JP2011515443A - α,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、元素周期表の第VIII副族の金属と式(I)の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有し、その際、Pnはプニコゲンを表し;Wは両側の結合の間の1〜8つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し;R1は式(I)の化合物の基−X(=O)OHと少なくとも1つの分子間の非共有結合を形成することができる官能基を表し;R2、R3はそれぞれ場合により置換されたアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すか、又はプニコゲン原子と一緒に、存在する場合には基Y2及びY3と一緒に縮合されていない又は縮合されている及び非置換の又は置換された5〜8員の複素環を表し;a、b及びcは0又は1を表し;及びY1、Y2、Y3は相互に無関係にO、S、NRa又はSiRbRcを表し、その際、Ra、Rb、RcはH又はそれぞれ非置換であるか又は置換されたアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す触媒の存在でα,β−不飽和カルボン酸又はその塩を一酸化炭素及び水と反応させることによるアルデヒドの製造方法;並びにα,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化のための前記触媒の使用に関する。
Description
本発明は、配位子として、反応させるべきα,β−不飽和カルボン酸のカルボン酸基と相補的な官能基を有するプニコゲン含有化合物と第VIII副族の金属との錯体を有する触媒の存在で、α,β−不飽和カルボン酸又はその塩を一酸化炭素及び水素と反応させることによりアルデヒドを製造する方法、並びにα,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化のため前記触媒の使用に関する。
ヒドロホルミル化触媒中での二量化することができる配位子の使用、つまり凝集体を形成することができる配位子の使用は、例えばB. Breit及びW. Seiche著, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 6608-6609, EP 1 486 481, PCT/EP 2007/059722又はDE 10 2006 041 064に記載されている。しかしながら上記の文献の何れにも、配位子が反応されるべき化合物(基質)と凝集する能力を記載していない。
B. Breit及びT. Smejkalは、Angew. Chem. 2008, 120, 2, 317 - 321において、式(1)及び(2)の配位子の存在での不飽和カルボン酸のヒドロホルミル化を記載している。
この配位子は、ヒドロホルミル化されるべき不飽和カルボン酸のカルボン酸基と相互作用することができる。これにより、反応された官能基に関してこのヒドロホルミル化反応の高い位置選択性及び化学選択性が達成される。ヒドロホルミル化条件下で記載された触媒の存在でのα,β−不飽和カルボン酸の反応は、しかしながらここでも記載されていない。
本発明の根底をなす課題は、α,β−不飽和カルボン酸を相応するα,β−飽和アルデヒドに化学選択的に変換するために適した方法を提供することである。この方法は、α,β−不飽和カルボン酸の共役C−C二重結合が高い収率で水素化され、かつ同時にカルボン酸基が高い選択率及び収率でアルデヒド基に変換されることに適しているべきである。さらに、この方法は、他の官能基、例えば二重結合、カルボニル基含有の官能基又は加水分解に敏感な保護基の存在で、不所望な副反応に対して高い選択率で適用可能であるべきである。特に、この方法により、他の共役二重結合を有しないα,β−不飽和カルボン酸の反応の際に、この他の二重結合の水素化及び/又は異性化が生じるべきでない。
意外にも、前記課題は、配位子が反応されるべきα,β−不飽和カルボン酸(基質)のカルボン酸基と分子間の非共有結合を形成することができる触媒の存在で、α,β−不飽和カルボン酸を一酸化炭素及び水素と反応させることにより解決されることが見出された。この反応は、以後、脱カルボキシルヒドロホルミル化(decarboxylative Hydroformylierung)と称する。この「基質認識」により、反応された基質若しくは反応された官能基に関する高い選択性が生じる。それにより、本発明による方法は、特に通常の反応条件下でさらに反応することができる官能基を有するα,β−不飽和カルボン酸の、共役二重結合の選択的水素化のため及びカルボン酸基とアルデヒド基との交換のためにも適している。
したがって、本発明の主題は、触媒の存在でのα,β−不飽和カルボン酸又はその塩と一酸化炭素及び水素との反応によるアルデヒドの製造方法であり、
その際、前記触媒は、元素周期表の第VIII副族の金属と、式(I)の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有し、
その際、前記触媒は、元素周期表の第VIII副族の金属と、式(I)の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有し、
その際、
Pnは、プニコゲン原子を表し;
Wは、両側の結合の間で1〜8つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
R1は、上記式(I)の化合物の基−X(=O)OHと少なくとも1つの分子間の非共有結合を形成することができる官能基を表し、
R2及びR3は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか又は、アルキル及びアルキルについて上記に挙げられた置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ;又はプニコゲン原子及び存在する場合には基Y2及びY3と一緒になって、5〜8員の複素環を表し、この複素環は縮合されていないか又は1、2、3若しくは4つのシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールで付加的に縮合されていてもよく、その際、この複素環及び、存在する場合に、この縮合された基は、相互に無関係に、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択されるそれぞれ1、2、3、4又は5つの置換基を有し、
a、b及びcは、相互に無関係に、0又は1を表し、及び
Y1、Y2及びY3は、相互に無関係に、O、S、NRa又はSiRbRcを表し、その際、Ra、Rb及びRcは、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル及びアルキルについて上記に挙げられた置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができる。
Pnは、プニコゲン原子を表し;
Wは、両側の結合の間で1〜8つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
R1は、上記式(I)の化合物の基−X(=O)OHと少なくとも1つの分子間の非共有結合を形成することができる官能基を表し、
R2及びR3は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか又は、アルキル及びアルキルについて上記に挙げられた置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ;又はプニコゲン原子及び存在する場合には基Y2及びY3と一緒になって、5〜8員の複素環を表し、この複素環は縮合されていないか又は1、2、3若しくは4つのシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールで付加的に縮合されていてもよく、その際、この複素環及び、存在する場合に、この縮合された基は、相互に無関係に、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択されるそれぞれ1、2、3、4又は5つの置換基を有し、
a、b及びcは、相互に無関係に、0又は1を表し、及び
Y1、Y2及びY3は、相互に無関係に、O、S、NRa又はSiRbRcを表し、その際、Ra、Rb及びRcは、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル及びアルキルについて上記に挙げられた置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができる。
本発明による方法は、特に、製造されたアルデヒドの炭素原子の数が、使用されたα,β−不飽和カルボン酸の炭素原子の数と一致することを特徴とする。
本発明の場合には、α,β−不飽和カルボン酸のカルボン酸基と分子間の非共有結合を形成することができる官能基R1を有する式(I)の配位子が使用される。有利に、この結合は、水素結合又はイオン結合、特に水素結合である。この分子間の非共有結合を形成できる官能基は、配位子をα,β−不飽和カルボン酸と会合させることができ、つまりヘテロダイマーの形の凝集体を形成することができる。
分子間の非共有結合を形成することができる、配位子とα,β−不飽和カルボン酸との官能基のペアは、本発明の範囲内で「相補的」と表す。「相補的化合物」は、互いに相補的な官能基を有する配位子/カルボン酸のペアである。このようなペアは、会合、つまり凝集体の形成をすることができる。
本発明の範囲内で、「ハロゲン」は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、有利にフッ素、塩素及び臭素を表す。
本発明の範囲内で、「プニコゲン」は、リン、ヒ素、アンチモン及びビスマス、特にリンを表す。
本発明の範囲内で、「アルキル」は、直鎖及び分枝鎖のアルキル基を表す。有利に、これは、直鎖の又は分枝鎖のC1〜C20−アルキル基、有利にC1〜C12−アルキル基、特に有利にC1〜C8−アルキル基、さらに特に有利にC1〜C4−アルキル基である。アルキル基の例は、特にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、2−ブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、n−ペンチル、2−ペンチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1,2−ジメチルプロピル、1,1−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、1−エチルプロピル、n−ヘキシル、2−ヘキシル、2−メチルペンチル、3−メチルペンチル、4−メチルペンチル、1,2−ジメチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,3−ジメチルブチル、1,1−ジメチルブチル、2,2−ジメチルブチル、3,3−ジメチルブチル、1,1,2−トリメチルプロピル、1,2,2−トリメチルプロピル、1−エチルブチル、2−エチルブチル、1−エチル−2−メチルプロピル、n−ヘプチル、2−ヘプチル、3−ヘプチル、2−エチルペンチル、1−プロピルブチル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、2−プロピルヘプチル、ノニル、デシルである。
