、修改和变化将是显而易见的。因此，旨在涵盖落入所附权利要求的精神和广泛范围内的所有这样的替代、修改和变化。
在本说明书中提及的所有出版物、专利和专利申请在本文通过引用方式整体并入本说明书，并入程度如同每个单独的出版物、专利或专利申请被具体和单独地指示为以引用方式并入本文。另外，本申请中任何参考文献的引用或标识都不应被解释为承认这种参考文献可作为本发明的现有技术。在使用章节标题的范围内，不应将其解释为必需的限制。

Claims (47)

1.一种生产双面光伏电池的方法，所述方法包括：
a)在半导体衬底的第一表面上形成含n型掺杂剂层；
b)通过溅射硼和/或通过硼离子注入在所述半导体衬底的第二表面上形成含硼层；以及
c)实现将所述n型掺杂剂和所述硼扩散到所述半导体衬底中，从而用所述n型掺杂剂掺杂所述第一表面并用所述硼掺杂所述第二表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含硼层的厚度在1nm至35nm的范围内。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述溅射硼使用氮化硼靶实现。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述硼离子注入的特征在于在1014个注入离子/平方厘米至1016个注入离子/平方厘米的范围内的剂量。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述含硼层中的硼量的可变性不超过±5％。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括在所述实现扩散之前，在所述含硼层上方形成帽盖层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中通过沉积物质实现形成所述帽盖层，所述物质选自由氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组。
8.根据权利要求6至7中任一项所述的方法，其中通过射频溅射实现形成所述帽盖层。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中所述帽盖层的厚度在5nm至30nm的范围内。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，还包括：
d)通过纹理化去除所述第一表面上的n型掺杂层；
e)在所述第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；以及
f)随后用n型掺杂剂掺杂所述第一表面。
11.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，还包括：
d)通过纹理化去除所述第一表面上的所述n型掺杂层，并且随后去除所述帽盖层；
e)在所述第二表面上形成钝化和/或抗反射涂层；以及
f)随后用n型掺杂剂掺杂所述第一表面。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述随后用n型掺杂剂掺杂所述第一表面形成n+层，所述n+层的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，还包括在所述第一表面和所述第二表面中的每个上形成电触点。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述含硼层在所述第二表面的一些区域中具有较大的厚度，所述方法包括在所述第二表面的所述区域上选择性地形成电触点。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中所述半导体衬底是p型半导体。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，其中所述半导体衬底包含硅。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括在所述第二表面上形成SiB层。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，还包括在所述步骤(a)之后且在所述步骤(b)之前蚀刻所述第二表面。
