CN112563412B - 磁性隧道结刻蚀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种磁性隧道结刻蚀方法，包括：提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层、第一隧穿层、自由层和覆盖层；对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于所述自由层上表面；在所述第一刻蚀件上沉积牺牲层，所述牺牲层覆盖在所述第一刻蚀件上；对所述牺牲层、自由层以及自由层以下各层进行第二次刻蚀形成磁隧道结位元。本发明提供的磁性隧道结刻蚀方法，能够降低刻蚀过程中对磁性隧道结的损伤以及再沉积导致的短路现象。
Description
技术领域
本发明涉及磁随机存储器技术领域，尤其涉及一种磁性隧道结刻蚀方法。
背景技术
隧道结刻蚀中有两大困难，短路和损伤。隧道结是由金属材料组成，总有一些金属的刻蚀产物不是挥发性的气体，而是像粉尘一类的固体残渣。这些残渣非常容易附着在位元侧壁，造成器件短路。这是隧道结刻蚀的头号难题。其次是损伤。刻蚀过程中的刻蚀物质，无论是反应离子刻蚀中的氯基、氟基气体，还是离子束刻蚀当中的惰性气体等离子体，都会对器件表层物质造成损伤，从而使器件性能降低。反应离子刻蚀中的卤素气体会不断渗入器件内部，造成位元的磁性受到破坏。离子束刻蚀则会破坏位元表面的晶格结构，在表面形成损伤层，同样会造成磁性损伤。
发明内容
本发明提供的磁性隧道结刻蚀方法，能够较好地解决短路、损伤问题。
第一方面，本发明提供一种磁性隧道结刻蚀方法，包括：
提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层、第一隧穿层、自由层和覆盖层；
对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于所述自由层上表面；
在所述第一刻蚀件上沉积牺牲层，所述牺牲层覆盖在所述第一刻蚀件上；
对所述牺牲层、自由层以及自由层以下各层进行第二次刻蚀形成磁隧道结位元。
可选地，沉积牺牲层包括：
控制所述牺牲层的厚度为1～100nm；控制所述牺牲层的台阶覆盖率大于50％。
可选地，所述牺牲层材料包括氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝中的一种或几种的组合。
可选地，所述第一次刻蚀和第二次刻蚀为离子束刻蚀，所述离子束刻蚀的刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
可选地，所述第二次刻蚀结束后，还包括：采用离子束刻蚀的方法对所述第二次刻蚀所暴露的侧壁进行清洗，所述离子束刻蚀的加速电压小于200V，所述离子束刻蚀的刻蚀束流角度为40～70°。
可选地，所述清洗过程中还包括：在离子束刻蚀的同时进行甲醇吸附，所述甲醇流量为1～20sccm。
可选地，所述待刻蚀件还包括与所述自由层上表面接触的刻蚀阻挡层。
可选地，所述待刻蚀件还包括层叠在自由层上表面的第二隧穿层；
所述第一次刻蚀包括对所述覆盖层和所述第二隧穿层的刻蚀。
可选地，所述待刻蚀件还包括与所述参考层下表面接触的钉扎层；
所述第二次刻蚀包括对所述牺牲层、自由层、第一隧穿层、参考层和钉扎层进行刻蚀。
可选地，在第二次刻蚀过程中：
所述牺牲层采用反应离子刻蚀方法进行刻蚀；
所述自由层以及自由层以下各层采用离子束刻蚀方法进行刻蚀。
采用本发明磁性隧道结刻蚀方法，可以有效地减少刻蚀损伤、避免短路。原因有二：其一，第一次刻蚀终点停在自由层上，可以有效避免刻蚀对自由层的损伤，并可以阻隔少数高能离子的注入。还可以防止硬掩模周围沾染磁性金属粉尘，避免对自由层磁性造成干扰。其二，引入牺牲层，可以将第二次刻蚀中硬掩模刻蚀产物由金属换成介质，从而减少隧穿层附近沉积的金属的总量。侧壁残余的硬掩模可以在第二次刻蚀中保护正下方的自由层减少损伤，并使得隧道结位元侧壁倾角减小，在同样刻蚀角度下可以大幅增加对侧壁的刻蚀效应，减少短路。
本发明磁性隧道结刻蚀方法可以把短路比例降低到100ppm以下。在磁学性能上，TMR值是一个重要的衡量标准，本发明磁性隧道结刻蚀方法可以使得刻蚀带来的TMR减损小于30％(相比于连续薄膜的TMR)。在自由层矫顽力方面，也比普通离子束刻蚀提升10％以上。
附图说明
图1为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例的流程图；
图2为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例1待刻蚀件示意图；