この「アルキル」の表現は、置換されたアルキル基、一般的に1、2、3、4又は5つ、有利に1、2又は3つ、特に有利に1つの置換基を有する置換されたアルキル基も含む。これは、有利にハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される。
この「アルキル」の表現は、1つ又は複数の、特に1〜5つの隣接されていないCH2基が、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4b)(R4c)−により置き換えられ、その際、R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、かつR4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すアルキル基も含む。この置き換えられたCH2基は、アルキル基の内部メチレン基でも、末端メチル基のメチレン部分であることもできる。このようなアルキル基の例は、したがって、それぞれ非置換又は置換されたヒドロキシアルキル、アルコキシアルキル、ヒドロキシカルボニルアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、トリアルキルシリルオキシアルキル、ヒドロキシカルボニルオキシアルキル、アルコキシカルボニルオキシアルキル、N−(ヒドロキシカルボニル)アミノアルキル、N−(ヒドロキシカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、N−(アルコキシカルボニル)アミノアルキル、N−(アルコキシカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、ヒドロキシカルボニルスルファニルアルキル、アルコキシカルボニルスルファニルアルキル、アミノアルキル、N−アルキルアミノアルキル、N,N−ジアルキルアミノアルキル、アミノカルボニルアルキル、N−アルキルアミノカルボニルアルキル、N、N−ジアルキルアミノカルボニルアルキル、アミノカルボニルオキシアルキル、N−アルキルアミノカルボニルオキシアルキル、N,N−ジアルキルアミノカルボニルオキシアルキル、N−(アミノカルボニル)アミノアルキル、N−(N′−アルキルアミノカルボニル)アミノアルキル、N−(N′,N′−ジアルキルアミノカルボニル)アミノアルキル、N−(アミノカルボニル)−、N−アルキルアミノアルキル、N−(N′−アルキルアミノカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、N−(N′,N′−ジアルキルアミノカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、アミノカルボニルスルファニルアルキル、N−アルキルアミノカルボニルスルファニルアルキル、N,N−ジアルキルアミノカルボニルスルファニルアルキル、チオアルキル、アルキルスルファニルアルキル、アルキルスルファニルカルボニルアルキル、アルキルスルファニルカルボニルオキシアルキル、N−(アルキルスルファニルカルボニル)アミノアルキル、N−(アルキルスルファニルカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、アルキルスルファニルカルボニルスルファニルアルキル、ホルミルアルキル、アルキルカルボニルアルキル、アルキルカルボニルオキシアルキル、N−(アルキルカルボニル)アミノアルキル、N−(アルキルカルボニル)−N−アルキルアミノアルキル、アルキルカルボニルスルファニルアルキル又はトリアルキルシリルアルキルである。同様に、複数のCH2基、例えば2〜5つのCH2基が置き換えられているアルキル基、つまりアルキル基は上記に例示的に挙げられた複数の官能基が組み合わされているアルキル基が適している。この上記された基は、それぞれ有利にC1〜C20−アルキル、特に有利にC1〜C12−アルキル、さらに特に有利にC1〜C8−アルキルから誘導される。
「アルキル」が、1つ又は複数の隣接していないCH2基が置き換えられているアルキル基である場合、この置換基は、存在する場合には、有利にハロゲン、シアノ、ニトロ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールのなかから選択される。
本発明の範囲内で、「アルケニル」は、非置換であるか又は置換された直鎖及び分枝鎖の、1つ又は複数のエチレン性不飽和のアルケニル基を表す。有利に、これは、直鎖の又は分枝鎖のC2〜C20−アルケニル基、有利にC2〜C12−アルケニル基、特に有利にC2〜C4−アルケニル基、とりわけ有利にはC2〜C4−アルケニル基である。適当でかつ有利な置換基に関して、アルキルでなされた説明が合理的に該当する。
この「アルケニル」の表現は、1つ又は複数の、特に1〜5つの隣接されていないCH2基が、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4b)(R4c)−により置き換えられ、その際、R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、かつR4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すアルケニル基も含む。これについて適当でかつ有利な例に関して、アルキルでなされた説明が合理的に該当する。
本発明の範囲内で、「アルキニル」は、非置換であるか又は置換された直鎖及び分枝鎖の、1つ又は複数の不飽和のアルキニル基を表す。有利に、これは、直鎖の又は分枝鎖のC2〜C20−アルキニル基、有利にC2〜C12−アルキニル基、特に有利にC2〜C4−アルキニル基である。適当でかつ有利な置換基に関して、アルキルでなされた説明が合理的に該当する。
この「アルキニル」の表現は、1つ又は複数の、特に1〜5つの隣接されていないCH2基が、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4b)(R4c)−により置き換えられ、その際、R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、かつR4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すアルキニル基も含む。これについて適当でかつ有利な例に関して、アルキルでなされた説明が合理的に該当する。
本発明の範囲内で、「シクロアルキル」は、非置換のシクロアルキル基又は置換されたシクロアルキル基、有利にC3〜C7−シクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はシクロヘプチルを表す。これらは、置換の場合には、一般的に1、2、3、4又は5つの、有利には1、2又は3つの、特に有利に1つの置換基を有することができる。有利に、この置換基は、アルキル、アルコキシ及びハロゲンのなかから選択される。
本発明の範囲内で、「ヘテロシクロアルキル」は、一般に4〜7つの、有利に5又は6つの環原子を有し、その環炭素原子の中で1又は2つの環原子が、元素O、N、S及びPから選択されるヘテロ原子により置き換えられていて、かつ非置換であるか又は置換されていてもよい飽和環式脂肪族基を表し、置換の場合には、この複素環式脂肪族基は1、2又は3つの、有利に1又は2つの、特に1つの置換基を有することができる。この置換基は、有利に、アルキル、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択され、特に有利にアルキル基である。このような複素環式脂肪族基の例は、ピロリジニル、ピペリジニル、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリジニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソオキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、ジオキサニルが挙げられる。
本発明の範囲内で、「アリール」は、非置換のアリール基又は置換されたアリール基、有利にフェニル、トリル、キシリル、メシチル、ナフチル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル又はナフタセニル及び特に有利にフェニル又はナフチルを表し、その際、このアリール基は置換の場合に一般に、アルキル、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの、有利に1、2又は3つの、特に有利に1つの置換基を有することができる。
本発明の範囲内で、「ヘタリール」は、非置換の又は置換された複素環式芳香族基、有利にピリジル、キノリニル、アクリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、インダゾリル、ベンゾトリアゾリル、1,2,3−トリアゾリル、1,3,4−トリアゾリル及びカルバゾリルのなかから選択される基を表す。この複素環式芳香族基は、置換の場合に、一般に、アルキル、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2又は3つの置換基を有することができる。
本発明の範囲内で、「C1〜C4−アルキレン」は、非置換又は置換されたメチレン、1,2−エチレン、1,3−プロピレン、1,4−ブチレンを表し、その際、この基は置換の場合に、アルキル、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3又は4つの置換基を有することができる。
この「アルキル」、「シクロアルキル」、「ヘテロシクロアルキル」、「アリール」及び「ヘタリール」の表現に対する上述の説明は、相応して、「アルコキシ」、「シクロアルコキシ」、「ヘテロシクロアルコキシ」、「アリールオキシ」及び「ヘタリールオキシ」の表現にも当てはまる。
本発明の範囲内で、「α,β−不飽和カルボン酸の塩」は、有利にα,β−不飽和カルボン酸のアルカリ金属塩、特にNa+塩、K+塩、Li+塩、アルカリ土類金属イオン、特に、Ca2+塩又はMg2+塩、又はオニウム塩、例えばアンモニウム塩、モノ−、ジ−、トリ−、テトラ−アルキルアンモニウム塩、ホスホニウム塩、テトラアルキルホスホニウム塩又はテトラアリールホスホニウム塩、特に式M+-O−C(=O)−CH=CH−R4の化合物を表し、その際、M+はカチオン等価物、例えば一価のカチオン又は多価のカチオンの1つの正の電荷に対応する部分を表す。このカチオンM+は、単に-O−C(=O)基の対イオンとして利用され、原則として任意に選択することができる。
本発明の範囲内で、機構的な確定と解釈せずに、「脱カルボキシルヒドロホルミル化」の表現は、ヒドロホルミル化条件下で、つまり一酸化炭素と水素とヒドロホルミル化触媒の存在でα,β−不飽和カルボン酸の共役C−C二重結合をC−C単結合に変換し、かつそのα,β−不飽和カルボン酸自体のカルボン酸基をアルデヒド基に変換する反応について使用される。この脱カルボキシルヒドロホルミル化の反応生成物は、したがって、反応されたα,β−不飽和カルボン酸と同じ数のC原子を有するα,β−飽和アルデヒドである。
この場合に理論と関連させることなく、元素周期表の第VIII副族の金属と式(I)の化合物とを有する触媒が、分子間の非共有結合を形成することができる基R1により、α,β−不飽和カルボン酸の化合物と凝集体を形成し、その際、このα,β−不飽和カルボン酸のC−C二重結合が第VIII副族の錯生成する金属と相互作用することができることから出発する。この場合、したがって、超分子の環状の遷移状態が進行することができる。