19.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，还包括在所述第二表面的边缘上形成区域，通过在步骤(b)期间掩蔽所述区域，所述区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度，所述区域基本上不含硼。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的方法，还包括在所述第二表面的边缘上形成区域，通过在步骤(b)之后、任选地在步骤(c)之前蚀刻所述区域，所述区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度，所述区域基本上不含硼。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述蚀刻所述区域通过反应离子蚀刻实现。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的方法，其中同时实现所述n型掺杂剂的所述扩散和所述硼的所述扩散。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述n型掺杂剂和所述硼的同时扩散通过暴露于在950℃至1050℃的范围内的温度实现。
24.根据权利要求1至23中任一项所述的方法，其中选择所述含硼层和所述扩散的条件，使得所述第二表面中的硼的表面浓度小于3×1020个原子/立方厘米。
25.根据权利要求1至24中任一项所述的方法，其中选择所述含硼层和所述扩散的条件，使得用硼掺杂所述第二表面形成p+层，所述p+层的特征在于在0.3μm至1.5μm的范围内的厚度。
26.根据权利要求1至25中任一项所述的方法，其中选择所述含硼层和所述扩散的条件，使得用硼掺杂所述第二表面形成p+层，所述p+层的特征在于在30欧姆至1.5欧姆的范围内的薄层电阻。
27.根据权利要求1至26中任一项所述的方法，其中所述n型掺杂剂包含磷。
28.一种根据权利要求1至27中任一项所述进行制备的双面光伏电池。
29.一种包括半导体衬底的双面光伏电池，所述衬底包括在所述衬底的第一表面上的n+层和在所述衬底的第二表面上的p+层，所述n+层包含n型掺杂剂并且所述p+层包含硼，其中如通过测量所述p+层的薄层电阻所确定，所述p+层中的硼浓度的可变性不超过5％。
30.根据权利要求29所述的光伏电池，其中所述第一表面被纹理化。
31.根据权利要求29至30中任一项所述的光伏电池，还包括在所述第二表面上的钝化和/或抗反射涂层。
32.根据权利要求29至31中任一项所述的光伏电池，其中所述n+层的特征在于在70欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
33.根据权利要求29至32中任一项所述的光伏电池，还包括在所述第一表面和所述第二表面中的每个上的电触点，其中在所述第二表面上的所述电触点下面的区域中，所述p+层中的硼的浓度更大。
34.根据权利要求29至33中任一项所述的光伏电池，其中所述半导体衬底是p型半导体。
35.根据权利要求29至34中任一项所述的光伏电池，其中所述半导体衬底包含硅。
36.根据权利要求29至35中任一项所述的光伏电池，还包括在所述第二表面上的SiB层。
37.根据权利要求29至36中任一项所述的光伏电池，其中所述第二表面每平方厘米包含1014至1016个硼原子。
38.根据权利要求29至37中任一项所述的光伏电池，其中所述第二表面中的硼的表面浓度小于1020个原子/立方厘米。
39.根据权利要求29至38中任一项所述的光伏电池，其中所述p+层的特征在于在30欧姆至150欧姆的范围内的薄层电阻。
40.根据权利要求29至39中任一项所述的光伏电池，其中所述p+层不覆盖与所述衬底的边缘邻接的区域，所述区域具有在0.1mm至0.5mm的范围内的宽度。
41.根据权利要求29至40中任一项所述的光伏电池，其中所述n型掺杂剂包含磷。
42.根据权利要求28至41中任一项所述的光伏电池，其中所述光伏电池的有效背表面复合小于50厘米/秒。
43.根据权利要求28至42中任一项所述的光伏电池，其特征在于至少19％的正面效率。
44.根据权利要求28至43中任一项所述的光伏电池，其中背面短路电流与正面短路电流之比为至少0.8。
45.一种包括多个根据权利要求28至44中任一项所述的光伏电池的光伏模块，所述多个光伏电池彼此互连。
46.一种包括根据权利要求45所述的光伏模块的发电厂。
47.一种包括根据权利要求28至44中任一项所述的光伏电池的电力设备。
CN201680062244.XA 2015-10-25 2016-10-25 双面电池制造方法 Active CN108352413B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562246082P 2015-10-25 2015-10-25
US62/246,082 2015-10-25
PCT/IL2016/051148 WO2017072758A1 (en) 2015-10-25 2016-10-25 Method of bifacial cell fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108352413A true CN108352413A (zh) 2018-07-31
CN108352413B CN108352413B (zh) 2021-11-02