图3为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例1第一刻蚀件的示意图；
图4为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例1牺牲层沉积完毕示意图；
图5为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例1次隧道结位元示意图；
图6为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例1沉积保护层示意图。
图7为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2待刻蚀件示意图；
图8为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2第一刻蚀件示意图；
图9为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2牺牲层沉积完毕示意图；
图10为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2磁隧道结位元示意图；
图11为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2沉积保护层示意图；
图12为本发明磁性隧道结刻蚀方法实施例2在第二次刻蚀过程中镁元素信号谱线随时间变化图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例提供一种磁性隧道结刻蚀方法，如图1-6所示，所述方法包括：
S1提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层4、第一隧穿层5、自由层6和覆盖层10。
上述步骤S1包括如下具体步骤：
S11：提供一衬底1，在衬底1上形成底部通孔，对所述底部通孔填充导电材料3；在所述导电材料3上形成底部电极2，并进行平坦化处理。
S12：在所述衬底1和所述底部电极2上依次层叠形成参考层4、第一隧穿层5、自由层6、覆盖层10和硬掩模11。硬掩模11上有目标图形，即磁隧道结刻蚀完毕后的图形。
作为本步骤的可选实施方式：第一隧穿层5的材料包括但不限于氧化镁或氧化铝；覆盖层10的材料包括但不限于钽、钌、钴、铁或硼等。自由层6的材料包括但不限于铁、钴、硼、镍、铁、锰、铂等。
可选地，在待刻蚀件上还具有上下引出电极，上下引出电极的材料包括但不限于钽、铝、铜、钨、氮化钽、氮化钛等材料。
S2对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模11覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于所述自由层6上表面；
本步骤中，依据硬掩模11上的目标图形，对覆盖层10进行刻蚀，在刻蚀过程中，要精准控制刻蚀终点，避免对自由层6进行刻蚀。第一次刻蚀完成时要求硬掩模侧壁再沉积层中不能有磁性金属。
作为本步骤的可选实施方式：可以使用离子束刻蚀将覆盖层10刻蚀，不要触及覆盖层10下方的结构。离子束刻蚀时，采用惰性气体在交变电场中产生等离子体，等离子体中的离子轰击材料表面，产生刻蚀。惰性气体可以选用氦、氖、氩、氪、氙或氡中的一种或几种的组合。在选取离子束刻蚀设备时，可以选取有等离子体孔径束阑、加速电压、偏角装置的离子束刻蚀设备。在刻蚀过程中，控制刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
在本步骤的刻蚀过程中，不可避免的会在硬掩模11的侧壁形成侧壁再沉积层，由于未对自由层6进行刻蚀，因此侧壁再沉积层的材料中不包括自由层6材料的铁、钴、镍、锰、铂等，侧壁再沉积层仅包括钽、钌、硅、氧、镁、氮、钛、硼、钨等材料。
作为本步骤的可选实施方式，本实施例可以采用控制刻蚀时间的方法来实现覆盖层10的精准刻蚀。对于固定的某一膜结构及硬掩模结构，固定的刻蚀工艺菜单，刻蚀速率固定。通过投射电镜切片确定刻蚀深度，进而确定刻蚀到覆盖层10所需的时间。把这个时间固定下来，即可实现覆盖层10的刻蚀。
作为本步骤的可选实施方式，本实施例可以采用在自由层6上增加一层刻蚀阻挡层作为刻蚀终点的方法来实现覆盖层10的精准刻蚀。刻蚀阻挡层的材料可以是硼、镁、钽、钌、钨等导电金属材料。刻蚀阻挡层厚度为1～10nm。此时可以通过光学发光谱终点监测或时间延迟方法确定刻蚀终点。
S3在所述第一刻蚀件上沉积牺牲层12，所述牺牲层12覆盖在所述第一刻蚀件上；