本発明による方法にとって、特に、Pn、R1、R2、R3、W、a、b、c、Y1、Y2、Y3は相互に無関係に又は有利に次に記載された意味の組合せで有する式(I)の化合物が適している。
Pnは、式(I)の化合物中で、有利にリンを表す。式(I)の化合物の適当な例は、ホスフィン化合物、ホスフィナイト化合物、ホスホナイト化合物、ホスホラミダイト化合物又はホスファイト化合物である。
R1は、式(I)の化合物中で、少なくとも1つのNH基を有する官能基を表す。適当な基R1は、例えば−NHRw、=NH、−C(=O)NHRw、−C(=S)NHRw、−C(=NRy)NHRw、−O−C(=O)NHRw、−O−C(=S)NHRw、−O−C(=NRy)NHRw、−N(Rz)−C(=O)NHRw、−N(Rz)−C(=S)NHRw又は−N(Rz)−C(=NRy)NHRwであり、その際、Rw、Ry及びRzは、それぞれ相互に無関係に、H、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すか、又はそれぞれ式(I)の化合物の他の置換基と一緒になって4員〜8員の環系の一部である。
特に有利に、式(II)の化合物中のR1は、−NH−C(=NH)NHRwを表し、その際、Rwは、H、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す。さらに特に有利には、R1は−NH−C(=NH)NH2を表す。
R2及びR3は、式(I)の化合物において、有利にそれぞれ非置換の又は置換されたフェニル、ピリジル又はシクロヘキシルを表す。特に有利に、R2及びR3は、非置換の又は置換されたフェニルを表す。
添え字a、b及びcは、式(I)の化合物において、有利に0である。
その際、
a、b、c、Pn、R1、R2、R3、Y1、Y2及びY3は、上記の意味の一つを有し、
W′は、両側の結合の間で1〜5つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
Zは、O、S、S(=O)、S(=O)2、N(RIX)又はC(RIX)(RX)を表し、かつ
RI、RII、RIII、RIV、RV、RVI、RVII、RVIII、RIX及び存在する場合にRXは、相互に無関係に、H、ハロゲン、ニトロ、シアノ、アミノ、アルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであるか、
又は、それぞれ2つの隣接した環原子と結合する基RI、RII、RIV、RVI、RVIII及びRIXは、一緒になって、この隣接した環原子の間の二重結合の結合部分を表し、その際、この六員環は3つまでの積み重ならない二重結合を有することができる。
a、b、c、Pn、R1、R2、R3、Y1、Y2及びY3は、上記の意味の一つを有し、
W′は、両側の結合の間で1〜5つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
Zは、O、S、S(=O)、S(=O)2、N(RIX)又はC(RIX)(RX)を表し、かつ
RI、RII、RIII、RIV、RV、RVI、RVII、RVIII、RIX及び存在する場合にRXは、相互に無関係に、H、ハロゲン、ニトロ、シアノ、アミノ、アルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールであるか、
又は、それぞれ2つの隣接した環原子と結合する基RI、RII、RIV、RVI、RVIII及びRIXは、一緒になって、この隣接した環原子の間の二重結合の結合部分を表し、その際、この六員環は3つまでの積み重ならない二重結合を有することができる。
a、b、c、Pn、R1、R2、R3、Y1、Y2及びY3の有利な意味に関して、一般式(I)の化合物でなされた上記の説明が参照される。
本発明による方法にとって、特に、a、b、c、Pn、R1、R2、R3、RI、RII、RIII、RIV、RV、RVI、RVII、RVIII、RIX、RX、W′、Y1、Y2、Y3及びZは、それぞれ無関係に又は有利に組み合わせて、上記に有利なものとして記載された意味又は次に記載する意味を有する式(I.a)の化合物が適している。
W′は、式(I.a)の化合物において、有利にC1〜C5−アルキレン、(C1〜C4−アルキレン)カルボニル又はC(=O)を表す。特に有利に、W′は、式(I.a)の化合物において、C(=O)を表す。
Zは、式(I.a)の化合物において、有利にN(RIX)又はC(RIX)(RX)を表す。特に有利に、ZはN(RIX)を表す。
この基RIとRII、RIVとRVI及びRVIIIとRIXは、式(I.a)の化合物中において、有利にそれぞれ一緒になって、隣接する環原子の間の二重結合の結合部分を表し、つまり式(I.a)の化合物において、この6員環は置換されたベンゼン又はピリジンを表す。
この基RIII、RV、RVII及び存在する場合にRXは、式(I.a)の化合物において、相互に無関係に、有利にH、ハロゲン、ニトロ、シアノ、アミノ、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルキルアミノ又はジ(C1〜C4−アルキル)アミノを表す。特に有利に、RIII、RV、RVII及び存在する場合にRXは、Hを表す。
さらに特に有利に、本発明によるヒドロホルミル化のための方法において、式(I.1)の化合物が使用される。
この本発明により使用された触媒は、上記のような式(I)又は(I.a)の少なくとも1つの化合物を配位子として有する。上記の配位子の他に、この触媒は、更に少なくとも1つの他の配位子を有することができ、有利にはハロゲニド、アミン、カルボキシラート、アセチルアセトナート、アリールスルホナート、アルキルスルホナート、ヒドリド、CO、オレフィン、ジエン、シクロオレフィン、ニトリル、N含有ヘテロサイクレン、芳香族化合物、ヘテロ芳香族化合物、エーテル、PF3、ホスホール、ホスファベンゼン及び一座、二座及び多座のホスフィン配位子、ホスフィナイト配位子、ホスホナイト配位子、ホスホラミダイト配位子及びホスファイト配位子のなかから選択される配位子を有してよい。
この本発明により使用された触媒は、元素周期表の第VIII副族の少なくとも1つの金属を有する。有利にこの第VIII副族の金属は、Co、Ru、Rh、Ir、Pd又はPt、特に有利にCo、Ru、Rh又はIr、さらに特に有利にRhである。
一般に、ヒドロホルミル化条件下で、それぞれ使用された触媒又は触媒前駆体から、一般式HxMy(CO)zLqで示される触媒活性種が形成され、前記式中、Mは、第VIII副族の金属を表し、Lは式(I)のプニコゲン含有化合物を表し、かつq、x、y、zは、金属の原子価及び種類並びに配位子Lの価数に応じた整数を表す。有利にz及びqは、相互に無関係に少なくとも、1の値、例えば1、2又は3を表す。zとqの合計は、有利に1〜5の値を表す。この場合、この錯体はさらになお、上記の他の配位子の1つ以上を有することができる。
有利な実施態様によると、このヒドロホルミル化触媒はヒドロホルミル化反応のために使用された反応器中でin situで製造される。しかしながら、所望の場合には、本発明による触媒を別個に製造し、通常の方法ににより単離することもできる。本発明による触媒のin situ製造のために、例えば少なくとも1つの本発明により使用される式(I)の配位子、第VIII副族の金属の化合物又は錯体、場合により少なくとも1つの他の付加的配位子及び場合により活性剤を不活性有機溶剤中でヒドロホルミル化条件下で反応させる。
適当なロジウム化合物又はロジウム錯体は、例えばロジウム(II)塩及びロジウム(III)塩、例えば塩化ロジウム(III)、硝酸ロジウム(III)、硫酸ロジウム(III)、硫酸カリウムロジウム、カルボン酸ロジウム(II)もしくはカルボン酸ロジウム(III)、酢酸ロジウム(II)及び酢酸ロジウム(III)、酸化ロジウム(III)、ロジウム(III)酸の塩、ヘキサクロロロジウム酸(III)トリスアンモニウムなどである。さらに、ロジウム錯体、ロジウムビスカルボニルアセチルアセトナート、アセチルアセトナトビスエチレンロジウム(I)などが適している有利に、ロジウムビスカルボニルアセチルアセトナート又は酢酸ロジウムが使用される。
同様に、ルテニウム塩又はルテニウム化合物が適している。適当なルテニウム塩は、例えば塩化ルテニウム(III)、酸化ルテニウム(IV)、酸化ルテニウム(VI)又は酸化ルテニウム(VIII)、ルテニウム酸素酸のアルカリ金属塩、例えばK2RuO4又はKRuO4又は錯化合物、例えばRuHCl(CO)(PPh3)3である。また、ルテニウムの金属カルボニル、例えばトリスルテニウムドデカカルボニル又はヘキサルテニウムオクタデカカルボニル又は、COが部分的に式PR3の配位子によって置き換えられている混合形、例えばRu(CO)3(PPh3)2が本発明による方法で使用することができる。
適当なコバルト化合物は、例えば塩化コバルト(II)、硫酸コバルト(II)、炭酸コバルト(II)、硝酸コバルト(II)、これらのアミン錯体又はヒドラート錯体、コバルトカルボニラート、例えば酢酸コバルト、コバルトエチルヘキサノアート、コバルトナフタノアート、並びにコバルト−カプロアート錯体である。この場合でも、コバルトのカルボニル錯体、例えばオクタカルボニル二コバルト、ドデカカルボニル四コバルト及びヘキサデカカルボニル六コバルトを使用することができる。
上記の及び他の適当な、コバルト、ロジウム、ルテニウム及びイリジウムの化合物は、原則として公知であり、文献中に十分に記載されているか又はそれらは当業者によって既に公知の化合物と同様にして製造することができる。
適当な活性剤は、例えばブレンステッド酸、ルイス酸、例えばBF3、AlCl3、ZnCl2及びルイス塩基である。
適当な溶剤は、ハロゲン化された炭化水素、例えばジクロロメタン又はクロロホルムである。他の適当な溶剤は、エーテル、例えばtert−ブチルメチルエーテル、ジフェニルエーテル及びテトラヒドロフラン、脂肪族カルボン酸とアルコールとのエステル、例えば酢酸エステル又はオキソオイル、例えばPalatinol TM又はTexanol TM、芳香族化合物、例えばトルエン及びキシレン、炭化水素又は炭化水素の混合物である。
モノプニコゲン配位子(I)対第VIII副族の金属のモル比は、一般に約1:1〜1000:1、有利に2:1〜500:1、特に有利に5:1〜100:1の範囲内にある。
この触媒をin situで製造し、本発明により使用される少なくとも1つの配位子、第VIII副族の金属の化合物又は錯体及び場合により活性剤を不活性溶剤中でヒドロホルミル化条件下で反応させることを特徴とする方法が有利である。
この脱カルボキシルヒドロホルミル化反応は、連続的、半連続的又は不連続的に行うことができる。
連続的な反応のために適した反応器は、当業者に公知であり、例えばUllmanns Enzyklopaedie der technischen Chemie,第1巻、第3版、1951、第743頁以降に記載されている。
適した耐圧反応器は同様に当業者に公知であり、例えばUllmanns Enzyklopaedie der technischen Chemie、第1巻、第3版、1951、第769頁以降に記載されている。一般的に、本発明による方法のためにオートクレーブが使用され、このオートクレーブは所望の場合に撹拌装置及び/又は内側ライナーを備えていてよい。
本発明による方法で使用される一酸化炭素と水素とからなる合成ガスの組成は、広範囲で変化させることができる。一酸化炭素と水素とのモル比は、一般に約5:95〜70:30、有利には約40:60〜60:40である。特に有利に、一酸化炭素と水素とのモル比は約50:50の範囲内で使用される。
ヒドロホルミル化反応の場合のこの温度は、一般に約10〜180℃、有利に約20〜120℃の範囲内にある。一般に、この圧力は約1〜700bar、有利に1〜400bar、特に1〜200barの範囲内にある。この反応圧力は、使用した触媒の活性度に依存して変化させることができる。一般に、式(I)のプニコゲン含有化合物をベースとする本発明により使用される触媒は、低圧の範囲内で、例えば約5〜50バールの範囲内での反応を可能にする。
この本発明により使用される触媒は、通常の当業者に公知の方法により反応搬出物から分離され、一般に脱カルボキシルヒドロホルミル化のための触媒として新たに使用することができる。
この上記の触媒は、適当な方法で、例えばアンカー基として適した官能基を介した結合、吸着、グラフトなどによって、適当な担体、例えばガラス、シリカゲル、プラスチック、ポリマーなどに固定化することもできる。この触媒は、次いで固定床触媒として使用するためにも適している。
有利に、この本発明により使用される触媒は、反応させるべき基質又は官能基に関して、分子間の非共有結合を形成することができるα,β−不飽和カルボン酸基に関して高い選択性を有する。有利に、この本発明により使用される触媒はさらに高い活性度を有するので、一般に相応するアルデヒドは良好な収率で得られる。さらに、上記の触媒の使用の際に、場合により存在する他の二重結合の異性化は生じないか又はわずかな程度でだけ生じる。
α,β−不飽和カルボン酸基に関する本発明により使用される触媒の高い選択性に基づき、本発明による方法により、反応させるべきα,β−不飽和カルボン酸の構造とは無関係に、相応するα,β−飽和アルデヒドの高い収率が得られる。
本発明による方法により反応させるべきα,β−不飽和カルボン酸は、多数の官能基、例えば、他の非共役C−C二重結合若しくはC−C三重結合又はヒドロキシ基、エーテル基、アセタノール基、アミノ基、チオエーテル基、カルボニル基、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、アミド基、カルバマート基、ウレタン基、尿素基又はシリルエーテル基、及び/又は置換基、例えばハロゲン、シアノ又はニトロを有することができる。これらの官能基及び置換基は、本発明による反応条件下で反応しない。
本発明による方法の特別な実施態様の場合には、例えば天然又は合成の脂肪酸として、並びに大工業的方法、例えばオキソ合成、SHOP胞(Shell higher olefin process)又はチーグラーナッタ法、又はメタセシスにより得られるα,β−不飽和カルボン酸又はその塩が反応される。特に、この実施態様の場合に、ほぼ線状のアルキル基又はアルケニル基を有するα,β−不飽和カルボン酸が挙げられる。これには、例えば直鎖及び分枝鎖のC8〜C32−アルキル、特にC8〜C22−アルキル、例えばn−オクチル、N−ノニル、N−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、ミリスチル、ペンタデシル、パルミチル(=セチル)、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、アラキニル(アラキジル)、ベヘニルなど、並びに直鎖及び分枝鎖のC8〜C32−アルケニル、特にC8〜C22−アルケニル(これは1箇所又は数箇所不飽和である)、例えばオクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、リノリル、リノレニル、エレオステアリルなどが挙げられる。
式中、
R4は、H、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、
その際、アルキル、アルケニル又はアルキニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基は、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4a)(R4b)−により置き換えられていてもよく、その際、
R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、
R4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、かつ
その際、アルキル、アルケニル及びアルキニルは、非置換であるか又はハロゲン、シアノ、ニトロ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールのなかから選択される1つまたは複数の置換を有することができ、
その際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル並びにアルキル、アルケニル及びアルキニルについて上記された置換基のなかから選択される1〜5つの置換基を有することができる。
R4は、H、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、
その際、アルキル、アルケニル又はアルキニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基は、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4a)(R4b)−により置き換えられていてもよく、その際、
R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、
R4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、かつ
その際、アルキル、アルケニル及びアルキニルは、非置換であるか又はハロゲン、シアノ、ニトロ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールのなかから選択される1つまたは複数の置換を有することができ、
その際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル並びにアルキル、アルケニル及びアルキニルについて上記された置換基のなかから選択される1〜5つの置換基を有することができる。
式中、R4は、式(II)の化合物について記載された意味を有する。
式(II)及び(III)の化合物において、R4は、特にH、アルキル、アルケニル、シクロアルキル又はアリール、特にアルキル又はアルケニル、特にC1〜C20−アルキル又はC3〜C20−アルケニルを表し、その際、アルキル又はアルケニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基は、相互に無関係に、上記に定義されたように置き換えられていてもよく、かつその際、アルキル、アルケニル、シクロアルキル及びアリールは非置換であるか又は1つ又は複数の置換基を有していてもよい。
アルキル、アルケニル又はアルキニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基が置き換えられている場合に、このCH2を置き換える基は、有利に−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−S−、−S−C(=O)−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(RC)−及び−C(=O)−S−のなかから選択される。特に有利に、このCH2を置き換える基は、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−S−、−C(=O)−及び−C(=O)−O−のなかから選択される。特に、アルキル、アルケニル又はアルキニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基が置き換えられている場合、1〜5つ、特に1つ又は2つのCH2基は、上記基により置き換えられている。
上記のCH2を置き換える基において、基R4a及びR4bは、相互に無関係に、有利にC1〜C20−アルキル、特に有利にC1〜C4−アルキルのなかから選択される。
上記のCH2を置き換える基において、基R4cは、相互に無関係に、有利にH、アルキル、シクロアルキル及びアリールから、特に有利にH、C1〜C20−アルキル、C5〜C8−シクロアルキル又はフェニルのなかから選択され、その際、アルキル、シクロアルキル及びアリールは非置換であるか又は1〜5つの置換基を有していてもよい。
式(II)及び(III)の化合物中のR4は、アルキル、アルケニル又はアルキニルを表す場合、場合により存在する置換基は、相互に無関係に、有利にシクロアルキル及びアリールのなかから選択される。特に有利に、このような置換基は、相互に無関係に、C3〜C7−シクロアルキル又はフェニルのなかから選択される。特に、場合により置換されたアルキル、アルケニル又はアルキニルは、1〜5つの置換基を有する。
式(II)及び(III)の化合物中のR4は、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す場合、場合により存在する置換基は、相互に無関係に、有利にアルキル、シクロアルキル及びアリールのなかから選択される。特に有利に、このような置換基は相互に無関係に、C1〜C20−アルキル、特にC1〜C12−アルキル、C3〜C7−シクロアルキル及びフェニルのなかから選択される。特に、場合により置換されたシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールは、1〜5つの置換基を有する。
本発明の他の主題は、α,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化のための、上記のような第VIII副族の金属と、式(I)の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を有する触媒の使用に関する。有利な実施態様に関して、本発明による触媒について上記した説明を参照する。
次に、本発明を、制限のない実施例により詳細に説明する。
実施例
I. 一般的条件
この使用された薬品は、他に記載がない限り市場で入手した。全ての反応は、保護ガス雰囲気(Argon 5.0, Suedwest-Gas)下で、乾燥したガラス装置中で実施した。空気及び湿分に敏感な液体及び溶液はシリンジを用いて移した。全ての溶剤は、標準的手法により乾燥及び蒸留した。溶液は回転蒸発器で減圧下で濃縮した。クロマトグラフィーによる精製のために、Merck社のシリカゲル(Si 60(登録商標), 200-400 mesh)を使用した。NMRスペクトルは、Varian Mercury Spektrometer(1H−NMRについて300MHz;13C−NMRについて75MHz)又はBruker AMX 400(1H−NMRについて400MHz;13C−NMRについて101MHz)で記録し、TMS内部標準を用いて参照した。1H−NMRデータは次のように記載されている:化学シフト(δ ppm)、多重度(s=シングレット;bs=ブロードのシングレット;d=ダブレット;t=トリプレット;q=カルテット;m=マルチプレット)、カップリング定数(Hz)、積分。13C−NMRデータは、化学シフト(δ ppm)として記載される。GC分析について6890N AGILENT TECHNOLOGIES(カラム:24079 SUPELCO, Supelcowax 10、30.0m×0.25mm×0.25μm;温度:175℃等温;流量:He1ml/min;保持時間:オクタナール(2.2min)、テトラデカン(2.3min、オクタノール(2.85min))を使用した元素分析は、Elementar vario(Elementar Analysensysteme GmbH社)を用いて行った。
I. 一般的条件