Family

ID=58631445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680062244.XA Active CN108352413B (zh) 2015-10-25 2016-10-25 双面电池制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11075316B2 (zh)
EP (1) EP3365920B1 (zh)
JP (1) JP6900370B2 (zh)
KR (1) KR20180100301A (zh)
CN (1) CN108352413B (zh)
ES (1) ES2939949T3 (zh)
WO (1) WO2017072758A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114127959A (zh) * 2019-05-29 2022-03-01 索拉昂德有限公司 双面光伏电池制造工艺

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111837217A (zh) * 2018-01-08 2020-10-27 索拉昂德有限公司 双面光伏电池及其制造方法
WO2020231028A1 (ko) * 2019-05-13 2020-11-19 성균관대학교산학협력단 Ag 저감 전극 패턴을 이용한 셀 분할/접합 구조 태양광 모듈
CN111162145A (zh) * 2020-02-26 2020-05-15 泰州中来光电科技有限公司 具有选择性发射极结构的钝化接触太阳能电池及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4217428A1 (de) * 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur
CN202189800U (zh) * 2011-05-24 2012-04-11 上海神舟新能源发展有限公司 一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池
CN102544195A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 上海凯世通半导体有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN102725854A (zh) * 2009-11-18 2012-10-10 太阳能和风能科技公司 制造光伏电池的方法、由此产生的光伏电池及其应用
CN103026494A (zh) * 2010-07-16 2013-04-03 希拉克电池株式会社 具有硼扩散层的硅太阳能电池单元及其制造方法
CN103066164A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 英利集团有限公司 一种n型太阳能电池及其制作方法
US20130247981A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Suniva, Inc. Solar cell fabrication using a pre-doping dielectric layer
WO2014045193A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Imec Method for reducing contact resistances of screen printed contacts
US8871584B2 (en) * 2011-07-27 2014-10-28 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Replacement source/drain finFET fabrication
DE102013219603A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
CN104981893A (zh) * 2013-02-06 2015-10-14 日本琵维吉咨询株式会社 硼扩散层形成方法以及太阳能电池单元的制造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3976508A (en) * 1974-11-01 1976-08-24 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Tubular solar cell devices
US4989059A (en) 1988-05-13 1991-01-29 Mobil Solar Energy Corporation Solar cell with trench through pn junction
DK170189B1 (da) * 1990-05-30 1995-06-06 Yakov Safir Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
US5871591A (en) 1996-11-01 1999-02-16 Sandia Corporation Silicon solar cells made by a self-aligned, selective-emitter, plasma-etchback process
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
US6180869B1 (en) 1997-05-06 2001-01-30 Ebara Solar, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
RU2139601C1 (ru) 1998-12-04 1999-10-10 ООО Научно-производственная фирма "Кварк" Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой
JP2000206675A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Nikon Corp 転写マスク用ブランクスおよび転写マスク
TW419833B (en) 1999-07-23 2001-01-21 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of solar cell
US6858308B2 (en) * 2001-03-12 2005-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor element, and method of forming silicon-based film
DE102004036220B4 (de) 2004-07-26 2009-04-02 Jürgen H. Werner Verfahren zur Laserdotierung von Festkörpern mit einem linienfokussierten Laserstrahl
JP4410154B2 (ja) * 2005-06-09 2010-02-03 株式会社東芝 デコンボリューション解析装置、デコンボリューション解析プログラム及びデコンボリューション解析方法
EP1958242A4 (en) * 2005-11-24 2010-02-24 Newsouth Innovations Pty Ltd PREPARATION OF SOLAR CELLS WITH HIGH EFFICIENCY
JP4945140B2 (ja) * 2006-02-01 2012-06-06 テクダイヤ株式会社 波長可変光フィルター及びこれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置
US20080302418A1 (en) * 2006-03-18 2008-12-11 Benyamin Buller Elongated Photovoltaic Devices in Casings
DE102007036921A1 (de) 2007-02-28 2008-09-04 Centrotherm Photovoltaics Technology Gmbh Verfahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen
KR101627217B1 (ko) * 2009-03-25 2016-06-03 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
KR101521326B1 (ko) * 2009-03-30 2015-05-18 산요덴키가부시키가이샤 태양 전지
KR101139458B1 (ko) * 2009-06-18 2012-04-30 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114147A1 (en) * 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US20110114152A1 (en) 2009-11-18 2011-05-19 Solar Wind Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8586862B2 (en) 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
KR101262871B1 (ko) * 2010-03-26 2013-05-09 한국철강 주식회사 플렉서블 기판 또는 인플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 그의 제조 방법
JP5213188B2 (ja) * 2010-04-27 2013-06-19 シャープ株式会社 裏面電極型太陽電池、および裏面電極型太陽電池の製造方法
TW201210058A (en) * 2010-05-12 2012-03-01 Applied Materials Inc Method of manufacturing crystalline silicon solar cells using epitaxial deposition
KR20120084104A (ko) * 2011-01-19 2012-07-27 엘지전자 주식회사 태양전지
US8975193B2 (en) 2011-08-02 2015-03-10 Teledyne Dalsa Semiconductor, Inc. Method of making a microfluidic device
WO2013158177A2 (en) * 2012-01-27 2013-10-24 PLANT PV, Inc. Multi-crystalline ii-vi based multijunction solar cells
CN104870699A (zh) 2012-12-28 2015-08-26 默克专利股份有限公司 用于硅晶片的局部掺杂的液体掺杂介质
DE102013218351A1 (de) 2013-09-13 2015-03-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
US9576790B2 (en) * 2013-10-16 2017-02-21 Asm Ip Holding B.V. Deposition of boron and carbon containing materials
JP2015106624A (ja) 2013-11-29 2015-06-08 京セラ株式会社 太陽電池の製造方法
FR3024283B1 (fr) * 2014-07-25 2016-08-12 Commissariat Energie Atomique Module photovoltaique comprenant une pluralite de cellules bifaciales et procede de fabrication d'un tel module
CN204303826U (zh) * 2014-11-19 2015-04-29 上海神舟新能源发展有限公司 一种高效n型双面太阳电池