在本步骤中，在第一刻蚀件上形成牺牲层12，牺牲层12覆盖自由层6上表面、硬掩模11的侧壁以及覆盖层10的侧壁。由于本实施例中的覆盖层10上表面被硬掩模11覆盖，因此，牺牲层12覆盖在硬掩模11的上表面。
作为本步骤的可选实施方式，牺牲层12的其厚度为1～100nm，台阶覆盖率>50％。牺牲层12的材料包括但不限于氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝等。牺牲层12的淀积方式包括但不限于化学气相沉积或原子层沉积等。
作为本步骤的可选实施方式，牺牲层12的沉积采用等离子体增强化学气相沉积法，沉积材料为氮化硅。反应气体为硅烷与氨气，等离子体功率为75W，气压为6Torr，载气为氮气，时间为20～100s。优选地牺牲层12厚度为30nm。
S4对所述牺牲层12、自由层6以及自由层6以下各层进行第二次刻蚀形成磁隧道结位元。
在本步骤中，对牺牲层12、自由层6、第一隧穿层5和参考层4进行刻蚀，直至衬底1的上表面暴露。
作为本步骤的可选实施方式：可以使用离子束刻蚀将覆盖层10刻蚀，刻蚀时不要触及覆盖层10下方的结构。离子束刻蚀时，采用惰性气体在交变电场中产生等离子体，等离子体中的离子轰击材料表面，产生刻蚀。惰性气体可以选用氦、氖、氩、氪、氙或氡中的一种或几种的组合。在选取离子束刻蚀设备时，可以选取有等离子体孔径束阑、加速电压、偏角装置的离子束刻蚀设备。在刻蚀过程中，控制刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
作为本步骤的另一可选实施方式：在刻蚀牺牲层12时，采用氟基、氯基气体的反应离子刻蚀方法进行刻蚀。水平方向上刻蚀完牺牲层12时，在磁隧道结位元的侧壁还存有剩余的牺牲层12。此时转入离子束刻蚀腔，继续第二步刻蚀隧道结层。
S5在第二次刻蚀完毕后，沉积保护层13，保护层13覆盖衬底1上表面、覆盖层10上表面以及覆盖层10。
作为本步骤的可选实施方式：保护层13的厚度为1～100nm，台阶覆盖率>50％。保护层13的材料包括但不限于氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝等。保护层13的淀积方式包括但不限于化学气相沉积、原子层沉积等。
作为本步骤的可选实施方式：保护层13的沉积采用等离子体增强化学气相沉积法，沉积材料氮化硅。反应气体为硅烷与氨气，等离子体功率为75W，气压为6Torr，载气为氮气，时间为20～100s。最终保护层13优选厚度为12nm。
可选地，在步骤S5之前还可以包括清洗步骤：清洗方式可以采用低能离子束对磁隧道结各层的侧壁进行清洗，其加速电压小于200V，角度为40～70°。可选地，在低能离子束清洗过程中，还可以同时采用甲醇吸附，甲醇流量为1～20sccm。
采用本发明磁性隧道结刻蚀方法，可以有效地减少刻蚀损伤、避免短路，原因有二。其一，第一次刻蚀终点停在自由层上，可以有效避免刻蚀对自由层的损伤，并可以阻隔少数高能离子的注入。还可以防止硬掩模周围沾染磁性金属粉尘，避免对自由层磁性造成干扰。其二，引入牺牲层，可以将第二次刻蚀中硬掩模刻蚀产物由金属换成介质，从而减少隧穿层附近沉积的金属的总量。侧壁残余的硬掩模可以在第二次刻蚀中保护正下方的自由层减少损伤，并使得隧道结位元侧壁倾角减小，在同样刻蚀角度下可以大幅增加对侧壁的刻蚀效应，减少短路。
本实施例磁性隧道结刻蚀方法可以把短路比例降低到100ppm以下。在磁学性能上，TMR值是一个重要的衡量标准。另外，本实施例磁性隧道结刻蚀方法可以使得刻蚀带来的TMR减损小于30％。在自由层6矫顽力方面，也比普通离子束刻蚀提升10％以上。
实施例2
本发明实施例提供一种磁性隧道结刻蚀方法，如图1以及图7～11所示所述方法包括：
S1提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层4、第一隧穿层5、自由层6和覆盖层10。
上述步骤S1包括如下具体步骤：
S11：提供一衬底1，在衬底1上形成底部通孔，对所述底部通孔填充导电材料3；在所述导电材料3上形成底部电极2，并进行平坦化处理。
S12：在所述衬底1和所述底部电极2上依次层叠形成缓冲层7、钉扎层8、参考层4、第一隧穿层5、自由层6、第二隧穿层9、覆盖层10和硬掩模11。硬掩模11上有目标图形，即磁隧道结刻蚀完毕后的图形。
作为本步骤的可选实施方式：第一隧穿层5的材料包括但不限于氧化镁或氧化铝；覆盖层10的材料包括但不限于钽、钌、钴、铁或硼等。自由层6的材料包括但不限于铁、钴、硼、镍、铁、锰、铂等。
可选地，在待刻蚀件上还具有上下引出电极，上下引出电极的材料包括但不限于钽、铝、铜、钨、氮化钽、氮化钛等材料。
S2对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模11覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于所述自由层6上表面；
本步骤中，依据硬掩模11上的目标图形，对覆盖层10和第二隧穿层9进行刻蚀，在刻蚀过程中，精准控制刻蚀终点，避免对自由层6进行刻蚀。第一次刻蚀完成时要求硬掩模侧壁再沉积层中不能有磁性金属。
作为本步骤的可选实施方式：可以使用离子束刻蚀将覆盖层10刻蚀，不要触及覆盖层10下方的结构。离子束刻蚀时，采用惰性气体在交变电场中产生等离子体，等离子体中的离子轰击材料表面，产生刻蚀。惰性气体可以选用氦、氖、氩、氪、氙或氡中的一种或几种的组合。在选取离子束刻蚀设备时，可以选取有等离子体孔径束阑、加速电压、偏角装置的离子束刻蚀设备。在刻蚀过程中，控制刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
在本步骤的刻蚀过程中，不可避免的会在硬掩模11的侧壁形成侧壁再沉积层，由于未对自由层6进行刻蚀，因此侧壁再沉积层的材料中不包括自由层6材料的铁、钴、镍、锰、铂等，侧壁再沉积层仅包括钽、钌、硅、氧、镁、氮、钛、硼、钨等材料。
作为本步骤的可选实施方式，本实施例可以采用控制刻蚀时间的方法来实现覆盖层10的精准刻蚀。对于固定的某一膜结构及硬掩模结构，固定的刻蚀工艺菜单，刻蚀速率固定。通过投射电镜切片确定刻蚀深度，进而确定刻蚀到覆盖层10所需的时间。把这个时间固定下来，即可实现覆盖层10的刻蚀。
作为本步骤的可选实施方式，本实施例可以采用在自由层6上增加一层刻蚀阻挡层作为刻蚀终点的方法来实现覆盖层10的精准刻蚀。刻蚀阻挡层的材料可以是硼、镁、钽、钌、钨等导电金属材料。刻蚀阻挡层厚度为1～10nm。此时可以通过光学发光谱终点监测或时间延迟方法确定刻蚀终点。
作为本步骤的可选实施方式，本实施例可以采用光学发光谱(OES)监测刻蚀终点，实现覆盖层10的精准。采用CoFeB-MgO双势垒结构，即自由层6为CoFeB，两层隧穿层(第一隧穿层、第二隧穿层)为MgO，用离子束刻蚀设备进行刻蚀，入射角度为20～30°。实时监测Mg元素信号，即发光波段在284.5～286.5nm之间的光强度，并进行平均降噪。光谱采集时间为2秒，降噪平均次数为10次。镁元素信号谱线随刻蚀时间的变化如图12所示。由于本实施例第一步刻蚀时只能刻蚀覆盖层10和第二隧穿层9，不能刻蚀到自由层6，反映在光谱上即要求必须在第一个镁峰之前停止刻蚀，即停在under所示的位置。
S3在所述第一刻蚀件上沉积牺牲层12，所述牺牲层12覆盖在所述第一刻蚀件上；
在本步骤中，在第一刻蚀件上形成牺牲层12，牺牲层12覆盖自由层6上表面、硬掩模11的侧壁、第二隧穿层9侧壁以及覆盖层10的侧壁。由于本实施例中的覆盖层10上表面被硬掩模11覆盖，因此，牺牲层12还覆盖在硬掩模11的上表面。
作为本步骤的可选实施方式，牺牲层12的其厚度为1～100nm，台阶覆盖率>50％。牺牲层12的材料包括但不限于氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝等。牺牲层12的淀积方式包括但不限于化学气相沉积或原子层沉积等。
作为本步骤的可选实施方式，牺牲层12的沉积采用等离子体增强化学气相沉积法，沉积材料未氮化硅。反应气体为硅烷与氨气，等离子体功率为75W，气压为6Torr，载气为氮气，时间为20～100s。优选地牺牲层12厚度为30nm。
S4对所述牺牲层12、自由层6以及自由层6以下各层进行第二次刻蚀形成磁隧道结。
在本步骤中，对牺牲层12、自由层6、第一隧穿层5、参考层4和缓冲层7进行刻蚀，直至衬底1的上表面暴露。
作为本步骤的可选实施方式：可以使用离子束刻蚀将覆盖层10刻蚀，不要触及覆盖层10下方的结构。离子束刻蚀时，采用惰性气体在交变电场中产生等离子体，等离子体中的离子轰击材料表面，产生刻蚀。惰性气体可以选用氦、氖、氩、氪、氙或氡中的一种或几种的组合。在选取离子束刻蚀设备时，可以选取有等离子体孔径束阑、加速电压、偏角装置的离子束刻蚀设备。在刻蚀过程中，控制刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
作为本步骤的另一可选实施方式：在刻蚀牺牲层12时，采用氟基、氯基气体的反应离子刻蚀方法进行刻蚀。水平方向上刻蚀完牺牲层12时，在MTJ位元的侧壁还存有剩余的牺牲层12。此时转入离子束刻蚀腔，继续第二步刻蚀隧道结层。
S5在第二次刻蚀完毕后，沉积保护层13，保护层13覆盖衬底1上表面、覆盖层10上表面以及覆盖层10。
作为本步骤的可选实施方式：保护层13的厚度为1～100nm，台阶覆盖率>50％。保护层13的材料包括但不限于氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝等。保护层13的淀积方式包括但不限于化学气相沉积、原子层沉积等。
作为本步骤的可选实施方式：保护层13的沉积采用等离子体增强化学气相沉积法，沉积材料氮化硅。反应气体为硅烷与氨气，等离子体功率为75W，气压为6Torr，载气为氮气，时间为20～100s。最终保护层13厚度为12nm。
可选地，在步骤S5之前还可以包括清洗步骤：清洗方式可以采用低能离子束对磁隧道结各层的侧壁进行清洗，其加速电压小于200V，角度为40～70°。可选地，在低能离子束清洗过程中，还可以同时采用甲醇吸附，甲醇流量为1～20sccm。
采用本发明磁性隧道结刻蚀方法，可以有效地减少刻蚀损伤、避免短路，原因有二。其一，第一次刻蚀终点停在自由层上，可以有效避免刻蚀对自由层的损伤，并可以阻隔少数高能离子的注入。还可以防止硬掩模周围沾染磁性金属粉尘，避免对自由层磁性造成干扰。其二，引入牺牲层，可以将第二次刻蚀中硬掩模刻蚀产物由金属换成介质，从而减少隧穿层附近沉积的金属的总量。侧壁残余的硬掩模可以在第二次刻蚀中保护正下方的自由层减少损伤，并使得隧道结位元侧壁倾角减小，在同样刻蚀角度下可以大幅增加对侧壁的刻蚀效应，减少短路。
本实施例磁性隧道结刻蚀方法可以把短路比例降低到100ppm以下。在磁学性能上，TMR值是一个重要的衡量标准。另外，本实施例磁性隧道结刻蚀方法可以使得刻蚀带来的TMR减损小于30％。在自由层6矫顽力方面，也比普通离子束刻蚀提升10％以上。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：包括：
提供待刻蚀件，所述待刻蚀件至少包括由下向上依次形成的参考层、第一隧穿层、自由层和覆盖层；
对所述待刻蚀件进行第一次刻蚀形成第一刻蚀件，第一次刻蚀在硬掩模覆盖之外部分的刻蚀终点位置高于所述自由层上表面；其中，所述第一次刻蚀采用离子束刻蚀；
在所述第一刻蚀件上沉积牺牲层，所述牺牲层覆盖在所述第一刻蚀件上；
对所述牺牲层、自由层以及自由层以下各层进行第二次刻蚀形成磁隧道结位元；其中，在第二次刻蚀过程中，所述牺牲层采用反应离子刻蚀方法进行刻蚀；所述自由层以及自由层以下各层采用离子束刻蚀方法进行刻蚀。
2.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：沉积牺牲层包括：
控制所述牺牲层的厚度为1～100nm；控制所述牺牲层的台阶覆盖率大于50％。
3.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料包括氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅、氧化硅或氧化铝中的一种或几种的组合。
4.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述第一次刻蚀和第二次刻蚀为离子束刻蚀，所述离子束刻蚀的刻蚀束流角度为10～35°，加速偏压为50V～3000V，发散角小于20°。
5.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述第二次刻蚀结束后，还包括：采用离子束刻蚀的方法对所述第二次刻蚀所暴露的侧壁进行清洗，所述离子束刻蚀的加速电压小于200V，所述离子束刻蚀的刻蚀束流角度为40～70°。
6.如权利要求5所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述清洗过程中还包括：在离子束刻蚀的同时进行甲醇吸附，所述甲醇流量为1～20sccm。
7.如权利要求1-6任意一项所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述待刻蚀件还包括与所述自由层上表面接触的刻蚀阻挡层。
8.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述待刻蚀件还包括层叠在自由层上表面的第二隧穿层；
所述第一次刻蚀包括对所述覆盖层和所述第二隧穿层的刻蚀。
9.如权利要求1所述磁性隧道结刻蚀方法，其特征在于：所述待刻蚀件还包括与所述参考层下表面接触的钉扎层；
所述第二次刻蚀包括对所述牺牲层、自由层、第一隧穿层、参考层和钉扎层进行刻蚀。
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