この使用された薬品は、他に記載がない限り市場で入手した。全ての反応は、保護ガス雰囲気(Argon 5.0, Suedwest-Gas)下で、乾燥したガラス装置中で実施した。空気及び湿分に敏感な液体及び溶液はシリンジを用いて移した。全ての溶剤は、標準的手法により乾燥及び蒸留した。溶液は回転蒸発器で減圧下で濃縮した。クロマトグラフィーによる精製のために、Merck社のシリカゲル(Si 60(登録商標), 200-400 mesh)を使用した。NMRスペクトルは、Varian Mercury Spektrometer(1H−NMRについて300MHz;13C−NMRについて75MHz)又はBruker AMX 400(1H−NMRについて400MHz;13C−NMRについて101MHz)で記録し、TMS内部標準を用いて参照した。1H−NMRデータは次のように記載されている:化学シフト(δ ppm)、多重度(s=シングレット;bs=ブロードのシングレット;d=ダブレット;t=トリプレット;q=カルテット;m=マルチプレット)、カップリング定数(Hz)、積分。13C−NMRデータは、化学シフト(δ ppm)として記載される。GC分析について6890N AGILENT TECHNOLOGIES(カラム:24079 SUPELCO, Supelcowax 10、30.0m×0.25mm×0.25μm;温度:175℃等温;流量:He1ml/min;保持時間:オクタナール(2.2min)、テトラデカン(2.3min、オクタノール(2.85min))を使用した元素分析は、Elementar vario(Elementar Analysensysteme GmbH社)を用いて行った。
II. 一般的製造手法
手法A:α,β−不飽和カルボン酸の一般的製造手順(クネーフェナーゲル−ドブナー反応による)
マロン酸(5.2g、50mmol、1当量)の、乾燥したピリジン(8.09ml、100.0mmol、2当量)とピロリジン(41.4μl、0.5mmol、1mol%;又は分枝アルデヒドが反応される場合に124μl、1.5mmol、3mol%)からなる混合物中の溶液に、アルデヒド(50.0mmol、1当量)を0℃の温度でアルゴン雰囲気下で添加した。この反応混合物を室温で24時間(又は、分枝アルデヒドが反応される場合に、室温で20時間及び60℃で4時間)撹拌した。得られた反応混合物に0℃でリン酸(20%、60ml)を添加した。引き続き、この混合物を酢酸エチルで(3回)抽出し、Na2SO4で乾燥し、減圧下で溶剤を除去した。
手法A:α,β−不飽和カルボン酸の一般的製造手順(クネーフェナーゲル−ドブナー反応による)
マロン酸(5.2g、50mmol、1当量)の、乾燥したピリジン(8.09ml、100.0mmol、2当量)とピロリジン(41.4μl、0.5mmol、1mol%;又は分枝アルデヒドが反応される場合に124μl、1.5mmol、3mol%)からなる混合物中の溶液に、アルデヒド(50.0mmol、1当量)を0℃の温度でアルゴン雰囲気下で添加した。この反応混合物を室温で24時間(又は、分枝アルデヒドが反応される場合に、室温で20時間及び60℃で4時間)撹拌した。得られた反応混合物に0℃でリン酸(20%、60ml)を添加した。引き続き、この混合物を酢酸エチルで(3回)抽出し、Na2SO4で乾燥し、減圧下で溶剤を除去した。
手法B:α,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化法のための一般的手順
このヒドロホルミル化反応は、ガラスインサート、磁気撹拌機(1000rpm)及びサンプル出口を備えた特殊鋼オートクレーブ(Premex stainless steel autoclave Medintex、100ml)中で実施した。このヒドロホルミル化溶液を、シュレンクフラスコ中で、[Rh(CO)2acac]、式Iの化合物及び場合により内部標準(NMR分析のために1,3,5−トリメトキシベンゼン;GC分析のためにテトラデカン)及び溶剤を装入して準備した。引き続き、このα,β−不飽和カルボン酸をこの混合物に添加し、5分間アルゴン雰囲気下で撹拌した。この得られた反応溶液をアルゴン雰囲気下でシリンジを用いてオートクレーブ中に移した。引き続き、このオートクレーブを合成ガス(CO/H2)で3回洗浄した。この反応を次に記載の条件下で実施した。
このヒドロホルミル化反応は、ガラスインサート、磁気撹拌機(1000rpm)及びサンプル出口を備えた特殊鋼オートクレーブ(Premex stainless steel autoclave Medintex、100ml)中で実施した。このヒドロホルミル化溶液を、シュレンクフラスコ中で、[Rh(CO)2acac]、式Iの化合物及び場合により内部標準(NMR分析のために1,3,5−トリメトキシベンゼン;GC分析のためにテトラデカン)及び溶剤を装入して準備した。引き続き、このα,β−不飽和カルボン酸をこの混合物に添加し、5分間アルゴン雰囲気下で撹拌した。この得られた反応溶液をアルゴン雰囲気下でシリンジを用いてオートクレーブ中に移した。引き続き、このオートクレーブを合成ガス(CO/H2)で3回洗浄した。この反応を次に記載の条件下で実施した。
N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1)を、Angew. Chem. 2008, 120, 2, 317 - 321の製造方法にしたがって製造した。
IV. オクテ−2−エン酸の還元のための動的調査
この動的試験のために、この反応から表1及び2に記載された時間でサンプルを採取し、NMR分析(CDCl3を用いた希釈の後に)又はGC分析(短いシリカカラムを用いて濾過した後に)を用いて調査した。
この動的試験のために、この反応から表1及び2に記載された時間でサンプルを採取し、NMR分析(CDCl3を用いた希釈の後に)又はGC分析(短いシリカカラムを用いて濾過した後に)を用いて調査した。
a) オクテ−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化(10bar;CO/H2、1:1)
オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって相応するアルデヒドに反応させた。α,β−不飽和カルボン酸の使用した物質量に対する得られた反応生成物の時間に依存する収率を表1にまとめた。
オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって相応するアルデヒドに反応させた。α,β−不飽和カルボン酸の使用した物質量に対する得られた反応生成物の時間に依存する収率を表1にまとめた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;オクテ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:10bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃。
b) オクテ−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化(40bar;CO/H2、1:1)
オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって相応するアルデヒドに反応させた。α,β−不飽和カルボン酸の使用した物質量に対する得られた反応生成物の時間に依存する収率を表2にまとめた。
オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって相応するアルデヒドに反応させた。α,β−不飽和カルボン酸の使用した物質量に対する得られた反応生成物の時間に依存する収率を表2にまとめた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;オクテ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:40bar;合成ガス:CO/H2、1:7:反応温度:25℃。
VI. 製造例
実施例1:オクタナールの製造
a) (E)−オクテ−2−エン酸の準備
ヘキサナールを手法Aによって(E)−オクテ−2−エン酸に反応させた。(E)−オクテ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(6.3g、収率89%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体2%を含有していた。この得られたNMRデータは、市場で得られる生成物のデータと一致していた。
実施例1:オクタナールの製造
a) (E)−オクテ−2−エン酸の準備
ヘキサナールを手法Aによって(E)−オクテ−2−エン酸に反応させた。(E)−オクテ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(6.3g、収率89%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体2%を含有していた。この得られたNMRデータは、市場で得られる生成物のデータと一致していた。
b) (E)−オクテ−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってオクタナールに反応させた。
(E)−オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってオクタナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;オクテ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
異性化前のオクタナールの収率は、GC分析によると94%であった。オクタナールを、球管蒸留により粗製生成物から収率75%(154mg)で単離した。この得られたNMRスペクトルは、文献のものと一致していた。
例2:ウンデカナールの製造
(E)−ウンデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってウンデカナールに反応させた。
(E)−ウンデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってウンデカナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;ウンデセ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
ウンデカナールを粗製生成物からフラッシュクロマトグラフィー(石油エーテル/酢酸エチル、10:1)により収率91%(248mg)で単離した。この得られたNMRスペクトルは、文献のものと一致していた。
実施例3:3−シクロヘキシルプロパナールの製造
a) (E)−3−シクロヘキシルアクリル酸の準備
シクロヘキシルカルボキシアルデヒド(30mmol)を、手法Aによって(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸に反応させた。(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸を粗製生成物からn−ヘキサン(3ml)中で再結晶させることにより無色の結晶の固体として単離した(4.99g、収率78%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体1%を含有していた。この得られた分析データは文献の値と一致していた。
a) (E)−3−シクロヘキシルアクリル酸の準備