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4217428A1 (de) * 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur
CN102725854A (zh) * 2009-11-18 2012-10-10 太阳能和风能科技公司 制造光伏电池的方法、由此产生的光伏电池及其应用
CN103026494A (zh) * 2010-07-16 2013-04-03 希拉克电池株式会社 具有硼扩散层的硅太阳能电池单元及其制造方法
CN102544195A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 上海凯世通半导体有限公司 太阳能电池及其制作方法
CN202189800U (zh) * 2011-05-24 2012-04-11 上海神舟新能源发展有限公司 一种选择性发射极的晶体硅太阳能电池
US8871584B2 (en) * 2011-07-27 2014-10-28 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Replacement source/drain finFET fabrication
US20130247981A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Suniva, Inc. Solar cell fabrication using a pre-doping dielectric layer
WO2014045193A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Imec Method for reducing contact resistances of screen printed contacts
CN103066164A (zh) * 2013-01-31 2013-04-24 英利集团有限公司 一种n型太阳能电池及其制作方法
CN104981893A (zh) * 2013-02-06 2015-10-14 日本琵维吉咨询株式会社 硼扩散层形成方法以及太阳能电池单元的制造方法
DE102013219603A1 (de) * 2013-09-27 2015-04-02 International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114127959A (zh) * 2019-05-29 2022-03-01 索拉昂德有限公司 双面光伏电池制造工艺

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018531521A (ja) 2018-10-25
US11075316B2 (en) 2021-07-27
US20210328090A1 (en) 2021-10-21
EP3365920A1 (en) 2018-08-29
KR20180100301A (ko) 2018-09-10
CN108352413B (zh) 2021-11-02
EP3365920A4 (en) 2019-04-03
JP6900370B2 (ja) 2021-07-07
EP3365920B1 (en) 2023-02-22
ES2939949T3 (es) 2023-04-28
WO2017072758A1 (en) 2017-05-04
US11387382B2 (en) 2022-07-12
US20190109257A1 (en) 2019-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ruby et al. Rie-texturing of multicrystalline silicon solar cells
Hocine et al. Improved efficiency of multicrystalline silicon solar cells by TiO2 antireflection coatings derived by APCVD process
Liao et al. Passivation of boron-doped industrial silicon emitters by thermal atomic layer deposited titanium oxide
US10529872B2 (en) Silicon-containing semiconductor structures, methods of making the same and devices including the same
CN101681936A (zh) 清洗由太阳能蚀刻浆料制造的太阳能电池表面开口的方法
US11387382B2 (en) Bifacial photovoltaic cell
Gong et al. High efficient n‐type back‐junction back‐contact silicon solar cells with screen‐printed Al‐alloyed emitter and effective emitter passivation study
Drygała et al. Influence of laser texturization surface and atomic layer deposition on optical properties of polycrystalline silicon
Shim et al. 17.6% conversion efficiency multicrystalline silicon solar cells using the reactive ion etching with the damage removal etching
Chen et al. Self-Aligned Selective Area Front Contacts on Poly-Si/SiO x Passivating Contact c-Si Solar Cells
JP2018531521A6 (ja) 両面セルを製造する方法
Singh et al. Angle-dependent XPS analysis of silicon nitride film deposited on screen-printed crystalline silicon solar cell
Herasimenka Large area ultrapassivated silicon solar cells using heterojunction carrier collectors
TWI791081B (zh) 雙面光伏電池及製造方法
Cho et al. Wet/dry etching combined microtextured structures for high‐efficiency solar cells
Panek et al. Boron liquid solution deposited by spray method for p-type emitter formation in crystalline Si solar cells
Drabczyk et al. Influence of ITO layer application on electrical parameters of silicon solar cells with screen printed front electrode
Liu et al. Overcoming the Problem of Electrical Contact to Solar Cells Fabricated using Selective‐Area Silicon Nanopillars by Cesium Chloride Self‐Assembly Lithography as Antireflective Layer
TWI781407B (zh) 雙面太陽能電池、模組及製程
JP2011159872A (ja) 電極の製造方法、太陽電池の製造方法および光電変換素子の製造装置
Kim et al. Analysis of the effect of silicon with nano-size surface structure on an electrode formed using screen printing
Wagner Interdigitated back-contact silicon heterojunction solar cells: development of patterning techniques and applications in tandem devices
Lee et al. p-Type quasi-mono silicon solar cell fabricated by ion implantation
An et al. Empirical and Quokka simulated evidence for enhanced V OC due to limited junction area for high efficiency silicon solar cells
Lee et al. Potential of Chemical Rounding for the Performance Enhancement of a Monolithic Perovskite/Bifacial N-PERT Si Tandem Cell

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant