JP2011513073A - キャビティをシールする方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 基板と上記基板上に堆積された1つ又はそれ以上の層とを有するデバイスを形成する方法であって、
上記デバイスは、
上記基板と上記1つ又はそれ以上の層との間に埋め込まれたキャビティと、
上記キャビティに延在する第1の通路とを有し、
上記方法は、
上記基板及び上記1つ又はそれ以上の層のうちの1つ又はそれ以上から材料を除去することと、
上記除去された材料を上記第1の通路に再堆積して、上記第1の通路をシールすることとを含む方法。 - 少なくとも1つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも1つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべき上記キャビティ及び少なくとも1つの通路の形状を決定することと、
少なくとも1つのカプセル化層を上記少なくとも1つの犠牲層の上に堆積することと、
上記少なくとも1つのカプセル化層の一部を除去して、上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記少なくとも1つのカプセル化層を介して上記キャビティ及び第1の通路を形成することとをさらに含む請求項1記載の方法。 - キャッピング層を、上記少なくとも1つのカプセル化層及び上記再堆積された材料の上に堆積することをさらに含む請求項2記載の方法。
- 上記キャッピング層の上記堆積と、上記再堆積とは、その位置で実行される請求項2記載の方法。
- 上記カプセル化層の一部を除去して、上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第2の通路を形成することとをさらに含む請求項2記載の方法。 - 上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第2の通路に再堆積して、上記第2の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第1の通路への上記再堆積と、上記除去された材料の上記第2の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項5記載の方法。 - 上記基板は、上記基板上に堆積された第1の材料を有し、
上記除去と再堆積とは、上記第1の材料をスパッタエッチングしかつ上記第1の材料を上記第1の通路に再堆積して上記第1の通路をシールすることを含む請求項6記載の方法。 - デバイスを形成する方法であって、
少なくとも1つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも1つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべきキャビティ及び少なくとも1つの通路の形状を決定することと、
カプセル化層を上記少なくとも1つの犠牲層の上に堆積することと、
第2の層を上記第1のカプセル化層の上に堆積することと、
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の側面を介して延在している上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第1の通路を形成することと、
上記第2の層及び上記基板のうちの少なくとも1つから材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第1の通路に再堆積して、上記第1の通路をシールすることとを含む方法。 - キャッピング層を上記再堆積された材料の上に堆積することをさらに含む請求項8記載の方法。
- 上記キャッピング層の上記堆積と、上記再堆積とは、その位置で実行される請求項9記載の方法。
- 上記第2の層及び上記基板のうちの少なくとも1つからの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、スパッタエッチングを含む請求項8記載の方法。
- 上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の少なくとも1つの第2の側面を介して上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第2の通路を形成することとをさらに含む請求項8記載の方法。 - 上記基板及び上記第2の層のうちの1つ又はそれ以上から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第2の通路に再堆積して、上記第2の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第1の通路への上記再堆積と、上記材料の上記第2の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項12記載の方法。 - 上記基板は、上記基板上に堆積された第1の材料を有し、
上記第2の層及び上記基板のうちの少なくとも1つからの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、上記第1の材料をスパッタエッチングしかつ上記第1の材料を上記第1の通路に再堆積して、上記第1の通路をシールすることを含む請求項8記載の方法。 - デバイスを形成する方法であって、
少なくとも1つの犠牲層を基板の上に堆積することと、
上記少なくとも1つの犠牲層の一部を除去して、形成されるべきキャビティ及び少なくとも1つの通路の形状を決定することと、
カプセル化層を、上記キャビティの形状を決定する上記少なくとも1つの犠牲層の上に堆積することと、
第2の層を上記カプセル化層の上に堆積することと、
上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の側面を介して、上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第1の通路を形成することと、
上記第2の層及び上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第1の通路に再堆積して、上記第1の通路をシールすることと、
キャッピング層を上記シールされた第1の通路の上に堆積することとを含み、
上記第1の通路は、上記キャビティの高さ未満の高さを有し、
上記キャッピング層の堆積と上記再堆積とは、その位置で発生する方法。 - 上記デバイスは、微小電気機械システムデバイスである請求項15記載の方法。
- 上記第2の層及び上記基板からの材料の除去と、上記除去された材料の再堆積とは、スパッタエッチングを含む請求項15記載の方法。
- 上記カプセル化層の一部を除去して、上記カプセル化層の少なくとも1つの第2の側面を介して上記少なくとも1つの犠牲層の一部を露出することと、
上記少なくとも1つの犠牲層を除去して、上記カプセル化層を介して上記キャビティ及び第2の通路を形成することとをさらに含む請求項15記載の方法。 - 上記基板から材料を除去しかつ上記除去された材料を上記第2の通路に再堆積して、上記第2の通路をシールすることをさらに含み、
上記除去された材料の上記第1の通路への上記再堆積と、上記除去された材料の上記第2の通路への上記再堆積とは、実質的に同時に発生する請求項18記載の方法。 - 上記基板は、上記基板上に堆積された第1の材料を有し、
上記第2の層及び上記基板からの材料の上記除去と、上記除去された材料の再堆積とは、上記第1の材料をスパッタエッチングしかつ上記第1の材料を上記第1の通路に再堆積して、上記第1の通路をシールすることを含む請求項15記載の方法。
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