シクロヘキシルカルボキシアルデヒド(30mmol)を、手法Aによって(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸に反応させた。(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸を粗製生成物からn−ヘキサン(3ml)中で再結晶させることにより無色の結晶の固体として単離した(4.99g、収率78%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体1%を含有していた。この得られた分析データは文献の値と一致していた。
b) (E)−3−シクロヘキシルアクリル酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって3−シクロヘキシルプロパナールに反応させた。
(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって3−シクロヘキシルプロパナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−3−シクロヘキシルアクリル酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
この粗製生成物のNMRスペクトルによると3−シクロヘキシルプロパナールの収率は97%であった。3−シクロヘキシルプロパナールは、粗製生成物から球管蒸留によって収量166mg(74%)で単離された。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例4:4−メチルペンタナールの製造
a) (E)−4−メチルペンテ−2−エン酸の準備
2−メチルプロピオン酸を手法Aによって(E)−4−メチルペンテ−2−エン酸に反応させた。(E)−4−メチルペンテ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(4.86g、収率85.1%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体<1%を含有していた。このNMRデータは市販の化合物のデータと一致していた。
a) (E)−4−メチルペンテ−2−エン酸の準備
2−メチルプロピオン酸を手法Aによって(E)−4−メチルペンテ−2−エン酸に反応させた。(E)−4−メチルペンテ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(4.86g、収率85.1%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体<1%及びZ−異性体<1%を含有していた。このNMRデータは市販の化合物のデータと一致していた。
b) (E)−4−メチルペンテ−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって4−メチルペンタナールに反応させた。
(E)−オクテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって4−メチルペンタナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−4−メチルペンテ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
この粗製生成物のNMRスペクトルによると4−メチルペンタナールの収率は98%であった。4−メチルペンタナールを球管蒸留によって揮発性の液体として単離した(166mg、収率47%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例5:5−メチルヘキサナールの製造
a) (E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸の準備
2−メチルブタン酸を手法Aによって(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸に反応させた。(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(6.1g、収率95.1%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体2.5%及びZ−異性体<1%を含有していた。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
a) (E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸の準備
2−メチルブタン酸を手法Aによって(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸に反応させた。(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸を球管蒸留により無色の液体として単離した(6.1g、収率95.1%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体2.5%及びZ−異性体<1%を含有していた。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
b) (E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5−メチルヘキサナールに反応させた。
(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5−メチルヘキサナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−5−メチルヘキセ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
この粗製生成物のNMRスペクトルによると5−メチルヘキサナールの収率は97%であった。5−メチルヘキサナール。この得られた生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例6:ドデセ−6−エナールの製造
a) (E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸の準備
(E)−デセ−4−エナール(20mmol)(Z異性体9%を含有する)を、手法Aによって(E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸に反応させ、フラッシュクロマトグラフィー(石油エーテル/ジエチルエーテル/酢酸、100:25:1)を用いて粗製生成物から2.5g(収率63.7%)の量で単離した。この得られた生成物はβ,γ−異性体1%及び2−Z−異性体1.7%を含有していた。
a) (E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸の準備
(E)−デセ−4−エナール(20mmol)(Z異性体9%を含有する)を、手法Aによって(E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸に反応させ、フラッシュクロマトグラフィー(石油エーテル/ジエチルエーテル/酢酸、100:25:1)を用いて粗製生成物から2.5g(収率63.7%)の量で単離した。この得られた生成物はβ,γ−異性体1%及び2−Z−異性体1.7%を含有していた。
b) (E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって(E)−ドデセ−6−エナールに反応させた。
(E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって(E)−ドデセ−6−エナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E,E)−ドデカ−2,6−ジエン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
(E)−ドデセ−6−エナールを、この反応混合物からシリカゲル(CH2Cl2で3回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(283mg、収率97%)。NMR分析によると6−(E:Z)比は91:9であった。この比率は出発化合物の比率に一致した。
実施例7:5,9−ジメチルデセ−8−エナールの製造
a) (E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸の準備
3,7−ジメチルオクト−6−エナールを、手法Aにより(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸に反応させた。減圧下の蒸留により(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸が無色液体として単離された(8.32g、収率85%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体3%及びZ−異性体<1%を含有していた。
a) (E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸の準備
3,7−ジメチルオクト−6−エナールを、手法Aにより(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸に反応させた。減圧下の蒸留により(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸が無色液体として単離された(8.32g、収率85%)。この得られた生成物はβ,γ−異性体3%及びZ−異性体<1%を含有していた。
b) (E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5,9−ジメチルデセ−8−エナールに反応させた。
(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5,9−ジメチルデセ−8−エナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−5,9−ジメチルデカ−2,8−ジエン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
5,9−ジメチルデセ−8−エナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3で3回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(274mg、収率94%)。
実施例8:7−フェニルヘプタナールの製造
(E)−7−フェニルヘプテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって7−フェニルヘプタナールに反応させた。
(E)−7−フェニルヘプテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって7−フェニルヘプタナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−7−フェニルヘプテ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
7−フェニルヘプタナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3で3回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(286mg、収率94%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例9:12−ヒドロキシドデカナールの製造
(E)−12−ヒドロキシドデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって12−ヒドロキシドデカナールに反応させた。
(E)−12−ヒドロキシドデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって12−ヒドロキシドデカナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−12−ヒドロキシドデセ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
12−ヒドロキシドデカナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3/ジエチルエーテル(2:1)で3回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより無色の固体として単離した(279mg、収率87%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例10:8−オキソノナナールの製造
(E)−8−オキソノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって8−オキソノナナールに反応させた。
(E)−8−オキソノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって8−オキソノナナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/オクテ−2−エン酸=1:10:200;(E)−8−オキソノネ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
8−オキソノナナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3/ジエチルエーテル(10:1)で2回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明の液体として単離した(227mg、収率91%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例11:5−メチルスルファニルペンタナールの製造
a) (E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸の準備
3−メチルスルファニルプロパナールを手法Aによって(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸に反応させた。この得られた粗製生成物(6.97g)はβ,γ−異性体18%を含有していた。カラムクロマトグラフィー(石油エーテル/ジエチルエーテル/酢酸、100:50:1)による精製の後に、(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸が3.32gの量(収率45%)で単離された。この単離された生成物はβ,γ−異性体5.7%及びZ−異性体<1%を含有していた。
a) (E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸の準備
3−メチルスルファニルプロパナールを手法Aによって(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸に反応させた。この得られた粗製生成物(6.97g)はβ,γ−異性体18%を含有していた。カラムクロマトグラフィー(石油エーテル/ジエチルエーテル/酢酸、100:50:1)による精製の後に、(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸が3.32gの量(収率45%)で単離された。この単離された生成物はβ,γ−異性体5.7%及びZ−異性体<1%を含有していた。
b) (E)−5−メチルスルファニルペント−2−エン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5−メチルスルファニルペンタナールに反応させた。
(E)−5−メチルスルファニルペンテ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって5−メチルスルファニルペンタナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−5−メチルスルファニルペント−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
5−メチルスルファニルペンタナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3で2回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(165mg、収率78%)。この調査したサンプルは5−メチルスルファニルペンタン−1−オール4%を含有していた。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例12:安息香酸−9−オキソノニルエステルの製造
(E)−9−ベンゾイルオキシノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって安息香酸−9−オキソノニルエステルに反応させた。
(E)−9−ベンゾイルオキシノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって安息香酸−9−オキソノニルエステルに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−9−ベンゾイルオキシノネ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
安息香酸−9−オキソノニルエステルをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3で2回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(403mg、収率96%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例13:9−ベンジルオキシノナナールの製造
(E)−9−ベンジルオキシノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって9−ベンジルオキシノネナールに反応させた。
(E)−9−ベンジルオキシノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって9−ベンジルオキシノネナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−9−ベンジルオキシノネ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
9−ベンジルオキシノネナールを粗製生成物からフラッシュクロマトグラフィー(シクロヘキサン/ジエチルエーテル、6:1)により収量298mg(75%)で単離した。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例14:9−(tert−ブチルジメチルシラニルオキシ)ノナナールの製造
(E)−9−(tert−ブチルジメチルシラニルオキシ)ノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってオクタナールに反応させた。
(E)−9−(tert−ブチルジメチルシラニルオキシ)ノネ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによってオクタナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−9−(tert−ブチルジメチルシラニルオキシ)ノネ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
9−(tert−ブチルジメチルシラニルオキシ)ノナナールをこの反応混合物のシリカゲル(CH2Cl3で2回洗浄)で濾過し、引き続き溶剤を減圧下で除去することにより透明な液体として単離した(415mg、収率95%)。この単離された生成物のNMRデータは、文献のものと一致していた。
実施例15:14,14−ジメトキシテトラデカナールの製造
(E)−14,14−ジメトキシテトラデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって14,14−ジメトキシテトラデカナールに反応させた。
(E)−14,14−ジメトキシテトラデセ−2−エン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって14,14−ジメトキシテトラデカナールに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;(E)−14,14−ジメトキシテトラデセ−2−エン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
14,14−ジメトキシテトラデカナールをフラッシュクロマトグラフィー(シクロヘキサン/ジエチルエーテル、6:1)により収量292mg(67%)で単離した。
実施例16:N−フェニルカルバミン酸−9−オキソノニルエステルの製造
(E)−N−フェニルカルバミン酸−8−ヒドロキシカルボニルオクテー7−エニルエステルを、次に記載の反応条件下で手法8によりN−フェニルカルバミン酸−9−オキソノニルエステルに反応させた。
(E)−N−フェニルカルバミン酸−8−ヒドロキシカルボニルオクテー7−エニルエステルを、次に記載の反応条件下で手法8によりN−フェニルカルバミン酸−9−オキソノニルエステルに反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh]/(I.1)/カルボン酸=1:10:100;(E)−N−フェニル−カルバミン酸−8−ヒドロキシカルボニルオクテ−7−エニルエステルの出発濃度:C0=0.1M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:20bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:20時間。
N−フェニルカルバミン酸−9−オキソノニルエステルを粗製生成物からフラッシュクロマトグラフィー(シクロヘキサン/酢酸エチル、3:1)により白色の固体(341.7mg、収率77%)として単離した。
実施例17:12−オキソドデカン酸の製造
a) (E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸の準備
10−オキソデカン酸を手法Aにより4モル当量のピリジンを使用して(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸に反応させた。この反応生成物を酢酸エチル中で再結晶させた。(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸を無色の固体として単離した(903mg;収率79%;<1%β,γ−異性体;<1%Z−異性体)。
a) (E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸の準備
10−オキソデカン酸を手法Aにより4モル当量のピリジンを使用して(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸に反応させた。この反応生成物を酢酸エチル中で再結晶させた。(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸を無色の固体として単離した(903mg;収率79%;<1%β,γ−異性体;<1%Z−異性体)。
b) (E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化
(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって12−オキソドデカン酸に反応させた。
(E)−ドデセ−2−エンジカルボン酸を、次に記載の反応条件下で手法Bによって12−オキソドデカン酸に反応させた。
配位子:N−(6−ジフェニルホスファニルピリジン−2−イルカルボニル)グアニジン(I.1);モル比:[Rh(CO)2acac]/(I.1)/カルボン酸=1:10:200;12−オキソドデカン酸の出発濃度:C0=0.2M;溶剤:CH2Cl2(8ml);圧力:13bar;合成ガス:CO/H2(1:1):反応温度:25℃、反応時間:24時間。
12−オキソドデカン酸を粗製生成物からフラッシュクロマトグラフィー(石油エーテル/ジエチルエーテル/酢酸=100:50:1)により無色の固体(171.5mg、収率50%)として単離した。この出発化合物はこの場合75%まで反応した。この得られた分析データは文献の値と一致していた。
VII. 分子モデリング
触媒とα,β−不飽和カルボン酸との相互認識する能力を分子モデリング(MMFF, Spartan Pro)によって調査した。この場合に得られたデータは、触媒と基質の相互認識に関する実験的な調査結果を支持する。
触媒とα,β−不飽和カルボン酸との相互認識する能力を分子モデリング(MMFF, Spartan Pro)によって調査した。この場合に得られたデータは、触媒と基質の相互認識に関する実験的な調査結果を支持する。
Claims (19)
- 触媒の存在でのα,β−不飽和カルボン酸又はその塩と一酸化炭素及び水素との反応によるアルデヒドの製造方法において、
前記触媒は、元素周期表の第VIII副族の金属と、式(I)
Pnは、プニコゲン原子を表し;
Wは、両側の結合の間で1〜8つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
R1は、前記式(I)の化合物の基−X(=O)OHとの少なくとも1つの分子間の非共有結合を形成することができる官能基を表し、
R2及びR3は、相互に無関係に、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか又は、アルキル及びアルキルについての前記置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができるか;
又は前記プニコゲン原子及び存在する場合には前記基Y2及びY3と一緒になって、5〜8員の複素環を表し、この複素環は縮合されていないか又は1、2、3若しくは4つのシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールで縮合されていてもよく、その際、この複素環及び、存在する場合に、この縮合された基は、相互に無関係に、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルキル、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択されるそれぞれ1、2、3、4又は5つの置換基を有し、
a、b及びcは、相互に無関係に、0又は1を表し、及び
Y1、Y2及びY3は、相互に無関係に、O、S、NRa又はSiRbRcを表し、その際、Ra、Rb及びRcは、相互に無関係に、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、その際、アルキルは非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、アルコキシ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、アリール、アリールオキシ、ヘタリール及びヘタリールオキシのなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができ、かつその際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル及びアルキルについて挙げられた前記置換基のなかから選択される1、2、3、4又は5つの置換基を有することができる]の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有する、アルデヒドの製造方法。 - 製造された前記アルデヒドの炭素原子の数が、使用された前記α,β−不飽和カルボン酸の炭素原子の数と一致する、請求項1記載の方法。
- 前記触媒は前記基R1によって前記α,β−不飽和カルボン酸と凝集体を形成することができ、その際、前記α,β−不飽和カルボン酸の共役C−C二重結合は、前記第VIII副族の錯生成する金属と相互作用することができる、請求項1又は2記載の方法。
- 元素周期表の前記第VIII副族の金属は、Co、Ru、Rh、Ir、Pd及びPtのなかから選択される、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 周期表の前記第VIII副族の金属はRhを表す、請求項4記載の方法。
- 前記式(I)の化合物中のPnはリンを表す、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記式(I)の化合物中の前記基R1は、少なくとも1つのNH基を有する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 基R1は、−NHRw、=NH、−C(=O)NHRw、−C(=S)NHRw、−C(=NRy)NHRw、−O−C(=O)NHRw、−O−C(=S)NHRw、−O−C(=NRy)NHRw、−N(Rz)−C(=O)NHRw、−N(Rz)−C(=S)NHRw及び−N(Rz)−C(=NRy)NHRwのなかから選択され、その際、Rw、Ry及びRzは、それぞれ相互に無関係に、H、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すか、又はそれぞれ式(II)の化合物の他の置換基と一緒になって、4〜8員の環系の一部である、請求項7記載の方法。
- R1は、−NH−C(=NH)NHRwを表し、Rwは、H、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す、請求項7記載の方法。
- R2及びR3は、それぞれ場合により置換されたフェニル、ピリジル又はシクロヘキシルのなかから選択される、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
- a、b及びcは0を表す、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 式(I)の化合物は、式(I.a)
a、b、c、Pn、R1、R2、R3、Y1、Y2及びY3は、請求項1から10までのいずれか1項に記載された意味を有し、
W′は、両側の結合の間で1〜5つの架橋原子を有する二価の架橋基を表し、
Zは、O、S、S(=O)、S(=O2)、N(RIX)又はC(RIX)(RX)を表し、かつ
RI、RII、RIII、RIV、RV、RVI、RVII、RVIII、RIX及びRXは、相互に無関係に、H、ハロゲン、ニトロ、シアノ、アミノ、アルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表すか、
又は、それぞれ2つの隣接した環原子と結合する基RI、RII、RIV、RVI、RVIII及びRIXは、一緒になって、この隣接した環原子の間の二重結合の結合部分を表し、その際、この六員環は3つまでの積み重ならない二重結合を有することができる]の化合物のなかから選択される、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。 - 前記式(I.a)の化合物中のW′は、C(=O)を表す、請求項12記載の方法。
- 前記式(I.a)の化合物中のR1は、−NH−C(=NH)NHRwを表し、その際、Rwは、H、アルキル、シクロアルキル、アリール又はヘタリールを表す、請求項12又は13記載の方法。
- 前記式(I.a)の化合物中の基RIはRIIと、RIVはRVIと、RVIIIはRIXとそれぞれ一緒になって、隣接する環原子の間の二重結合の結合部分を表す、請求項12から14までのいずれか1項記載の方法。
- 式(II)
R4は、H、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、
その際、アルキル、アルケニル又はアルキニル中の1つ又は複数の隣接しないCH2基は、相互に無関係に、−O−、−O−C(=O)−、−O−Si(R4a)(R4b)−、−O−C(=O)−O−、−O−C(=O)−N(R4c)−、−O−C(=O)−S−、−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−、−N(R4c)−C(=O)−O−、−N(R4c)−C(=O)−N(R4c)−、−N(R4c)−C(=O)−S−、−S−、−S−C(=O)−、−S−C(=O)−O−、−S−C(=O)−N(R4c)−、−S−C(=O)−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−N(Rc)−、−C(=O)−S−又は−Si(R4a)(R4b)−により置き換えられていてもよく、その際、
R4a及びR4bは、相互に無関係にアルキルを表し、
R4cは、H、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール又はヘタリールを表し、かつ
その際、アルキル、アルケニル及びアルキニルは、非置換であるか又は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールのなかから選択される1つ又は複数の置換基を有していてもよく、
その際、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール及びヘタリールは非置換であるか、又はアルキル並びにアルキル、アルケニル及びアルキニルについて挙げられた置換基のなかから選択される1つ又は複数の置換基を有することができる]のα,β−不飽和カルボン酸を、式(III)
- α,β−不飽和カルボン酸の脱カルボキシルヒドロホルミル化のための、請求項1から15のいずれか1項に定義された元素周期表の第VIII副族の金属と前記式(I)の少なくとも1つの化合物との少なくとも1つの錯体を有する触媒の使用。
- 元素周期表の前記第VIII副族の前記金属は、Co、Ru、Rh、Ir、Pd及びPtのなかから選択される、請求項17記載の使用。
- 前記式(I)の化合物が、請求項12から15までのいずれか1項に定義された前記式(I.a)の化合物のなかから選択される、請求項17又は18記載の使用。
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